JPS6357399B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6357399B2
JPS6357399B2 JP58244776A JP24477683A JPS6357399B2 JP S6357399 B2 JPS6357399 B2 JP S6357399B2 JP 58244776 A JP58244776 A JP 58244776A JP 24477683 A JP24477683 A JP 24477683A JP S6357399 B2 JPS6357399 B2 JP S6357399B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diamond
thin film
diamond thin
diaphragm
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP58244776A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60141697A (ja
Inventor
Kunio Imai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pioneer Electronic Corp filed Critical Pioneer Electronic Corp
Priority to JP58244776A priority Critical patent/JPS60141697A/ja
Publication of JPS60141697A publication Critical patent/JPS60141697A/ja
Publication of JPS6357399B2 publication Critical patent/JPS6357399B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/04Diamond

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、スピーカの振動板の形状としたダイ
ヤモンド薄膜の振動板の製造方法に関するもので
ある。
従来からスピーカ用の振動板として各社の素材
が使用されて来たが、高剛性の振動板の素材とし
てはベリリウム、ボロン化チタン、アルミナ系セ
ラミツク、チタン、アルミニウム等が使用されて
いる。
又、ダイヤモンドを使用した振動板としてはダ
イヤモンドの微粒子をニツケル等の金属で結合し
たものもある。
これ等の振動板のうち、金属を素材として使用
したものは、金属の薄い板を金型でプレスした
り、振動板の形状をした基板に蒸着法で金属薄膜
を形成した後、基板を薬品で溶かし、或いは全体
を加熱しておいてから急冷して金属薄膜を剥離す
る等の方法がとられていた。
しかしながら、プレス成型は金属板の厚さを或
る程度以下とすることはできず、皺ができ易く、
且つ成型歪が残り、不規則振動の原因となつてい
た。
又、前記全体を加熱しておいてから急冷する方
法では、全体が同じ温度になるため伸びの差が少
く、剥離がうまくゆかない欠点がある。
更に、ダイヤモンドの微粒子をニツケル等の金
属で結合したものは、比重が大きくなり、ダイヤ
モンドの剛性が生かせない欠点があつた。
本発明は、透明で高剛性のダイヤモンドを振動
板の形状に形成し、それによつて振動板の性能を
向上すると共に、ダイヤモンドの輝きによる美化
が可能なダイヤモンド振動板を提供し、以つて従
来の振動板の欠点を除去せんとすることを目的と
するダイヤモンド振動板の製造方法である。
以下、本発明の実施例を図面について説明す
る。
モリブデン、シリコン、セラミツク等のような
1000℃以上の耐熱性を有し、しかも熱膨張率の小
さい材料で、第1図のような振動板形状の基体1
を作成する。
この基体1の振動板を形成する表面には、同心
円状、或いは放射線方向、又はランダムに数μ程
度の凹凸を形成してある。
700℃〜1000℃の電気炉中に基体1を置き、こ
の上に気圧以下でゆつくりと炭化水素及び水素の
混合ガス2を流し、このガスを更に基体1の上に
配設したヒータ3で加熱して高温化すると、基体
1上には膜状にダイヤモンド薄膜4が生長してく
る。
このように生長したダイヤモンド薄膜4が形成
された基体1を取り出し、一度冷却した後に赤外
線ランプ又はヒータ5をダイヤモンド薄膜4側か
ら照射すると、ダイヤモンド薄膜4は透明である
ため、前記光線はダイヤモンド薄膜4を通過し、
基体1の表面を加熱する。
この加熱による熱は基体1が熱伝導率が低いた
め基体1の温度はそれ程に上昇せず、ダイヤモン
ド薄膜4の方が熱伝導率が高いためダイヤモンド
薄膜4は温度上昇する。
例えば、ダイヤモンド薄膜4と、基体1をモリ
ブデンで形成した時では、熱伝導率、熱膨張率は 熱伝導率w/cm℃ 熱膨張率×10-6/℃ ダイヤモンド 6.60 1.0 モリブデン 1.35 5.0 と異つているため、昇温したダイヤモンド薄膜4
は熱膨張を起し、上記差によつて基体1から剥離
し、ダイヤモンド振動板が形成できるもである。
即ち、気相成長法により厚さ10〜50μに形成し
たダイヤモンド薄膜4は脆いため、基体1から剥
離する際に、機械的な手段で破損してしまう。
又、冷熱の急激な変化で剥離しようとしても、
ダイヤモンド薄膜4に応力を残してしまうので、
ダイヤモンド薄膜4を破損してしまう公算が大で
ある。
これに対し、前記実施例では、ダイヤモンド薄
膜4の透明な性質を利用して、熱光線により基体
1の表面を加熱し、この熱をダイヤモンド薄膜4
には伝達させて、ダイヤモンドの熱伝導率が良い
ためダイヤモンド薄膜4を全体が均一に温度上昇
させ、一方基体1は熱伝導率が低い為に温度上昇
せず、熱膨張に差が生じることによつてダイヤモ
ンド薄膜4が基体1から剥離するものである。
そして、基体1の表面には、数μの凹凸を同心
円状、放射線状、或いはランダムに形成してある
ので、ダイヤモンド薄膜4は表面にこれと反対の
凹凸が形成され、外部からの光線が当るとダイヤ
モンド特有の輝きを放つこととなる。
このようにして形成されたダイヤモンド振動板
は、ダイヤモンドの剛性が大きく、E=33×
1011dyn/cm、P=3.52、音速で9700m/secと現
在の材料中ではベリリウムの12000m/secに次い
で大きいので、広帯域スピーカを得ることができ
る。
尚、ダイヤモンド薄膜の形成は、前記気相成長
法の他に、蒸着法も使用でき、同様な方法で剥離
が行なわれる。
このように、本発明に拠る時には純粋のダイヤ
モンド振動板が得られるので、ダイヤモンドの剛
性により広帯域のスピーカとすることができる。
そして、スピーカの最も目につく部分に、この
ダイヤモンド振動板が位置するので、他から光線
や、スピーカ内部に組み込んだ光源からの光線に
よつて、ダイヤモンド特有の輝きを放つため、大
きなデザイン効果が得られる。
このようなダイヤモンド振動板をその脆さにも
拘らず本発明は製造できるものであつて、しかも
基体から残留歪や、その他破損の原因を内部に残
すことなく、確実に剥離して、製造できるもので
ある。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施の一例を示すもので、第1
図は基体の側面図、第2図は気相成長時、第3図
は加熱時、第4図はその一部の拡大を、第5図は
これによつて製造されたダイヤモンド振動板の断
面図である。 1……基体、2……混合ガス、3……ヒータ、
4……ダイヤモンド薄膜、5……ヒータ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 1000℃以上の耐熱性を有すると共に、熱伝導
    率の小さい素材を振動板形状に形成した基体上
    に、気相成長法によりダイヤモンド薄膜を形成し
    た後、加熱光線でダイヤモンド薄膜と基体の接触
    面を加熱して熱伝導率の差によつてダイヤモンド
    薄膜と基体の熱膨張に差を生じさせ、この熱膨張
    の差によつて基体からダイヤモンド薄膜を剥離す
    ることを特徴とするダイヤモンド振動板の製造方
    法。
JP58244776A 1983-12-27 1983-12-27 ダイヤモンド振動板の製造方法 Granted JPS60141697A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58244776A JPS60141697A (ja) 1983-12-27 1983-12-27 ダイヤモンド振動板の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58244776A JPS60141697A (ja) 1983-12-27 1983-12-27 ダイヤモンド振動板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60141697A JPS60141697A (ja) 1985-07-26
JPS6357399B2 true JPS6357399B2 (ja) 1988-11-11

