JPH0319247A - 半導体装置製造時の半田付け方法 - Google Patents
半導体装置製造時の半田付け方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置製造時の半田付け方法に関し，
さらに詳しくは、半導体装置製造時におけるベースプレ
ートへの半導体素子などの半田付け方法の改良に係るも
のである。
さらに詳しくは、半導体装置製造時におけるベースプレ
ートへの半導体素子などの半田付け方法の改良に係るも
のである。
従来例によるこの種の半導体装置製造時の半田付け方法
を第３図に示す。
を第３図に示す。
第３図従来例方法において、符号ｌは半導体装置用リー
ドフレームのタブ部であり、２はこのタブ部ｌに施され
たＰｂ−Ｓｎ系の半田を示し、３はこの半田２によって
タブ部ｌに半田付けされる半導体素子である。
ドフレームのタブ部であり、２はこのタブ部ｌに施され
たＰｂ−Ｓｎ系の半田を示し、３はこの半田２によって
タブ部ｌに半田付けされる半導体素子である。
この従来例方法の場合．リードフレームは、半田の融点
以上に加熱されたヒートブロック（図示省略）上に載置
されると共に、通常．このヒートブロックの周辺が、半
田の酸化を防止するために還元性ガス雰囲気下におかれ
る。
以上に加熱されたヒートブロック（図示省略）上に載置
されると共に、通常．このヒートブロックの周辺が、半
田の酸化を防止するために還元性ガス雰囲気下におかれ
る。
しかして、前記リードフレームのタブ部ｌ上に施される
半田２は、第３図（ａ）に示されているように、これが
溶融される際，内部にもともと残留されているガス．ま
たは周囲から取り込んだガスによって、半田内部には、
これらのガスを内包した泡状のボイド４が必然的に生じ
ており、半導体素子３は、同図（ｂ）に示されているよ
うに、このボイド４を含んだま＼の状態で半田付け接着
されている。
半田２は、第３図（ａ）に示されているように、これが
溶融される際，内部にもともと残留されているガス．ま
たは周囲から取り込んだガスによって、半田内部には、
これらのガスを内包した泡状のボイド４が必然的に生じ
ており、半導体素子３は、同図（ｂ）に示されているよ
うに、このボイド４を含んだま＼の状態で半田付け接着
されている。
従来のリードフレームのタブ部１に対する半田２を用い
た半導体素子３の接着は以上のようになされるために、
接着時点では、必然的に半田２内にボイド４が含まれて
いる状態になり、このように半田２内にボイド４が含ま
れていると、特に、例えば、この半導体素子３が大きな
電力を取り扱う電力用半導体素子などの場合にあっては
、内包されているボイド４によって、半導体素子３に電
力を印加したときに生ずる熱の拡散が阻害され、素子に
とって重要な熱特性が悪化すると云う問題点があった。
た半導体素子３の接着は以上のようになされるために、
接着時点では、必然的に半田２内にボイド４が含まれて
いる状態になり、このように半田２内にボイド４が含ま
れていると、特に、例えば、この半導体素子３が大きな
電力を取り扱う電力用半導体素子などの場合にあっては
、内包されているボイド４によって、半導体素子３に電
力を印加したときに生ずる熱の拡散が阻害され、素子に
とって重要な熱特性が悪化すると云う問題点があった。
この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なされたもので、その目的とするところは、半田付け接
着に際して、溶融半田内でのボイドの発生と、その内包
とを可及的に阻止し得るようにした．この種の半導体装
置製造時の半田付け方法を提供することである。
なされたもので、その目的とするところは、半田付け接
着に際して、溶融半田内でのボイドの発生と、その内包
とを可及的に阻止し得るようにした．この種の半導体装
置製造時の半田付け方法を提供することである。
前記目的を達成するために、この発明に係る半導体装置
製造時の半田付け方法は、半導体装置用のリードフレー
ムなどのベースプレートに、半導体素子などの被接着対
象物を半田付け接着する方法であって、前記ベースプレ
ート上に施されて加熱溶融された半田に対し、前記被接
着対象物を一旦，押し付けて接触させた上で引き剥して
離脱させ、この溶融半田に対する被接着対象物の押し付
け接触と引き剥し離脱との各操作を複数回に亙って繰り
返した後、あらためて接着させるようにしたものである
。
製造時の半田付け方法は、半導体装置用のリードフレー
ムなどのベースプレートに、半導体素子などの被接着対
象物を半田付け接着する方法であって、前記ベースプレ
ート上に施されて加熱溶融された半田に対し、前記被接
着対象物を一旦，押し付けて接触させた上で引き剥して
離脱させ、この溶融半田に対する被接着対象物の押し付
け接触と引き剥し離脱との各操作を複数回に亙って繰り
返した後、あらためて接着させるようにしたものである
。
すなわち．この発明方法においては、ベースプレート上
