JP3744367B2 - 配線基板、及び配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法に関し、特に、半導体基板の中心線付近に線状に外部電極が設けられたセンターパッド型の半導体チップを搭載する配線基板に適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、DRAM(Dynamic Random Access Memory)のように、半導体基板の中心線付近に線状に外部電極が設けられたセンターパッド型の半導体チップを搭載した半導体装置には、たとえば、図11(a)、図11(b)、図12(a)、及び図12(b)に示したように、所定位置に第1開口部101及び第2開口部(ビア孔)102が設けられた絶縁基板1の一主面に、一端が前記第1開口部101上に突出した配線2を設け、前記絶縁基板1の配線2が形成された面上に前記第1開口部101と重なる位置が開口された弾性体(エラストマ)3を介在させて前記半導体チップ4をフリップチップ実装し、前記配線2の前記第1開口部101上に突出した部分を変形させて前記半導体チップ4の外部電極401と接続し、前記開口部内を樹脂などの封止絶縁体6で封止したものがある。また、前記配線2の一端は、図11(b)及び図12(b)に示すように、前記絶縁基板1の第2開口部(ビア孔)102を介してボール端子5などの外部接続端子と接続されている。
【0003】
また、図12(b)に示したように、前記開口部内の配線2を変形させて前記半導体チップ4の外部電極401と接続する半導体装置のほかに、前記配線2と前記半導体チップ4の外部電極401とをボンディングワイヤにより接続し、前記開口部内及び前記ボンディングワイヤと配線2の接続部を封止した半導体装置もある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の技術のうち、例えば、図12(a)及び図12(b)に示したように、前記配線2を前記開口部内に突出させ、前記突出部分を変形させて半導体チップ4の外部電極401と接続する場合、前記絶縁基板1に設けられた第1開口部101が一つであると、配線の数を増加させた場合に前記絶縁基板1(配線基板)が大型化し、半導体装置が大型化するという問題があった。
【0005】
また、前記絶縁基板1に設けた第1開口部101をまたぐように配線を形成する場合には、配線の幅、及び配線同士が短絡しないための間隔が必要であるため、前記絶縁基板1(配線基板)の小型化が難しく、半導体装置の小型化が難しいという問題があった。
【0006】
また、図12(a)及び図12(b)に示したような半導体装置では、前記半導体チップ4の外部電極401を一列の線状に配列しなければならないため、前記半導体チップ4上に形成する外部電極401の数を増やすことが難しい。例えば、前記半導体チップ3の前記外部電極401を配置する方向の長さが10mmであり、前記外部電極401の一辺が100μmである場合には、前記外部電極401を密に配置したとしても100個程度しか配置できない。そのため、半導体チップの外部電極の高密度化が難しいという問題があった。
【0007】
また、例えば、前記ボンディングワイヤを用いて前記配線2と前記外部電極401を接続した半導体装置では、前記第1開口部101の外側の領域に、前記配線2とボンディングワイヤを接続するためのボンディングエリアが必要であるため、前記ボンディングエリアの分だけ前記絶縁基板1(配線基板)が大きくなってしまう。また、前記ボンディングワイヤが前記絶縁基板1の外部に突出してしまうため、前記封止絶縁体6も前記第1開口部101から突出してしまう。そのため、前記半導体装置をマザーボードなどの実装基板に実装する際に、前記実装基板と前記半導体装置の間に、前記封止絶縁体6の突出した高さ以上の隙間が必要であり、小型化、薄型化が難しいという問題があった。
【0008】
本発明の目的は、センターパッド型の半導体チップを搭載する配線基板(インターポーザ)において、前記配線基板上に設けられた配線の高密度化が可能な技術を提供することにある。
【0009】
本発明の他の目的は、センターパッド型の半導体チップが実装された半導体装置において、前記半導体チップの外部電極の数を容易に増加させることが可能な技術を提供することにある。
【0010】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明の概要を説明すれば、以下のとおりである。
