JP3519256B2 - デバイスホール内ダミーパターンの改善 - Google Patents
デバイスホール内ダミーパターンの改善Info
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- JP3519256B2 JP3519256B2 JP35069797A JP35069797A JP3519256B2 JP 3519256 B2 JP3519256 B2 JP 3519256B2 JP 35069797 A JP35069797 A JP 35069797A JP 35069797 A JP35069797 A JP 35069797A JP 3519256 B2 JP3519256 B2 JP 3519256B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープすなわ
ちテープキャリアに関し、特にＴＡＢテープにおけるリ
ードの製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】現在用いられているＴＡＢテープ４８の
構成を図３に示す。この図に示すように、両辺にパーフ
ォレーション５０が形成された光透過性フィルム５２の
中央部には、矩形のデバイスホール５４が設けられ、こ
のデバイスホール５４の四辺の位置に多数本のリード５
６が配置されている。これらのリードはデバイスホール
５４内にリードの先端部が突出し、デバイスホール５４
内に配置される半導体素子（不図示）の電極パッドにボ
ンディングにより電気接続される。以下、リード５６の
先端のデバイスホール５４内に突出した部分をインナー
リード５８と称する。また、デバイスホール５４の周囲
に矩形の窓６０を設け、その上をリード５６が横切るよ
うにしている。以下、この矩形の窓６０内のリードをア
ウターリード６２と称し、インナーリード５８とアウタ
ーリード６２の間にあってフィルム５２に接着されてい
る部分をパターンリード６４と称する。 【０００３】インナーリードは求められる電気特性、剛
性等の観点から、その形状が均一であることが望まし
い。しかし、インナーリードはエッチングによって形成
するため、その先端部は中心部よりもエッチングが進み
やすく、このため先細りになりやすい。 【０００４】そこで、従来は、インナーリードの先細り
防止のために、インナーリード形成時にインナーリード
の先端に角状部分を設けていた。さらに、バックコート
層の欠落による先端部分の細りを防止するため、ダミー
パターンを設けていた。 【０００５】図４に従来例のＴＡＢテープ４８の断面
図、図５に従来例のインナーリード形成用のレジストパ
ターンの上面図を示す。図４および図５において、ＴＡ
Ｂテープ４８の光透過性フィルム５２中央部のデバイス
ホール５４上に、インナーリード５８を形成する銅６８
をコーティングしてあり、銅のコーティング層６８の下
側には樹脂によるバックコート層６６が設けられてい
る。また、銅のコーティング層６８の上には、インナー
リード５８の所望の形状に合わせてレジスト７０を塗布
してある。さらに、この例においては、銅のコーティン
グ層６８の平面上において、インナーリード５８形成用
のレジストパターン７０の先端部のデバイスホール５４
中央側部分に長方形形状のパターン（ダミーパターン）
７２を設けてある。 【０００６】このようなダミーパターン７２を設けてい
るため、エッチング後においては、バックコーティング
層６６はダミーパターン７２の下方まで連続しており、
バックコート層の欠落によるインナーリード５８先端部
の先細りは発生しづらい。 【０００７】ＴＡＢテープ４８は、銅のコーティング層
６８のエッチング後に、レジスト７０が剥離される。剥
離は剥離液にＴＡＢテープ４８を浸漬することによって
行う。この剥離工程により銅のインナーリード５８が形
成される。 【０００８】しかし、この剥離工程においては、剥離し
たダミーパターン７２が剥離液中に浮遊し、アウターリ
ード６２の間に挟まってしまうことがある。このような
場合には、アウターリード６２間で電気的に短絡（ショ
ート）が発生しやすくなってしまい、ＴＡＢテープの品
質低下につながる。 【０００９】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、イン
ナーリード形成用のダミーパターンが、ＴＡＢテープの
アウターリード間に挟まることによりショートすること
を防止することにある。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明においては、金属
箔をエッチングして配線パターンを製造する工程におい
て、インナーリードの前方に、図１に示すように全体形
