JPH02130914A - 薄膜半導体装置 - Google Patents
薄膜半導体装置Info
- Publication number
- JPH02130914A JPH02130914A JP28506888A JP28506888A JPH02130914A JP H02130914 A JPH02130914 A JP H02130914A JP 28506888 A JP28506888 A JP 28506888A JP 28506888 A JP28506888 A JP 28506888A JP H02130914 A JPH02130914 A JP H02130914A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- glass
- semiconductor device
- forming
- polycrystalline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 27
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910020489 SiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- -1 5iaN<pus is formed Chemical compound 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
本発明は薄膜半導体装置基板の構造に関する。
従来、軟化温度が６００℃程度のガラス基板上にはアモ
ルファス半導体膜が６００℃以下、４００℃程度でプラ
ズマＣＶＤ法等で形成され、該アモルファス半導体膜に
半導体装置を形成し、薄膜半導体装置となすのが通例で
あった。
ルファス半導体膜が６００℃以下、４００℃程度でプラ
ズマＣＶＤ法等で形成され、該アモルファス半導体膜に
半導体装置を形成し、薄膜半導体装置となすのが通例で
あった。
〔発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来技術によると、アモルファス半導体膜
の電荷移動度が小さい為に、薄膜半導体装置の動作速度
が遅くなると云う課題があった。
の電荷移動度が小さい為に、薄膜半導体装置の動作速度
が遅くなると云う課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決する新しい薄膜
半導体装置基板を提供する事を目的とする。
半導体装置基板を提供する事を目的とする。
上記課題を解決する為に、本発明は、薄膜半導体装置に
関し、ガラス基板上に耐熱ガラス膜を形成し、該耐熱ガ
ラス膜上に多結晶半導膜を形成し、該多結晶半導体膜に
半導体装置を形成する手段をとる。
関し、ガラス基板上に耐熱ガラス膜を形成し、該耐熱ガ
ラス膜上に多結晶半導膜を形成し、該多結晶半導体膜に
半導体装置を形成する手段をとる。
〔実 施 例Ｊ
以下、実施例による本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す薄膜半導体装置基板の
断面図である。
断面図である。
すなわち、軟化点が６００℃程度の無アルカリガラスか
ら成るガラス基板ｌの表面にＣＶＤ法やスパッタ法ある
いは塗布法等により、５ｉＯ＝や５ｉｎｓにチタンを含
有したチタン・ガラス膜や５ｉＯ−にりんを４モル％程
度含有したりんガラス膜や、あるいはＡＱ雪Ｏｓ膜やＡ
β、０．にチタンをイオン打込みしたガラス膜や、ある
いは５ｉａＮ＜膿等から成る耐熱ガラス膜２を形成し、
その上にプラズマＣＶＤ法等により６００℃以下、４０
０℃程度にてアモルファスＳｉｌ［を形成し、該アモル
ファスＳｉＭＩＩをにｒＦエキシマ・レーザーあるいは
電子ビーム等によりアニールして多結晶Ｓｉ膿３となす
。
ら成るガラス基板ｌの表面にＣＶＤ法やスパッタ法ある
いは塗布法等により、５ｉＯ＝や５ｉｎｓにチタンを含
有したチタン・ガラス膜や５ｉＯ−にりんを４モル％程
度含有したりんガラス膜や、あるいはＡＱ雪Ｏｓ膜やＡ
β、０．にチタンをイオン打込みしたガラス膜や、ある
いは５ｉａＮ＜膿等から成る耐熱ガラス膜２を形成し、
その上にプラズマＣＶＤ法等により６００℃以下、４０
０℃程度にてアモルファスＳｉｌ［を形成し、該アモル
ファスＳｉＭＩＩをにｒＦエキシマ・レーザーあるいは
電子ビーム等によりアニールして多結晶Ｓｉ膿３となす
。
この場合、耐熱ガラス膜２はアニール時の熱緩衝の作用
があると共に、レーザー・アニール時にも該耐熱ガラス
膜２がレーザー光を吸収し、下地ガラス基板１に迄レー
ザー光を到達させない作用がある。
があると共に、レーザー・アニール時にも該耐熱ガラス
膜２がレーザー光を吸収し、下地ガラス基板１に迄レー
ザー光を到達させない作用がある。
尚、耐熱ガラス膜２の上又は下に予め半導体装置のゲー
ト電極等の電極配線層が形成されていても良い。
ト電極等の電極配線層が形成されていても良い。
更に、多結晶Ｓｉ膿３はＳｉ以外のＳｉＣやＧｅ、Ｇａ
Ａｓ、ＩｎＰ、Ｓｅ等の他の半導体の膜であっても良い
事は云うまでもない。
Ａｓ、ＩｎＰ、Ｓｅ等の他の半導体の膜であっても良い
事は云うまでもない。
本発明により低融点ガラス基板上にアモルファス半導体
膜より電荷の移動度がｌＯ倍程度大となる多結晶半導体
膜が形成でき、該多結晶半導体膜を用いて形成した薄膜
半導体装置の動作速度を１０倍程度速くできる効果があ
る。
膜より電荷の移動度がｌＯ倍程度大となる多結晶半導体
膜が形成でき、該多結晶半導体膜を用いて形成した薄膜
半導体装置の動作速度を１０倍程度速くできる効果があ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す薄膜半導体装置基板の
断面図。 ｌ・・・ガラス基板 ２・・・耐熱ガラス膜 ３・・・多結晶Ｓｉ膿 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
断面図。 ｌ・・・ガラス基板 ２・・・耐熱ガラス膜 ３・・・多結晶Ｓｉ膿 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- ガラス基板上にはＳｉＯ＿２膜やＡｌ＿２Ｏ＿３膜、あ
るいはＳｉ＿３Ｎ＿４膜等の耐熱ガラス膜が形成され、
該耐熱ガラス膜上には多結晶半導体膜が形成され、該多
結晶半導体膜には半導体装置が形成されて成る事を特徴
とする薄膜半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28506888A JPH02130914A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 薄膜半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28506888A JPH02130914A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 薄膜半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02130914A true JPH02130914A (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17686740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28506888A Pending JPH02130914A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 薄膜半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02130914A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0810638A3 (en) * | 1996-05-31 | 1999-02-03 | Xerox Corporation | Buffered substrate for semiconductor devices |
