JPH01199435A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01199435A JPH01199435A JP21393087A JP21393087A JPH01199435A JP H01199435 A JPH01199435 A JP H01199435A JP 21393087 A JP21393087 A JP 21393087A JP 21393087 A JP21393087 A JP 21393087A JP H01199435 A JPH01199435 A JP H01199435A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。特に高速Ｌ
ＳＩの基板または層間絶縁膜、ゲート膜の作成において
有効である。
ＳＩの基板または層間絶縁膜、ゲート膜の作成において
有効である。
本発明は、半導体基板またはガラス、石英基板上には、
ＣａＦ＊ 、ＳｒＦ＊ 、またはＢ ａ Ｆ ＊、ある
いはそれらの混合物のゾル溶液を塗布後、溶媒を、揮発
させることにより該Ｃａ Ｆ ＊ 、Ｓ ｒ Ｆ３、ま
たはＢａＦ＊ＷＸを該基板上に成長させることを特徴と
する半導体ＨＦａの製造方法である。
ＣａＦ＊ 、ＳｒＦ＊ 、またはＢ ａ Ｆ ＊、ある
いはそれらの混合物のゾル溶液を塗布後、溶媒を、揮発
させることにより該Ｃａ Ｆ ＊ 、Ｓ ｒ Ｆ３、ま
たはＢａＦ＊ＷＸを該基板上に成長させることを特徴と
する半導体ＨＦａの製造方法である。
従来、Ｃａ Ｆ ＊ 、Ｓ ｒ Ｆ ＊ 、またはＢａ
Ｆ＊の薄膜を半４体基板に蓄積する時、ＭＩ３Ｅまたは
クラスターイオンビーム法により行なわれていた。
Ｆ＊の薄膜を半４体基板に蓄積する時、ＭＩ３Ｅまたは
クラスターイオンビーム法により行なわれていた。
しかしながら、ｒａＭ積スビスピードり、処理能力（ス
ループット）不足でかつＨＳＩＥが高価であるという欠
点を持っていた。本発明はかかる従来の欠点を補い、安
価でかつ高い処理能力で、良質なＣａＦｍ 、ＳｒＦ＊
、またはＢ ａ Ｆ ＊膜を基板上に形成する半導体
装置の製造方法を与えることを目的とする。
ループット）不足でかつＨＳＩＥが高価であるという欠
点を持っていた。本発明はかかる従来の欠点を補い、安
価でかつ高い処理能力で、良質なＣａＦｍ 、ＳｒＦ＊
、またはＢ ａ Ｆ ＊膜を基板上に形成する半導体
装置の製造方法を与えることを目的とする。
本発明では［１溶媒中にＣａ Ｆ ＊ 、Ｓ ｒ Ｆ
ｔ、Ｉ３ ａＦ＊あるいはその混合物を溶解したゾル溶
液を、直接シリコンや５ｉｎｓの基板に塗布することに
より、ｔｉｃａＦｔ ％ ＳｒＦ＊ 、ＢａＦ＊ ｆＫ
を形成するため、装置はスピンナーだけで良＜非常に安
価で、かつ、高い処理能力を持つ。
ｔ、Ｉ３ ａＦ＊あるいはその混合物を溶解したゾル溶
液を、直接シリコンや５ｉｎｓの基板に塗布することに
より、ｔｉｃａＦｔ ％ ＳｒＦ＊ 、ＢａＦ＊ ｆＫ
を形成するため、装置はスピンナーだけで良＜非常に安
価で、かつ、高い処理能力を持つ。
以下実施例を用いて説明する。
ｔｎ１図〜第４図は、本発明による単結晶シリコン基板
上への単結晶ＣａＦｚ ５ｒＦｚ ＢａＦ、Ｈの成長の
製造工程断面図である。第１図では単結晶シリコン基板
１をスピンナーで回転しながらノズル３を通してＣａＦ
ｍのゾル溶液２を塗布している。次に第２図においては
焼成法により溶媒が揮発し、該基板１には多結晶Ｃａ
Ｆ ； Ｂ ４が形成される。第３図においては、レー
ザーまたはハロゲン等のランプ５を左から右にスキャン
することにより該ランプ下のＣａ Ｆ ＊領域６及び該
基板表面を溶融、液成長によりＣａＦｍを単結晶化フし
ている。第４図は単結晶シリコン基板上に単結晶Ｃａ
Ｆ ＊ ７が形成された断面図を示す。ＣａＦ、とＳｊ
とは格子定数がほとんど等しいため良質な単結晶Ｃａ
Ｆ ＊膜７が形成される。
上への単結晶ＣａＦｚ ５ｒＦｚ ＢａＦ、Ｈの成長の
製造工程断面図である。第１図では単結晶シリコン基板
１をスピンナーで回転しながらノズル３を通してＣａＦ
ｍのゾル溶液２を塗布している。次に第２図においては
焼成法により溶媒が揮発し、該基板１には多結晶Ｃａ
Ｆ ； Ｂ ４が形成される。第３図においては、レー
ザーまたはハロゲン等のランプ５を左から右にスキャン
することにより該ランプ下のＣａ Ｆ ＊領域６及び該
基板表面を溶融、液成長によりＣａＦｍを単結晶化フし
ている。第４図は単結晶シリコン基板上に単結晶Ｃａ
Ｆ ＊ ７が形成された断面図を示す。ＣａＦ、とＳｊ
とは格子定数がほとんど等しいため良質な単結晶Ｃａ
Ｆ ＊膜７が形成される。
