JPS63261761A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPS63261761A JPS63261761A JP62096463A JP9646387A JPS63261761A JP S63261761 A JPS63261761 A JP S63261761A JP 62096463 A JP62096463 A JP 62096463A JP 9646387 A JP9646387 A JP 9646387A JP S63261761 A JPS63261761 A JP S63261761A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明は、特にフレキシブルな太陽電池の製造方法に関
する。
する。
（財）従来の技術
従来、この種太陽電池の製造方法として、ガラス等の支
持基体の表面に金属膜を真空蒸着したものを準備し、斯
る金属膜の上にアモルファスシリコンからなる薄膜太陽
電池を形成した後、上記支持基体と金属膜とを剥離する
手法が提案されている（例えば特開昭６１−８５８７２
号公報）。
持基体の表面に金属膜を真空蒸着したものを準備し、斯
る金属膜の上にアモルファスシリコンからなる薄膜太陽
電池を形成した後、上記支持基体と金属膜とを剥離する
手法が提案されている（例えば特開昭６１−８５８７２
号公報）。
Ｈ発明が解決しようとする問題点
本発明は、支持基体と薄膜太陽電池との相互分離を、よ
り容易に行い得る方法を提供しようとするものである。
り容易に行い得る方法を提供しようとするものである。
に）問題点を解決するための手段
本発明方法の特徴は、支持基体上に粘着膜を介して薄膜
太陽電池を形成した後、上記粘着膜を境として上記支持
基体と薄膜太陽電池との分離を行うことにある。
太陽電池を形成した後、上記粘着膜を境として上記支持
基体と薄膜太陽電池との分離を行うことにある。
（ホ）作用
支持基体と薄膜太陽電池とは粘着膜により接着されてい
るから、それらの分離は容易に行われる。
るから、それらの分離は容易に行われる。
（へ）実施例
第１図に示す工程において、支持基体（１）上に、この
基体よりも小面積の粘゛ａ膜（２）を形成し、次いで、
粘着膜（２）上に、これと同面積の薄膜基板〔３）を貼
り付けた後、薄膜基板（３）を含んで支持基体（１）の
全面を封止絶縁膜（４）で覆う。支持基体（１）として
は、ガラスやステンレス等を使用し得る。粘着膜（２）
には、シリコン系の耐熱性粘着材が、又、薄膜基板（３
）には、数１００μｍのフレキシブルな極薄ステンレス
フィルムやポリイミド系耐熱性高分子膜が夫々適当であ
る。封止絶縁膜（４）はセラミック系の５ｉ０２やＴｉ
Ｏ２を１μｍ程度の厚みに真空蒸着して形成される。
基体よりも小面積の粘゛ａ膜（２）を形成し、次いで、
粘着膜（２）上に、これと同面積の薄膜基板〔３）を貼
り付けた後、薄膜基板（３）を含んで支持基体（１）の
全面を封止絶縁膜（４）で覆う。支持基体（１）として
は、ガラスやステンレス等を使用し得る。粘着膜（２）
には、シリコン系の耐熱性粘着材が、又、薄膜基板（３
）には、数１００μｍのフレキシブルな極薄ステンレス
フィルムやポリイミド系耐熱性高分子膜が夫々適当であ
る。封止絶縁膜（４）はセラミック系の５ｉ０２やＴｉ
Ｏ２を１μｍ程度の厚みに真空蒸着して形成される。
第２図に示す工程では、封止絶縁膜（４）を介して薄膜
基板（３）の直上に、金属導電膜（５）、アモルファス
半導体製光活性膜（６）及び透明導電膜（７）め積層体
からなる、それ自体周知の薄膜太陽電池（８）を形成し
、更に、この電池表面全面を透明絶縁膜（９）で被覆保
護する。薄膜太陽電池（８）の形成時の反応熱により、
粘着膜＋２１からガスが発生しても、それは封止絶縁膜
（４）で封じられ、光活性層（６）へ影響が及ばない。
基板（３）の直上に、金属導電膜（５）、アモルファス
半導体製光活性膜（６）及び透明導電膜（７）め積層体
からなる、それ自体周知の薄膜太陽電池（８）を形成し
、更に、この電池表面全面を透明絶縁膜（９）で被覆保
護する。薄膜太陽電池（８）の形成時の反応熱により、
粘着膜＋２１からガスが発生しても、それは封止絶縁膜
（４）で封じられ、光活性層（６）へ影響が及ばない。
透明絶縁膜（９）はアクリル系透明ラフカーをスプレー
して形成される。
して形成される。
第３図に示す工程では、薄膜太陽電池（８）の垂直造影
部分を、打ち抜き又は切断することにより、準完成体α
■が得られる。
部分を、打ち抜き又は切断することにより、準完成体α
■が得られる。
第４図に示す最終工程では、準完成体において、その粘
着膜（２）より上の部分を剥離し、薄膜基板（３）、封
止絶縁膜（４）、薄膜太陽電池（８）及び透明保護層（
９）からなるフレキシブルな薄膜太陽電池完成体α１）
を得る。このときの剥離作業は、粘着膜（２）に対する
剥離であるため容易に行われる。
着膜（２）より上の部分を剥離し、薄膜基板（３）、封
止絶縁膜（４）、薄膜太陽電池（８）及び透明保護層（
９）からなるフレキシブルな薄膜太陽電池完成体α１）
を得る。このときの剥離作業は、粘着膜（２）に対する
剥離であるため容易に行われる。
第１図に示す工程の変更例として、支持基体（１）上に
予め粘、ａ膜（２）をつけるのではなく、粘着膜のつい
た、ポリイミド系耐熱性有機高分子からなる接着テープ
を薄膜基板（３）とし、これを支持基体（１）に貼り付
けても良く、この場合、第４図に示す工程では、支持基
体（１）が粘着膜付きの薄膜基板（３）より剥離される
。得られる完成体には、粘ａ膜が残り、それを利用して
、所定壁等に完成体を貼り付けることができる。
予め粘、ａ膜（２）をつけるのではなく、粘着膜のつい
た、ポリイミド系耐熱性有機高分子からなる接着テープ
を薄膜基板（３）とし、これを支持基体（１）に貼り付
けても良く、この場合、第４図に示す工程では、支持基
体（１）が粘着膜付きの薄膜基板（３）より剥離される
。得られる完成体には、粘ａ膜が残り、それを利用して
、所定壁等に完成体を貼り付けることができる。
