JPH11297740A - 半導体チップが実装されるキャリアテープ、および半導体装置 - Google Patents

半導体チップが実装されるキャリアテープ、および半導体装置

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JPH11297740A
JPH11297740A JP10095597A JP9559798A JPH11297740A JP H11297740 A JPH11297740 A JP H11297740A JP 10095597 A JP10095597 A JP 10095597A JP 9559798 A JP9559798 A JP 9559798A JP H11297740 A JPH11297740 A JP H11297740A
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carrier tape
resin
wiring pattern
semiconductor chip
portions
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Tadahiro Morifuji
忠洋 森藤
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Rohm Co Ltd
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    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造の際の樹脂パッケージからのキャリアテ
ープの剥離をなくすとともに、製品のショートを回避
し、良好に樹脂パッケージを行うことができる技術を提
供する。 【解決手段】 長尺帯状とされ、所定の配線パターン２
０が形成された領域が所定のピッチで繰り返し形成され
ているとともに、それぞれの配線パターン形成領域に半
導体チップ３が実装され、かつ、上記各配線パターン２
０が複数の個別配線部２０Ａを有するキャリアテープ２
Ａにおいて、上記各個別配線部２０Ａは、上記半導体チ
ップ３と導通接続するためのワイヤ６の一端部が接続さ
れるボンディングパッド部２０ａと、このボンディング
パッド部２０ａから上記配線パターン形成領域の外縁ま
で延びるリード部２０ｂとを有し、かつ、上記各リード
部２０ｂを絶縁性を有する樹脂によって覆った。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、長尺帯状とさ
れ、所定の配線パターンが形成された領域が所定のピッ
チで繰り返し形成されているとともに、それぞれの配線
パターン形成領域に半導体チップが実装されるキャリア
テープ、および半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年における半導体装置の小型化の要請
から、パッケージサイズをチップサイズにより近づけた
ＣＰＳ（Chip Size Package ）型の半導体装置の開発が
盛んに行われている。たとえば、いわゆるＢＧＡ（Ball
Grid Array ）型として構成された従来のＣＰＳ型の半
導体装置としては図９および図１０に示すようなものが
ある。
【０００３】すなわち、上記半導体装置１は、複数の個
別配線部を有する配線パターン２０が形成された基板２
と、この基板２に実装されるとともに上記各個別配線部
２０Ａとワイヤ６を介して導通接続される半導体チップ
３と、を備え、上記半導体チップ３および上記ワイヤ６
を封止するようにして樹脂パッケージ５が施されてい
る。上記基板２の中央部には、複数の貫通孔２４が形成
されているとともに、これらの貫通孔２４が格子状に配
列されており、上記各個別配線部２０Ａが上記各貫通孔
２４とそれぞれ繋げられている。そして、上記各個別配
線部２０Ａは、上記各貫通孔２４を介して外部端子部４
としてのハンダボールと接続されている。また、上記貫
通孔２４が形成された領域（半導体チップが実装される
領域）には、絶縁性を有する樹脂などによって保護膜２
３Ｂが形成されている。
【０００４】このように構成された半導体装置１は、複
数の個別配線部２０Ａを有する配線パターンが形成され
た領域が、一定ピッチ毎に繰り返し形成されたキャリア
テープを用いて製造される。すなわち、配線パターン形
