JPS6339553B2 - - Google Patents
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- JPS6339553B2 JPS6339553B2 JP58212439A JP21243983A JPS6339553B2 JP S6339553 B2 JPS6339553 B2 JP S6339553B2 JP 58212439 A JP58212439 A JP 58212439A JP 21243983 A JP21243983 A JP 21243983A JP S6339553 B2 JPS6339553 B2 JP S6339553B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は絶縁下地層上に単結晶層を形成するた
めの単結晶層製造方法に関する。
めの単結晶層製造方法に関する。
（従来技術の説明）
半導体集積回路技術の急速な発展に伴い、大面
積の基板上に大規模集積回路を形成しようとした
り、又、三次元回路を形成しようとする試みが成
されている。そのためには、絶縁層上に単結晶の
半導体薄膜を形成することが望まれている。例え
ば石英等の絶縁体基板上にゲルマニウム（Ge）
単結晶を形成することが出来れば、このGe単結
晶層上に、このGeと格子定数及び熱膨張係数が
一致したGaAs単結晶層を、形成することが容易
となり、従つて大面積のGaAs基板を低コストで
製造することが可能となる。
積の基板上に大規模集積回路を形成しようとした
り、又、三次元回路を形成しようとする試みが成
されている。そのためには、絶縁層上に単結晶の
半導体薄膜を形成することが望まれている。例え
ば石英等の絶縁体基板上にゲルマニウム（Ge）
単結晶を形成することが出来れば、このGe単結
晶層上に、このGeと格子定数及び熱膨張係数が
一致したGaAs単結晶層を、形成することが容易
となり、従つて大面積のGaAs基板を低コストで
製造することが可能となる。
第１図は従来における、下地層としての絶縁性
基板上にGe単結晶薄膜を形成する方法を説明す
るための線図である。この従来方法によれば、絶
縁性基板１上にGeの薄層を任意好適な堆積法で
成長させる。この成長されたGe層は通常はアモ
ルフアス又は多結晶体となつている。従つて、こ
のGe層に線状の光ビーム又は電子ビーム等の放
射ビームを照射して走査を行つて、被照射部分を
順次に溶融させて二次元的なゾーンメルテイング
を行い、Ge層の単結晶化を図つている。しかし
ながら、この場合、基板１の上側表面全体にGe
の薄層を形成し、この層の単結晶化を行うことは
困難である。このため、通常は第１図に示すよう
に、基板１上にGe層２を複数個の、帯状又は島
状領域に分けて形成する。そして例えば帯状Ge
層領域の場合にはその帯状領域の長手方向に対し
垂直な方向に広がりを有する直線状放射ビームを
照射すると共に、この直線状の放射ビームを帯状
領域の長手方向に順次に走査することによつてゾ
ーンメルテイングを行つている。
基板上にGe単結晶薄膜を形成する方法を説明す
るための線図である。この従来方法によれば、絶
縁性基板１上にGeの薄層を任意好適な堆積法で
成長させる。この成長されたGe層は通常はアモ
ルフアス又は多結晶体となつている。従つて、こ
のGe層に線状の光ビーム又は電子ビーム等の放
射ビームを照射して走査を行つて、被照射部分を
順次に溶融させて二次元的なゾーンメルテイング
を行い、Ge層の単結晶化を図つている。しかし
ながら、この場合、基板１の上側表面全体にGe
の薄層を形成し、この層の単結晶化を行うことは
困難である。このため、通常は第１図に示すよう
に、基板１上にGe層２を複数個の、帯状又は島
状領域に分けて形成する。そして例えば帯状Ge
層領域の場合にはその帯状領域の長手方向に対し
垂直な方向に広がりを有する直線状放射ビームを
照射すると共に、この直線状の放射ビームを帯状
領域の長手方向に順次に走査することによつてゾ
ーンメルテイングを行つている。
しかしながら、この従来方法によれば、放射ビ
ームの照射を受けたGe層内部での温度分布は、
隣り合う帯状領域間の間隙部分では放射の吸収が
ないため、この領域のGe層の中央部分で高温と
なり、かつ、領域の周辺部分で低温となり、これ
がため、結晶化のための核生成が帯状Ge層の周
辺より行われ順次中央部分に進行するが、中央部
分での単結晶がうまくつながらず、従つて均一な
単結晶が得られないとう欠点があつた。
ームの照射を受けたGe層内部での温度分布は、
隣り合う帯状領域間の間隙部分では放射の吸収が
ないため、この領域のGe層の中央部分で高温と
なり、かつ、領域の周辺部分で低温となり、これ
