KR900000996A - 절연체상에 무결함의 얇은 단결정 반도체 스트립을 형성하는 방법 - Google Patents

절연체상에 무결함의 얇은 단결정 반도체 스트립을 형성하는 방법 Download PDF

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이반 밀러 레르너
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Abstract

내용 없음

Description

절연체상에 무결함의 얇은 단결정 반도체 스트립을 형성하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 방법의 한 단계에 사용된 층 구조체의 단면도.
제2도는 스트립 형성후 제1도의 층 구조체의 단면도.
제3도는 본 발명의 바업이 진행되는 동안의 용융대 형성에 대한 개략도.
제4도는 본 발명의 방법에 사용되기에 적합한 조운 가열원(zone heating source)의 개략도.

Claims (19)

  1. 반도체상에 무결함의 얇은 단결정 반도체 스트립을 형성하는 방법에 있어서, (a) 반도체 재료의 용융점 이하인 최소 10℃의 연화점과 0이하에 음의 무한대 이상인 점성온도 커브 기울기를 갖는 절연 기판상에 다결정 또는 비결정의 반도체 박층을 침전시키는 단계와, (b) 저 연화점 절연 기판상에 평행의 반도체 직사각형 스트립을 형성하기 위하여 상기 반도체 재료층중 최소 1/4μm폭의 직사각형 평행 스트립을 제거하는 단계와, (c) 결과상의 층 구조체를 상기 조운 가열원에 대해 상기 스트립의 주축에 평행한 방향으로 주사하고 기판을 어닐링 포인트에서 가열하면서 상기 스트립의 평면에 고체-액체 인터페이스를 형성하고 스트립의 축에 대해 최소한 8도의 각을 이루는 선을 형성하도록 상기 스트립에 열이 집중되는 조운 가열원에 의해 반도체 재료 스트립을 가열하는 단계와 (d) 고체-액체 인터 페이스 반대측의 기판 표면이 액화되도록 고체-액체 인터페이스를 반도체 재료 스트립을 따라 이동시키기 위해 조운 가열원에 대한 상기 층 구조체의 주사 속도를 제어하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 다결정 반도체 스트립 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 반도체 재료는 비결정 실리콘 또는 다결정 실리콘임을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 고체-액체 인터페이스는 상기 스트립들의 주축에 대해 10 내지 80도 각을 이룸을 특징으로 하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 절연 기판상에 형성된 반도체 재료 스트립의 폭은 약 100 내지 1,000μm임을 특징으로 하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 층 구조체는 조우 가열원에 대해 16μm/sec 내지 6mm/sec의 속도로 주사됨을 특징으로 하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 저 연화점 절연 기판은 포스포실리게이트 글라스, 보로실리케이트 글라스, 알루미노 실리케이트 및 스핀-온 글라스로 구성된 그룹에서 선택된 글라스임을 특징으로 하는 방법.
  7. 제4항에 있어서, 저 연화점 절연 기판은 실리콘층의 표면에 반대인 표면에서 화학적 불활성 기판에 의해 지지된 박층임을 특징으로 하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 화학적 불화성 기판은 산화 실리콘 또는 석영임을 특징으로 하는 방법.
  9. 제4항에 있어서, 실리콘 박층의 양면에는 저온 화학 증기 침전된 실리콘 이산화물 코우팅이 제공됨을 특징으로 하는 방법.
  10. 제6항에 있어서, 실리콘 박층의 양면에는 저온 증기 침전된 실리콘 이산화물 코우팅이 제공됨을 특징으로 하는 방법.
  11. 제8항에 있어서, 실리콘 박층의 양면에는 저온 증기 침전된 실리콘 이산화물 코우팅이 제공됨을 특징으로 하는 방법.
  12. 제9항에 있어서, 실리콘층은 10미크론 이하의 두께임을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 실리콘 박층은 2,000Å 내지 10μm 두께임을 특징으로 하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 실리콘 박층은 화학적으로 증기 침전 됨을 특징으로 하는 방법.
  15. 제10항에 있어서, 실리콘 박층은 10미크론 이하의 두께임을 특징으로 하는 방법.
  16. 제10하에 있어서, 실리콘 박층은 2,000Å 내지 10μm 두께임을 특징으로 하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 실리콘 박층은 화학적으로 증기 침전됨을 특징으로 하는 방법.
  18. 제3항에 있어서, 스트립은 800μm 내지 20mm 길이임을 특징으로 하는 방법.
  19. 제3항에 있어서, 고체-액체 인터페이스는 상기 스트립의 축과 약 45°의 각을 이룸을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890008159A 1988-06-17 1989-06-14 절연체상에 무결함의 얇은 단결정 반도체 스트립을 형성하는 방법 KR900000996A (ko)

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