に半田を介して被接着対一象物を接着する際に、溶融半
田に対する被接着対象物の押し付け接触と引き剥し離脱
との操作を複数回繰り返すようにすることで、溶融半田
に内包されているボイドを破壊して除去できると共に、
引き剥し離脱時点でベースプレートと被接着対象物との
各接着面に二分される溶融半田は、表面張力によって中
央部が盛り上った状態になるために、最終接着時に周囲
のガスを取り込むような惧れがない。
に半田を介して被接着対一象物を接着する際に、溶融半
田に対する被接着対象物の押し付け接触と引き剥し離脱
との操作を複数回繰り返すようにすることで、溶融半田
に内包されているボイドを破壊して除去できると共に、
引き剥し離脱時点でベースプレートと被接着対象物との
各接着面に二分される溶融半田は、表面張力によって中
央部が盛り上った状態になるために、最終接着時に周囲
のガスを取り込むような惧れがない。
〔実 施 例）
以下、この発明に係る半導体装置製造時の半田付け方法
の一実施例につき、第１図および第２図を参照して詳細
に説明する。
の一実施例につき、第１図および第２図を参照して詳細
に説明する。
第１図（ａ）ないし（ｅ）はこの実施例による半田付け
方法を工程順に示すそれぞれに断面模式図である。
方法を工程順に示すそれぞれに断面模式図である。
この実施例方法においても、第１図（ａ） ． （ｂ）
に示されているように、半導体装置用リードフレームな
どのベースプレートの接着対象面であるタブ部Ｉｆ上に
は、所要量の半田ｌ２が施されると共に、半田の融点以
上に加熱されたビートブロック（図示省略〉上に載置さ
れ、かつ還元性ガス雰囲気下におかれており、溶融され
た半田ｌ２の内部にあっては、従来の場合と同様に、内
部にもともと残留されているガス，または周囲から取り
込んだガスが泡状のボイドｌ４として内包されている。
に示されているように、半導体装置用リードフレームな
どのベースプレートの接着対象面であるタブ部Ｉｆ上に
は、所要量の半田ｌ２が施されると共に、半田の融点以
上に加熱されたビートブロック（図示省略〉上に載置さ
れ、かつ還元性ガス雰囲気下におかれており、溶融され
た半田ｌ２の内部にあっては、従来の場合と同様に、内
部にもともと残留されているガス，または周囲から取り
込んだガスが泡状のボイドｌ４として内包されている。
そして、この状態で、まず、適宜．真空吸着などによっ
て保持された被接着対象物，こＳでは、半導体素子１３
を前記ベースプレートのタブ部１１上での溶融されてい
る半田ｌ２に対して、一旦．矢印ａの通りに押し付けて
接触させる。なお、この場合，タブ部１ｌおよび半導体
素子ｌ３の各接着面に対しては、公知のように予め半田
ｌ２となじみのよい金属，例えば、Ａｇ，Ｎｉなどが蒸
着法．メッキ法などで付着されている。
て保持された被接着対象物，こＳでは、半導体素子１３
を前記ベースプレートのタブ部１１上での溶融されてい
る半田ｌ２に対して、一旦．矢印ａの通りに押し付けて
接触させる。なお、この場合，タブ部１ｌおよび半導体
素子ｌ３の各接着面に対しては、公知のように予め半田
ｌ２となじみのよい金属，例えば、Ａｇ，Ｎｉなどが蒸
着法．メッキ法などで付着されている。
ついで、同図（Ｃ）に示されているように、前記タブ部
１１上の溶融半田ｌ２に一旦，押し付けて接触させた半
導体素子ｌ３を、矢印ｂの通りに引き剥して離脱させる
ことにより、これらのタブ部１１と半導体素子１３とに
は、溶融半田ｌ２がそれぞれに二分して付着されると共
に、このようにして溶融半田１２に加えられる二分作用
時での流動のために、その内部に含まれているボイドｌ
４が破壊されて減少し、かつ併せて、タブ部１１と半導
体素子ｌ３との各接着面に二分して付着された溶融半田
ｌ２は、自身の表面張力のためにそれぞれの接着面で凸
状態に盛り上っている。
１１上の溶融半田ｌ２に一旦，押し付けて接触させた半
導体素子ｌ３を、矢印ｂの通りに引き剥して離脱させる
ことにより、これらのタブ部１１と半導体素子１３とに
は、溶融半田ｌ２がそれぞれに二分して付着されると共
に、このようにして溶融半田１２に加えられる二分作用
時での流動のために、その内部に含まれているボイドｌ
４が破壊されて減少し、かつ併せて、タブ部１１と半導
体素子ｌ３との各接着面に二分して付着された溶融半田
ｌ２は、自身の表面張力のためにそれぞれの接着面で凸
状態に盛り上っている。
また次に、前記（ａ）ないし（Ｃ）工程でのタブ部１１
上の溶融半田ｌ２に対する半導体素子ｌ３の押し付け接
触と引き剥し離脱との各操作を、引き続き複数回に亙り
繰り返した後は、溶融半田ｌ２に内包されていたボイド
１４が完全，もしくは殆んど除去された状態になり、そ
の後、同図（ｄ）に示されているように、タブ部！■と
半導体素子ｌ３との各接着面で凸状態に盛り上った溶融
半田１２を最終的に接着させる時点では、この溶融半田
１２の盛り上げられた凸部相互が先に接触するために、
