KR890016219A - 다이야몬드 성장 방법 - Google Patents

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KR890016219A
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crystalline
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KR1019890005639A
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린 존스 바바라
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드 비어스 인더스트리얼 다이야몬드 디비젼(프로프라이어터리)리미티드
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    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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Abstract

내용 없음

Description

다이야몬드 성장 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 실행에 적합한 장치를 도시한 것임. 제 2 도 내지 제 6 도는 본 발명으로 제조한 전형적인 다이야몬드와 다이야몬드 필름의 사진임.

Claims (22)

  1. 적합한 질화물 표면을 제공하고, 이 질화물 표면상에 기재를 놓고, 기재 주변에 가스상 탄소 화합물 분위기를 조성하고, 질화물 표면과 기재의 온도를 적어도 600℃로 조정하고, 마이크로파 에너지를 가스상 탄소 화합물에 적용하여 분해시키고 탄소를 생성하여 기재상에 피착시켜서 그 그재상에 결정질 다이야몬드를 형성시키는 단계를 포함하는 기재상에 결정질 다이야몬드를 성장시키는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 질화물이 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 티타늄 질화물, 탄탈 질화물 등으로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 질화물이 실리콘 질화물인 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항 내지 3항중 어느 1개 항에 있어서, 질화물 표면이 완전히 기지체를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 지지체가 마이크로파 에너지 싱크(sink)인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 5 항에있어서, 지지체가 흑연 지지체인 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 1개 항에 있어서, 질화물 표면과 기재가 탄소 화합물을 분해시키고 기재상에 탄소를 피착시키는 동안 600-1000℃의 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1 항 내지 7항중 어느 1개 항에 있어서, 기재가 질화물 표면보다 높은 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 1 항 내지 8항중 어느 1개항에 있어서, 마이크로파 에너지의 주파수가 200MHz 내지 90GHz 범위인 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 1 항 내지 9항중 어느 1개 항에 있어서, 마이크로파 에너지가 적어도 수 시간 동안 적용되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 1 항 내지 10항중 어느 1개 항에 있어서, 마이크로파 에너지가 2 내지 10시간 동안 적용되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 1 항 내지 11항중 어느 1개 항에 있어서, 탄소 화합물이 탄화수소인 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 탄화수소가 메탄인 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 1 항 내지 제13항중 1개 항에 있어서, 탄소 화합물이 환원성 가스 일부를 혼합물중에 함유하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 환원성 가스가 수소인 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 1 항 내지 15항중 어느 1개 항에 있어서, 기재가 결정질(crystalline)인 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 결정질 기재가 다이야몬드인 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 기재상에 형성된 결정질 다이야몬드가 IIa형인 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제 1 항 내지 제15항중 어느 1개 항에 있어서, 기재가 비결정체, 유리 및 금속인 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 다이야몬드 기재에 결합된 IIa형 다이야몬드 층으로 되는 다이야몬드 몸체.
  21. 제20항에 있어서, 다이야몬드 기재가 Ia형 다이야몬드인 곳을 특징으로 하는 다이야몬드 몸체.
  22. 제20항 또는 제21항에 있어서, 열 싱크 용도인 것을 특징으로 하는 다이야몬드 몸체.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1988007599A1 (en) * 1987-03-23 1988-10-06 Showa Denko Kabushiki Kaisha Composite diamond particles
US5256483A (en) * 1988-02-05 1993-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing method and apparatus
JP2730145B2 (ja) * 1989-03-07 1998-03-25 住友電気工業株式会社 単結晶ダイヤモンド層の形成法
GB8912498D0 (en) * 1989-05-31 1989-07-19 De Beers Ind Diamond Diamond growth
GB9009059D0 (en) * 1990-04-23 1990-06-20 De Beers Ind Diamond Diamond window
JPH04305096A (ja) * 1991-04-01 1992-10-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 高品質気相合成ダイヤモンドの低温形成法
CA2065724A1 (en) * 1991-05-01 1992-11-02 Thomas R. Anthony Method of producing articles by chemical vapor deposition and the support mandrels used therein
US5800879A (en) * 1991-05-16 1998-09-01 Us Navy Deposition of high quality diamond film on refractory nitride
SE502094C2 (sv) * 1991-08-16 1995-08-14 Sandvik Ab Metod för diamantbeläggning med mikrovågsplasma
US5381755A (en) * 1991-08-20 1995-01-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of synthesizing high quality, doped diamond and diamonds and devices obtained therefrom
US5443032A (en) * 1992-06-08 1995-08-22 Air Products And Chemicals, Inc. Method for the manufacture of large single crystals
US5236545A (en) * 1992-10-05 1993-08-17 The Board Of Governors Of Wayne State University Method for heteroepitaxial diamond film development
US5485804A (en) * 1994-05-17 1996-01-23 University Of Florida Enhanced chemical vapor deposition of diamond and related materials
DE19752202C1 (de) * 1997-11-25 1999-04-15 Hans Dr Hofsaes Herstellungsverfahren für eine mikromechanische Vorrichtung
JP4294140B2 (ja) * 1999-01-27 2009-07-08 有限会社アプライドダイヤモンド ダイヤモンド薄膜の改質方法及びダイヤモンド薄膜の改質及び薄膜形成方法並びにダイヤモンド薄膜の加工方法
GB0130004D0 (en) * 2001-12-14 2002-02-06 Diamanx Products Ltd Coloured diamond
GB0130005D0 (en) * 2001-12-14 2002-02-06 Diamanx Products Ltd Boron doped diamond
US7309446B1 (en) 2004-02-25 2007-12-18 Metadigm Llc Methods of manufacturing diamond capsules
US7122837B2 (en) 2005-01-11 2006-10-17 Apollo Diamond, Inc Structures formed in diamond
TW200702302A (en) * 2005-07-01 2007-01-16 Kinik Co Method of manufacturing diamond film and application thereof
US20090297429A1 (en) * 2006-01-04 2009-12-03 Vohra Yogesh K High growth rate methods of producing high-quality diamonds