| KR100269349B1 (ko) * | 1992-05-04 | 2000-10-16 | 구본준 | 펄스레이저를이용한실리콘박막재결정방법 |
| JP2001332492A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Sony Corp | 炭化ケイ素薄膜構造体およびその製造方法ならびに薄膜トランジスタ |
| US6506669B1 (en) | 1998-06-30 | 2003-01-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating a thin film transistor |
| US7354811B2 (en) | 1993-08-20 | 2008-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabricating the same |
| US7695774B2 (en) * | 2002-01-31 | 2010-04-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Titanium oxide photocatalyst thin film and production method of titanium oxide photocatalyst thin film |
-
1988
- 1988-11-11 JP JP28506888A patent/JPH02130914A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100269349B1 (ko) * | 1992-05-04 | 2000-10-16 | 구본준 | 펄스레이저를이용한실리콘박막재결정방법 |
| US7354811B2 (en) | 1993-08-20 | 2008-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabricating the same |
| US7585715B2 (en) | 1993-08-20 | 2009-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabricating the same |
| EP0810638A3 (en) * | 1996-05-31 | 1999-02-03 | Xerox Corporation | Buffered substrate for semiconductor devices |
| JP2009049428A (ja) * | 1996-05-31 | 2009-03-05 | Xerox Corp | 半導体素子のための緩衝化基板 |
| US6506669B1 (en) | 1998-06-30 | 2003-01-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating a thin film transistor |
| US6534353B1 (en) | 1998-06-30 | 2003-03-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating a thin-film transistor |
| JP2001332492A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Sony Corp | 炭化ケイ素薄膜構造体およびその製造方法ならびに薄膜トランジスタ |
| US7695774B2 (en) * | 2002-01-31 | 2010-04-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Titanium oxide photocatalyst thin film and production method of titanium oxide photocatalyst thin film |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5372860A (en) | Silicon device production | |
| JPS62104117A (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| JP4536839B2 (ja) | 高温寸法安定度を有する透明ガラスセラミックの製造方法 | |
| JPS60105216A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| TW201445640A (zh) | 低溫多晶矽薄膜的製備方法 | |
| JPH02130914A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| WO2014196802A1 (ko) | Ito 패터닝 장치 및 패터닝 방법 | |
| JPH02130912A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| TW202031605A (zh) | 玻璃和玻璃陶瓷複合物及方法 | |
| WO2004030091A1 (en) | Underlayer for polysilicon tft | |
| JPH02130913A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| KR101792594B1 (ko) | 사파이어 글래스 및 그의 제조방법 | |
| JPH05218367A (ja) | 多結晶シリコン薄膜用基板および多結晶シリコン薄膜の作製方法 | |
| WO1997030001A1 (en) | Glass and glass-ceramic compositions; glass and glass-ceramic substrates | |
| JP2709376B2 (ja) | 非単結晶半導体の作製方法 | |
| JPS6343101A (ja) | 透過型回折格子の製造方法 | |
| JPS6246074B2 (ja) | ||
| KR100400753B1 (ko) | 금속기판을 이용한 고온 다결정 실리콘 박막트랜지스터제조 방법 | |
| JP2751122B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS5783025A (en) | Manufacture of semiconductor substrate | |
| JPH0770479B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3466638B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPS59132120A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60134413A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2590607B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 |