JPH02130913A - 薄膜半導体装置 - Google Patents
薄膜半導体装置Info
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- JPH02130913A JPH02130913A JP28506788A JP28506788A JPH02130913A JP H02130913 A JPH02130913 A JP H02130913A JP 28506788 A JP28506788 A JP 28506788A JP 28506788 A JP28506788 A JP 28506788A JP H02130913 A JPH02130913 A JP H02130913A
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
本発明は薄膜半導体装置の構造に関し、とりわけ、その
基板構造に関する。
基板構造に関する。
〔従来の技術ｊ
従来、ガラス基板上にアモルファス半導体膜を形成し、
該アモルファス半導体膜を用いて半導体装置が形成され
るのが通例であった。
該アモルファス半導体膜を用いて半導体装置が形成され
るのが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、アモルファス半導体膜
を用いた薄膜半導体装置は動作速度が遅いと云う課題が
あった。
を用いた薄膜半導体装置は動作速度が遅いと云う課題が
あった。
本発明はかかる従来技術の課題を解決し、ガラス基板上
に形成した薄膜半導体装置の動作速度を速くする為の新
しい構造を提供する事を目的とする。
に形成した薄膜半導体装置の動作速度を速くする為の新
しい構造を提供する事を目的とする。
上記課題を解決する為に、本発明は、薄膜半導体装置に
関し、ガラス基板上に金属反射膜を形成し、該金属反射
膜上にはｓｉｏａｌｍｌ等から成る無機ガラス膜を形成
し、該無機ガラス膜上に多結晶半導体膜な形成する手段
をとる。
関し、ガラス基板上に金属反射膜を形成し、該金属反射
膜上にはｓｉｏａｌｍｌ等から成る無機ガラス膜を形成
し、該無機ガラス膜上に多結晶半導体膜な形成する手段
をとる。
〔実 施 例Ｊ
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す薄膜半導体装置基板の
断面図である。すなわち、軟化温度が６００℃程度の無
アルカリ・ガラスから成るガラス基板１の表面にアルミ
ニウムやモリブデンあるいはタングステン膜やそれらの
多層膜等から成る金属膜２を形成し、更にその上にＣＶ
Ｄ法やスパッタ法あるいは、塗布法等によりＳｉＯ□や
八β２０．あるいは５ｉｓＮａ等から成る絶縁膜３を形
成し、該絶縁膜３の表面にまず６００℃以下、４００℃
程度でアモルファスＳｉ膜をスパッタ法やＣＶＤ法等に
より形成し、該アモルファスＳｉ膜の前記金属膜２の上
のみをフッ化クリプトンによるエキシマ・レーザーを照
射して多結晶Ｓｉ膜４となし、該多結晶Ｓｉ膜４に、Ｍ
ＯＳトランジスタの半導体装置を形成する。
断面図である。すなわち、軟化温度が６００℃程度の無
アルカリ・ガラスから成るガラス基板１の表面にアルミ
ニウムやモリブデンあるいはタングステン膜やそれらの
多層膜等から成る金属膜２を形成し、更にその上にＣＶ
Ｄ法やスパッタ法あるいは、塗布法等によりＳｉＯ□や
八β２０．あるいは５ｉｓＮａ等から成る絶縁膜３を形
成し、該絶縁膜３の表面にまず６００℃以下、４００℃
程度でアモルファスＳｉ膜をスパッタ法やＣＶＤ法等に
より形成し、該アモルファスＳｉ膜の前記金属膜２の上
のみをフッ化クリプトンによるエキシマ・レーザーを照
射して多結晶Ｓｉ膜４となし、該多結晶Ｓｉ膜４に、Ｍ
ＯＳトランジスタの半導体装置を形成する。
このエキシア・レーザーの照射時に金ｆｆ１ｌ＠２はレ
ーザー光の反射作用があり、多結晶Ｓｉ膜４の形成時に
Ｓｉ膜が融解温度（１３００℃程度）に達するのを効率
的に行なわせる事ができると共に、下地ガラス基板ｌの
軟化・融解を防止する作用がある。
ーザー光の反射作用があり、多結晶Ｓｉ膜４の形成時に
Ｓｉ膜が融解温度（１３００℃程度）に達するのを効率
的に行なわせる事ができると共に、下地ガラス基板ｌの
軟化・融解を防止する作用がある。
［発明の効果〕
本発明によりガラス基板上の薄膜半導体装置の動作速度
を速めることができる効果がある。
を速めることができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す薄膜半導体装置基板の
断面図である。 ・ガラス基板 ・金属膜 ・絶縁膜 ・多結晶Ｓｉ膜 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
断面図である。 ・ガラス基板 ・金属膜 ・絶縁膜 ・多結晶Ｓｉ膜 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- ガラス基板上にはアルミニウム膜やモリブデン膜あるい
はその多層膜等から成る金属反射膜が形成され、該金属
反射謹上にはＳｉＯ＿２膜等から成る無機ガラス膜が形
成され、該無機ガラス膜上に多結晶半導体膜が形成され
、該多結晶半導体膜を用いて半導体装置が形成されて成
る事を特徴とする薄膜半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28506788A JPH02130913A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 薄膜半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28506788A JPH02130913A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 薄膜半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02130913A true JPH02130913A (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17686728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28506788A Pending JPH02130913A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 薄膜半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02130913A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001319877A (ja) * | 2000-05-02 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2002367905A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-12-20 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-11-11 JP JP28506788A patent/JPH02130913A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001319877A (ja) * | 2000-05-02 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2002367905A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-12-20 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体装置の製造方法 |
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