周囲の雰囲気ガスを各接着面の外側に向け押し出すよう
にして接着される，つまり，接着時に周囲の雰囲気ガス
を取り込むような惧れがなく、最終的には、同図（ｅ）
に示されているように、ボイド１４が内包されていない
，もしくは非常Ｃ少ない状態の半田ｌ２による接着がな
されるのである。
上の溶融半田ｌ２に対する半導体素子ｌ３の押し付け接
触と引き剥し離脱との各操作を、引き続き複数回に亙り
繰り返した後は、溶融半田ｌ２に内包されていたボイド
１４が完全，もしくは殆んど除去された状態になり、そ
の後、同図（ｄ）に示されているように、タブ部！■と
半導体素子ｌ３との各接着面で凸状態に盛り上った溶融
半田１２を最終的に接着させる時点では、この溶融半田
１２の盛り上げられた凸部相互が先に接触するために、
周囲の雰囲気ガスを各接着面の外側に向け押し出すよう
にして接着される，つまり，接着時に周囲の雰囲気ガス
を取り込むような惧れがなく、最終的には、同図（ｅ）
に示されているように、ボイド１４が内包されていない
，もしくは非常Ｃ少ない状態の半田ｌ２による接着がな
されるのである。
従って、この実施例方法によってリードフレームのタブ
部１ｌに半田付け接着された半導体素子ｌ３は、その接
着状態が極めて良好で，作動時における熱放散が効果的
になされることになり、この結果，熱特性に優れた半導
体装置を製造し得るのである。
部１ｌに半田付け接着された半導体素子ｌ３は、その接
着状態が極めて良好で，作動時における熱放散が効果的
になされることになり、この結果，熱特性に優れた半導
体装置を製造し得るのである。
なお、前記第１図実施例においては、リードフレームの
タブ部１ｌに半導体素子ｌ３を半田付け接着させる場合
について述べたが、同様な手段によって、例えば、第２
図に示すように、それぞれに比較的大きな面積を有する
ベースプレートとしての放熱板ｌ５と、被接着対象物と
しての絶縁基板１６との半田ｌ２を用いた接着に対して
も適用して、同様な作用，効果を得られることは勿論で
ある。
タブ部１ｌに半導体素子ｌ３を半田付け接着させる場合
について述べたが、同様な手段によって、例えば、第２
図に示すように、それぞれに比較的大きな面積を有する
ベースプレートとしての放熱板ｌ５と、被接着対象物と
しての絶縁基板１６との半田ｌ２を用いた接着に対して
も適用して、同様な作用，効果を得られることは勿論で
ある。
以上詳述したように、この発明方法によれば、半導体装
置用のリードフレームなどのベースプレートに、半導体
素子などの被接着対象物を半田付け接着する方法におい
て、ベースプレート上に施されて加熱溶融される半田に
対して、被接着対象物を一旦．押し付けて接触させた上
で引き剥して離脱させ、この溶融半田に対する被接着対
象物の押し付け接触と引き剥し離脱との各操作を複数回
に亙って繰り返した後、あらためて接着させるようにし
たから、この操作により溶融半田に内包されているボイ
ドが破壊されて効果的に除去されると共に、引き剥し離
脱操作の時点でベースプレートと被接着対象物との各接
着面に二分される溶融半田が、自身の表面張力により中
央部で盛り上った凸状態になるために、最終接着操作時
に周囲のガスを取り込むような慣れがな〈、このために
良好な接着を行なうことができて円滑な放熱作用などが
可能になるもので、しかも、接着操作自体についても特
に問題はなく、簡単かつ容易に実施し得るなどの優れた
特長を有するものである。
置用のリードフレームなどのベースプレートに、半導体
素子などの被接着対象物を半田付け接着する方法におい
て、ベースプレート上に施されて加熱溶融される半田に
対して、被接着対象物を一旦．押し付けて接触させた上
で引き剥して離脱させ、この溶融半田に対する被接着対
象物の押し付け接触と引き剥し離脱との各操作を複数回
に亙って繰り返した後、あらためて接着させるようにし
たから、この操作により溶融半田に内包されているボイ
ドが破壊されて効果的に除去されると共に、引き剥し離
脱操作の時点でベースプレートと被接着対象物との各接
着面に二分される溶融半田が、自身の表面張力により中
央部で盛り上った凸状態になるために、最終接着操作時
に周囲のガスを取り込むような慣れがな〈、このために
良好な接着を行なうことができて円滑な放熱作用などが
可能になるもので、しかも、接着操作自体についても特
に問題はなく、簡単かつ容易に実施し得るなどの優れた
特長を有するものである。
第１図（ａ）ないし（ｅ）はこの発明の一実施例による
半導体装置製造時の半田付け方法を工程順に示すそれぞ
れに断面模式図、第２図は同上別態様でのベースプレー
トに対する被接着対象物の接着状態を示す断面模式図で
あり、また、第３図（ａ），（ｂ）は従来例による同上
半導体装置製造時の半田付け方法を工程順に示すそれぞ
れに断面模式図である。 Ｈ・・・・ベースプレートのタブ部、Ｉ２・・・・半田
、ｌ３・・・・半導体素子（被接着対象物）、１４・・
・・ホイド。
半導体装置製造時の半田付け方法を工程順に示すそれぞ