【0012】
(1)フィルム状の絶縁基板の所定領域内に開口部を設け、前記絶縁基板の一主面上に、前記開口部をまたぎ、且つ前記開口部が設けられた領域の外側の領域に外部接続端子を有する配線を設けた配線基板において、前記開口部は、所定位置に設けられた橋梁部により複数個に分割され、前記配線は、前記橋梁部上から前記分割された各開口部をまたいで形成され、最終的に前記各開口部上で切断される配線基板の製造方法である。
【0013】
前記(1)の手段によれば、前記絶縁基板に、橋梁部により分割される複数個の開口部を設け、それぞれの開口部を跨ぐように配線を設けることにより、図に示したような、従来の配線基板に比べ、前記開口部をまたぐ配線の数を増やすことができる。そのため、前記半導体チップの高機能化、高密度化により、接続端子数が増加した場合に、前記配線基板が大型化するのを防ぐことができる。
【0014】
(2)フィルム状の絶縁基板の所定領域内に開口部を設け、前記絶縁基板の一主面上に、前記開口部をまたぎ、且つ前記開口部が設けられた領域の外側の領域に外部接続端子を有する配線を設け、前記絶縁基板の前記配線が設けられた面に弾性体(エラストマ)を設けた配線基板において、前記開口部は、所定位置に設けられた橋梁部により複数個に分割され、前記配線は、前記橋梁部上から前記分割された各開口部の夫々外側の領域へまたいで形成され、前記弾性体は、前記絶縁基板の開口部が設けられた領域と平面的に重なる位置に、前記絶縁基板に設けられた橋梁部と直交する方向に橋梁部を有する開口部が設けられていることを特徴とする配線基板である。
【0015】
前記(2)の手段によれば、前記(1)の手段と同様に、前記絶縁基板に設けられた開口部を橋梁部により複数個に分割し、前記橋梁部から前記開口部の外側の領域にまたがる配線を設けることにより、前記開口部をまたぐ配線の数を増やすことができ、配線基板が大型化することを防げる。
【0016】
また、前記開口部の外側の領域及び前記橋梁部に前記弾性体を設けることにより、前記弾性体を介在させて半導体チップを接着させる場合に、前記橋梁部と前記半導体チップの間も前記弾性体で支持されるので、前記橋梁部が空中に浮いて不安定になることを防ぐことができる。
【0017】
またこのとき、前記弾性体は、前記絶縁基板に設けられた各開口部と平面的に重なる位置が開口されていてもよいし、例えば、前記絶縁基板に設けられた開口部の外側の領域に第1弾性体を設け、前記橋梁部に第2弾性体を設けてもよい。また、前記絶縁基板の開口部が設けられた領域と平面的に重なる位置に、前記絶縁基板に設けられた橋梁部と直交する方向に橋梁部を有する開口部が設けられている弾性体を設けてもよい。
【0018】
また、前記(1)または(2)の手段の配線基板では、前記各開口部をまたぐ配線を、例えば、前記橋梁部上で短絡させてもよいし、各々を独立させておいてもよい。前記配線を橋梁部上で短絡させた場合は、前記橋梁部上から、前記絶縁基板の端部に向けて配線を引き出すことにより、例えば、引き出した配線を電気めっき用の給電配線として利用することができる。その場合、前記配線は、半導体チップを実装し、外部電極と接続する際に前記開口部上で切断されて電気的に独立した配線になる。
【0019】
また、前記(1)または(2)の手段では、前記絶縁基板に設けられた橋梁部の幅は、強度的な面を考慮した場合、150μmから500μmであることが望ましい。
【0020】
(3)絶縁基板の所定位置に開口部を設け、前記絶縁基板の一主面上に前記開口部内に突出し、且つ前記開口部が設けられた領域の外側の領域に外部接続端子を有する配線を設け、前記絶縁基板の配線の設けられた面に弾性体(エラストマ)を設け、前記弾性体上に半導体チップを、その外部電極が前記絶縁基板の開口部と向かい合うように設け、前記開口部内の配線を変形させて前記半導体チップの外部電極と接続し、前記開口部内を絶縁体で封止した半導体装置において、前記絶縁基板の前記開口部は、所定位置に設けられた橋梁部により複数個に分割され、前記半導体チップの外部電極は、前記開口部内に線状に設けられ、前記弾性体(エラストマ)は、前記絶縁基板の前記開口部が設けられた領域の外側の領域及び前記橋梁部上に設けられ、前記配線は、前記橋梁部上から前記分割された各開口部をまたいで形成されたものが前記各開口部上で切断されて前記半導体チップの外部電極と接続されていることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【0021】