Family

ID=17123742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58244776A Granted JPS60141697A (ja) 1983-12-27 1983-12-27 ダイヤモンド振動板の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60141697A (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5071708A (en) * 1987-10-20 1991-12-10 Showa Denko K.K. Composite diamond grain
EP0398257A3 (en) * 1989-05-18 1993-02-24 Yamaha Corporation A speaker diaphragm
US5130111A (en) * 1989-08-25 1992-07-14 Wayne State University, Board Of Governors Synthetic diamond articles and their method of manufacture
JPH0385099A (ja) * 1989-08-29 1991-04-10 Kenwood Corp スピーカ用振動板及びその製造法
US5110579A (en) * 1989-09-14 1992-05-05 General Electric Company Transparent diamond films and method for making
EP0459425A1 (en) * 1990-05-30 1991-12-04 Idemitsu Petrochemical Company Limited Process for the preparation of diamond
US5264071A (en) * 1990-06-13 1993-11-23 General Electric Company Free standing diamond sheet and method and apparatus for making same
US5439492A (en) * 1992-06-11 1995-08-08 General Electric Company Fine grain diamond workpieces
JP3023056B2 (ja) * 1994-09-28 2000-03-21 東洋鋼鈑株式会社 ダイヤモンド被覆ろう付け製品の製造方法
GB2413234B (en) * 2004-04-15 2007-09-12 B & W Loudspeakers Diaphragms for loudspeaker drive units or microphones
GB201209424D0 (en) 2012-05-28 2012-07-11 Element Six Ltd Free-standing non-planar polycrystalline synthetic diamond components

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60141697A (ja) 1985-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6357399B2 (ja)
US5514439A (en) Wafer support fixtures for rapid thermal processing
US4142006A (en) Method of making a high power laser mirror
JP2004359481A (ja) レンズ成形用レプリカ型の製造方法
TWI226309B (en) Method for fabricating a diamond film having low surface roughness
JPH0489212A (ja) 光学素子成形用型部材
US5178727A (en) Ceramic membrane device and a method of producing the same
JPH11176710A (ja) 半導体製造装置用部材
JP2746430B2 (ja) 光学素子成形用型
JPS58170198A (ja) スピ−カ用振動板の製造方法
JPH06140133A (ja) 複層セラミックスヒーター
JPH02504022A (ja) 全体を黒くした銀合金の製造方法
JPS63261761A (ja) 太陽電池の製造方法
JPS60219895A (ja) スピ−カ用振動板の製造方法
US763564A (en) Production of sound-records.
JPH01228000A (ja) 放射光.X線反射用SiCミラー
JP3132572B2 (ja) 光ディスク複製用スタンパ製造方法
JPH1121187A (ja) セラミックス製品の洗浄方法
CN117590704A (zh) 一种制备高单色性单光子发射器的方法
JP3606473B2 (ja) 熱分解窒化ほう素容器
JPH05107397A (ja) X線反射用SiCミラーおよびその製法
JPH0429217B2 (ja)
JP2988459B2 (ja) X線分光器とその製造方法
KR910013486A (ko) 결함-없는 단결정 박막층 제조방법
JPH07149529A (ja) ガラスレンズ成形型の製造方法