状が凸字型の平面形状を有するダミーパターンを残すこ
ととしている。 【００１１】 【実施例】図１に本発明の実施例のＴＡＢテープのイン
ナーリード形成用のレジストパターンの上面図を示す。
本実施例においては、銅のコーティング層の平面上にお
いてインナーリードのレジストパターン２の先端部のデ
バイスホール中央側部分に、全体構造が凸字型の平面形
状を有するパターン（ダミーパターン）４を設けてあ
る。ここで、ダミーパターン４の突起部分５の長さは、
２００μｍとしている。 【００１２】図２は、本実施例のＴＡＢテープの断面図
を示す。図２において、ＴＡＢテープ６の光透過性フィ
ルム７の中央部のデバイスホール８上にインナーリード
を形成する銅１２をコーティングしてあり、銅のコーテ
ィング層１２の下側には樹脂によるバックコート層１０
が設けられている。また、銅のコーティング層１２の上
には、インナーリードの所望の形状に合わせてレジスト
２を塗布してある。さらに、本実施例においては、銅の
コーティング層１２の平面上において、インナーリード
のレジストパターン２の先端部のデバイスホール中央側
部分に、全体構造が図 1 に示すような凸字型の平面形状
を有するパターン（ダミーパターン）４を設けてある。 【００１３】このようなダミーパターン４を設けている
ため、エッチング後においては、バックコーティング層
１０はダミーパターン４の下方まで連続することとな
り、銅のコーティング層１２がレジストパターン２のダ
ミーパターン４側付近で、所望のインナーリードのパタ
ーン形状よりもエッチングにより侵食されてしまうこと
は少なくなる。すなわち、インナーリード先端部の先細
りは発生しづらい。 【００１４】ＴＡＢテープは、銅のエッチング後に、レ
ジストを剥離される。剥離は剥離液にＴＡＢテープを浸
漬することによって行い、この剥離工程により銅のリー
ドが形成される。 【００１５】本実施例においては、アウターリードのピ
ッチは２５０μｍ（リード間は１３０μｍ）となってお
り、ダミーパターンの方が十分大きいため、剥離工程に
おいて剥離液中に浮遊したダミーパターン４がアウター
リードの間に挟まってしまうことはなく、アウターリー
ド間でショートを起こすことはない。 【００１６】一般的なアウターリードのピッチは広くて
も２５０μｍであるため、ダミーパターン４の突起部分
５の長さは１００μｍ以上であれば本発明の効果を得る
ことができる。 【００１７】 【発明の効果】本発明によれば、ダミーパターンのそれ
ぞれに突起を付けることによってアウターリードの間に
ダミーパターンが挟まってショートが発生することがな
くなる。これにより、より高品質なＴＡＢテープを提供
することが可能となる。
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープすなわ
ちテープキャリアに関し、特にＴＡＢテープにおけるリ
ードの製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】現在用いられているＴＡＢテープ４８の
構成を図３に示す。この図に示すように、両辺にパーフ
ォレーション５０が形成された光透過性フィルム５２の
中央部には、矩形のデバイスホール５４が設けられ、こ
のデバイスホール５４の四辺の位置に多数本のリード５
６が配置されている。これらのリードはデバイスホール
５４内にリードの先端部が突出し、デバイスホール５４
内に配置される半導体素子（不図示）の電極パッドにボ
ンディングにより電気接続される。以下、リード５６の
先端のデバイスホール５４内に突出した部分をインナー
リード５８と称する。また、デバイスホール５４の周囲
に矩形の窓６０を設け、その上をリード５６が横切るよ
うにしている。以下、この矩形の窓６０内のリードをア
ウターリード６２と称し、インナーリード５８とアウタ
ーリード６２の間にあってフィルム５２に接着されてい
る部分をパターンリード６４と称する。 【０００３】インナーリードは求められる電気特性、剛
性等の観点から、その形状が均一であることが望まし
い。しかし、インナーリードはエッチングによって形成
するため、その先端部は中心部よりもエッチングが進み
やすく、このため先細りになりやすい。 【０００４】そこで、従来は、インナーリードの先細り
防止のために、インナーリード形成時にインナーリード
の先端に角状部分を設けていた。さらに、バックコート
層の欠落による先端部分の細りを防止するため、ダミー
パターンを設けていた。 【０００５】図４に従来例のＴＡＢテープ４８の断面
図、図５に従来例のインナーリード形成用のレジストパ
ターンの上面図を示す。図４および図５において、ＴＡ
Ｂテープ４８の光透過性フィルム５２中央部のデバイス
ホール５４上に、インナーリード５８を形成する銅６８
