JPH1041344A - 半導体装置用テープキャリア - Google Patents
半導体装置用テープキャリアInfo
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- JPH1041344A JPH1041344A JP8196701A JP19670196A JPH1041344A JP H1041344 A JPH1041344 A JP H1041344A JP 8196701 A JP8196701 A JP 8196701A JP 19670196 A JP19670196 A JP 19670196A JP H1041344 A JPH1041344 A JP H1041344A
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- tape carrier
- semiconductor device
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ファインピッチ化に伴ってノッチ部の幅が狭
くなる結果、ボンディング前にリードが切れる、リード
が変形する、ノッチ部以外で切断される、ノッチ部が切
断されない等の状況を生じることがある。 【解決手段】 テープキャリアは、デバイスホール4が
開口された絶縁性フィルム2、絶縁性フィルム2上から
デバイスホール4を横断するように伸びるインナーリー
ドを有する。このインナーリードは、金属導体側からデ
バイスホール4内へ突出するファンアウト部13と、フ
ァンアウト部13に接続されて反対側の絶縁性フィルム
2にかかるように配設されたファンイン部14と、ファ
ンアウト部13とファンイン部14の境界位置に形成さ
れたノッチ部15とから成り、ファンイン部14はファ
ンアウト部13よりも大きい幅を有している。
くなる結果、ボンディング前にリードが切れる、リード
が変形する、ノッチ部以外で切断される、ノッチ部が切
断されない等の状況を生じることがある。 【解決手段】 テープキャリアは、デバイスホール4が
開口された絶縁性フィルム2、絶縁性フィルム2上から
デバイスホール4を横断するように伸びるインナーリー
ドを有する。このインナーリードは、金属導体側からデ
バイスホール4内へ突出するファンアウト部13と、フ
ァンアウト部13に接続されて反対側の絶縁性フィルム
2にかかるように配設されたファンイン部14と、ファ
ンアウト部13とファンイン部14の境界位置に形成さ
れたノッチ部15とから成り、ファンイン部14はファ
ンアウト部13よりも大きい幅を有している。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に用いる
テープキャリアに係り、特に、デバイスホールにインナ
ーリードが架け渡される形状の半導体装置に最適なテー
プキャリアに関するものである。
テープキャリアに係り、特に、デバイスホールにインナ
ーリードが架け渡される形状の半導体装置に最適なテー
プキャリアに関するものである。
【0002】
【従来の技術】テープキャリアを用いた半導体装置のパ
ッケージング工程には、テープキャリアのインナーリー
ドを半導体チップの電極に接続するインナーリードボン
ディング(ILB)工程を含んでいる。図8はテープキ
ャリアを用いた半導体装置の一構成例を示す正面断面図
である。
ッケージング工程には、テープキャリアのインナーリー
ドを半導体チップの電極に接続するインナーリードボン
ディング(ILB)工程を含んでいる。図8はテープキ
ャリアを用いた半導体装置の一構成例を示す正面断面図
である。
【0003】テープキャリア1は、ポリイミド等の絶縁
性フィルム2、この絶縁性フィルム2の片面に形成され
た金属導体3、テープキャリア1の中央部に設けられた
開口により形成されたデバイスホール4、このデバイス
ホール4内に突出するようにして金属導体3の内側に形
成されたインナーリード5の各々を備えて構成されてい
る。
性フィルム2、この絶縁性フィルム2の片面に形成され
た金属導体3、テープキャリア1の中央部に設けられた
開口により形成されたデバイスホール4、このデバイス
ホール4内に突出するようにして金属導体3の内側に形
成されたインナーリード5の各々を備えて構成されてい
る。
【0004】テープキャリア1のデバイスホール4内に
は、半導体チップ6が位置決めされる。この半導体チッ
プ6の上面の所定位置には、インナーリード5の端部に
接続される電極パッド7が設けられている。電極パッド
7とインナーリード5の接続(ILB)は、ボンディン
グツール(不図示)を用いて行われる。ところで、イン
ナーリードボンディングを行うに際しては、従来より、
