JPS60134413A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS60134413A
JPS60134413A JP58242993A JP24299383A JPS60134413A JP S60134413 A JPS60134413 A JP S60134413A JP 58242993 A JP58242993 A JP 58242993A JP 24299383 A JP24299383 A JP 24299383A JP S60134413 A JPS60134413 A JP S60134413A
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JP
Japan
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film
amorphous
glass substrate
annealing
semiconductor device
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JP58242993A
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English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、ガラス基板上にＲｉ薄膜半導体装置を製造す
る場合の製造方法に関する。
〔従来技術〕
従来、多結晶Ｓｉ嘆を用いｆｒ　８？：薄膜半導体装置
は石英基板上に通例であった。
しかし、上記従来技術では石英基板が高価であるという
欠点がありｔＣｏ 〔目的〕 本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、廉価なガラ
ス基板上にでも多結晶Ｓｉ嘆による薄膜半導体装置が製
造できること及びアモルファス膜半導体装置と多結晶ｓ
ｉ嘆岸導体装置とが併存できるようにすることを目的と
する。
〔概要〕
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置の製造方法に関し、ガラス基板表面にはシリコ
ン窒化膜ヌは酸化膜が形成さね、該シリコン窒化膜又は
酸化膜表面にはγモルファスＳＺ膜を形成し、該アモル
ファス５ｉｌｌｉの少くとも一部または全部をレーザー
・アニール、光アニ−に、　ｌｉｔｉ線アニール、イン
オ・ビーム°アニール等のアニール処理により多結晶ｇ
ｉ層化し、該多結晶１ｉｌｉ層にはＭＯＢ型ＦＥＴ等の
半導体装置が形成されて成ることを特徴とすること、及
び残存アモルファスＳｉ層はホト・ダイオード等の半導
体装置となすことを特徴とする。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図乃至第５図は本発明の一実施例を示すＭＯ５ｆＪ
Ｆ　Ｐｉ　Ｔの製造工程順の断面図である。すなわち、
（１）コーニング７０５９ガラス等からなるガラス基板
１の表面にはｃｒ電極２が形成され、（２）光ａＶＤ法
によりＰＩｉｓＮ４Ｉｌｌ　５がゲート絶縁膜として形
成され（３）アモルファス５ｉｌｌｌ１４がプラズマＣ
ｖＤ法により形成され、ｘｇフラ・ｌシュランプ光５に
よりアモルファスＢｉ膜４の一部が各結晶化ｅｉ膜６と
なり、（４１＃　多結晶化８ｉ膜６をフォト・エツチン
グ処理紀より残して、（５）Ｎ極６．７を形成してＭＯ
８ＦＦ；Ｔを形成する。
尚、アモルファスＢｉ膜４け一部残存させて、フォト・
〃゛イオード負荷抵抗ＭＯＳＦＥＴ等に用いても良いこ
とは言うまでもない。
〔効果〕
本発明の如く、ガラス基板上に多結晶Ｓｉ層を形成する
ことにより、ＴＰＴが廉価にできると共にアモルファス
ｓ７によるＴＰＴよりも高速なＴＰＴが製作できる効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第５図は本発明の火施例を示十ＴＦＴの製作
工程順の断面図である。 １・・ガラス基板　２・・ゲートｗ葎 ３・・Ｓ？；ｓＮ＜膜４・・アモルファスｓｉ膜５・・
光アニール　６・・多結晶Ｂｉ膜出出願人株式会社　諏
訪精工舎 代理人　弁理士　量子　務

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）ガラス基板表面にはシリコン窒化膜又は酸化膜が形
    成さね、該シリコン窒化膜又は酸化膜表面にはγモルフ
    アメ５ｉｎｆ形成シ、該アモルファスＳｉ膜の少なくと
    も一部または全部をレーザー−アニール、光アニール、
    電子線アニール、イオンビームアニール等のア゛ニール
    処理により多結晶８ｉ層化１７、紋多結晶ｓｉ層にはＭ
    ＯＥＩ型ＦＫＴ等の半導体装置が形成されて成ることを
    特徴とする半導体装置の製造方法。 ２）　残存アモルファスＳｉ層はホト・〃゛イオードと
    なすことを特徴とする特許請求範囲第１項記載の半導体
    装置の製造方法。
JP58242993A 1983-12-22 1983-12-22 半導体装置の製造方法 Pending JPS60134413A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5998089A (en) * 1996-09-13 1999-12-07 The Institute Of Physical And Chemical Research Photosensitive resin composition comprising fullerene

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5797619A (en) * 1980-12-09 1982-06-17 Matsushita Electronics Corp Formation of semiconductor element
JPS5797620A (en) * 1980-12-11 1982-06-17 Fujitsu Ltd Improvement of crystallinity of semiconductor film

Patent Citations (2)

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