成領域に半導体チップ３を実装し、この半導体チップ３
と上記各個別配線部２０Ａとをワイヤ６によって導通接
続した後に、上記半導体チップ３ないしワイヤ６を樹脂
パッケージングし、樹脂パッケージ５が施された部分を
上記キャリアテープから切り離すことによって形成され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記キ
ャリアテープから半導体装置１を切り離す場合には、上
記樹脂パッケージ５を損傷させないように、上記樹脂パ
ッケージサイズに対して上記基板２が余裕をもった大き
さとなるようにして切断される。すなわち、図９および
図１１に良く表れているように、上記半導体装置１で
は、上記基板２が上記樹脂パッケージ５の外縁からはみ
出した恰好とされている。上記基板２においては、貫通
孔２４が形成された中央部のみに保護膜２３Ｂが形成さ
れているので、上記基板２がはみ出した領域には、保護
膜２３Ｂが形成されていない。この領域には、上記各個
別配線部２０Ａの一端部が延出形成されているため、上
記構成の半導体装置１では上記各個別配線部２０Ａの一
端部が剥き出しとされている。このため、図１１に示し
たように、基板２がはみ出した領域に異物が付着した場
合には、各個別配線部２０Ａが導通してしまうことがあ
り、このことに起因して上記半導体装置１がショートし
てしまうことがある。
【０００６】また、上述したように、上記キャリアテー
プにおいては、半導体チップ３が実装される領域の周り
には保護膜２３Ａが形成されておらず上記各個別配線部
２０Ａが剥き出しとされているので、パッケージ樹脂と
上記キャリアテープ２Ａとの接合性がそれほどよくな
い。したがって、金型内に溶融樹脂を注入して樹脂パッ
ケージ５を形成し、金型から取り外す場合や、上記キャ
リアテープから製品を切り離す場合などには、上記基板
２となるべき配線パターン形成領域が上記樹脂パッケー
ジ５から剥離してしまうことがある。しかも、上記キャ
リアテープが上記樹脂パッケージ５から剥離される際の
引っ張り応力によって、上記各個別配線部２０Ａがショ
ートしてしまうこともある。
【０００７】さらに、上記各個別配線部２０Ａは、その
厚みが数十μｍ程度、もしくはそれ以上とされているた
め、保護膜２３Ａが形成されていない配線パターンの周
縁部においては、上記各個別配線部２０Ａによって凹凸
が形成されることとなる。この領域は、樹脂パッケージ
５を形成する際に使用される上下の金型によって挟持さ
れる部位であるため、上記キャリアテープを各金型によ
って挟持した状態では、図１２に良く表れているように
上記各金型７Ａ，７Ｂ間に隙間７１が形成されてしま
う。このような状態で、上記各金型７Ａ，７Ｂによって
形成されるキャビテイ空間７０に溶融樹脂を注入すれ
ば、上記した隙間７１から樹脂が漏れだし、外形不良や
バリの原因となってしまう。しかも、製品を得るべく上
記キャリアテープ２Ａを切断するために、バリが形成さ
れた部分を切断する必要性が生じるため、キャリアテー
プ２Ａを切断する刃の寿命が短くなってしまうといった
不具合も生じる。
【０００８】本願発明は、上記した事情のもとで考え出
されたものであって、製造の際の樹脂パッケージからの
キャリアテープの剥離をなくすとともに、製品のショー
トを回避し、良好に樹脂パッケージを行うことができる
技術を提供することをその課題としている。
【０００９】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
【００１０】すなわち、本願発明の第１の側面より提供
されるキャリアテープは、長尺帯状とされ、所定の配線
パターンが形成された領域が所定のピッチで繰り返し形
成されているとともに、それぞれの配線パターン形成領
域に半導体チップが実装され、かつ、上記各配線パター
ンが複数の個別配線部を有するキャリアテープであっ
て、上記各個別配線部は、上記半導体チップと導通接続
するためのワイヤの一端部が接続されるボンディングパ
ッド部と、このボンディングパッド部から上記配線パタ
ーン形成領域の外縁まで延びるリード部とを有し、か
つ、上記各リード部が絶縁性を有する樹脂によって覆わ
れていることを特徴としている。
【００１１】上述したように、従来においては、上記各
リード部が剥き出しにされていたために、キャリアテー
プに半導体チップを実装して樹脂パッケージを形成した
