JPS63142810A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63142810A JPS63142810A JP29109086A JP29109086A JPS63142810A JP S63142810 A JPS63142810 A JP S63142810A JP 29109086 A JP29109086 A JP 29109086A JP 29109086 A JP29109086 A JP 29109086A JP S63142810 A JPS63142810 A JP S63142810A
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- polycrystalline silicon
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Links
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、半導体の集積度は年々高まってきておシ、平面的
な集積から立体的な集積が必要となってきている。この
立体的な集積が可能となるためには、シリコン酸化膜上
に堆積した多結晶シリコン膜を結晶膜に変換する技術（
以下Ｓ○工影形成技術呼ぶ）の確立が必要不可欠である
。
な集積から立体的な集積が必要となってきている。この
立体的な集積が可能となるためには、シリコン酸化膜上
に堆積した多結晶シリコン膜を結晶膜に変換する技術（
以下Ｓ○工影形成技術呼ぶ）の確立が必要不可欠である
。
以下第２図に従い、従来の半導体装置の製造方法につい
て説明する。第２図ａが従来の半導体装置の製造方法の
模式的断面図であり、第２図すが従来の半導体装置の製
造方法の模式的平面図である。２１が単結晶シリコン基
板、２２がシリコン酸化膜、２３が多結晶シリコン膜、
２４がレーザビーム、２５が再結晶化膜、２６が固液界
面、２７がレーザ走査方向である〇 従来は、第２図に示すように、多結晶シリコン膜２３に
レーザビーム２４を走査することによって、多結晶シリ
コン膜２３を局所的に溶融させ、その固化過程を制御し
て結晶膜に変換する方法がよく用いられてきた。
て説明する。第２図ａが従来の半導体装置の製造方法の
模式的断面図であり、第２図すが従来の半導体装置の製
造方法の模式的平面図である。２１が単結晶シリコン基
板、２２がシリコン酸化膜、２３が多結晶シリコン膜、
２４がレーザビーム、２５が再結晶化膜、２６が固液界
面、２７がレーザ走査方向である〇 従来は、第２図に示すように、多結晶シリコン膜２３に
レーザビーム２４を走査することによって、多結晶シリ
コン膜２３を局所的に溶融させ、その固化過程を制御し
て結晶膜に変換する方法がよく用いられてきた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような半導体装置の製造方法では
、レーザビーム２４のエネルギー分布がガウス型である
ため、固液界面２６の形状は、第２図すに示したように
走査方向側からみれば凸状になる。即ち、固化は周辺部
から中心部に向っておこる。従ってレーザビーム２４内
での結晶成長が、周辺部からのランダムな成長となり、
再結晶化膜２６に多数の欠陥が入るという問題があった
。
、レーザビーム２４のエネルギー分布がガウス型である
ため、固液界面２６の形状は、第２図すに示したように
走査方向側からみれば凸状になる。即ち、固化は周辺部
から中心部に向っておこる。従ってレーザビーム２４内
での結晶成長が、周辺部からのランダムな成長となり、
再結晶化膜２６に多数の欠陥が入るという問題があった
。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、再結晶化膜
に欠陥が入らない半導体装置の製造方法を提供するもの
である。
に欠陥が入らない半導体装置の製造方法を提供するもの
である。
問題点を解決するための手段
本発明の半導体装置の製造方法は、上記問題点を解決す
るために、シリコン酸化膜上に堆積した多結晶シリコン
膜上の一部にレーザビームのエネルギー吸収膜を設け、
しかる後にレーザビームの中心の一部が上記吸収膜に吸
収され、しかも走査方向が上記吸収膜に平行になるよう
にして、多結晶シリコン膜を再結晶化するものである。
るために、シリコン酸化膜上に堆積した多結晶シリコン
膜上の一部にレーザビームのエネルギー吸収膜を設け、
しかる後にレーザビームの中心の一部が上記吸収膜に吸
収され、しかも走査方向が上記吸収膜に平行になるよう
にして、多結晶シリコン膜を再結晶化するものである。
作 用
上記半導体装置の製造方法により、レーザビームの中心
部のエネルギーの一部は、多結晶シリコン膜上に形成し
た吸収層に吸収されるので、上記多結晶シリコン膜上で
はレーザビームの照射されている部分のうち、中心部の
温度は低く、周辺部の温度は高くなる。従って、レーザ
ビームを上記吸収膜の方向に平行に走査した場合、固液
界面の形状は走査方向からみて凹状となる。即ち、固化
はレーザビームの中心部から周辺部に向っておこるので
、結晶成長の成長核は中心部のみとなり、欠陥のない良
質の再結晶化膜が形成される。
部のエネルギーの一部は、多結晶シリコン膜上に形成し
た吸収層に吸収されるので、上記多結晶シリコン膜上で
はレーザビームの照射されている部分のうち、中心部の
温度は低く、周辺部の温度は高くなる。従って、レーザ
ビームを上記吸収膜の方向に平行に走査した場合、固液
界面の形状は走査方向からみて凹状となる。即ち、固化
はレーザビームの中心部から周辺部に向っておこるので
、結晶成長の成長核は中心部のみとなり、欠陥のない良
質の再結晶化膜が形成される。
実施例
本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を第１図に示
す。第１図ａが本発明の半導体装置の製造方法の一実施
例の断面図、第２図すが一実施例の平面図、第２図Ｃが
一実施例の多結晶シリコン膜上の平面図である。１１が
単結晶シリコン基板、１２がシリコン酸化膜、１３が多
結晶シリコン膜、１４がＧｏ膜、１６がＡｒレーザビー
ム、１６が固液界面、１７がＡｒ＋レーザビーム１６の
走査方向、１８が再結晶化膜であ−る。
す。第１図ａが本発明の半導体装置の製造方法の一実施
例の断面図、第２図すが一実施例の平面図、第２図Ｃが
一実施例の多結晶シリコン膜上の平面図である。１１が
単結晶シリコン基板、１２がシリコン酸化膜、１３が多
結晶シリコン膜、１４がＧｏ膜、１６がＡｒレーザビー
ム、１６が固液界面、１７がＡｒ＋レーザビーム１６の
走査方向、１８が再結晶化膜であ−る。
第１図は、単結晶シリコン基板１１を熱酸化してシリコ
ン酸化膜１２を形成した後、０．５μｍの多結晶シリコ
ン膜１３を形成し、上記多結晶シリコン膜１３上に０．
０２μ哨度のＧｏ膜を形成し、しかる後にＧｏ膜１３の
一部を残して除去することによって得られる。
ン酸化膜１２を形成した後、０．５μｍの多結晶シリコ
ン膜１３を形成し、上記多結晶シリコン膜１３上に０．
０２μ哨度のＧｏ膜を形成し、しかる後にＧｏ膜１３の
一部を残して除去することによって得られる。
第１図のように形成すれば、レーザビーム１５の照射面