をコーティングしてあり、銅のコーティング層６８の下
側には樹脂によるバックコート層６６が設けられてい
る。また、銅のコーティング層６８の上には、インナー
リード５８の所望の形状に合わせてレジスト７０を塗布
してある。さらに、この例においては、銅のコーティン
グ層６８の平面上において、インナーリード５８形成用
のレジストパターン７０の先端部のデバイスホール５４
中央側部分に長方形形状のパターン（ダミーパターン）
７２を設けてある。 【０００６】このようなダミーパターン７２を設けてい
るため、エッチング後においては、バックコーティング
層６６はダミーパターン７２の下方まで連続しており、
バックコート層の欠落によるインナーリード５８先端部
の先細りは発生しづらい。 【０００７】ＴＡＢテープ４８は、銅のコーティング層
６８のエッチング後に、レジスト７０が剥離される。剥
離は剥離液にＴＡＢテープ４８を浸漬することによって
行う。この剥離工程により銅のインナーリード５８が形
成される。 【０００８】しかし、この剥離工程においては、剥離し
たダミーパターン７２が剥離液中に浮遊し、アウターリ
ード６２の間に挟まってしまうことがある。このような
場合には、アウターリード６２間で電気的に短絡（ショ
ート）が発生しやすくなってしまい、ＴＡＢテープの品
質低下につながる。 【０００９】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、イン
ナーリード形成用のダミーパターンが、ＴＡＢテープの
アウターリード間に挟まることによりショートすること
を防止することにある。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明においては、金属
箔をエッチングして配線パターンを製造する工程におい
て、インナーリードの前方に、図１に示すように全体形
状が凸字型の平面形状を有するダミーパターンを残すこ
ととしている。 【００１１】 【実施例】図１に本発明の実施例のＴＡＢテープのイン
ナーリード形成用のレジストパターンの上面図を示す。
本実施例においては、銅のコーティング層の平面上にお
いてインナーリードのレジストパターン２の先端部のデ
バイスホール中央側部分に、全体構造が凸字型の平面形
状を有するパターン（ダミーパターン）４を設けてあ
る。ここで、ダミーパターン４の突起部分５の長さは、
２００μｍとしている。 【００１２】図２は、本実施例のＴＡＢテープの断面図
を示す。図２において、ＴＡＢテープ６の光透過性フィ
ルム７の中央部のデバイスホール８上にインナーリード
を形成する銅１２をコーティングしてあり、銅のコーテ
ィング層１２の下側には樹脂によるバックコート層１０
が設けられている。また、銅のコーティング層１２の上
には、インナーリードの所望の形状に合わせてレジスト
２を塗布してある。さらに、本実施例においては、銅の
コーティング層１２の平面上において、インナーリード
のレジストパターン２の先端部のデバイスホール中央側
部分に、全体構造が図 1 に示すような凸字型の平面形状
を有するパターン（ダミーパターン）４を設けてある。 【００１３】このようなダミーパターン４を設けている
ため、エッチング後においては、バックコーティング層
１０はダミーパターン４の下方まで連続することとな
り、銅のコーティング層１２がレジストパターン２のダ
ミーパターン４側付近で、所望のインナーリードのパタ
ーン形状よりもエッチングにより侵食されてしまうこと
は少なくなる。すなわち、インナーリード先端部の先細
りは発生しづらい。 【００１４】ＴＡＢテープは、銅のエッチング後に、レ
ジストを剥離される。剥離は剥離液にＴＡＢテープを浸
漬することによって行い、この剥離工程により銅のリー
ドが形成される。 【００１５】本実施例においては、アウターリードのピ
ッチは２５０μｍ（リード間は１３０μｍ）となってお
り、ダミーパターンの方が十分大きいため、剥離工程に
おいて剥離液中に浮遊したダミーパターン４がアウター
リードの間に挟まってしまうことはなく、アウターリー
ド間でショートを起こすことはない。 【００１６】一般的なアウターリードのピッチは広くて
も２５０μｍであるため、ダミーパターン４の突起部分
５の長さは１００μｍ以上であれば本発明の効果を得る
ことができる。 【００１７】 【発明の効果】本発明によれば、ダミーパターンのそれ
ぞれに突起を付けることによってアウターリードの間に
ダミーパターンが挟まってショートが発生することがな
くなる。これにより、より高品質なＴＡＢテープを提供
することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例のレジストパターンの上面図で
ある。 【図２】本発明の実施例のレジストパターンの断面図で
ある。 【図３】従来のＴＡＢテープの構成を示す図である。 【図４】従来のエッチング後の状態を示す断面図であ
る。 【図５】従来のレジストパターンの上面図である。 【符号の説明】 ２ レジスト ４ ダミーパターン ６ ＴＡＢテープ ８ デバイスホール １０ バックアップ層 １２ コーティング層
ある。 【図２】本発明の実施例のレジストパターンの断面図で
ある。 【図３】従来のＴＡＢテープの構成を示す図である。 【図４】従来のエッチング後の状態を示す断面図であ
る。 【図５】従来のレジストパターンの上面図である。 【符号の説明】 ２ レジスト ４ ダミーパターン ６ ＴＡＢテープ ８ デバイスホール １０ バックアップ層 １２ コーティング層
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】半導体素子が配置されるデバイスホール
と、前記半導体素子に接続するための複数のインナーリ
ードと、当該インナーリードに接続される複数のアウタ
ーリードとを有するＴＡＢテープの製造方法であって、 金属箔上に前記インナーリードおよび前記アウターリー
ドのためのレジストを形成する工程と、 前記インナーリード２の端部近傍に、全体として凸字型
の平面形状を有するダミーパターン４のためのレジスト
を形成する工程と、 前記金属箔をエッチングする工程と、 前記レジストを剥離する工程とを備え、 前記ダミーパターン４の全体形状は、前記アウターリー
ド間の距離よりも大きな凸字型の平面形状であることを
特徴とするＴＡＢテープの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35069797A JP3519256B2 (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | デバイスホール内ダミーパターンの改善 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35069797A JP3519256B2 (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | デバイスホール内ダミーパターンの改善 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186344A JPH11186344A (ja) | 1999-07-09 |
| JP3519256B2 true JP3519256B2 (ja) | 2004-04-12 |
Family
ID=18412239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35069797A Expired - Fee Related JP3519256B2 (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | デバイスホール内ダミーパターンの改善 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3519256B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100624951B1 (ko) * | 2000-12-21 | 2006-09-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 |
| JP2003086638A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用テープキャリアの製造方法 |
| JP4993178B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2012-08-08 | 日立電線株式会社 | Ｔａｂテープの製造方法 |
| JP5722929B2 (ja) * | 2013-01-29 | 2015-05-27 | キヤノン・コンポーネンツ株式会社 | レジスト剥離装置及びフレキシブルプリント配線板の製造方法 |
-
1997
- 1997-12-19 JP JP35069797A patent/JP3519256B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11186344A (ja) | 1999-07-09 |
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Legal Events
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