前記(3)の手段によれば、前記開口部が所定位置に設けられた橋梁部により分割されているため、従来の、図に示したような半導体装置に比べ、前記開口部に突出する配線の数を増やすことができる。そのため、センターパッド型の半導体チップの場合でも、容易に外部電極の数を増やすことができる。また、前記外部電極の数が増えた場合にも半導体装置が大型化することを防げる。
【0022】
(4)フィルム状の絶縁基板の所定領域内に、橋梁部により分割された複数個の開口部を形成し、前記絶縁基板の一主面上に導電性薄膜を形成し、前記導電性薄膜をエッチングして、前記橋梁部上から前記分割された各開口部をまたぎ、且つ前記開口部が形成された領域の外側の領域に外部接続端子を有し、最終的に前記各開口部上で切断される配線を形成することを特徴とする配線基板の製造方法である。
【0023】
前記(4)の手段によれば、前記橋梁部により分割された開口部を形成し、前記橋梁部から前記開口部の外側の領域にまたがる配線を形成することにより、従来の配線基板に比べ、開口部をまたぐ配線の数を増やすことができる。また、前記開口部内に橋梁部を設けて前記開口部を分割するため、前記開口部を形成する領域が広くなることを防げ、配線基板が大型化することを防げる。
【0024】
また、前記絶縁基板の配線形成面に弾性体を形成する場合には、前記絶縁基板の前記開口部が形成された領域の外側の領域及び前記橋梁部上に弾性体(エラストマ)を形成するが、この場合、前記絶縁基板に形成された開口部と平面的に重なる部分が開口された弾性体を形成するのが好ましい。また、その他にも、前記絶縁基板の配線形成面の、前記開口部が形成された領域の外側の領域に第1弾性体を形成し、前記橋梁部に第2弾性体を形成してもよい。
【0025】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態(実施例)とともに詳細に説明する。
【0026】
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号をつけ、その繰り返しの説明は省略する。
【0027】
【発明の実施の形態】
(実施例)
図1乃至図4は、本発明による一実施例の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図1(a)は本実施例の半導体装置の平面図、図1(b)は図1(a)の半導体装置の裏面図、図2は図1(b)のA−A’線での断面図、図3は図1(b)の部分拡大図、図4は図3のB−B’線での断面図である。
【0028】
図1(a)、図1(b)、図2、図3、及び図4において、1は絶縁基板、101は第1開口部、102は第2開口部(ビア孔)、1Aは絶縁基板の橋梁部、2は配線、2’はめっき用の給電配線、3は弾性体(エラストマ)、301は弾性体の開口部、3Aは弾性体の橋梁部、4は半導体チップ、401は半導体チップの外部電極、5はボール端子、6は封止絶縁体である。
【0029】
本実施例の半導体装置は、図1(a)、図1(b)、図2、図3、及び図4に示すように、フィルム状の絶縁基板1の所定領域に第1開口部101を設け、前記第1開口部101が設けられた領域の外側の領域に第2開口部102を設け、前記絶縁基板1の一主面上に前記第1開口部101内に突出し、且つ前記第2開口部102を覆う配線2を設け、前記絶縁基板1の配線2が設けられた面上に弾性体(エラストマ)3を設け、前記弾性体3上に半導体チップ4を、その外部電極401が前記絶縁基板1の第1開口部101と向かい合うように設け、前記配線2を変形させて前記半導体チップ4の外部電極401を接続し、前記絶縁基板1及び前記弾性体3の開口部内が封止絶縁体6により封止されている。なお、本実施例の半導体装置に用いられる半導体チップ4は、前記外部電極401が半導体基板の中心線付近に線状に配置されているセンターパッド型の半導体チップであるものとする。
【0030】
また、前記絶縁基板1の第1開口部101は、図1(b)、図3、及び図4に示したように、橋梁部1Aにより二つに分割されており、前記半導体チップ4の外部電極401は、前記二つの第1開口部101のそれぞれに、直線状に配置されている。すなわち、前記半導体チップ4の外部電極401は中心線付近に2列、線状に配置されている。
【0031】
また、前記第1開口部101を分割する橋梁部1Aには、図3に示したように、例えば、めっき用の給電配線2’が設けられており、前記給電配線2’から前記各第1開口部101に向かって、複数本の分岐線が設けられている。また、前記弾性体3は、図1(a)、図3、及び図4に示したように、前記絶縁基板1の第1開口部101と重なる位置に開口部301が設けられている。前記弾性体3の開口部301も、図3及び図4に示したように、前記絶縁基板1の橋梁部1Aと重なる位置に設けられた橋梁部3Aにより二つに分割されており、前記半導体チップ4と前記絶縁基板1は、前記絶縁基板1の第1開口部101が設けられた領域の外側の領域及び前記絶縁基板1の橋梁部1A上の弾性体3を介在して接着されている。このとき、前記絶縁基板1の橋梁部1Aの幅、あるいは前記弾性体3の橋梁部3Aの幅は約150μmから500μm程度である。
【0032】
また、前記配線2の一端は、図2及び図4に示すように、前記絶縁基板1に設けられた第2開口部(ビア孔)102を通してボール端子5のような外部接続端子と接続されている。
【0033】
図5乃至図9は、本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図5は一製造工程の平面図、図6は図5のC−C’線での断面図、図7は一製造工程の平面図、図8は図7のD−D’線での断面図、図9(a)及び図9(b)は各製造工程での断面図である。
【0034】
以下、図5乃至図9に沿って、本実施例の半導体装置の製造方法について説明する。
【0035】
まず、図5及び図6に示すように、例えば、ポリイミドテープなどの絶縁基板1’の配線基板形成領域1内の所定領域に、橋梁部1Aで分割される第1開口部101及び前記第1開口部101を形成する領域の外側の領域の第2開口部(ビア穴)102を形成し、前記絶縁基板1の一主面上に、前記第1開口部101を横断し、且つ前記第2開口部102を覆う配線2を形成する。このとき、前記配線2は、前記絶縁基板1の橋梁部1A上に形成されためっき用の給電配線2’により短絡されており、前記めっき用給電配線2’は、図5に示すように、前記絶縁基板1の端部のスプロケットホール103が形成された領域に引き出されている。
【0036】
前記第1開口部101、前記第2開口部102、前記配線2、及び前記給電配線2’の形成方法は、例えば、金型による打ち抜き加工で前記絶縁基板1に前記第1開口部101及び前記第2開口部102を形成し、前記絶縁基板1の一主面に銅箔などの導電性薄膜を形成した後、前記導電性薄膜をエッチング処理して前記配線2及び前記給電配線2’を形成し、前記給電配線2’から電流を印加して電気めっき法あるいは電解めっき法を用いて前記配線2の表面にめっき層(図示しない)を形成する方法や、前記絶縁基板1の一主面上に前記導電性薄膜を形成しておき、レーザ等で前記絶縁基板1に前記第1開口部101及び前記第2開口部102を形成した後、前記導電性薄膜をエッチング処理して前記配線2及び前記給電配線2’を形成し、前記給電配線2’から電流を印加して電気めっき法あるいは電解めっき法を用いて前記配線2の表面にめっき層(図示しない)を形成する方法がある。またこのとき、前記第1開口部101を分割する橋梁部1Aの幅は約150μmから500μmになるように形成する。
【0037】
次に、図7及び図8に示すように、前記絶縁基板1の配線2が形成された面上に弾性体(エラストマ)3を形成する。このとき、前記弾性体3は、図7及び図8に示したように、前記第1開口部101と平面的に重なる位置に開口部301が形成されており、前記第1開口部101を分割する橋梁部1Aと重なる位置に橋梁部3Aが設けられている。
【0038】
次に、図9(a)に示すように、前記弾性体3上に半導体チップ4を、外部電極401が前記弾性体3の開口部301内に位置するように接着する。このとき、前記半導体チップ4の外部電極401は、図3及び図9(a)に示したように前記半導体チップ4の中心線をはさんだ両側に線状に2列配列されており、それぞれの外部電極401の間隔は約600μm離れているものとする。またこのとき、前記絶縁基板1と前記半導体チップ4とは、前記絶縁基板1の第2開口部(ビア孔)102が設けられた領域上の弾性体3及び前記絶縁基板1の橋梁部1A上の弾性体3Aにより接着される。
【0039】
次に、図9(b)に示すように、ボンディングツールを用いて、前記配線2の各第1開口部101上を横断する部分を前記弾性体3の開口部301内に押し込んで前記半導体チップ4の外部電極401と電気的に接続する。このとき、前記配線2にはくぼみが設けられており、前記配線2を押し込むことにより前記配線2と前記給電配線2’が前記くぼみ部分で切断されてそれぞれが電気的に独立する。
