JPS5919312A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS5919312A
JPS5919312A JP57127525A JP12752582A JPS5919312A JP S5919312 A JPS5919312 A JP S5919312A JP 57127525 A JP57127525 A JP 57127525A JP 12752582 A JP12752582 A JP 12752582A JP S5919312 A JPS5919312 A JP S5919312A
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Osamu Okura
理 大倉
Masanobu Miyao
正信 宮尾
Kiichiro Mukai
向　喜一郎
Mitsunori Ketsusako
光紀 蕨迫
Akira Haruta
亮 春田
Taijo Nishioka
西岡　泰城
Shinichiro Kimura
紳一郎 木村
Takashi Tokuyama
徳山　巍
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造方法に関し、詳しくは非晶質
領域上の単結晶薄膜層形成を予め形成された不純物拡散
層を損う事なく行なう方法に関する。
非晶質領域上に単結晶層を形成する方法の１つとして、
ブリッジングエビタキシー法がある。
（％開昭５６−７３６９７　”）この方法は単結晶基板
上の一部に非晶質領域を設け、この上に形成した非晶質
もしくは多結晶層をエネルギービームの照射により融解
せしめ、再固化の際に結晶成長が単結晶基板上部から非
晶質領域上へと横方向へと進む事を利用したものである
。ところがこの方法は融解を伴う現象である為、単結晶
基板に予め形成された不純物層の不純物が融液中に流出
して散逸するという欠点が存在した。
本発明の目的は、上記従来の問題を解決し、予め形成さ
れた不純物拡散層を損う事なく、上記ブリッジングエピ
タキシーを行なう方法’４１供する事にある。
上記目的を達成するため、本発明は予め形成された不純
物拡散層を融解する事を避ける為に、単結晶基板上にノ
ンドープの緩傳ｓ層を気相エピタキシャル成長によって
形成し、これ全基板としてブリッジングエピタキシーを
行なうものである。
以下本発明の実施例を第１図により説明する。
まず、単結晶シリコン（ｉｏｏ）基板（１）上の一部に
周知のＬＯＧＯ８酸化法により厚さ３６００Ａの酸化膜
（２ン全形成した。この後、酸化膜で覆わわていない領
域の一部に通常の不純物層形成工程により不純物ドープ
層（３）を形成した。（第１図（Ｆ４） つぎに、５ｉＨ２Ｃｔ２　の熱分解を用いて単結晶基板
上（１）のみに、選択的に厚さ１８００人のエヒタキシ
ャル！（４）ｆｆｉ形成した。尚、この時エピタキシャ
ル層には一切不純物の添加は行なわなかった。又、この
工程により酸化膜（２）を形成した為に生じた段差はほ
ぼ平坦化された。（第１図（ｂ）） つぎにＳｉＨ，の熱分解により厚さ３５００人の多結晶
シリコン層（６）を全面に形成した後、（第１　図（ｃ
）　）連続発振アルゴンイオンレーザ光（７）全走査し
ながら照射し、ブリッジングエピタキシーを行なった。
照射条件は、試料基板温度を４００ｔ’ｌ’とし、ビー
ム径を３０μｍ１照射パワー２〜１０Ｗ１　ビーム走査
速度１〜１００ｃｒｎ／Ｓとした。この照射によって多
結晶層（６）の全部及びエピタキシャル層（４）の表面
部分が一旦融解し、再固化過程に於て単結晶成長が、エ
ピタキシャル層（４）上から酸化膜（２）上の領域へと
横方向へと進み、酸化膜（２）上の領域が単結晶化（８
）された。この時、不純物拡散層（３）を含む領域は融
解されガかった為、不純物の流出による不純物層の破壊
は生じなかった。
更に、エピタキシャル層（４）及び多結晶シリコン層（
６）には不純物添加を行なわなかった為、単結晶化領域
（８）は不純物を含まず、従って領域内での不純物濃度
勾配は生じガかった。
上記説明から明らかなように、本発明によれば、不純物
拡散層を含む領域を融解する事なくブリッジングエビタ
キシー全進行できる為、不純物層の破壊を防止すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例を示す工程図である。 １・・・シリコン単結晶基板、２・・・酸化膜層、３・
・・不純物拡散層、４・・・単結晶層、６・・・多結晶
層、７・・・レーザ光、８・・・単結晶化層。 第　１　　図 第１頁の続き ０発　明　者　春田亮 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発　明　者　西岡泰城 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発　明　者　木村紳一部 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発　明　者　徳山説 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、　半導体基板の露出されり表面と上記半導体基板上
    に被着された絶縁膜を連続して覆う多結晶もしくは非晶
    質シリコン膜を加熱して、上記多結晶もしくは非晶質シ
    リコン膜を単結晶化させる方法において、半導体基板の
    露出された表面の少なくとも一部には不純物ドープ層を
    そなえ該不純物ドープ層と上記多結晶もしくは非晶質シ
    リコン層の間にはエピタキシャル層が介在することを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
JP57127525A 1982-07-23 1982-07-23 半導体装置の製造方法 Pending JPS5919312A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6163013A (ja) * 1984-09-04 1986-04-01 Agency Of Ind Science & Technol Ｓｏｉ用シ−ド構造の製造方法
CN110678964A (zh) * 2017-06-15 2020-01-10 信越半导体株式会社 外延片的制造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5766627A (en) * 1980-10-13 1982-04-22 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device

Patent Citations (1)

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