JPS6038809A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS6038809A
JPS6038809A JP58146388A JP14638883A JPS6038809A JP S6038809 A JPS6038809 A JP S6038809A JP 58146388 A JP58146388 A JP 58146388A JP 14638883 A JP14638883 A JP 14638883A JP S6038809 A JPS6038809 A JP S6038809A
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JP
Japan
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layer
oxide film
impurity
polycrystalline
single crystal
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JP58146388A
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Kikuo Kusukawa
喜久雄 楠川
Osamu Okura
理 大倉
Hideo Sunami
英夫 角南
Masanobu Miyao
正信 宮尾
Masahiro Shigeniwa
昌弘 茂庭
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
〔発明の背景〕
絶縁膜領域上の多結晶もしくは非晶質シリコン層を単結
晶化する１つの方法として、ブリッジングエピタキシー
法がある。この方法は、単結晶基板上の一部に絶縁膜領
域を設け、この上に形成した非晶質もしくは多結晶シリ
コン層をエネルギービームの照射によシ融解せしめ、再
同化の際に結晶成長が単結晶基板上部から非晶質領域さ
らに横方向へと進む事を利用したものである。従って、
この方法に於ては、単結晶基板を融解するため、基板が
不純物層である場合、その不純物が融液中に流出して散
逸する事が欠点である。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記従来の問題を解決し、予め形成さ
れた不純物拡散層を損う事なく単結晶層を得る半導体装
置の製造方法を提供する事にある。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するため、本発明は、予め形成した不純
物拡散層を融解する事を避ける為に、単結晶基板上に気
相エピタキシャル成長によって意図して不純物を含まな
いノンドープのシリコン層を形成し、これを基板として
プリツジングエピタキシーを行なう如く構成したもので
ある。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図により説明する。まず、単結
晶シリコン（１００）基板１上の一部にＬＯＣＯ８Ｍ化
法により厚さ０．４μｍの酸化膜２を形成した。この後
、酸化膜で覆われていない領域にＩ　Ｘ　１０”　８ｃ
ｍ−３以上のＡｓやＰのドープにより不純物拡散ｎ＋層
３を形成した。つぎに、５ｊＨｚＣｔ２の熱分解を用い
て６００〜１２００Ｃで単結晶基板上１のみに選択的に
厚さ０．２μｍの不純物Ｉ　Ｘ　１０’　７ｃｍ−３未
満のエピタキシャル層４を形成した。ざらに、５ｊＨ４
の熱分解により厚さ０．４μｍの多結晶シリコン層５を
全面に形成した後、連続発振アルゴンイオンレーザ光６
を図のように走査しながら照射し、上記多結晶シリコン
層５の単結晶化を行なった。照射条件は、試料基板温度
を５００Ｃとし、ビーム直径１０〜１００μｍ、照射パ
ワー５〜１５Ｗ、ビーム走査速度１〜１００　ｃｍ／　
Ｓとした。この照射によって多結晶シリコン層５の全部
及びエピタキシャル層４の表面部分が一旦融解し、再固
化過程に於て単結晶成長がエピタキシャル層４衣面から
酸化膜２上の領域へと横方向に進み、ば化層２上の領域
が単結晶化されノ’ｃｏ　この時、不純ＩＩ＋２１Ｎ３
の不純物の流出は生じなかった。
址だ、上記処理後、熱拡散により酸比膜２上に均一な不
純物層ｔ−得る事が可能であった。なお、本実施例では
連続発振アルゴンイオンレーザ光を用いたが、本発明の
効果はこれに限疋されず、電子線、ストリップヒータ等
による局所加熱を用いればよく、更に、不純物拡散層３
は口１およびｐ＋層のいずれでもよい。
また、本説明では、エピタキシャル層４は選択エピタキ
シャル法を用いて不純物拡散層３上のみ形成したが、酸
化膜ノ謔２上にもＳｉが被着する非選択エピタキシャル
法で全面に被着し、必要な不純物拡散層３上のみ残存せ
しめることもできる。
また、酸化膜層２は基本的には絶縁膜であればよ＜　、
Ｓ　’０２に限定するものではない。
〔発明の効果〕
上記説明から明かなように、本発明によれば、不純物拡
散層を含む領域を融解することなく酸化膜上の多結晶も
しくは非晶質シリコン膜の単結晶化が可能である。これ
によってＳ　ＯＩ　（５ｉｌｉｃｏｎｏｎ　工ｎ５ｕｌ
ａｔｏｒ　）層を積層するとき下地の影響を受けないの
で高精度のデバイス製作が可能である。
【図面の簡単な説明】
図は、本発明の一実施例を示す断面図である。 １・・・単結晶シリコン基板、２・・・酸化膜層、３用
不純物拡散層、４川工ピタキシヤル層、５用多結晶シリ
コン層、６・・・連Ｈ発ｆＨアルゴンイオンレーザ第１
頁の続き ＠発明者　茂庭　昌弘　国分寺市競 央研究所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板の露出された表面と上記半導体基板上に被着
    された絶縁膜を連続して覆う多結晶もしくは非晶質シリ
    コン膜をレーザ光、電子線等のビームエネルギーの照射
    、或いは森状ヒータ等による局所加熱融解によって単結
    晶化させる方法において、半導体基板の露出された表面
    の少なくとも一部にはＩ　Ｘ　１０”　ａｎ−”以上の
    不純物ドープ層をそなえ、該不純物ドープ層と上記多結
    晶もしくは非晶質シリコン層の間には不純物濃度がＩ　
    Ｘ　１０”ｃｎＩ−３未満のエピタキシャル層を介在し
    、単結晶化の際、上記不純物ドープ層を含む領域が融解
    されない事を特徴とする半導体装置の製造方法。
JP58146388A 1983-08-12 1983-08-12 半導体装置の製造方法 Pending JPS6038809A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05235321A (ja) * 1991-12-05 1993-09-10 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 接続構造形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05235321A (ja) * 1991-12-05 1993-09-10 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 接続構造形成方法

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