片持ち式のリード構造、及びストレートリード構造が用
いられる。
は、半導体チップ6が位置決めされる。この半導体チッ
プ6の上面の所定位置には、インナーリード5の端部に
接続される電極パッド7が設けられている。電極パッド
7とインナーリード5の接続(ILB)は、ボンディン
グツール(不図示)を用いて行われる。ところで、イン
ナーリードボンディングを行うに際しては、従来より、
片持ち式のリード構造、及びストレートリード構造が用
いられる。
【0005】図9は片持ち式のリード構造を用いたイン
ナーリードボンディング工程におけるボンディング前の
状態(a)、及びボンディング後の状態(b)を示す模
式図である。ボンディング前のインナーリード5は直線
状にデバイスホール4内へ伸びている。この形状から片
持ち式のリードと称している。このインナーリード5は
電極パッド7上に重なるように位置決めされ、更にイン
ナーリード5上にはボンディングツール9が配設されて
いる。
ナーリードボンディング工程におけるボンディング前の
状態(a)、及びボンディング後の状態(b)を示す模
式図である。ボンディング前のインナーリード5は直線
状にデバイスホール4内へ伸びている。この形状から片
持ち式のリードと称している。このインナーリード5は
電極パッド7上に重なるように位置決めされ、更にイン
ナーリード5上にはボンディングツール9が配設されて
いる。
【0006】この状態でボンディングツール9を下降さ
せて行く過程でボンディングツール9の下端部はインナ
ーリード5の上面に当接する。休むことなくボンディン
グツール9を下降させれば、インナーリード5の先端部
が変形しながら押し下げられ、ついにはインナーリード
5の下面が電極パッド7に接触する。この時点でボンデ
ィングツール9のボンディング部を動作させればインナ
ーリード5と電極パッド7が接続される。
せて行く過程でボンディングツール9の下端部はインナ
ーリード5の上面に当接する。休むことなくボンディン
グツール9を下降させれば、インナーリード5の先端部
が変形しながら押し下げられ、ついにはインナーリード
5の下面が電極パッド7に接触する。この時点でボンデ
ィングツール9のボンディング部を動作させればインナ
ーリード5と電極パッド7が接続される。
【0007】ところで、半導体装置のピン数(リード
数)が増加するのに伴ってリードピッチが狭くなってき
ており、これに伴ってリード幅も細くなり、片持ち式の
リード構造ではリード変形が起きやすいという問題が生
じている。また、多ピンのBGA( Ball Grid Array:
ボール グリッド アレイ)用テープキャリアでは、全
てのリードに電気めっき用の給電配線を設ける構造が用
いられている。
数)が増加するのに伴ってリードピッチが狭くなってき
ており、これに伴ってリード幅も細くなり、片持ち式の
リード構造ではリード変形が起きやすいという問題が生
じている。また、多ピンのBGA( Ball Grid Array:
ボール グリッド アレイ)用テープキャリアでは、全
てのリードに電気めっき用の給電配線を設ける構造が用
いられている。
【0008】このリード変形を防止する手段として用い
られるのが、図10に示すストレートリード形状による
インナーリードボンディング(ファンインボンディン
グ)である。(a)に示すように、インナーリードはデ
バイスホール4を横断可能な長さを有しており、先端部
は反対側のテープ上に載っている。この場合のインナー
リードは、先端側のファンイン部10と金属導体側のフ
ァンアウト部11から成り、ファンイン部10とファン
アウト部11の境界(ボンディングツール9の位置より
リード端部寄りの位置)にノッチ部12(切欠部)が形
成されている。このノッチ部12は両側に形成された縦
溝であり、この部分から容易に切断が可能な構成になっ
ている。
られるのが、図10に示すストレートリード形状による
インナーリードボンディング(ファンインボンディン
グ)である。(a)に示すように、インナーリードはデ
バイスホール4を横断可能な長さを有しており、先端部
は反対側のテープ上に載っている。この場合のインナー
リードは、先端側のファンイン部10と金属導体側のフ
ァンアウト部11から成り、ファンイン部10とファン
アウト部11の境界(ボンディングツール9の位置より
リード端部寄りの位置)にノッチ部12(切欠部)が形
成されている。このノッチ部12は両側に形成された縦
溝であり、この部分から容易に切断が可能な構成になっ
ている。
【0009】まず、図10の(a)に示すように、ボン
ディングツール9を電極パッド7上に位置決めする。つ
いで、ファンインボンディングを行う前にボンディング
ツール9によってファンアウト部11を叩く(押圧す
る)と、ノッチ部12に応力が集中し、リードはノッチ
部12から切断される。ついで、この状態のままボンデ
ィングツール9を下降させれば、ファンアウト部11は
折り曲げられながら先端部は強制的に下降し、ついには
電極パッド7に接触する。この状態のままボンディング
ツール9のボンディング部を動作させれば、インナーリ
ード4の先端と電極5とが接続される(図10の
(b))。
ディングツール9を電極パッド7上に位置決めする。つ
いで、ファンインボンディングを行う前にボンディング
ツール9によってファンアウト部11を叩く(押圧す
る)と、ノッチ部12に応力が集中し、リードはノッチ
部12から切断される。ついで、この状態のままボンデ
ィングツール9を下降させれば、ファンアウト部11は
折り曲げられながら先端部は強制的に下降し、ついには
電極パッド7に接触する。この状態のままボンディング
ツール9のボンディング部を動作させれば、インナーリ
ード4の先端と電極5とが接続される(図10の
(b))。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のストレ
ートリード形状のテープキャリアによると、ファインピ
ッチ化を行うほどリード幅が細くなり、これに伴ってノ
ッチ部の幅も狭くなり、図11に示すようにボンディン
グ前にリードが切れたり、リード変形が生じる場合があ
る。
ートリード形状のテープキャリアによると、ファインピ
ッチ化を行うほどリード幅が細くなり、これに伴ってノ
ッチ部の幅も狭くなり、図11に示すようにボンディン
グ前にリードが切れたり、リード変形が生じる場合があ
る。
【0011】また、ノッチ部の幅を大きくすると、リー
ドとノッチ部との強度差が無くなり、ボンディング時に
リード全体が撓むため、リード切断そのものが行えなく
なくなる場合がある。リード切断ができたとしても、図
12に示すようにノッチ部以外で切断されたり、図13
に示すようにノッチ部で切断されない場合がある。そこ
で本発明は、ファインピッチ化を行っても、ノッチ部で
確実に切断することのできる半導体装置用テープキャリ
アを提供することを目的としている。
ドとノッチ部との強度差が無くなり、ボンディング時に
リード全体が撓むため、リード切断そのものが行えなく
なくなる場合がある。リード切断ができたとしても、図
12に示すようにノッチ部以外で切断されたり、図13
に示すようにノッチ部で切断されない場合がある。そこ
で本発明は、ファインピッチ化を行っても、ノッチ部で
確実に切断することのできる半導体装置用テープキャリ
アを提供することを目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、所定位置にデバイスホールが開口され
た絶縁性フィルムと、その周囲又は近傍に形成された金
属導体と、この金属導体より前記デバイスホールへ突出
するファンアウト部、該ファンアウト部に接続されて前
記デバイスホールを横断するように設けられたファンイ
ン部、及び該ファンイン部と前記ファンアウト部との境
界位置に形成されたノッチ部から成るインナーリードと
を備えた半導体装置用テープキャリアにおいて、前記フ
ァンアウト部は、前記ファンイン部より機械的強度を小
さくした構成を有することを特徴とする半導体装置用テ
ープキャリアを提供する。
めに、本発明は、所定位置にデバイスホールが開口され
た絶縁性フィルムと、その周囲又は近傍に形成された金
属導体と、この金属導体より前記デバイスホールへ突出
するファンアウト部、該ファンアウト部に接続されて前
記デバイスホールを横断するように設けられたファンイ
ン部、及び該ファンイン部と前記ファンアウト部との境
界位置に形成されたノッチ部から成るインナーリードと
を備えた半導体装置用テープキャリアにおいて、前記フ
ァンアウト部は、前記ファンイン部より機械的強度を小
さくした構成を有することを特徴とする半導体装置用テ
ープキャリアを提供する。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を基に説明する。図1は本発明による半導体装置
用テープキャリアの第1の実施の形態を示し、(a)は
ボンディング前の状態を示す模式図であり、(b)はボ
ンディング後の状態を示す模式図である。
て図面を基に説明する。図1は本発明による半導体装置
用テープキャリアの第1の実施の形態を示し、(a)は
ボンディング前の状態を示す模式図であり、(b)はボ
ンディング後の状態を示す模式図である。
【0014】本発明におけるインナーリードは、ファン
アウト部13とファンイン部14から成り、両者の境界
部分にノッチ部15(切欠部)が形成されている。そし
て、ファンイン部14はファンアウト部13に対し、図
2に示すように幅広に作られている。すなわち、ファン
アウト部13の幅Loに対し、ファンイン部14の幅を
Liにしている。幅Loと幅Liの関係は、ノッチ部1
5の幅をLnとすれば、Ln<Lo<0.7・Liを満
たすように設定される。
アウト部13とファンイン部14から成り、両者の境界
部分にノッチ部15(切欠部)が形成されている。そし
て、ファンイン部14はファンアウト部13に対し、図
2に示すように幅広に作られている。すなわち、ファン
アウト部13の幅Loに対し、ファンイン部14の幅を
Liにしている。幅Loと幅Liの関係は、ノッチ部1
5の幅をLnとすれば、Ln<Lo<0.7・Liを満
たすように設定される。
【0015】ちなみに、従来のテープキャリアのインナ
ーリードは、図3に示すように、インナーリード5の一
部にノッチ部12を設けたにすぎないので、ファンアウ
ト部11の幅Lo′はファンイン部10の幅と同一値で
ある。この場合、ノッチ部12の幅Ln′は幅Lo′に
対し、Ln′<0.7・Lo′の関係にある。図2に示
したように、本発明によるテープキャリアは、切断後に
テープ上に残されるファンイン部14の幅がファンアウ
ト部13に対して幅広に設定されているため、ファンイ
ン部14の強度はファンアウト部13に比べて高くな
る。
ーリードは、図3に示すように、インナーリード5の一
部にノッチ部12を設けたにすぎないので、ファンアウ
ト部11の幅Lo′はファンイン部10の幅と同一値で
ある。この場合、ノッチ部12の幅Ln′は幅Lo′に
対し、Ln′<0.7・Lo′の関係にある。図2に示
したように、本発明によるテープキャリアは、切断後に
テープ上に残されるファンイン部14の幅がファンアウ
ト部13に対して幅広に設定されているため、ファンイ
ン部14の強度はファンアウト部13に比べて高くな
る。
【0016】本発明のテープキャリアを用いたインナー
リードのボンディングについて説明すると、まず、図1
の(a)に示す状態において、不図示のボンディングツ
ールを電極パッド7の上方に位置決めし、この状態から
ボンディングツールを垂直に下降させる。このボンディ
ングツールの下降の過程で、ツール下端面がファンアウ
ト部13の上面に当接すると、その押圧力によってノッ
チ部15の部分から切断される。ここで休まずボンディ
ングツールを下降させれば、ファンアウト部13の先端
部はS字状(或いはJ字状)に折り曲げられながら下降
し、ついには電極パッド7に接触する。この状態のま
ま、ボンディングツールのボンディング部を動作させれ
ば、ファンアウト部13の先端と電極5とが接続される
(図1の(b))。
リードのボンディングについて説明すると、まず、図1
の(a)に示す状態において、不図示のボンディングツ
ールを電極パッド7の上方に位置決めし、この状態から
ボンディングツールを垂直に下降させる。このボンディ
ングツールの下降の過程で、ツール下端面がファンアウ
ト部13の上面に当接すると、その押圧力によってノッ
チ部15の部分から切断される。ここで休まずボンディ
ングツールを下降させれば、ファンアウト部13の先端
部はS字状(或いはJ字状)に折り曲げられながら下降
し、ついには電極パッド7に接触する。この状態のま
ま、ボンディングツールのボンディング部を動作させれ
ば、ファンアウト部13の先端と電極5とが接続される
(図1の(b))。
【0017】このように、ファンイン部14の強度が高
められたことにより、工程中におけるリード切れやリー
ド変形がなくなり、且つ所定の位置で確実に切断するこ
とが可能になる。この結果、ファインピッチのリード形
成が容易になる。図4は本発明による半導体装置用テー
プキャリアの第2の実施の形態を示す模式図である。
められたことにより、工程中におけるリード切れやリー
ド変形がなくなり、且つ所定の位置で確実に切断するこ
とが可能になる。この結果、ファインピッチのリード形
成が容易になる。図4は本発明による半導体装置用テー
プキャリアの第2の実施の形態を示す模式図である。
【0018】図1の構成においては、ファンイン部14
の幅を大きくすることによりファンイン部14とファン
アウト部13の強度を変えるようにした。これに対し、
本例は、ファンイン部16を金属導体3の厚みと同じに
し、ファンアウト部17をファンイン部16の部分より
も薄くし、且つ、ノッチ部18をリードの厚み方向から
形成している。つまり、リードの厚みを変えて強度差を
もたせた構造にしており、幅を変えた構造と同様に、工
程中におけるリード切れやリード変形がなくなり、且つ
所定の位置で確実に切断することが可能になる。この結
果、ファインピッチのリード形成が容易になる。
の幅を大きくすることによりファンイン部14とファン
アウト部13の強度を変えるようにした。これに対し、
本例は、ファンイン部16を金属導体3の厚みと同じに
し、ファンアウト部17をファンイン部16の部分より
も薄くし、且つ、ノッチ部18をリードの厚み方向から
形成している。つまり、リードの厚みを変えて強度差を
もたせた構造にしており、幅を変えた構造と同様に、工
程中におけるリード切れやリード変形がなくなり、且つ
所定の位置で確実に切断することが可能になる。この結
果、ファインピッチのリード形成が容易になる。
【0019】なお、図1と図4の構造を組み合わせた構
成にしてもよい。例えば、ノッチ部をエッチング等によ
り溝付きにする構造、又はファンアウト部をエッチング
等により薄くする構造にすることができる。或いは、フ
ァンイン部を電気めっき等により厚くする構造にするこ
ともできる。図5は本発明による半導体装置用テープキ
ャリアの第3の実施の形態を示す模式図である。
成にしてもよい。例えば、ノッチ部をエッチング等によ
り溝付きにする構造、又はファンアウト部をエッチング
等により薄くする構造にすることができる。或いは、フ
ァンイン部を電気めっき等により厚くする構造にするこ
ともできる。図5は本発明による半導体装置用テープキ
ャリアの第3の実施の形態を示す模式図である。
【0020】上記したように、本発明はファンイン部の
強度を高めることを主眼にしている。したがって、ファ
ンアウト部13と同一断面積を有するファンイン部16
とによりインナーリードを形成し、ノッチ部15の近傍
のファンイン部16に補強手段としての補強部材19を
設ける構成によっても本発明の目的は達成される。補強
部材19としては、硬質のめっき(例えば、ニッケルめ
っき等)、或いはポリイミド樹脂等の塗布(又は接着)
等により構成することができる。
強度を高めることを主眼にしている。したがって、ファ
ンアウト部13と同一断面積を有するファンイン部16
とによりインナーリードを形成し、ノッチ部15の近傍
のファンイン部16に補強手段としての補強部材19を
設ける構成によっても本発明の目的は達成される。補強
部材19としては、硬質のめっき(例えば、ニッケルめ
っき等)、或いはポリイミド樹脂等の塗布(又は接着)
等により構成することができる。
【0021】
【実施例】図6は本発明による半導体装置用テープキャ
リアの実施例を示す平面図である。リードピッチを80
μmとし、各リードの厚みは18μmにした。また、フ
ァンアウト部13の幅を25μm、ファンイン部14の
幅を35をμmにし、図6のように本発明の実施例を製
作した。
リアの実施例を示す平面図である。リードピッチを80
μmとし、各リードの厚みは18μmにした。また、フ
ァンアウト部13の幅を25μm、ファンイン部14の
幅を35をμmにし、図6のように本発明の実施例を製
作した。
【0022】また、比較例として、従来技術に基づく図
7の如きテープキャリアも製作した。すなわち、リード
ピッチが80μmで、各リードの厚みを18μmにした
寸法は本発明の実施例と同じであるが、ファンアウト部
11の幅を25μm、ファンイン部10の幅を25をμ
mにした。図7に示す比較例のリード構造は、リード幅
が25μmであるため、上記したLn′<0.7・L
o′の規定に基づいて、ノッチ部12の幅Ln′はリー
ド幅Lo′に対し、25μm×0.7=17.5μm以
下を狙う必要がある。しかし、この寸法では、リード切
れやリード変形が多発し、ボンディング自体が不可能に
なる。仮に、ノッチ幅Ln′を20μmにした場合、ボ
ンディング時にリード全体が撓み、ノッチ部12で切断
できなかったり、ノッチ部12以外の場所で切断され易
くなる。
7の如きテープキャリアも製作した。すなわち、リード
ピッチが80μmで、各リードの厚みを18μmにした
寸法は本発明の実施例と同じであるが、ファンアウト部
11の幅を25μm、ファンイン部10の幅を25をμ
mにした。図7に示す比較例のリード構造は、リード幅
が25μmであるため、上記したLn′<0.7・L
o′の規定に基づいて、ノッチ部12の幅Ln′はリー
ド幅Lo′に対し、25μm×0.7=17.5μm以
下を狙う必要がある。しかし、この寸法では、リード切
れやリード変形が多発し、ボンディング自体が不可能に
なる。仮に、ノッチ幅Ln′を20μmにした場合、ボ
ンディング時にリード全体が撓み、ノッチ部12で切断
できなかったり、ノッチ部12以外の場所で切断され易
くなる。
【0023】一方、本発明の実施例によれば、上記した
ように各寸法をLn<Lo<0.7・Liに規定してい
る。したがって、ファンアウト部13の幅Loに対し、
ファンイン部14の幅Liは、25μm(Lo)÷0.
7≒35μmの大きさにでき、ノッチ部15の幅Lnを
20μmにした場合、工程内でリード切れやリード変形
を招くことが無い。また、ボンディング時には、ノッチ