（ト）発明の効果
本発明によれば、支持基体と薄膜太陽電池との相互分離
が容易に行え、フレキシブル太陽電池の生産性が同上す
る。
が容易に行え、フレキシブル太陽電池の生産性が同上す
る。
第１図乃至第４図は本発明実施例方法の工程図を示し、
第１図乃至第３図は衛面図、第４図は斜視図である。 （１）・・・支持基体、（２）・・・粘着膜、（８）・
・・薄膜太陽電池。
第１図乃至第３図は衛面図、第４図は斜視図である。 （１）・・・支持基体、（２）・・・粘着膜、（８）・
・・薄膜太陽電池。
Claims (1)
- （１）支持基板上に粘着膜を介して薄膜太陽電池を形成
した後、上記粘着膜を境として上記支持基体と薄膜太陽
電池との分離を行うことを特徴とする太陽電池の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62096463A JP2664373B2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62096463A JP2664373B2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63261761A true JPS63261761A (ja) | 1988-10-28 |
| JP2664373B2 JP2664373B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=14165722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62096463A Expired - Fee Related JP2664373B2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2664373B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5232860A (en) * | 1991-03-28 | 1993-08-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of flexible photovoltaic device manufacture |
| US6184056B1 (en) | 1998-05-19 | 2001-02-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Process for producing solar cells and solar cells produced thereby |
| US8137417B2 (en) | 2006-09-29 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device |
| CN103465385A (zh) * | 2013-09-18 | 2013-12-25 | 北京汉能创昱科技有限公司 | 一种柔性薄膜太阳能电池及其分片、连接与制备方法 |
-
1987
- 1987-04-20 JP JP62096463A patent/JP2664373B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5232860A (en) * | 1991-03-28 | 1993-08-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of flexible photovoltaic device manufacture |
| US6184056B1 (en) | 1998-05-19 | 2001-02-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Process for producing solar cells and solar cells produced thereby |
| US8137417B2 (en) | 2006-09-29 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device |
| US8889438B2 (en) | 2006-09-29 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device |
| US9087931B2 (en) | 2006-09-29 | 2015-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device |
| US9397126B2 (en) | 2006-09-29 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device |
| US9570329B2 (en) | 2006-09-29 | 2017-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device |
| US10134784B2 (en) | 2006-09-29 | 2018-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device |
| CN103465385A (zh) * | 2013-09-18 | 2013-12-25 | 北京汉能创昱科技有限公司 | 一种柔性薄膜太阳能电池及其分片、连接与制备方法 |
| CN103465385B (zh) * | 2013-09-18 | 2015-09-16 | 北京汉能创昱科技有限公司 | 一种柔性薄膜太阳能电池及其分片、连接与制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2664373B2 (ja) | 1997-10-15 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |