JP3255715B2 - ターミナルテープの打ち抜き方法及びその打ち抜き金型 - Google Patents
ターミナルテープの打ち抜き方法及びその打ち抜き金型Info
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- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
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- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はターミナルテープの打ち
抜き方法及びその打ち抜き金型に関し、更に詳細にはス
テージ上に搭載された半導体チップの電極とリードフレ
ームのリード等の端子との間を中継する中継導体パター
ンが形成されたターミナルテープの打ち抜き方法及びそ
の打ち抜き金型に関する。
抜き方法及びその打ち抜き金型に関し、更に詳細にはス
テージ上に搭載された半導体チップの電極とリードフレ
ームのリード等の端子との間を中継する中継導体パター
ンが形成されたターミナルテープの打ち抜き方法及びそ
の打ち抜き金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置用として使用されるリードフ
レームには、搭載される半導体チップの端子と接続され
る多数本のリードが半導体チップを取り囲むように形成
されている。近年、半導体チップの高集積度化や半導体
装置の多ピン化等の要請に伴い、リードフレームのリー
ド密度も飛躍的に高くなりつつある。このため、半導体
チップの端子とワイヤボンディング等がなされるリード
先端部の密度は、リードの加工限界を越える場合があ
る。この様な場合には、リード先端部が加工可能な密度
となるように、リード先端部を後退させる（半導体チッ
プから遠ざける）ことが行われている。
レームには、搭載される半導体チップの端子と接続され
る多数本のリードが半導体チップを取り囲むように形成
されている。近年、半導体チップの高集積度化や半導体
装置の多ピン化等の要請に伴い、リードフレームのリー
ド密度も飛躍的に高くなりつつある。このため、半導体
チップの端子とワイヤボンディング等がなされるリード
先端部の密度は、リードの加工限界を越える場合があ
る。この様な場合には、リード先端部が加工可能な密度
となるように、リード先端部を後退させる（半導体チッ
プから遠ざける）ことが行われている。
【０００３】しかし、単にリード先端部を後退させる
と、リード先端部と半導体チップとの距離が長くなるた
め、両者をボンディングするワイヤが長くなり、隣接す
るワイヤ同士の接触等の発生が懸念される。このため、
図３に示す如く、半導体チップが搭載されるステージ１
０４の周縁部にリング状に成形されたターミナルテープ
１０６が貼着される。このターミナルテープ１０６は、
絶縁体上に中継導体パターンが形成されており、ターミ
ナルテープ１０６の開口部内のステージ１０４に搭載さ
れる半導体チップとリード１０２・・・の各先端部との
接続を中継するものである。
と、リード先端部と半導体チップとの距離が長くなるた
め、両者をボンディングするワイヤが長くなり、隣接す
るワイヤ同士の接触等の発生が懸念される。このため、
図３に示す如く、半導体チップが搭載されるステージ１
０４の周縁部にリング状に成形されたターミナルテープ
１０６が貼着される。このターミナルテープ１０６は、
絶縁体上に中継導体パターンが形成されており、ターミ
ナルテープ１０６の開口部内のステージ１０４に搭載さ
れる半導体チップとリード１０２・・・の各先端部との
接続を中継するものである。
【０００４】かかるターミナルテープ１０６によれば、
図４に示すように、ターミナルテープ１０６の絶縁体１
１６上に形成された中継導体パターン１１４の一端部と
リード先端部１０２、及び中継導体パターン１１４の他
端部と半導体チップ１０８との各々をワイヤ１１０、１
１２でボンディングすることによって、ボンディングワ
イヤが長くなることに因るワイヤ同士の接触等を防止で
きる。ところで、ターミナルテープ１０６は、図５に示
すように、ポリイミドフィルム等の絶縁フィルム２００
の一面に中継導体パターン１１４を形成する銅箔等の高
導電率の金属箔２０２が形成されていると共に、他面に
接着剤層２０４が形成された複合フィルムを用いて成形
される。
図４に示すように、ターミナルテープ１０６の絶縁体１
１６上に形成された中継導体パターン１１４の一端部と