部15で確実に切断できるようになる。
ように各寸法をLn<Lo<0.7・Liに規定してい
る。したがって、ファンアウト部13の幅Loに対し、
ファンイン部14の幅Liは、25μm(Lo)÷0.
7≒35μmの大きさにでき、ノッチ部15の幅Lnを
20μmにした場合、工程内でリード切れやリード変形
を招くことが無い。また、ボンディング時には、ノッチ
部15で確実に切断できるようになる。
【0024】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明は、ファンア
ウト部に対し、ファンイン部の機械的強度を高めるよう
にしたので、ボンディング前のリード切れを防止し、更
に、リードが切れなかったりノッチ部以外の場所で切断
される事態が発生しなくなる。この結果、リード切断が
ノッチ部において確実に行えるようになる。
ウト部に対し、ファンイン部の機械的強度を高めるよう
にしたので、ボンディング前のリード切れを防止し、更
に、リードが切れなかったりノッチ部以外の場所で切断
される事態が発生しなくなる。この結果、リード切断が
ノッチ部において確実に行えるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体装置用テープキャリアの第
1の実施の形態を示し、(a)はボンディング前の状態
を示す模式図であり、(b)はボンディング後の状態を
示す模式図である。
1の実施の形態を示し、(a)はボンディング前の状態
を示す模式図であり、(b)はボンディング後の状態を
示す模式図である。
【図2】本発明におけるインナーリード部の詳細を示す
説明図である。
説明図である。
【図3】従来のインナーリード部の詳細を示す説明図で
ある。
ある。
【図4】本発明による半導体装置用テープキャリアの第
2の実施の形態を示す模式図である。
2の実施の形態を示す模式図である。
【図5】本発明による半導体装置用テープキャリアの第
3の実施の形態を示す模式図である。
3の実施の形態を示す模式図である。
【図6】本発明による半導体装置用テープキャリアの実
施例の寸法関係を示す平面図である。
施例の寸法関係を示す平面図である。
【図7】従来技術に基づいて製作した比較例としてのテ
ープキャリアの寸法関係を示す平面図である。
ープキャリアの寸法関係を示す平面図である。
【図8】テープキャリアを用いた半導体装置の構成例を
示す正面断面図である。
示す正面断面図である。
【図9】片持ち式のリードを用いたインナーリードボン
ディング工程を示し、(a)はボンディング前の状態を
示す模式図、(b)はボンディング後の状態を示す模式
図である。
ディング工程を示し、(a)はボンディング前の状態を
示す模式図、(b)はボンディング後の状態を示す模式
図である。
【図10】ストレートリード形状によるインナーリード
ボンディング工程を示し、(a)はボンディング前の状
態を示す模式図、(b)はボンディング後の状態を示す
模式図である。
ボンディング工程を示し、(a)はボンディング前の状
態を示す模式図、(b)はボンディング後の状態を示す
模式図である。
【図11】従来のインナーリードにおいて、ノッチ部が
細いためにリード切れが生じた状態を示す模式図であ
る。
細いためにリード切れが生じた状態を示す模式図であ
る。
【図12】従来のインナーリードにおいて、ノッチ部が
太いためにノッチ部以外の場所でリード切れが生じた状
態を示す模式図である。
太いためにノッチ部以外の場所でリード切れが生じた状
態を示す模式図である。
【図13】従来のインナーリードにおいて、ノッチ部が
太いためにリード切断が果たせなかった状態を示す模式
図である。
太いためにリード切断が果たせなかった状態を示す模式
図である。
2 絶縁性フィルム 3 金属導体 4 デバイスホール 5 インナーリード 6 半導体チップ 7 電極パッド 13,17 ファンアウト部 14,16 ファンイン部 15,18 ノッチ部 19 補強部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 多賀 勝俊 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 御田 護 茨城県日立市助川町3丁目1番1号 日立 電線株式会社電線工場内 (72)発明者 安生 一郎 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内
Claims (6)
- 【請求項1】所定位置にデバイスホールが開口された絶
縁性フィルムと、その周囲又は近傍に形成された金属導
体と、この金属導体より前記デバイスホールへ突出する
ファンアウト部、該ファンアウト部に接続されて前記デ
バイスホールを横断するように設けられたファンイン
部、及び該ファンイン部と前記ファンアウト部との境界
位置に形成されたノッチ部から成るインナーリードとを
備えた半導体装置用テープキャリアにおいて、 前記ファンアウト部は、前記ファンイン部より機械的強
度を小さくした構成を有することを特徴とする半導体装
置用テープキャリア。 - 【請求項2】前記ファンアウト部は、前記ファンイン部
よりも小さい幅を有することを特徴とする請求項1記載
の半導体装置用テープキャリア。 - 【請求項3】前記ファンアウト部は、前記ファンイン部
よりも小なる厚さを有することを特徴とする請求項1記
載の半導体装置用テープキャリア。 - 【請求項4】前記ファンイン部は、機械的強度を大きく
する補強手段を有することを特徴とする請求項1記載の
半導体装置用テープキャリア。 - 【請求項5】前記ファンアウト部は、エッチングにより
厚さを小にされていることを特徴とする請求項3記載の
半導体装置用テープキャリア。 - 【請求項6】 前記補強手段は、めっき又は樹脂被覆で
あることを特徴とする請求項4記載の半導体装置用テー
プキャリア。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8196701A JPH1041344A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 半導体装置用テープキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8196701A JPH1041344A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 半導体装置用テープキャリア |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1041344A true JPH1041344A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16362156
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8196701A Pending JPH1041344A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 半導体装置用テープキャリア |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1041344A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100604332B1 (ko) * | 1999-02-11 | 2006-07-24 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
JP2008172198A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-24 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法 |
KR200455170Y1 (ko) * | 2009-07-15 | 2011-08-23 | 히타치 덴센 가부시키가이샤 | 반도체 장치용 티에이비 테이프 및 그 제조방법 |
-
1996
- 1996-07-25 JP JP8196701A patent/JPH1041344A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100604332B1 (ko) * | 1999-02-11 | 2006-07-24 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
JP2008172198A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-24 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法 |
KR200455170Y1 (ko) * | 2009-07-15 | 2011-08-23 | 히타치 덴센 가부시키가이샤 | 반도체 장치용 티에이비 테이프 및 그 제조방법 |
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---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040308 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040921 |