【0040】
またこのとき、前記各第1開口部101を分割する橋梁部1Aは、前記弾性体3の橋梁部3Aを介在させて前記半導体チップ4と接着されているため、前記配線2を前記弾性体3の開口部301に押し込む際の応力で前記絶縁基板の橋梁部1Aが変形することがなく、前記配線2を確実に切断することができる。
【0041】
次に、前記各第1開口部101から、液状樹脂などの封止絶縁体6を流し込み、硬化させて前記配線2と前記外部電極401の接続部分を封止する。
【0042】
その後、前記絶縁基板1の第2開口部102上にボール端子5を接続し、前記絶縁基板1を所定位置で切断して個片化すると図1(a)、図1(b)に示したような半導体装置を得ることができる。
【0043】
以上説明したように、本実施例によれば、前記絶縁基板1の所定領域に設けられる前記第1開口部101を橋梁部1Aにより分割し、前記橋梁部1Aから前記第1開口部101をまたぎ、前記第1開口部101が形成された領域の外側の領域に延びる配線2を設けることにより、従来の図11(a)及び図12(a)に示したような半導体装置に比べ、前記第1開口部101をまたぐ前記配線2の数を増やすことができる。そのため、前記半導体装置の外部接続端子、配線が増加した時に前記配線基板が大型化することを防げる
。
【0044】
また、前記第1開口部101をまたぐ前記配線2の数を増やすことができるため、センターパッド型の半導体チップ4でも、前記外部電極401の数を容易に増加させることができる。そのため、例えば、電源端子やグランド端子のように高電圧が印加される電極の数を増加させて、前記半導体チップ4の動作を安定させたり、前記半導体チップ4を高密度、高機能化させたときに大型化することを防げる。
【0045】
また、本実施例では、前記絶縁基板1の橋梁部1A上に給電配線2’を設けて前記配線2を短絡させているが、これに限らず、前記給電配線2’を設けずに、前記各配線2を電気的に独立させた状態で形成してもよい。この場合は、無電解めっき法を用いて前記配線2の表面にめっき層を形成する。
【0046】
また、本実施例では、前記配線2を前記絶縁基板1の橋梁部1A上に設けた給電配線2’から切断して半導体チップ4の外部電極401と接続しているが、これに限らず、前記給電配線2’をグランド用の配線として用い、前記半導体チップ4の外部電極401を接続してもよい。
【0047】
図10は、前記実施例の半導体装置の変形例の概略構成を示す模式平面図である。
【0048】
前記実施例の半導体装置では、前記弾性体3の橋梁部3Aは、前記絶縁基板1の橋梁部1Aに沿って設けられているが、これに限らず、図10に示したように、前記絶縁基板1の橋梁部1Aと直交する方向に前記弾性体3の橋梁部3A’を設けてもよい。この場合、前記絶縁基板1の橋梁部1Aは部分的に、前記弾性体3によって支持されるが、前記弾性体3で支持することにより、前記図9(b)に示したように、前記配線2を変形、切断して前記半導体チップ4の外部電極401と接続する際に前記橋梁部1Aが変形することを防げる。
【0049】
また、前記実施例では、前記橋梁部3Aで分割された開口部301が形成された弾性体3を接着したが、これに限らず、例えば、前記絶縁基板1の第1開口部101が形成された領域の外側に平板状の第1弾性体を接着し、前記絶縁基板1の橋梁部1A上に、棒状(線状)の第2弾性体を接着してもよい。
【0050】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることはもちろんである。
【0051】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【0052】
(1)センターパッド型の半導体チップを搭載する配線基板(インターポーザ)において、前記配線基板上に設けられた配線の高密度化が容易である。
【0053】
(2)センターパッド型の半導体チップが実装された半導体装置において、前記半導体チップの外部電極の数を容易に増加させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による一実施例の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図1(a)は半導体装置の平面図、図1(b)は図1(a)の裏面図である。
【図2】本実施例の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図1(b)のA−A’線での断面図である。
【図3】本実施例の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図1(b)の部分拡大図である。
【図4】本実施例の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図3のB−B’線での断面図である。
【図5】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、一製造工程の平面図である。
【図6】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図5のC−C’線での断面図である。
【図7】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、一製造工程の平面図である。
【図8】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図7のD−D’線での断面図である。
【図9】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図9(a)及び図9(b)はそれぞれ、各製造工程での断面図である。
【図10】前記実施例の半導体装置の変形例の概略構成を示す模式断面図である。
【図11】従来の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図11(a)は半導体装置の平面図、図11(b)は図11(a)のE−E’線での断面図である。
【図12】従来の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図12(a)は図11(a)の部分拡大図、図12(b)は図12(a)のF−F’線での断面図である。
【符号の説明】
1 絶縁基板
101 第一開口部
102 第二開口部(ビア孔)
103 スプロケットホール
1A 絶縁基板の橋梁部
1’ 配線基板形成領域
2 配線
2’ めっき用の給電配線
3 弾性体(エラストマ)
301 弾性体の開口部
3A,3A’ 弾性体の開口部
4 半導体チップ
401 半導体チップの外部電極
5 ボール端子
6 封止絶縁体
Claims (4)
- フィルム状の絶縁基板の所定領域内に開口部を設け、前記絶縁基板の一主面上に、前記開口部をまたぎ、且つ前記開口部が設けられた領域の外側の領域に外部接続端子を有する配線を設け、前記絶縁基板の前記配線が設けられた面に弾性体(エラストマ)を設けた配線基板において、前記開口部は、所定位置に設けられた橋梁部により複数個に分割され、前記配線は、前記橋梁部上から前記分割された各開口部の夫々外側の領域へまたいで形成され、前記弾性体は、前記絶縁基板の開口部が設けられた領域と平面的に重なる位置に、前記絶縁基板に設けられた橋梁部と直交する方向に橋梁部を有する開口部が設けられていることを特徴とする配線基板。
- フィルム状の絶縁基板の所定領域内に、橋梁部により分割された複数個の開口部を形成し、前記絶縁基板の一主面上に導電性薄膜を形成し、前記導電性薄膜をエッチングして、前記橋梁部上から前記分割された各開口部をまたぎ、且つ前記開口部が形成された領域の外側の領域に外部接続端子を有し、最終的に前記各開口部上で切断される配線を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
- 前記請求項2に記載の配線基板の製造方法において、前記配線を形成した後、前記絶縁基板の配線形成面の、前記絶縁基板の前記開口部が形成された領域の外側の領域及び前記橋梁部上に弾性体(エラストマ)を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
- 前記請求項3に記載の配線基板の製造方法において、前記絶縁基板の配線形成面の、前記開口部が形成された領域の外側の領域に第1弾性体を形成し、前記橋梁部に第2弾性体を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
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