場合には、上記樹脂パッケージと上記キャリアテープと
の接合性が悪いといった欠点があった。本願発明では、
上記各個別配線部のリード部が絶縁性を有する樹脂によ
って覆われているため、上記配線パターン形成領域の周
縁部において上記各リード部が剥き出しにされているこ
とはない。上記キャリアテープがポリイミドなどの樹脂
製であることから、結局、本願発明では、上記配線パタ
ーン形成領域の周縁部領域の表面が樹脂面となる。この
ため、上記キャリアテープにおける樹脂パッケージとの
接合部分となる領域の表面が樹脂面となるため、上記キ
ャリアテープと上記樹脂パッケージとの間の接合性が改
善される。
【００１２】したがって、本願発明では、金型によって
形成されたキャビテイ空間内に溶融樹脂を注入して樹脂
パッケージを形成し、樹脂硬化後に金型を取り外す場合
や、上記キャリアテープから上記樹脂パッケージが施さ
れた部分を製品として切り離す場合などには、上記基板
となるべき上記キャリアテープの配線パターン形成領域
が上記樹脂パッケージから剥離してしまう可能性が格段
に低減する。これにより、上記キャリアテープ（配線パ
ターン形成領域）に対して剥離による引っ張り応力が低
減され、上記各個別配線部がショートしてしまう可能性
も低くなる。
【００１３】また、上記キャリアテープによって製造さ
れた半導体装置では、たとえ上記樹脂パッケージサイズ
に対して余裕をもったサイズに上記キャリアテープを切
断して基板を形成したとしても、すなわち上記樹脂パッ
ケージからはみ出すようにして上記基板を形成したとし
ても、はみ出し部分の個別配線部が絶縁性を有する樹脂
によって覆われているので、この部分に異物が付着して
個別配線部がショートしてしまうこともない。
【００１４】好ましい実施の形態においては、上記配線
パターン形成領域の外縁部領域には、上記各リード部を
覆うようにして絶縁性を有する樹脂によって被膜層が形
成されている。
【００１５】上記キャリアテープでは、上記各リード部
を含む上記配線パターン形成領域の外縁部領域が絶縁性
を有する樹脂によって覆われている。言い換えれば、上
記各リード部ばかりでなく、隣り合う各リード部の間の
領域も覆われている。すなわち、上記被膜層を形成する
ことによって、隣り合うリード部間に形成された凹部が
埋められるような恰好とされ、上記配線パターン形成領
域の外縁部領域の凹凸が低減されることとなる。この領
域は、樹脂パッケージを施す際に使用される金型によっ
て挟持される部位であるが、この領域の凹凸が低減され
た場合には上記キャリアテープを上下の金型によって挟
持した状態において形成される隙間が従来と比べて小さ
くなる。このため、樹脂パッケージを形成すべく上記各
金型によって形成されるキャビテイ空間に溶融樹脂を注
入したとしても、注入された樹脂が漏れにくくなる。し
かも、注入される樹脂は、エポキシ樹脂など溶融樹脂で
あり、比較的に粘性が高くために、小さい隙間からは樹
脂漏れが生じにくい。したがって、上記キャリアテープ
では、樹脂パッケージの際に、上記キャビテイ空間内に
溶融樹脂を注入したとしても、注入樹脂が漏れだす可能
性が低く、外形不良が生じたり、バリが発生するなどの
不具合が生じにくい。
【００１６】好ましい実施の形態においてはさらに、上
記配線パターン形成領域には、上記ボンディングパッド
部を除いて上記被膜層が形成されている。
【００１７】ところで、従来例の半導体装置において
は、基板における貫通孔形成領域に保護膜が形成されて
いたが、上記被膜層は上記保護膜と同時に形成すること
ができる。すなわち、上記保護膜も絶縁性を有する樹脂
によって形成されているため、別途の工程によって上記
被膜層を形成する必要はなく、従来より必要とされる工
程において上記保護膜を形成する領域を拡大するような
恰好で上記被膜層を形成することができる。このため、
上記被膜層を形成するに当たって、さほどコストアップ
を招来することはない。
【００１８】なお、絶縁性を有する樹脂としては、エポ
キシ系の樹脂などが好適に採用される。上記樹脂パッケ
ージは、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂によって形成
されるため、これと同じ樹脂によって上記被膜層を形成
すれば、この被膜層と樹脂パッケージとの馴染みがよ
く、上記キャリアテープと上記樹脂パッケージとの接合
性を高めることができるようになる。