リード先端部１０２、及び中継導体パターン１１４の他
端部と半導体チップ１０８との各々をワイヤ１１０、１
１２でボンディングすることによって、ボンディングワ
イヤが長くなることに因るワイヤ同士の接触等を防止で
きる。ところで、ターミナルテープ１０６は、図５に示
すように、ポリイミドフィルム等の絶縁フィルム２００
の一面に中継導体パターン１１４を形成する銅箔等の高
導電率の金属箔２０２が形成されていると共に、他面に
接着剤層２０４が形成された複合フィルムを用いて成形
される。
【０００５】かかる複合フィルムとしては、図５（ｂ）
に示すように、絶縁フィルム２００の各面に金属箔２０
２及び接着剤層２０４が直接形成された、いわゆる三層
タイプ、或いは金属箔２０２が接着剤層を介して貼着さ
れた、いわゆる四層タイプが使用される。更に、四層タ
イプにおいて、図５（ａ）に示すように、金属箔２０２
と接着剤層２０６との間に、ポリイミド等から成る薄膜
２０８を挟むものも使用されている。この様な複合フィ
ルムの片面に金属箔２０２がスパッタリング等により形
成された後、エッチング等が施されて所定形状の中継導
体パターン１１４が形成され、打ち抜き加工が施されて
ターミナルテープ１０６が形成される。かかる打ち抜き
加工に使用される金型を図６に示す。図６に示す金型３
００は、上型３０２と下型３０４によって複合フィルム
を把持し、ポンチ３０６によって複合フィルムの中央部
に開口部を開口するものである。
に示すように、絶縁フィルム２００の各面に金属箔２０
２及び接着剤層２０４が直接形成された、いわゆる三層
タイプ、或いは金属箔２０２が接着剤層を介して貼着さ
れた、いわゆる四層タイプが使用される。更に、四層タ
イプにおいて、図５（ａ）に示すように、金属箔２０２
と接着剤層２０６との間に、ポリイミド等から成る薄膜
２０８を挟むものも使用されている。この様な複合フィ
ルムの片面に金属箔２０２がスパッタリング等により形
成された後、エッチング等が施されて所定形状の中継導
体パターン１１４が形成され、打ち抜き加工が施されて
ターミナルテープ１０６が形成される。かかる打ち抜き
加工に使用される金型を図６に示す。図６に示す金型３
００は、上型３０２と下型３０４によって複合フィルム
を把持し、ポンチ３０６によって複合フィルムの中央部
に開口部を開口するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図６に示す金型３００
によれば、中継導体パターン１１４部分を金型の上型で
押圧することなく複合フィルムを打ち抜き開口部を形成
できるため、中継導体パターン１１４に何等の損傷を与
えることなくターミナルテープ１０６を得ることができ
る。しかしながら、開口部の周縁部を把持することなく
打ち抜くため、図７に示す如く、打ち抜き加工後に絶縁
フィルム１１６よりも柔らかい接着剤層２０６からバリ
２１０が発生することがある。かかるバリ２１０は、タ
ーミナルテープ１０６をリードフレームのステージ周縁
部に貼着した際に、半導体チップが搭載されるステージ
１０４上に突出し、搭載される半導体チップを傾斜させ
る。傾斜した半導体チップと中継導体パターンとのボン
ディング距離は、予定していた距離と異なるため、ボン
ディング作業に不都合が発生する。また、バリ２１０が
後工程で分離し、ボンディングエリア内のリード端子等
に付着すると、ボンディング性を低下させることがあ
る。そこで、本発明の目的は、ターミナルテープを打ち
抜き加工によって成形する際に、バリが発生し難いター
ミナルテープの打ち抜き方法及びその打ち抜き金型を提
供することにある。
によれば、中継導体パターン１１４部分を金型の上型で
押圧することなく複合フィルムを打ち抜き開口部を形成
できるため、中継導体パターン１１４に何等の損傷を与
えることなくターミナルテープ１０６を得ることができ
る。しかしながら、開口部の周縁部を把持することなく
打ち抜くため、図７に示す如く、打ち抜き加工後に絶縁
フィルム１１６よりも柔らかい接着剤層２０６からバリ
２１０が発生することがある。かかるバリ２１０は、タ
ーミナルテープ１０６をリードフレームのステージ周縁
部に貼着した際に、半導体チップが搭載されるステージ
１０４上に突出し、搭載される半導体チップを傾斜させ
る。傾斜した半導体チップと中継導体パターンとのボン
ディング距離は、予定していた距離と異なるため、ボン
ディング作業に不都合が発生する。また、バリ２１０が
後工程で分離し、ボンディングエリア内のリード端子等
に付着すると、ボンディング性を低下させることがあ
る。そこで、本発明の目的は、ターミナルテープを打ち
抜き加工によって成形する際に、バリが発生し難いター
ミナルテープの打ち抜き方法及びその打ち抜き金型を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記目的を
達成するためには、ターミナルテープの開口部を打ち抜
く際に、開口部を開口する複合フィルム部分の周縁部を
把持することが有効であると考え検討した結果、本発明
に到達した。すなわち、本発明は、ステージ上に搭載さ
れる半導体チップの電極とリードフレーム等のリード端
子との間を中継する中継導体パターンが形成されたター
ミナルテープを、絶縁フィルムの一面に前記中継導体パ
ターンが形成され且つ他面に接着剤層が形成された複合
フィルムの所定個所を金型で打ち抜いて形成する際に、
該中継導体パターンと打ち抜き部分との間に狭隘部が
形成された複合フィルムを金型の上型と下型との間に把
持したときに、前記中継導体パターンが上型に当接しな
いように、前記中継導体パターンを上型に形成した凹溝
内に収容し、前記狭隘部を上型の下面と下型の上面との
間に把持しつつ、前記打ち抜き部分を中継導体パターン
が形成された面側からポンチで打ち抜くことを特徴とす
るターミナルテープの打ち抜き方法にある。
達成するためには、ターミナルテープの開口部を打ち抜
く際に、開口部を開口する複合フィルム部分の周縁部を
把持することが有効であると考え検討した結果、本発明
に到達した。すなわち、本発明は、ステージ上に搭載さ
れる半導体チップの電極とリードフレーム等のリード端
子との間を中継する中継導体パターンが形成されたター
ミナルテープを、絶縁フィルムの一面に前記中継導体パ
ターンが形成され且つ他面に接着剤層が形成された複合
フィルムの所定個所を金型で打ち抜いて形成する際に、
該中継導体パターンと打ち抜き部分との間に狭隘部が
形成された複合フィルムを金型の上型と下型との間に把
持したときに、前記中継導体パターンが上型に当接しな
いように、前記中継導体パターンを上型に形成した凹溝
内に収容し、前記狭隘部を上型の下面と下型の上面との
間に把持しつつ、前記打ち抜き部分を中継導体パターン
が形成された面側からポンチで打ち抜くことを特徴とす
るターミナルテープの打ち抜き方法にある。
【０００８】また、本発明は、ステージ上に搭載される
半導体チップの電極とリードフレーム等のリード端子と
の間を中継する中継導体パターンが形成されたターミナ
ルテープを、絶縁フィルムの一面に前記中継導体パター
ンが形成され且つ他面に接着剤層が形成された複合フィ
ルムを、上型と下型とによって把持してポンチにより打
ち抜いて成形する打ち抜き金型において、該中継導体パ
ターンと打ち抜き部分との間に狭隘部が形成された複合
フィルムを上型と下型との間に把持したときに、前記中
継導体パターンが上型に当接しないように、前記中継導
体パターンを収容する凹溝が形成された上型と、前記狭
隘部を上型の下面と下型の上面との間に把持して、前記
打ち抜き部分を中継導体パターンが形成された面側から
打ち抜くポンチとを具備することを特徴とするターミナ
ルテープの打ち抜き金型でもある。
半導体チップの電極とリードフレーム等のリード端子と
の間を中継する中継導体パターンが形成されたターミナ
ルテープを、絶縁フィルムの一面に前記中継導体パター
ンが形成され且つ他面に接着剤層が形成された複合フィ
ルムを、上型と下型とによって把持してポンチにより打
ち抜いて成形する打ち抜き金型において、該中継導体パ
ターンと打ち抜き部分との間に狭隘部が形成された複合
フィルムを上型と下型との間に把持したときに、前記中
継導体パターンが上型に当接しないように、前記中継導
体パターンを収容する凹溝が形成された上型と、前記狭
隘部を上型の下面と下型の上面との間に把持して、前記
打ち抜き部分を中継導体パターンが形成された面側から
打ち抜くポンチとを具備することを特徴とするターミナ
ルテープの打ち抜き金型でもある。
【０００９】
【作用】従来の打ち抜き金型は、図６に示す如く、複合
フィルムに形成された中継導体パターン１１４に損傷を
生じさせないため、打ち抜く複合フィルム部分の周縁を
把持することなくポンチ３０６に因る打ち抜きを行って
いた。一方、打ち抜き加工に供される複合フィルムは、
エッチング加工等の種々の加工工程を通過したものであ
るため、複合フィルムには微小な凹凸が形成されてお
り、複合フィルムと金型の下型との間に空隙が形成され
ることがある。また、一般的に、絶縁フィルム１１６の
下面に形成された接着剤層２０６は、絶縁フィルム１１
６に比較して柔らかいために前記空隙が存在すると、接
着剤層２０６の一部がポンチ３０６と下型３０４の内壁
面との間に引きずり込まれ、バリ２１０となるのであ
る。この点、本発明においては、中継導体パターンと打
ち抜き部分との間に狭隘部が形成された複合フィルムを
金型の上型と下型との間に把持したときに、この中継導
体パターンが上型に当接しないように、中継導体パター
ンを上型に形成した凹溝内に収容することによって、狭
隘部も上型の下面と下型の上面との間に把持して、打ち
抜き部分を中継導体パターンが形成された面側からポン
チで打ち抜くことができる。その結果、複合フィルムに
多少の凹凸が存在していたとしても、強制的に複合フィ
ルムの打ち抜き部分と中継導体パターンとの間の狭隘部
が、金型の上型と下型との間に固定されるため、接着剤
層の一部がポンチと下型の内壁面との間に引きずり込ま
れることがなくバリの発生を防止できるのである。
フィルムに形成された中継導体パターン１１４に損傷を
生じさせないため、打ち抜く複合フィルム部分の周縁を
把持することなくポンチ３０６に因る打ち抜きを行って
いた。一方、打ち抜き加工に供される複合フィルムは、
エッチング加工等の種々の加工工程を通過したものであ
るため、複合フィルムには微小な凹凸が形成されてお
り、複合フィルムと金型の下型との間に空隙が形成され
ることがある。また、一般的に、絶縁フィルム１１６の
下面に形成された接着剤層２０６は、絶縁フィルム１１
６に比較して柔らかいために前記空隙が存在すると、接
着剤層２０６の一部がポンチ３０６と下型３０４の内壁
面との間に引きずり込まれ、バリ２１０となるのであ
る。この点、本発明においては、中継導体パターンと打
ち抜き部分との間に狭隘部が形成された複合フィルムを
金型の上型と下型との間に把持したときに、この中継導
体パターンが上型に当接しないように、中継導体パター
ンを上型に形成した凹溝内に収容することによって、狭
隘部も上型の下面と下型の上面との間に把持して、打ち
抜き部分を中継導体パターンが形成された面側からポン
チで打ち抜くことができる。その結果、複合フィルムに
多少の凹凸が存在していたとしても、強制的に複合フィ
ルムの打ち抜き部分と中継導体パターンとの間の狭隘部
が、金型の上型と下型との間に固定されるため、接着剤
層の一部がポンチと下型の内壁面との間に引きずり込ま
れることがなくバリの発生を防止できるのである。
【００１０】
【実施例】本発明を図面を用いて更に詳細に説明する。
本実施例においては、ポリイミド樹脂から成る絶縁フィ
ルム１８の一面に銅箔がスパッタリングによって積層さ
れていると共に、他面に接着剤層２０が形成された、図
５（ｂ）に示す三層タイプの複合フィルムを使用してタ
ーミナルテープを成形した。先ず、フィルムの銅箔面に
レジスト等を塗布してパターニングした後、エッチング
加工を施して所望形状の中継導体パターン２２を形成し
た後、複合フィルムに打ち抜き加工を施して図３に示す
リング状のターミナルテープ１０６を成形した。その際
に、本実施例において、図１に示す金型１０によって、
半導体チップが搭載される部分として開口される複合フ
ィルムの所定部分を打ち抜いた。
本実施例においては、ポリイミド樹脂から成る絶縁フィ
ルム１８の一面に銅箔がスパッタリングによって積層さ
れていると共に、他面に接着剤層２０が形成された、図
５（ｂ）に示す三層タイプの複合フィルムを使用してタ
ーミナルテープを成形した。先ず、フィルムの銅箔面に
レジスト等を塗布してパターニングした後、エッチング
加工を施して所望形状の中継導体パターン２２を形成し
た後、複合フィルムに打ち抜き加工を施して図３に示す
リング状のターミナルテープ１０６を成形した。その際
に、本実施例において、図１に示す金型１０によって、
半導体チップが搭載される部分として開口される複合フ
ィルムの所定部分を打ち抜いた。
【００１１】図１に示す金型１０においては、上型１２
と下型１４とで複合フィルムを挟持すると共に、上型１
０内を上下動自在に設けられたポンチ１６によって、複
合フィルムの所定部分を打ち抜く。かかる上型１２の下
面には、上型１２の下面との当接によって複合フィルム
に形成された中継導体パターン２２が損傷されないよう
に、凹溝２８が形成されている。尚、下型１４の上面に
は、ポンチ１６が上下動すると共に、打ち抜いた複合フ
ィルム部分が落下する通路３０が開口されている部分を
除き平坦であり、複合フィルムの接着剤層２０と密着す
る。
と下型１４とで複合フィルムを挟持すると共に、上型１
０内を上下動自在に設けられたポンチ１６によって、複
合フィルムの所定部分を打ち抜く。かかる上型１２の下
面には、上型１２の下面との当接によって複合フィルム
に形成された中継導体パターン２２が損傷されないよう
に、凹溝２８が形成されている。尚、下型１４の上面に
は、ポンチ１６が上下動すると共に、打ち抜いた複合フ
ィルム部分が落下する通路３０が開口されている部分を
除き平坦であり、複合フィルムの接着剤層２０と密着す
る。
【００１２】本実施例において、上型１２には、中継導
体パターン２２の一端である開口部側先端と開口部との
間の複合フィルム狭隘部を押圧する突起部２４が形成さ
れている。かかる上型１２の突起部２４と下型１４の平
坦な上面との間で、複合フィルムの開口部周縁を強制的
に把持でき、複合フィルムに多少の凹凸が存在していた
としても複合フィルムの開口部の周縁部を確実に把持で
きる。このため、図６に示す従来の金型の如く、複合フ
ィルムの接着剤層２０の一部がポンチ１６と通路３０の
内壁面との間に引きずり込まれることなく開口部を打ち
抜くことができる。その結果、図２に示すように、壁面
にバリの発生がないシャープな開口部２６を中継導体パ
ターン２２の一端側に穿設できるのである。尚、突起部
２４が押圧する狭隘部は、開口部の周縁部を下型１４と
の間で確実に把持できる幅があればよく、０．２ｍｍ程
度で十分である。
体パターン２２の一端である開口部側先端と開口部との
間の複合フィルム狭隘部を押圧する突起部２４が形成さ
れている。かかる上型１２の突起部２４と下型１４の平
坦な上面との間で、複合フィルムの開口部周縁を強制的
に把持でき、複合フィルムに多少の凹凸が存在していた
としても複合フィルムの開口部の周縁部を確実に把持で
きる。このため、図６に示す従来の金型の如く、複合フ
ィルムの接着剤層２０の一部がポンチ１６と通路３０の
内壁面との間に引きずり込まれることなく開口部を打ち
抜くことができる。その結果、図２に示すように、壁面
にバリの発生がないシャープな開口部２６を中継導体パ
ターン２２の一端側に穿設できるのである。尚、突起部
２４が押圧する狭隘部は、開口部の周縁部を下型１４と
の間で確実に把持できる幅があればよく、０．２ｍｍ程
度で十分である。
【００１３】図２に示す開口部２６が穿設された複合フ
ィルムは、更に中継導体パターン２２の他端側の複合フ
ィルムを切断し、図３に示すような、リング状のターミ
ナルテープを形成することができる。かかる切断の場
合、開口部２６を打ち抜く場合と異なり、切断線に沿っ
て複合フィルムを上型と下型とによって容易に把持で
き、バリ発生なく切断することができる。この際に、上
型に細孔を形成し、複合フィルムから切り離されたター
ミナルテープを吸引し、リードフレームのステージに貼
着するようにしてもよい。
ィルムは、更に中継導体パターン２２の他端側の複合フ
ィルムを切断し、図３に示すような、リング状のターミ
ナルテープを形成することができる。かかる切断の場
合、開口部２６を打ち抜く場合と異なり、切断線に沿っ
て複合フィルムを上型と下型とによって容易に把持で
き、バリ発生なく切断することができる。この際に、上
型に細孔を形成し、複合フィルムから切り離されたター
ミナルテープを吸引し、リードフレームのステージに貼
着するようにしてもよい。
【００１４】以上、説明してきた本実施例においては、
リードフレームのステージにリング状のターミナルテー
プを貼着する例を示したが、セラミックパッケージの場
合にも適用できる。また、図３に示すリング状のターミ
ナルテープを４片に分割し、矩形のステージの各辺に片
状のターミナルテープを貼着してもよい。
リードフレームのステージにリング状のターミナルテー
プを貼着する例を示したが、セラミックパッケージの場
合にも適用できる。また、図３に示すリング状のターミ
ナルテープを４片に分割し、矩形のステージの各辺に片
状のターミナルテープを貼着してもよい。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、打ち抜き面がシャープ
なターミナルテープを成形することができ、接着剤層に
因るバリも生しなくステージ上に半導体チップを水平に
搭載することができる。
なターミナルテープを成形することができ、接着剤層に
因るバリも生しなくステージ上に半導体チップを水平に
搭載することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す金型の断面図である。
【図２】本発明によって開口された開口部の状態を示す
部分断面図である。
部分断面図である。
