JPS58116722A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS58116722A
JPS58116722A JP56213407A JP21340781A JPS58116722A JP S58116722 A JPS58116722 A JP S58116722A JP 56213407 A JP56213407 A JP 56213407A JP 21340781 A JP21340781 A JP 21340781A JP S58116722 A JPS58116722 A JP S58116722A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
single crystal
material film
forming
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56213407A
Other languages
English (en)
Inventor
Hajime Kamioka
上岡　元
Motoo Nakano
元雄 中野
Junji Sakurai
桜井　潤治
Seiichiro Kawamura
河村　誠一郎
Haruhisa Mori
森　治久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP56213407A priority Critical patent/JPS58116722A/ja
Publication of JPS58116722A publication Critical patent/JPS58116722A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02683—Continuous wave laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02488—Insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02598—Microstructure monocrystalline
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02689—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using particle beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02691—Scanning of a beam

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発Ｉｊ１１０技倫分野 本発明は半導体装置のｊＩｌｉ造方法に関するものであ
！り、４１に単結晶半導体基板表面で且つ絶縁層間に大
面積の良質な半結晶半導体層を構成し得る半導体装置の
製造方法に関するものである。
（２）技術の背景 半導体装置特に半導体集積回路装置を形成する１１複数
の半導体素子を共通の基板上に比較的広い間積の単結晶
半導体層を必賛とする。
（３）　　従来技術と問題点 単結晶基板上く形成され九絶縁性基板間に単結晶半導体
領域を形成するための方法として例えばシリコン基板上
に熱酸化法によって形成され九二酸化シリコン層を介し
て多結晶シリコン層をＣＶＤ法（化学気相成長法）等に
より被着形成し、該多結晶シリコン層をレーザ照射を行
なう方法がある。
しかしながら上記単結晶化の方法で紘比較的結晶粒の大
きい単結晶が得られるがその結果方位が配列しやすい任
意の結晶方位で単結晶化する傾向が６９、所属の結晶方
位を有する単結晶を制御性よく得ることが困難であると
いう欠点がＴｏ−ｚ友。
（４）発明の目的 本発明は上記従来の欠点を鑑み半導体基板上に単結晶半
導体領域を形成する改良畜れ九工楊を含む半導体装置の
製造方法を提供することを目的と２１する。
（５）発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば半導体基板上に絶縁性
基板を被着形成し、次に前記絶縁性基板を選択的に除去
して複数の凹部を形成し、次に非単結晶材料膜を前記複
数の凹部を填めるのに必要とされる量に見合う厚さに制
御して前記絶縁性基板上及び骸複数の凹部に被着形成し
、次に前記非単結晶材料膜を加熱エネルギ１１ｍ照射に
ょル単結晶化しつつ前記凹部内に堆積して複数の単結晶
半導体領域を形成する工程が含まれてなることを％黴と
する半導体装置の製造方法によって達成される。
（６）発明の実施例 以下本発明実施例を図面に基づいて詳述する。
纂１図に示すように本発明の製造ｌ−は例えばシリコン
基板１上に厚さｔｌが例えばｌ〔μｍ〕の二酸化シリ＝
ｒ　ｙｌｌ［（８１０２Ｍ　）　２　’ｋ　ｃｖＤ法ニ
よ〉被着形成する１次に半導体−予形成領域に相幽する
場所を該シリコン基板ｌ上に形成するために該二酸化シ
リコン膜２をフォトエツチングによって選択的に除去す
る。この工、ラングはリアクティブ・イオン・エツチン
グが好ましい、この工。
ランプによって形成された凹部Ａの大きさは例えば３０
Ｘ２０（μｍ〕である。
次に＃Ｉ２図に示すようにＣＶＤ法によりて全面に厚さ
１．が例えば０．１〜０．５〔μｍ〕である多結晶シリ
コン（非晶質で４可）膜４を成長させる。次に凹部ム′
を堀めるに見合う量の厚みｔｌ及び長さｔｓを制御する
。Ｌｓの長さはＩｌターニングによって破線部を工、ラ
ング除去することによりて得られる。なおパターニング
なしで厚さだけの制御でもよい。
次に第３図に示すように、ＣＶＤ法によりて厚さ例えば
１〔μ！、）１４度の燐造ｌｌガラス（Ｐ２Ｏ）からな
るキャップ層４を形成する。このキヤ、ｆ層４は次工程
のエネルギ線照射によって発生する熱を保温する丸め、
及び（レーデ）の反射防止の丸めでＴｏシ、本発明を達
成する上で必須のものでなく、まえＰ２Ｏに限るもので
なく二酸化シリコン（８１０□）、窒化シリコン（８１
３Ｎ４　）等を使用してもよい。
次ＫｌｉえばＣＷアルゴン・レーデをエネルギ１７（Ｗ
）、走査速度１Ｇ（ｃｍ／秒〕、スＩ、ト・サイズ５０
〔μｍ〕φの条件によってアニールを行なう。
この場合全体を５００°（Ｃ）　ｓ度の温度に加熱して
おくものとする。前述のＣＷアルゴン・レーデ光は多結
晶シリコン膜３に非常に良く吸収されるので、よく溶融
し前述の非晶質又は多結晶シリコン３を二酸化シリコン
膜２の凹部ム対応領域、即ち咳凹部ムで単結晶シリコン
基＊ｉと直接接触している該多結晶シリコン１１３部分
を起点としてその部分より基板結晶の原子配列の規則性
をそのまま継承して単結晶化される。しかも溶融し九多
結晶シリコンは全て凹部に引込まれ凹部ム′のみを埋め
るように即ち二酸化シリコン膜２とはぼ平担になるよう
に結晶性が制御された良質の単結晶シリコン層６が形成
されゐ（第４図）。第４図において５は空洞を示す。
次に第５ｗＡに示すようＫ　ＰＳＧＳ着層用いて除去す
る。
なお本與施例では加熱エネルギ線としてＣＷアルｆン・
レーデ光を用い九が電子ビーム、その他キセノン・ラン
プやハロダン。ランプの光を集光して使用するととも可
能である。
（７）発明の効果 以上の説明から明らかなように本発明の半導体装置の製
造方法によれば、単結晶半導体基板上に被着形成された
絶縁性基板に複数の凹部を形成し次に非単結晶材料膜を
該複数の凹部を堀めるのに必要な量に制御して被着形成
し腋非単結晶材料膜を加熱エネルギ線照射によって単結
晶化し、該単結晶半導体基板の結晶性を継承してなる結
晶性が制御された良質の単結晶半導体領域を得ることが
出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第５図は本発明の実施例を工程順に説明する
概略断面図である。 １・・・単結晶半導体基板、２・・・二酸化シリコン膜
、３・・・多結晶シリコン族、４・・・キヤ、ｆ層、５
・・・空洞、６・・・単結晶シリコン層。 ＄１１１ Δ 第３ｒＲ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上に絶縁性基板を被着形成し、次に前記絶縁
    性基板を選択的に除去して複数の凹部を影成し、次に非
    単結晶材料膜を前記複数の凹部を瀧めるのに必要とされ
    る量に制御して前記絶縁性基板上及び腋複数の凹部に被
    着形成し、次に前記非単結晶材料膜を加熱エネルギ線照
    射によ〕単結晶化しつつ前記凹部内に堆積して複数の単
    結晶半導体領域を形成する工程が含壕れてなることを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
JP56213407A 1981-12-29 1981-12-29 半導体装置の製造方法 Pending JPS58116722A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56213407A JPS58116722A (ja) 1981-12-29 1981-12-29 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56213407A JPS58116722A (ja) 1981-12-29 1981-12-29 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58116722A true JPS58116722A (ja) 1983-07-12

Family

ID=16638708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56213407A Pending JPS58116722A (ja) 1981-12-29 1981-12-29 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58116722A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60117613A (ja) * 1983-11-30 1985-06-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2015041707A (ja) * 2013-08-22 2015-03-02 東京エレクトロン株式会社 凹部を充填する方法及び処理装置
JP2016092051A (ja) * 2014-10-30 2016-05-23 東京エレクトロン株式会社 凹部を充填する方法及び処理装置
JP2016092029A (ja) * 2014-10-29 2016-05-23 東京エレクトロン株式会社 凹部を充填する方法及び処理装置
JP2016150879A (ja) * 2015-02-18 2016-08-22 東京エレクトロン株式会社 凹部を充填する方法及び処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5658269A (en) * 1979-10-17 1981-05-21 Seiko Epson Corp Mos type semiconductor device
JPS56126915A (en) * 1980-03-11 1981-10-05 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5658269A (en) * 1979-10-17 1981-05-21 Seiko Epson Corp Mos type semiconductor device
JPS56126915A (en) * 1980-03-11 1981-10-05 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60117613A (ja) * 1983-11-30 1985-06-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2015041707A (ja) * 2013-08-22 2015-03-02 東京エレクトロン株式会社 凹部を充填する方法及び処理装置
JP2016092029A (ja) * 2014-10-29 2016-05-23 東京エレクトロン株式会社 凹部を充填する方法及び処理装置
JP2016092051A (ja) * 2014-10-30 2016-05-23 東京エレクトロン株式会社 凹部を充填する方法及び処理装置
JP2016150879A (ja) * 2015-02-18 2016-08-22 東京エレクトロン株式会社 凹部を充填する方法及び処理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4543133A (en) Process for producing single crystalline semiconductor island on insulator
US4773964A (en) Process for the production of an oriented monocrystalline silicon film with localized defects on an insulating support
JPS58116722A (ja) 半導体装置の製造方法
US4678538A (en) Process for the production of an insulating support on an oriented monocrystalline silicon film with localized defects
JPS58139423A (ja) ラテラルエピタキシヤル成長法
JPS6119116A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS59148322A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61251115A (ja) 絶縁膜上の半導体単結晶成長方法
JPH11251241A (ja) 結晶質珪素層の製造方法、太陽電池の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法
JPS5856457A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6265410A (ja) 単結晶薄膜形成方法
JPS5910573B2 (ja) 自己整合型結晶の製造方法
JPS59154016A (ja) 薄膜結晶形成法
JPS6265411A (ja) 単結晶薄膜形成方法
JPS63315587A (ja) 単結晶薄膜形成方法
Givargizov et al. Defect engineering in SOI films prepared by zone-melting recrystallization
JPH03284831A (ja) 半導体薄膜の形成方法
JPS6038809A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6317220B2 (ja)
JPS58112333A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5885519A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5919311A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5919312A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS60261127A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0410214B2 (ja)