【００１９】本願発明の第２の側面によって提供される
半導体装置は、複数の個別配線部を有する配線パターン
が形成された基板と、この基板に実装される半導体チッ
プと、この半導体チップと上記各個別配線部を導通接続
するワイヤと、上記半導体チップおよびワイヤを封止す
る樹脂パッケージとを備え、かつ、上記各個別配線部
が、上記ワイヤが接続されるボンディングパッド部と、
このボンディングパッド部から上記基板の端縁まで延び
るリード部を有する半導体装置であって、少なくとも上
記リード部が絶縁性を有する樹脂によって覆われている
ことを特徴としている。
【００２０】上記半導体装置では、上記リード部が絶縁
性樹脂によって覆われているため、上記基板の周縁部が
上記樹脂パッケージからはみ出すようにして接合されて
いるとしても、上記個別配線部が剥き出しにされている
ようなことがない。このため、基板がはみ出した部分に
異物が付着したとしても、これによって上記個別配線部
がショートしてしまうこともない。
【００２１】好ましい実施の形態においては、上記基板
の中央部には、複数個の貫通孔が格子状に配列形成され
ているとともに、上記各個別配線部が上記各貫通孔とそ
れぞれ繋げられており、上記各貫通孔を介して上記各個
別配線部がボール状とされた外部端子部と接続されてい
る。
【００２２】すなわち、本願発明の技術思想は、いわゆ
るＢＧＡ型の半導体装置に好適に採用することができ、
また外部端子部が基板の裏面側に形成されているので、
半導体装置の小型化の要請に応えることができる。
【００２３】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を、図面を参照して具体的に説明する。
【００２５】図１は本願発明に係る半導体装置の一例を
表す全体斜視図であり、図２は上記半導体装置の裏面斜
視図であり、図３は図１のIII −III 線に沿う断面図で
あり、図４は上記半導体装置の基板の全体斜視図であ
り、図５は上記半導体装置の要部拡大図である。なお、
従来例を説明するために参照した図面に描かれている部
材または要素と同等のものには同一の符号を付してあ
る。
【００２６】図１ないし図３に示すように、上記半導体
装置１は、配線パターン２０が形成された基板２と、こ
の基板２に実装される半導体チップ３と、この半導体チ
ップ３と上記配線パターン２０とを導通接続するワイヤ
６と、上記半導体チップ３およびワイヤ６を封止する樹
脂パッケージ５とを備えて大略構成されている。なお、
上記半導体装置１は、樹脂パッケージ５のサイズを半導
体チップ３のサイズにより近づけたＣＳＰ（Chip Size
Package ）型の形態に属するものであり、いわゆるＢＧ
Ａ（Ball Grid Array ）型と称されるものである。
【００２７】図４に良く表れているように、上記基板２
は、絶縁性を有するポリイミドなどの樹脂フイルムによ
って矩形状に形成されているとともに、その中央部には
複数の貫通孔２４が形成されている。そして、上記基板
２の表面２１には、複数の個別配線部２０Ａを有する配
線パターン２０が形成されており、これらの個別配線部
２０Ａは、銅などの金属によって形成され、金などによ
ってメッキが施された構成とされている。
【００２８】上記各個別配線部２０Ａは、上記ワイヤ６
の一端部が圧着されるボンディングパッド部２０ａと、
このボンディングパッド部２０ａから上記基板２の周縁
端にまで延びるリード部２０ｂと、上記ボンディングパ
ッド部２０ａから対応する上記貫通孔２４まで延びる端
子部２０ｃとを有している。そして、上記貫通孔２４
は、上記各端子部２０ｃによって閉塞されており、上記
基板２の裏面２２側からは上記貫通孔２４を介して上記
端子部２０ｃが臨んでいる。
【００２９】また、上記基板２の表面２１には、上記ボ
ンディングパッド部２０ａが臨むようにして被膜層２３
が形成されている。この被膜層２３は、たとえば感光性
樹脂によってフォトレジストを形成した後にエッチング
処理を施すことによって形成され、あるいはエポキシ樹
脂などの絶縁性を有する樹脂によって形成されている。
なお、後述するように、上記半導体装置１の樹脂パッケ
ージ５がエポキシ樹脂などによって形成されるため、こ
れと同じ樹脂であるエポキシ樹脂などが好適に採用され
る。
【００３０】図３に示すように、上記半導体チップ３
は、その上面３ａに複数の電極パッド３０が形成されて
おり、上記基板２の貫通孔２４が形成された領域にエポ
キシ樹脂などの接着剤７を介して搭載されている。ま
た、各電極パット３０は、上記個別配線部２０Ａの各ボ
ンディングパッド２０ｃとワイヤ６を介して連結され、
上記各個別配線部２０Ａと上記半導体チップ３との電気
的な導通が図られている。なお、上記半導体チップ３と
しては、たとえばＩＣやＬＳＩなどのベアチップが用い
られる。
【００３１】図２および図３に示すように、上記基板２
の裏面２２には、上記各貫通孔２４に対応して複数の外
部端子部４が格子状に配列形成されている。これらの外
部端子部４は、たとえばハンダなどによってボール状に
形成されているが、上記各個別配線部２０Ａの端子部２
０ｃとは上記各貫通孔２４を介して導通されており、結
局、上記外部端子部４と上記半導体チップ３とが導通さ
れている。
【００３２】図１ないし図３に示すように、上記樹脂パ
ッケージ５は、上記半導体チップ３およびワイヤ６を封
止するようにして、かつ上記基板２に接合されるように
して形成されているのであるが、上記樹脂パッケージ５
は、たとえばエポキシ樹脂を用いた金型成形によって形
成されている。
【００３３】つぎに、上記半導体装置１の製造に用いら
れる本願発明に係るキャリアテープの一例について図６
および図７を参照して簡単に説明していく。なお、図６
は、配線パターンなどの導電部分を明確にするために被
膜層が形成されていない状態でのキャリアテープの要部
を表した斜視図であり、図７は、上記被膜層が形成され
た状態でのキャリアテープの要部斜視図である。
【００３４】図６に良く表れているように、上記キャリ
アテープ２Ａは、ポリイミド樹脂などによって長尺帯状
に形成されており、その幅方向の両端部には一定間隔毎
に係止穴２ａがそれぞれ連続して設けられている。すな
わち、爪付きローラなどの回転体の爪部が、上記係止穴
２ａに係止されるとともに、上記回転体が回転すること
によって上記キャリアテープ２Ａが連続または間欠送り
されるようになされている。
【００３５】また、上記キャリアテープ２Ａの表面に
は、複数の矩形枠部２１ａが連続して形成されており、
各矩形枠部２１ａは上記キャリアテープ２Ａの幅方向に
両端部において長手方向に延びるコモン部２ｂに繋げら
れている。また、上記矩形枠部２１ａで囲まれる領域に
は、複数の貫通孔２４が形成されているとともに、配線
パターン２０が形成されている。すなわち、上記矩形枠
部２１ａによって囲まれる領域が配線パターン形成領域
とされており、この配線パターン形成領域が上記キャリ
アテープ２Ａの表面に一定ピッチ毎に繰り返し形成され
ている。
【００３６】上記配線パターン２０は、複数の個別配線
部２０Ａからなり、この個別配線部２０Ａは、後述する
ワイヤが圧着されるボンディングパッド部２０ａと、こ
のボンディングパッド部２０ａから上記矩形枠部２１ａ
にまで連続して延びるリード部２０ｂと、上記ボンディ
ングパッド部２０ａから対応する上記貫通孔２４にまで
延びる端子部２０ｃとを有している。
【００３７】上記各矩形枠部２１ａ、コモン部２ｂ、お
よび上記配線パターン２０は、たとえば銅などの金属に
よって形成されて導電部とされているが、その表面の酸
化などを防止すべく金メッキが施されている。なお、銅
などの導電部は、たとえば上記キャリアテープ２Ａの表
面にエポキシなどの接着剤を用いて銅箔を貼着して、こ
れをエッチング処理を施すことによって形成される。一
方、上記金メッキは、電解液の中に上記キャリアテープ
２Ａを漬け込み、上記導電部を通電することによって行
われえる。なお、上記キャリアテープ２Ａでは、コモン
部２ｂが上記矩形枠部２１ａおよび上記配線パターン２
０と繋げられているので、上記コモン部２ｂから通電さ
れて金メッキが施される。
【００３８】図７に示すように、上記各配線パターン形
成領域には、上記個別配線部２０Ａのボンディングパッ
ド部２０ａが臨むようにして被膜層２３Ａが形成されて
いる（図７に網かけ線を施した領域）。もちろん、この
被膜層２３Ａは、上記各配線パターン２０などの導電部
が形成された後に形成されるのであるが、被膜層２３Ａ
を形成する際の便宜を考慮して、各配線パターン形成領
域毎に形成するのではなく、各領域の被膜層２３Ａが連
続した状態で、しかも同時に形成するのが好ましい。こ
のような被膜層２３Ａの形成は、従来のキャリアテープ
において半導体チップの実装領域の酸化などを回避する
目的に採用されていた保護膜と同様な方法によって形成
することができる。言い換えれば、上記キャリアテープ
２Ａにおいては、半導体チップ３が実装されるべき領域
にも上記被膜層２３Ａが形成されているので、実質的に
は上記保護膜が上記被膜層２３Ａと同時に形成されてい
ることになる。
【００３９】また、上記キャリアテープ２Ａの表面に
は、配線パターン２０が形成されて、凹凸を有する状態
とされているが、上記被膜層２３Ａを形成することによ
って、その凹凸が低減されている。すなわち、上記配線
パターン２０などが形成されていない領域は、上記配線
パターン２０などと比較すれば凹んだ状態とされている
が、上記被膜層２３Ａを形成することによって、凹んだ
部位が埋められて凹凸具合が低減される。なお、上記被
膜層２３Ａは、たとえば感光性樹脂やエポキシ樹脂など
の絶縁性を有する樹脂によって形成されるが、後述する
ように、上記キャリアテープ２Ａに実装される半導体チ
ップがエポキシ樹脂などによって封止されるので、この
封止樹脂と同じ樹脂を選択するのが好ましい。
【００４０】上記のように構成されたキャリアテープ２
Ａでは、上記各ボンディングパッド部２０ａによって囲
まれた領域内に半導体チップが実装され、この半導体チ
ップの上面に形成された電極パッドが上記ボンディング
パッド部２０ａとワイヤを介して接続されて電気的に導
通が図られる。
【００４１】そして、半導体チップが実装され、ワイヤ
ボンディングが施されたキャリアテープ２Ａは、図８に
示したように、上下の金型７Ａ，７Ｂによって形成され
るキャビテイ空間７０の内部に、上記矩形枠部２１ａに
よって囲まれる領域よりもやや狭い領域ないし上記半導
体チップ３を収容するようにして挟持される。このと
き、従来のキャリアテープであれば、図１２を参照して
説明したように隣り合うリード部２０ｂ間において隙間
が形成されるのであるが、本実施形態のキャリアテープ
２Ａでは、図８に良く表れているように上記被膜層２３
Ａを形成することによって上記キャリアテープ２Ａの凹
凸が低減されているので、上記各金型７Ａ，７Ｂ間に形
成されるの隙間が小さくなっている。このため、上記キ
ャビテイ空間７０内に溶融樹脂を注入したとしても、上
記した隙間から樹脂が漏れにくく、しかも、エポキシ樹
脂などは溶融状態において比較的に粘性が高いため、隙
間が小さければなおのこと注入樹脂が漏れにくい。した
がって、上記キャリアテープ２Ａでは、樹脂パッケージ
ングを行う際の樹脂漏れを回避することができるため、
製品の外形不良が生じたり、バリが発生するなどの不具
合が生じにくい。
【００４２】そして、注入樹脂が硬化した後に上記各金
型７Ａ，７Ｂを型開きすることによって樹脂パッケージ
５が形成されるのであるが、上記キャリアテープ２Ａの
表面にエポキシ樹脂などの被膜層２３Ａが形成されてい
るので、上記樹脂パッケージ５と上記キャリアテープ２
Ａとが良好に接合されていることとなる。このため、上
記各金型７Ａ，７Ｂを型開きした際に、上記樹脂パッケ
ージ５から上記キャリアテープ２Ａを引き剥がすように
して作用する引っ張り応力が緩和され、上記キャリアテ
ープ２Ａと上記樹脂パッケージ５とが良好に接合された
状態が良好に維持される。したがって、本実施形態で
は、上記キャリアテープ２Ａが上記樹脂パッケージ５か
ら剥がされてしまう可能性は少ない。また、これによっ
て、樹脂パッケージング工程にいおいて、上記キャリア
テープ２Ａに大きな引っ張り応力が作用して上記個別配
線部２０Ａがショートしてしまう可能性も低くなる。
【００４３】このようにして樹脂パッケージが形成され
たキャリアテープ２Ａは、上記樹脂パッケージ５を損傷
させないように、上記樹脂パッケージサイズよりも若干
大きなサイズに切断され、図１ないし４を参照して説明
した半導体装置１が得られる。上述したように、上記被
膜層２３Ａが形成されることによって上記キャリアテー
プ２Ａが上記樹脂パッケージ５と良好に接合されている
ので、上記キャリアテープ２Ａを切断する際に応力によ
って上記キャリアテープ２Ａが上記樹脂パッケージ５か
ら剥がされる可能性が少ない。したがって、上記キャリ
アテープ２Ａを切断する工程においても、上記キャリア
テープ２Ａが引き剥がされることに起因して上記個別配
線部２０Ａがショートしてしまう可能性も低くなる。
【００４４】このようにして形成された半導体装置１
は、上記基板２が上記樹脂パッケージサイズよりも大き
なサイズに形成されるので、図１および図３に良く表れ