における等温線、即ち固液界面１６は第 。
における等温線、即ち固液界面１６は第 。
２図すのようになるが、Ｇｅ膜１４のＡｒ＋レーザビー
ム１６に対する高い吸収係数（Ｓｉの約１００倍）のた
めに、多結晶シリコン膜１３上では、レーザビーム１６
の中心部では温度が低く、周辺部では温度が高くなる。
ム１６に対する高い吸収係数（Ｓｉの約１００倍）のた
めに、多結晶シリコン膜１３上では、レーザビーム１６
の中心部では温度が低く、周辺部では温度が高くなる。
従って固液界面１６′は、第２図Ｃに示したように、走
査方向からみて凹状となるので、固化はレーザビーム１
６の中心部から周辺部に向っておこる。即ち、結晶成長
の成長核は中心部のみとなり、欠陥のない良質の再結晶
化膜が形成される。
査方向からみて凹状となるので、固化はレーザビーム１
６の中心部から周辺部に向っておこる。即ち、結晶成長
の成長核は中心部のみとなり、欠陥のない良質の再結晶
化膜が形成される。
ここでは、エネルギービームとしてＡτ レーザビーム
、吸収膜としてＧｏ膜を選んだ場合の例をあげたが、他
の組合せでも可能なことは言うまでもない。
、吸収膜としてＧｏ膜を選んだ場合の例をあげたが、他
の組合せでも可能なことは言うまでもない。
発明の効果
本発明の半導体装置の製造方法は、上記したように吸収
膜を設けるというきわめて簡単な方法で、良質の再結晶
化を設けることができ、実用的にきわめて有用である。
膜を設けるというきわめて簡単な方法で、良質の再結晶
化を設けることができ、実用的にきわめて有用である。
第１図は本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を示
す図、第２図は従来の半導体装置の製造方法を示す図で
ある。 １４・・・・・・Ｇｏ 膜、１５・・・・・・Ａｒ＋レ
ーザビーム、１６ 、１６’・・・・・・固液界面、１
８・・・・・・再結晶化膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名へり 二９ 轢 Ｓ
す図、第２図は従来の半導体装置の製造方法を示す図で
ある。 １４・・・・・・Ｇｏ 膜、１５・・・・・・Ａｒ＋レ
ーザビーム、１６ 、１６’・・・・・・固液界面、１
８・・・・・・再結晶化膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名へり 二９ 轢 Ｓ
Claims (1)
- 絶縁膜あるいは絶縁性基板上に多結晶あるいは非晶質の
第１の膜を形成する工程と、上記第１の膜上に、ある波
長に対して第１の膜よりも吸収係数の大なる第２の膜を
形成する工程と、上記第２の膜の一部を除去する工程と
、しかるのちに上記波長をもったエネルギービームをそ
の中心部が上記第２の膜に含まれるように照射し、かつ
上記第２の膜と平行に走査して上記第１の膜を単結晶膜
に変換することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29109086A JPS63142810A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29109086A JPS63142810A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63142810A true JPS63142810A (ja) | 1988-06-15 |
Family
ID=17764314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29109086A Pending JPS63142810A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63142810A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359195A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US7919366B2 (en) * | 2008-10-14 | 2011-04-05 | Osaka University | Laser crystallization method for amorphous semiconductor thin film |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6043814A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-08 | Toshiba Corp | 半導体結晶薄膜の製造方法 |
| JPS6083322A (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-11 | Sony Corp | 半導体薄膜の結晶化方法 |
| JPS6115319A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-23 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS636828A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶半導体薄膜の製造方法 |
-
1986
- 1986-12-05 JP JP29109086A patent/JPS63142810A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6043814A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-08 | Toshiba Corp | 半導体結晶薄膜の製造方法 |
| JPS6083322A (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-11 | Sony Corp | 半導体薄膜の結晶化方法 |
| JPS6115319A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-23 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS636828A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶半導体薄膜の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359195A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US7919366B2 (en) * | 2008-10-14 | 2011-04-05 | Osaka University | Laser crystallization method for amorphous semiconductor thin film |
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