【図３】ターミナルテープが貼着されたリードフレーム
の正面図である。
の正面図である。
【図４】ターミナルテープを説明するための説明図であ
る。
る。
【図５】ターミナルテープの成形に使用される複合フィ
ルムを示す断面図である。
ルムを示す断面図である。
【図６】複合フィルムに開口部を開口する従来の金型を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図７】バリが発生した開口部の状態を示す断面図であ
る。
る。
１０ 金型 １２ 上型 １４ 下型 １６ ポンチ １８ 絶縁フィルム ２０ 接着剤層 ２２ 中継導体パターン ２４ 突起部
Claims (2)
- 【請求項１】 ステージ上に搭載される半導体チップの
電極とリードフレーム等のリード端子との間を中継する
中継導体パターンが形成されたターミナルテープを、絶
縁フィルムの一面に前記中継導体パターンが形成され且
つ他面に接着剤層が形成された複合フィルムの所定個所
を金型で打ち抜いて形成する際に、 該中継導体パターンと打ち抜き部分との間に狭隘部が形
成された複合フィルムを金型の上型と下型との間に把持
したときに、前記中継導体パターンが上型に当接しない
ように、前記中継導体パターンを上型に形成した凹溝内
に収容し、 前記狭隘部を上型の下面と下型の上面との間に把持しつ
つ、前記打ち抜き部分を中継導体パターンが形成された
面側からポンチで打ち抜くことを特徴とするターミナル
テープの打ち抜き方法。 - 【請求項２】 ステージ上に搭載される半導体チップの
電極とリードフレーム等のリード端子との間を中継する
中継導体パターンが形成されたターミナルテープを、絶
縁フィルムの一面に前記中継導体パターンが形成され且
つ他面に接着剤層が形成された複合フィルムを、上型と
下型とによって把持してポンチにより打ち抜いて成形す
る打ち抜き金型において、 該中継導体パターンと打ち抜き部分との間に狭隘部が形
成された複合フィルムを上型と下型との間に把持したと
きに、前記中継導体パターンが上型に当接しないよう
に、前記中継導体パターンを収容する凹溝が形成された
上型と、 前記狭隘部を上型の下面と下型の上面との間に把持し
て、前記打ち抜き部分を中継導体パターンが形成された
面側から打ち抜くポンチとを具備することを特徴とする
ターミナルテープの打ち抜き金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20031392A JP3255715B2 (ja) | 1992-07-04 | 1992-07-04 | ターミナルテープの打ち抜き方法及びその打ち抜き金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20031392A JP3255715B2 (ja) | 1992-07-04 | 1992-07-04 | ターミナルテープの打ち抜き方法及びその打ち抜き金型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621160A JPH0621160A (ja) | 1994-01-28 |
| JP3255715B2 true JP3255715B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=16422237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20031392A Expired - Fee Related JP3255715B2 (ja) | 1992-07-04 | 1992-07-04 | ターミナルテープの打ち抜き方法及びその打ち抜き金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3255715B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1145078A (zh) * | 1994-04-08 | 1997-03-12 | 旭化成工业株式会社 | 具有末端羟基的聚碳酸酯的制法 |
-
1992
- 1992-07-04 JP JP20031392A patent/JP3255715B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0621160A (ja) | 1994-01-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |