KR910013486A - 결함-없는 단결정 박막층 제조방법 - Google Patents

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KR910013486A
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마티니즈 안드레
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프레데릭 얀 스미트
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
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Abstract

내용 없음.

Description

결함-없는 단결성 박막층 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 방법중 한 단계에서 사용되는 층을 이룬 구조의 단면도,
제2도는 본 발명의 방법에 따른 처리를 한 후 제1도의 구조로부터 형성된 시드 바이어스(seed vias)가 제공된 층을 이룬 구조의 단면도,
제3도는 본 발명의 방법을 수행하는 영역 가열 소스의 개략적인 도시도.

Claims (8)

  1. 절연물에서 실리콘의 결함-없는 단결정 박막층을 제조하는 방법에 있어서, a) 실리콘의 용융점 아래인 최소한 10℃의 용융점과, 음 무한대 보다 크고 제로보다 작은 점성대 온도곡선의 기울기를 갖는 절연 물질의 박막층을 단결정 실리콘 기판에 침전시키는 단계와, b)기판으로부터 절연 물질의 상기 층에서 평행인 좁은 구형 스트립을 제거하여, 상기 기판상에서 상기 절연물질의 평행한 구형 스트립을 형성하는 단계와, c) 기판의 노출된 평행한 구형 영역과, 절연 물질의 상기 스트립상에 다결정 또는 비결정 실리콘 박막 필림을 침전시키는 단계와, d)절연물질의 스트립과 다결정 또는 비결정 실리콘의 필림은 신장된 용융 영역이 용융 영역과 용융영역으로부터 성장한 단결정 실리콘 존 사이에서 직선인 고체-액체 공유 영역을 갖는 필림상에 형성되는 방법으로 필림상에 집중된 영역 가열 소스에 의해 가열되며, 필림상에 형성된 고체-액체 공유 영역은 상기 기판의 노출된 영역에 대해 있는 절연층이 작은 부분을 액화시키기에 충분한 영역 가열 소스에 의해 상기 스트립의 축에 대해 평행인 방향으로 층을 이룬 구조를 스캔하며, 다른 열소스에 의해 절연층의 스프팅 포인트 온도로 상기 기판을 가열하는 단계를 구비하는 결함-없는 단결정 비막층 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연 물질은 저-용융점 유리인 결함-없는 단결정 박막층 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 절연 물질은, 인규산염 유리, 붕소 인규산염 유리, 및 알루미늄 규산염 유리로 구성된 그룹으로부터 선택되는 결함-없는 단결정 박막층 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 실리콘 이산화물의 박막층은 다결정 또는 비결정 실리콘의 상기 필름상에 침전되는 결함-없는 단결정 박막층 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 다결정 또는 비결정 실리콘의 박막 필림은 약 1미크론 두께인 결함-없는 단결정 박막층 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 실리콘 이산화물의 박막층은 약 1.5미크론 두께인 결함-없는 단결정 박막층 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 다결정 또는 비결정 실리콘이 필림에 형성된 고체-액체 공유 영역은 상기 기판의 노출된 영역에 대해 약 45°방향인 결함-없는 단결정 박막층 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 층을 이룬 구조는, 약 4mm/sec까지의 비율로 영역-가열 소스에 대해 스캔되는 결함-없는 단결정 박막층 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900019740A 1989-12-05 1990-12-03 결함-없는 단결정 박막층 제조방법 KR910013486A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100322175B1 (ko) * 1992-07-02 2002-05-13 가나이 쓰도무 절연물및절연물을구비한가스절연고전압장치

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5338388A (en) * 1992-05-04 1994-08-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of forming single-crystal semiconductor films
JP4978084B2 (ja) * 2006-07-05 2012-07-18 日本電気株式会社 セルラシステム及びその周波数キャリア割当方法並びにそれに用いる基地局制御装置及び基地局

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5839012A (ja) * 1981-08-31 1983-03-07 Fujitsu Ltd 非単結晶半導体層の単結晶化方法
JPS5979518A (ja) * 1982-10-29 1984-05-08 Hitachi Ltd 半導体薄膜の形成方法
JPS6119116A (ja) * 1984-07-05 1986-01-28 Matsushita Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JPS61245517A (ja) * 1985-04-23 1986-10-31 Agency Of Ind Science & Technol Ｓｏｉ結晶の形成方法
US4743567A (en) * 1987-08-11 1988-05-10 North American Philips Corp. Method of forming thin, defect-free, monocrystalline layers of semiconductor materials on insulators
EP0346987A1 (en) * 1988-06-17 1989-12-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. A method of forming thin defect-free monocrystalline strips of semiconductor materials on insulators

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100322175B1 (ko) * 1992-07-02 2002-05-13 가나이 쓰도무 절연물및절연물을구비한가스절연고전압장치

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