れに断面模式図、第２図は同上別態様でのベースプレー
トに対する被接着対象物の接着状態を示す断面模式図で
あり、また、第３図（ａ），（ｂ）は従来例による同上
半導体装置製造時の半田付け方法を工程順に示すそれぞ
れに断面模式図である。 Ｈ・・・・ベースプレートのタブ部、Ｉ２・・・・半田
、ｌ３・・・・半導体素子（被接着対象物）、１４・・
・・ホイド。
Claims (1)
- 半導体装置用のリードフレームなどのベースプレートに
、半導体素子などの被接着対象物を半田付け接着する方
法であつて、前記ベースプレート上に施されて加熱溶融
された溶融半田に対し、前記被接着対象物を一旦、押し
付けて接触させた上で引き剥して離脱させ、この溶融半
田に対する被接着対象物の押し付け接触と引き剥し離脱
との各操作を複数回に亙つて繰り返した後、あらためて
接着させることを特徴とする半導体装置製造時の半田付
け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15490889A JPH0319247A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置製造時の半田付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15490889A JPH0319247A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置製造時の半田付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319247A true JPH0319247A (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15594591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15490889A Pending JPH0319247A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置製造時の半田付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0319247A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013108706A1 (ja) * | 2012-01-18 | 2013-07-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2016046310A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| WO2019171835A1 (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-12 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP15490889A patent/JPH0319247A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013108706A1 (ja) * | 2012-01-18 | 2013-07-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| CN104011843A (zh) * | 2012-01-18 | 2014-08-27 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
| JP5657145B2 (ja) * | 2012-01-18 | 2015-01-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US9142493B2 (en) | 2012-01-18 | 2015-09-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| CN104011843B (zh) * | 2012-01-18 | 2016-10-26 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
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| WO2019171835A1 (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-12 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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