がため、結晶化のための核生成が帯状Ge層の周
辺より行われ順次中央部分に進行するが、中央部
分での単結晶がうまくつながらず、従つて均一な
単結晶が得られないとう欠点があつた。
（発明の目的）
本発明の目的は絶縁性下地層上に均一で高品質
の単結晶層を形成するための単結晶形成方法を提
供することにある。
の単結晶層を形成するための単結晶形成方法を提
供することにある。
（発明の構成）
この目的の達成を図るため、本発明の単結晶層
製造方法によれば、光又は電子ビーム等の放射ビ
ームを照射して半導体薄層をアニーリングする前
の半導体薄層の形成方法に改良を加えたものであ
つて、絶縁性下地層上に、シリコン（Si）半導体
薄層及びGe半導体薄層を、ゾーンメルテイング
によつてGe半導体薄層の溶融した部分内でのSi
組成分布がこのGe半導体薄層の溶融部分の中央
部で最大となり周辺部に向かうに従つて低下する
分布となるような形状及び配置関係で、形成し、
然る後二次元的なゾーンメルテイングを行い、こ
の溶融部分の中央部から周辺部に順次に単結晶化
を行うことを特徴とする。
製造方法によれば、光又は電子ビーム等の放射ビ
ームを照射して半導体薄層をアニーリングする前
の半導体薄層の形成方法に改良を加えたものであ
つて、絶縁性下地層上に、シリコン（Si）半導体
薄層及びGe半導体薄層を、ゾーンメルテイング
によつてGe半導体薄層の溶融した部分内でのSi
組成分布がこのGe半導体薄層の溶融部分の中央
部で最大となり周辺部に向かうに従つて低下する
分布となるような形状及び配置関係で、形成し、
然る後二次元的なゾーンメルテイングを行い、こ
の溶融部分の中央部から周辺部に順次に単結晶化
を行うことを特徴とする。
（実施例の説明）
以下、図面により本発明の実施例につき説明す
る。
る。
第２図Ａ〜Ｄは本発明による単結晶層製造方法
を説明するための、主要工程段階での形成状態を
部分的断面図として示す工程図である。尚、これ
ら図は本発明の構成が理解出来る程度に概略的に
示してあるに過ぎない。
を説明するための、主要工程段階での形成状態を
部分的断面図として示す工程図である。尚、これ
ら図は本発明の構成が理解出来る程度に概略的に
示してあるに過ぎない。
先ず、第２図Ａに示すように、下地層として絶
縁性層１１を用意する。この絶縁性層１１として
は、例えば、石英等の絶縁性基板自体としても良
いし、或いは、任意のタイプの半導体基板上に直
接又は他の層を介して間接的に積層させた絶縁層
としても良い。この実施例ではこの層１１を絶縁
性基板として説明する。
縁性層１１を用意する。この絶縁性層１１として
は、例えば、石英等の絶縁性基板自体としても良
いし、或いは、任意のタイプの半導体基板上に直
接又は他の層を介して間接的に積層させた絶縁層
としても良い。この実施例ではこの層１１を絶縁
性基板として説明する。
次に、第２図Ｂに示すように、この絶縁性層１
１上に一定のピツチ間隔で所要の幅及び高さを有
する複数個のSiの半導体薄層１２をパターン形成
する。このSi薄層１２の領域の形状を、例えば、
絶縁性基板１１の図示の断面（図の紙面）に垂直
な方向に延在する帯状とする。
１上に一定のピツチ間隔で所要の幅及び高さを有
する複数個のSiの半導体薄層１２をパターン形成
する。このSi薄層１２の領域の形状を、例えば、
絶縁性基板１１の図示の断面（図の紙面）に垂直
な方向に延在する帯状とする。
次に、第２図Ｃに示すように、このSi半導体薄
層１２が形成された基板１１上に複数個のゲルマ
ニウム（Ge）半導体薄層１３をパターン形成す
る。この場合、Ge半導体薄層１３の幅W2をSi半
導体薄層１２の幅W1の少なくとも約10倍以上広
くし、前者１３の厚さを後者１２の厚さとほぼ同
程度かやや厚い厚さとし、さらに前者１３の中央
部に後者１２が位置するように配設し、しかも、
前者１３を等ピツチ間隔で帯状に形成する。
層１２が形成された基板１１上に複数個のゲルマ
ニウム（Ge）半導体薄層１３をパターン形成す
る。この場合、Ge半導体薄層１３の幅W2をSi半
導体薄層１２の幅W1の少なくとも約10倍以上広
くし、前者１３の厚さを後者１２の厚さとほぼ同
程度かやや厚い厚さとし、さらに前者１３の中央
部に後者１２が位置するように配設し、しかも、
前者１３を等ピツチ間隔で帯状に形成する。
続いて、二次元的ゾーンメルテイングを行う。
すなわち、第２図Ｄに示すように、Ge半導体薄
層１３が形成された状態のまま、或いは、必要に
応じてこのGe半導体薄層１３を含む基板１１の
上側全面に、例えば、絶縁膜から成る保護層１４
を設けた後、放射ビーム１５でGe半導体薄層１
３のアニールを行う。この放射ビーム照射は、
Ge半導体薄層１３の幅方向に広がりを有する線
状ビームで帯状半導体薄層１３の長手方向に走査
して行うのが好適である。この場合、このビーム
走査は個々の帯状Ge半導体薄層１３毎に行つて
も良いし、数個まとめて或いは一括して行つても
良い。
すなわち、第２図Ｄに示すように、Ge半導体薄
層１３が形成された状態のまま、或いは、必要に
応じてこのGe半導体薄層１３を含む基板１１の
上側全面に、例えば、絶縁膜から成る保護層１４
を設けた後、放射ビーム１５でGe半導体薄層１
３のアニールを行う。この放射ビーム照射は、
Ge半導体薄層１３の幅方向に広がりを有する線
状ビームで帯状半導体薄層１３の長手方向に走査
して行うのが好適である。この場合、このビーム
走査は個々の帯状Ge半導体薄層１３毎に行つて
も良いし、数個まとめて或いは一括して行つても
良い。
このような放射ビーム照射を行うと、被照射部
分のGe半導体薄層１３が溶融し、このときの温
度分布はGe薄層１３の溶融部分の中央部分で高
くその幅方向の周辺部では低くなる。そして、
Ge薄層１３の中央部に配設されたSi薄層１２が
Ge薄層１３の溶融時に一部分或いは場合によつ
ては全部溶け出し、よつてSiがGe薄層１３の溶
融部分中にその中央部を中心として広い範囲に亘
り或いは全域に亘つて拡散して混入する。そし
て、この溶融した薄層１３中でのSiの濃度分布す
なわち組成分布は個々の溶融Ge薄層１３の中央
部で高く周辺部で低くなる。このような状態の下
で、放射ビームが走査されて放射ビームの照射か
ら解放された溶融部分は次第に冷却して固化を開
始し、前述した中央部を中心として広い範囲又は
全域に亘つてSiとGeとの固溶半導体領域が得ら
れる。ところで、この固溶体はGe領域中のSi濃
度の高い程融点が高いという性質があるので、溶
融部分の固化の開始時点では、中央部の温度が最
も高いにもかかわらず、この溶融部分の中央部で
のSi濃度が最も高いので、溶融部分が冷却するに
従つて中央部から最も早く固化を開始する。そし
てこの冷却に従い、この固化すなわち単結晶化は
中央部分から横方向に互いに離散する方向に進
み、帯状Ge薄層１３の周辺部に至る。このよう
に固化が中央部により起り、順次薄層全体に進行
することにより従来のように単結晶化の進行がぶ
つかり合うことが無いので、均一な高品質の単結
晶層が良好に得られる。尚、この場合、Si−Ge
組成及びゾーンメルテイングを行うべきビームア
ニールの諸条件（ビーム強度とか走査速度等）を
適切に選定することが出来る。
分のGe半導体薄層１３が溶融し、このときの温
度分布はGe薄層１３の溶融部分の中央部分で高
くその幅方向の周辺部では低くなる。そして、
Ge薄層１３の中央部に配設されたSi薄層１２が
Ge薄層１３の溶融時に一部分或いは場合によつ
ては全部溶け出し、よつてSiがGe薄層１３の溶
融部分中にその中央部を中心として広い範囲に亘
り或いは全域に亘つて拡散して混入する。そし
て、この溶融した薄層１３中でのSiの濃度分布す
なわち組成分布は個々の溶融Ge薄層１３の中央
部で高く周辺部で低くなる。このような状態の下
で、放射ビームが走査されて放射ビームの照射か
ら解放された溶融部分は次第に冷却して固化を開
始し、前述した中央部を中心として広い範囲又は
全域に亘つてSiとGeとの固溶半導体領域が得ら
れる。ところで、この固溶体はGe領域中のSi濃
度の高い程融点が高いという性質があるので、溶
融部分の固化の開始時点では、中央部の温度が最
も高いにもかかわらず、この溶融部分の中央部で
のSi濃度が最も高いので、溶融部分が冷却するに
従つて中央部から最も早く固化を開始する。そし
てこの冷却に従い、この固化すなわち単結晶化は
中央部分から横方向に互いに離散する方向に進
み、帯状Ge薄層１３の周辺部に至る。このよう
に固化が中央部により起り、順次薄層全体に進行
することにより従来のように単結晶化の進行がぶ
つかり合うことが無いので、均一な高品質の単結
晶層が良好に得られる。尚、この場合、Si−Ge
組成及びゾーンメルテイングを行うべきビームア
ニールの諸条件（ビーム強度とか走査速度等）を
適切に選定することが出来る。
このように上述した本発明の好適実施例におい
ては、下地の絶縁性基板上に等ピツチで複数個の
Si半導体層を設けると共に、次にこの各Si半導体
薄層が中央部に位置するように等ピツチでこのSi
半導体薄層よりも十分幅広のGe半導体薄層を設
けて、このGe半導体薄層に対しゾーンメルテイ
ング法を実施してこれを溶融した時、これら各
Ge半導体層内におけるSi濃度組成分布が溶融し
たGe半導体薄層の中央部で最も高く周辺部に向
かうに従つて順次低下する分布を取るようになし
ているので、Ge半導体薄層のSi濃度分布の最も
高い中央部から順次横方向に周辺部へと固化が進
行するので、均一で高品質の単結晶層が得られ
る。このようにして得られた単結晶層はGeとSi
との混晶であるが、Siの割合はこの層の中央部で
大であり周辺部に向つて順次低くなつている。こ
の単結晶層は実質的にGeの単結晶層と同等であ
り、GaAs単結晶層と格子定数及び熱膨張係数が
近いので、この単結晶層上へのGaAs単結晶層の
形成は容易に行なうことが出来る。
ては、下地の絶縁性基板上に等ピツチで複数個の
Si半導体層を設けると共に、次にこの各Si半導体
薄層が中央部に位置するように等ピツチでこのSi
半導体薄層よりも十分幅広のGe半導体薄層を設
けて、このGe半導体薄層に対しゾーンメルテイ
ング法を実施してこれを溶融した時、これら各
Ge半導体層内におけるSi濃度組成分布が溶融し
たGe半導体薄層の中央部で最も高く周辺部に向
かうに従つて順次低下する分布を取るようになし
ているので、Ge半導体薄層のSi濃度分布の最も
高い中央部から順次横方向に周辺部へと固化が進
行するので、均一で高品質の単結晶層が得られ
る。このようにして得られた単結晶層はGeとSi
との混晶であるが、Siの割合はこの層の中央部で
大であり周辺部に向つて順次低くなつている。こ
の単結晶層は実質的にGeの単結晶層と同等であ
り、GaAs単結晶層と格子定数及び熱膨張係数が
近いので、この単結晶層上へのGaAs単結晶層の
形成は容易に行なうことが出来る。
石英基板上に上述した方法でこのような均一で
高品質の単結晶層を大面積で形成すれば、
GaAsIC又は光IC基板として利用出来る大型の
GaAs基板を形成することが可能となる。
高品質の単結晶層を大面積で形成すれば、
GaAsIC又は光IC基板として利用出来る大型の
GaAs基板を形成することが可能となる。
また、SiIC基板上に上述した方法でこのような
均一で高品質の単結晶層を形成すれば、SiICと
GaAsICとを機能的に結合させたいわゆる三次元
ICの実現も期待できる。
均一で高品質の単結晶層を形成すれば、SiICと
GaAsICとを機能的に結合させたいわゆる三次元
ICの実現も期待できる。
尚、本発明は上述した実施例にのみ限定される
ものではないこと明らかである。例えば、Si及び
Geの半導体薄層を帯状領域としたが多数の個別
の島状領域として形成しても良いし、これら領域
の寸法等も所要に応じて選定出来る。また、放射
ビームによるゾーンメルテイングの条件も、形成
されたSi及びGeの両半導体薄層の組成及び形状、
寸法等の幾何的条件、その他の条件によつて定ま
る好適な条件を選定出来る。
ものではないこと明らかである。例えば、Si及び
Geの半導体薄層を帯状領域としたが多数の個別
の島状領域として形成しても良いし、これら領域
の寸法等も所要に応じて選定出来る。また、放射
ビームによるゾーンメルテイングの条件も、形成
されたSi及びGeの両半導体薄層の組成及び形状、
寸法等の幾何的条件、その他の条件によつて定ま
る好適な条件を選定出来る。
また、これらSi及びGeの半導体薄層は通常の
半導体技術を用いて容易に形成出来る。
半導体技術を用いて容易に形成出来る。
さらに、上述した層という語はいわゆる膜の意
味を含むものと解するものとする。
味を含むものと解するものとする。
（発明の効果）
上述した説明から明らかなように、本発明によ
れば、絶縁層上に形成したGe半導体薄層に対し
二次元的なゾーンメルテイングを行つて溶融させ
た時、このGe半導体薄層内でのSiの濃度組成分
布がGe半導体薄層の中央部で最も高く周辺部に
向かうに従つて順次低くなるように、絶縁層上に
Si半導体薄層及びGe半導体薄層を形成するので、
Ge半導体薄層のSi濃度分布の最も高い中央部か
ら順次横方向に周辺部へと固化が進行し、従つ
て、均一でしかもうねりとか多結晶のない単結晶
層が得られるという利益を奏する。
れば、絶縁層上に形成したGe半導体薄層に対し
二次元的なゾーンメルテイングを行つて溶融させ
た時、このGe半導体薄層内でのSiの濃度組成分
布がGe半導体薄層の中央部で最も高く周辺部に
向かうに従つて順次低くなるように、絶縁層上に
Si半導体薄層及びGe半導体薄層を形成するので、
Ge半導体薄層のSi濃度分布の最も高い中央部か
ら順次横方向に周辺部へと固化が進行し、従つ
て、均一でしかもうねりとか多結晶のない単結晶
層が得られるという利益を奏する。
この単結晶層は実質的にGeの単結晶層と同等
であり、GaAs単結晶層と格子定数及び熱膨張係
数が近いので、この単結晶層上へのGaAs単結晶
層の形成は容易に行なうことが出来る。
であり、GaAs単結晶層と格子定数及び熱膨張係
数が近いので、この単結晶層上へのGaAs単結晶
層の形成は容易に行なうことが出来る。
石英基板上に上述した方法でこのような均一で
高品質の単結晶層を大面積で形成すれば、
GaAsIC又は光IC基板として利用出来る大型の
GaAs基板を形成することが可能となる。
高品質の単結晶層を大面積で形成すれば、
GaAsIC又は光IC基板として利用出来る大型の
GaAs基板を形成することが可能となる。
また、SiIC基板上に上述した方法でこのような
均一で高品質の単結晶層を形成すれば、SiICと
GaAsICとを機能的に結合させたいわゆる三次元
ICの実現も期待できる。
均一で高品質の単結晶層を形成すれば、SiICと
GaAsICとを機能的に結合させたいわゆる三次元
ICの実現も期待できる。
第１図は絶縁層上に単結晶を形成する従来方法
を説明するための基板の一部分を断面として示す
斜視図、第２図Ａ〜Ｄは本発明による単結晶製造
方法を説明するための主要製造段階での状態を略
図的断面図として示す製造工程図である。 １１……絶縁性下地層、１２……Si半導体薄
層、１３……Ge半導体薄層、１４……保護層、
１５……放射ビーム。
を説明するための基板の一部分を断面として示す
斜視図、第２図Ａ〜Ｄは本発明による単結晶製造
方法を説明するための主要製造段階での状態を略
図的断面図として示す製造工程図である。 １１……絶縁性下地層、１２……Si半導体薄
層、１３……Ge半導体薄層、１４……保護層、
１５……放射ビーム。
Claims (1)
- １ 絶縁性下地層上に形成したGe半導体薄層に
対し二次元的にゾーンメルテイングを行つて単結
晶層を製造するに当り、前記絶縁性下地層上に、
該ゾーンメルテイングによつて溶融したGe半導
体薄層部分内におけるSiの組成分布が該Ge半導
体薄層部分の中央部で最も高く周辺部に向かうに
従つて低下する分布となるような形状及び配置関
係で、Si半導体薄層及び前記Ge半導体薄層を形
成し、然る後に前記Ge半導体薄層に二次元的な
ゾーンメルテイングを行うことを特徴とする単結
晶層製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21243983A JPS60108394A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 単結晶層製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21243983A JPS60108394A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 単結晶層製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60108394A JPS60108394A (ja) | 1985-06-13 |
| JPS6339553B2 true JPS6339553B2 (ja) | 1988-08-05 |
Family
ID=16622621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21243983A Granted JPS60108394A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 単結晶層製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60108394A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS541613A (en) * | 1977-06-06 | 1979-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electromagnetic radiation sensitive recording material |
-
1983
- 1983-11-14 JP JP21243983A patent/JPS60108394A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS541613A (en) * | 1977-06-06 | 1979-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electromagnetic radiation sensitive recording material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60108394A (ja) | 1985-06-13 |
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