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3030187A (en) * 1958-07-23 1962-04-17 Union Carbide Corp Synthesis of diamond
US3961103A (en) * 1972-07-12 1976-06-01 Space Sciences, Inc. Film deposition
US4434188A (en) * 1981-12-17 1984-02-28 National Institute For Researches In Inorganic Materials Method for synthesizing diamond
JPS5963732A (ja) * 1982-10-04 1984-04-11 Hitachi Ltd 薄膜形成装置
US4617181A (en) * 1983-07-01 1986-10-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Synthetic diamond heat sink
JPS6054995A (ja) * 1983-09-07 1985-03-29 Natl Inst For Res In Inorg Mater ダイヤモンドの合成法
JPS61158898A (ja) * 1984-12-29 1986-07-18 Kyocera Corp 装飾用ダイヤモンドの製造方法
US4816286A (en) * 1985-11-25 1989-03-28 Showa Denko Kabushiki Kaisha Process for synthesis of diamond by CVD
JPS62167294A (ja) * 1986-01-21 1987-07-23 Showa Denko Kk 気相法によるダイヤモンド薄膜の製造法
JPS63107898A (ja) * 1986-10-23 1988-05-12 Natl Inst For Res In Inorg Mater プラズマを用いるダイヤモンドの合成法
KR900008505B1 (ko) * 1987-02-24 1990-11-24 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 탄소 석출을 위한 마이크로파 강화 cvd 방법
JPS6428296A (en) * 1987-07-22 1989-01-30 Showa Denko Kk Synthesis of diamond in vapor phase

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Publication number Publication date
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GB8810111D0 (en) 1988-06-02
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DE68913085T2 (de) 1994-05-26
ATE101663T1 (de) 1994-03-15
EP0348026A1 (en) 1989-12-27
EP0348026B1 (en) 1994-02-16
ZA893032B (en) 1989-12-27
DE68913085D1 (de) 1994-03-24
AU3385489A (en) 1989-11-02
JPH0259493A (ja) 1990-02-28

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