JPS61102722A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS61102722A
JPS61102722A JP59226130A JP22613084A JPS61102722A JP S61102722 A JPS61102722 A JP S61102722A JP 59226130 A JP59226130 A JP 59226130A JP 22613084 A JP22613084 A JP 22613084A JP S61102722 A JPS61102722 A JP S61102722A
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JP
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silicon dioxide
polysilicon
silicon
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JP59226130A
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Seiichiro Kawamura
河村　誠一郎
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に係わり、特にヒートシ
ンク構造を有するＳＯＩ法でポリシリコン膜をレーザ照
射を行って単結晶化を行う製造方法に関するものである
。
（従来の技術〕 二酸化シリコン膜のような絶ｉｌＱ上に小結晶を形成す
るＳｏ１方法は、三次元の半導体築偵回路デバイスを製
作する有力な方法であり、特にデバイスを形成する領域
を二酸化シリコンのヒートシンク構造として、ＳＯＩ法
で二酸化シリコン膜上のポリシリコンをレーザ照射を行
って単結晶化を行う方法が広く行われている。
第２図はシリコン基板ｌの表面にヒートシンク構造とし
て、二酸化シリコン膜が８０００人〜１μｍ程度に成膜
された厚い領域２と、デバイス領域Ａを形成すべき部分
に相当して、二、酸化シリコン膜の膜厚が薄い２０００
〜４０００人の領域３を形成し、その表面に４０００人
の厚みの単結晶化すべきポリシリコン膜４を形成する。
更にその上にポリシリコン膜が単結晶に成った際に、そ
のポリシリコン膜の表面が平滑になるようにキャップ層
として二酸化シリコン膜５を厚みが５００人と窒化シリ
コン枳６を厚みが８００〜１０００人程度に積層する。
このように形成された！ｉｉｉをレーザ７により走査す
ることにより、ポリシリコン膜のデバイス形成領域へに
単結晶が生成される。
上記製造工程において、レーザの出力を二酸化シリコン
秋の薄い部分３のポリシリコンが十分に？８　ｈ’ｌす
る温度にすると、二酸化シリコン膜の厚い部分２のポリ
シリコンには出力が過大すぎて温度が上がりすぎるため
に剥離を生じたり、二酸化シリコン膜の厚い領域２が適
度に溶解する温度のレーザ出力では、薄い部分３が十分
に熔解しないとい・）ごとになり、二酸化シリコン膜２
、又は３とポリシリコンのｌ１ｉｉ　４とが剥離をする
という欠点がある。
このように、ヒートシンク構造でポリシリコン膜をデバ
イス領域のみ単結晶にするためには、レーザの照射条件
をかなりクリテカルに制御する必要があり、即ら、製造
条件のウィンドーが狭く製造工程が困雑性であった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記の構成の半導体装置の製造方法では、二酸化シリコ
ン膜の熱伝導が薄い領域と厚い領域とで異なるために、
一定の出力のレーザでポリシリコン膜をアニールした際
に加熱又は加熱不足になってアンバランスになることが
問題点であり、そのために剥離又は単結晶化が不完全に
なるという不具合を生ずる。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は上記問題点を解消した半導体装置の製造方法を
提供するもので、その手段は、二酸化シリコンのヒート
シンク構造を有するＳｏｌで該二酸化シリコン上のポリ
シリコン膜をレーザ照射を行って単結晶化を行う際に、
該二酸化シリコンの膜厚が厚い部分の上記二酸化シリコ
ンとポリシリコンとの境界に窒化シリコン膜を形成する
ことにより、上記二酸化シリコンとポリシリコンとの剥
離防止をしたことを特徴とする半導体装置の製造方法に
よって達成できる。
〔作用〕
本発明は、二酸化シリコンのヒートシンク構造を有する
Ｓｏｌで、二酸化シリコン上のポリシリコン膜をレーザ
照射を行って単結晶化を行う場合に、二酸化シリコンの
膜厚が厚い領域の部分の二酸化シリコンとポリシリコン
との境界に、窒化シリコン膜を形成し、この窒化シリコ
ン膜が二酸化シリコンとポリシリコン膜の双方になじみ
が良好であることを１１１用し、二酸化シリコンとポリ
シリコンとの剥離を防止をするように考慮したものであ
る。
〔実施例〕
第１図は本発明の実施例である半導体装置を説明するた
めのＬＩＪｉｉｌｉ図である。
シリコン基板１１０表面に８０００人〜１μＩ程度に成
膜された二酸化シリコン膜の厚い領域１２と、ヒートシ
ンク構造として二酸化シリコン膜の膜厚が薄い２０００
〜４０００人の部分１３を形成し、従来方法によれば、
その表面に４０００人のポリシリコン膜１４を形成した
後、その上にポリシリコン膜が単結晶に成った際にその
表面が平滑になるようにキャンプ層として二酸化シリコ
ン膜１５を５００　人と窒化シリコン股１６を）１００
〜１０００人程度に積層するが、本発明では二酸化シリ
コン膜の厚い部分である１２の表面に窒化シリコン膜（
Ｓｉ３　Ｎ　４　）　１７を厚みが約５００人で形成し
てからポリシリコン膜１４を形成している。
窒化シリコン膜は性質上二酸化シリコンと濡れ性が良好
であり、容易に剥離をすることがない特性を有するため
に選択された材料であり熱伝導率は二酸化シリコンと同
一である。
このような積層を行なった後に、ポリシリコンにレーザ
光７が照射されると、ポリシリコンは単結晶になるが、
従来のようにポリシリコン膜の加熱条件が複雑であって
も、酸化シリコン股とポリシリコン膜との間で剥ｉｔを
するということがなく、従ってレーザ照射の条件も従来
のようにクリテカルでなくなり、製造工程のランイド−
が大幅に拡大することになって作業性が容易になるとい
う効果がある。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明のヒートシンク構造の
Ｓｏｌで単結晶化する製造方法は容易、且つ高信頼性の
半導体装置を供し得るという効果大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
第１し：は本発明の半導体装置の製造方法を説明するた
めの断面図、 第２図は従来の半導体装置の装造方法を説明するための
断面図。 図において、７はレーザ光、１１はシリコン基板、１２
は二酸化シリコン膜の厚い領域、１３は二酸化シリコン
股の薄い部分、１４はポリシリコン膜、１５はキヤ、ブ
屓、１６は窒化シリコン膜、＋７は窒化シリコン膜をそ
れぞれ示す。 第１図 Ｊ−７，、＋６ Ｉ！２　図 −ＲＦ＋−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　二酸化シリコンのヒートシンク構造を有するＳＯＩで
    該二酸化シリコン上のポリシリコン膜をレーザ照射を行
    って単結晶化を行う際に、該二酸化シリコンの膜厚が厚
    い部分の上記二酸化シリコンとポリシリコンとの境界に
    窒化シリコン膜を形成することにより、上記二酸化シリ
    コンとポリシリコンとの剥離防止をしたことを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
JP59226130A 1984-10-26 1984-10-26 半導体装置の製造方法 Pending JPS61102722A (ja)

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ID=16840313

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100256812B1 (ko) * 1993-12-31 2000-05-15 김영환 트렌치형 소자분리막 제조방법

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