以上説明したように本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、安価な装置でかつ高いスループットで、良質なＣ
ａＦｍ 、ＳｒＦ＊またはＩＳ ａ Ｆ ｍ膜を半ＪΩ
体またはガラス基板上に形成することが可能になる。も
ちろんＬＳＩのゲート膜、層間絶縁膜の形成も可能であ
る。
れば、安価な装置でかつ高いスループットで、良質なＣ
ａＦｍ 、ＳｒＦ＊またはＩＳ ａ Ｆ ｍ膜を半ＪΩ
体またはガラス基板上に形成することが可能になる。も
ちろんＬＳＩのゲート膜、層間絶縁膜の形成も可能であ
る。
第１図〜第４図は本発明の実施例によるＣａＦ、 ｌｉ
ｔ結品痕のシリコン基板への成長方法の製造工程断面図
。 １・・・シリコン基板 ２・・・Ｃａ Ｆ ＊のゾル溶液 ３・・・ノズル ４・・・Ｃａ Ｆ ＊多結晶膜 ５・・・ランプ ６ ・・・ ；夜 体 ＣａＦｍ ７・・・単結晶Ｃａ Ｆ ＊ 以 上 出［１人 セイコーエブソ／株式会社ｖ １１］ 箪 ３１ｉ ’ｄ ４い
ｔ結品痕のシリコン基板への成長方法の製造工程断面図
。 １・・・シリコン基板 ２・・・Ｃａ Ｆ ＊のゾル溶液 ３・・・ノズル ４・・・Ｃａ Ｆ ＊多結晶膜 ５・・・ランプ ６ ・・・ ；夜 体 ＣａＦｍ ７・・・単結晶Ｃａ Ｆ ＊ 以 上 出［１人 セイコーエブソ／株式会社ｖ １１］ 箪 ３１ｉ ’ｄ ４い
Claims (5)
- （１）単結晶シリコン基板上またはＳｉＯ＿２からなる
基板上には、ＣａＦ＿２、ＳｒＦ＿２、またはＢａＦ＿
２のゾル溶液を塗布後、溶媒を揮発させ熱処理すること
により該ＣａＦ＿２、ＳｒＦ＿２、またはＢａＦ＿２膜
を該基板上に成長させることを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - （２）溶媒がアルコールからなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 - （３）ゾル溶液の塗布をスピンナーを用いて行なうこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の
製造方法。 - （４）溶媒を揮発させた後、該ＣａＦ＿２、ＳｒＦ＿２
、またはＢａＦ＿２膜と、下地の該単結晶シリコン基板
表面またはＳｉＯ＿２基板表面とを、エレクトロンビー
ム、イオンビーム、ランプ、グラファイトヒータを用い
て溶融、冷却することにより単結晶化することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法
。 - （５）ゾル溶液にはシリコン酸素系骨格をもつ高分子を
も溶解させたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21393087A JPH01199435A (ja) | 1987-08-27 | 1987-08-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21393087A JPH01199435A (ja) | 1987-08-27 | 1987-08-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01199435A true JPH01199435A (ja) | 1989-08-10 |
Family
ID=16647395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21393087A Pending JPH01199435A (ja) | 1987-08-27 | 1987-08-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01199435A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011241818A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-12-01 | Nippon Soken Inc | 内燃機関用燃料噴射弁 |
-
1987
- 1987-08-27 JP JP21393087A patent/JPH01199435A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011241818A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-12-01 | Nippon Soken Inc | 内燃機関用燃料噴射弁 |
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