ているように上記基板２の周縁部が上記樹脂パッケージ
５からはみ出している。このため、上記基板２がはみ出
した領域に異物が付着した場合には、上記個別配線部２
０Ａがショートしてしまうことが懸念される。ところ
が、上記基板２には、上記個別配線部２０Ａのボンディ
ングパッド部２０ａを除いて上記被膜層２３が形成され
ているので、上記個別端子部２０Ａのリード部２０ｂが
剥き出しにされていることはない。すなわち、図５に良
く表れているように、上記基板２のはみ出し部のリード
部２０ｂが上記被膜層２３によって覆われているので、
異物が付着して上記個別配線部２０Ａがショートしてし
まうことはない。
【００４５】なお、本願発明では、上記キャリアテープ
２Ａの配線パターン形成領域に上記被膜層２３Ａが形成
されていたが、上記個別配線部２０Ａのリード部２０ｂ
のみを絶縁性を有する樹脂によって覆ってもよいし、上
記配線パターン形成領域の周縁部領域のみを覆うように
構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明に係る半導体装置の一例を表す全体斜
視図である。
【図２】上記半導体装置の裏面斜視図である。
【図３】図１のIII −III 線に沿う断面図である。
【図４】上記半導体装置の基板の全体斜視図である。
【図５】上記半導体装置の要部拡大図である。
【図６】本願発明に係るキャリアテープの被膜層が形成
される前の状態を表す斜視図である。
【図７】本願発明に係るキャリアテープの一例を表す斜
視図である。
【図８】半導体チップを実装した上記キャリアテープを
樹脂パッケージングするために金型で挟持した状態を表
す断面図である。
【図９】従来例に係る半導体装置の一例を表す断面図で
ある。
【図１０】上記半導体装置の基板を表す斜視図である。
【図１１】上記半導体装置の要部拡大図である。
【図１２】上記半導体装置を製造するために金型で挟持
した状態を表す断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体装置 ２ 基板 ２Ａ キャリアテープ ３ 半導体チップ ４ 外部端子部 ５ 樹脂パッケージ ６ ワイヤ ２０ 配線パターン ２０Ａ 個別配線部 ２０ａ ボンディングパッド部 ２０ｂ リード部 ２０ｃ 端子部

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 長尺帯状とされ、所定の配線パターンが
    形成された領域が所定のピッチで繰り返し形成されてい
    るとともに、それぞれの配線パターン形成領域に半導体
    チップが実装され、かつ、上記各配線パターンが複数の
    個別配線部を有するキャリアテープであって、 上記各個別配線部は、上記半導体チップと導通接続する
    ためのワイヤの一端部が接続されるボンディングパッド
    部と、このボンディングパッド部から上記配線パターン
    形成領域の外縁まで延びるリード部とを有し、かつ、 上記各リード部が絶縁性を有する樹脂によって覆われて
    いることを特徴とする、キャリアテープ。
  2. 【請求項２】 上記配線パターン形成領域の外縁部領域
    には、上記各リード部を覆うようにして絶縁性を有する
    樹脂によって被膜層が形成されている、請求項１に記載
    のキャリアテープ。
  3. 【請求項３】 上記配線パターン形成領域には、上記ボ
    ンディングパッド部を除いて上記被膜層が形成されてい
    る、請求項１または２に記載のキャリアテープ。
  4. 【請求項４】 上記樹脂は、エポキシ系の樹脂である、
    請求項１ないし３のいずれかに記載のキャリアテープ。
  5. 【請求項５】 複数の個別配線部を有する配線パターン
    が形成された基板と、この基板に実装される半導体チッ
    プと、この半導体チップと上記各個別配線部を導通接続
    するワイヤと、上記半導体チップおよびワイヤを封止す
    る樹脂パッケージとを備え、かつ、上記各個別配線部
    が、上記ワイヤが接続されるボンディングパッド部と、
    このボンディングパッド部から上記基板の端縁まで延び
    るリード部を有する半導体装置であって、 少なくとも上記リード部が絶縁性を有する樹脂によって
    覆われていることを特徴とする、半導体装置。
  6. 【請求項６】 上記基板の中央部には、複数個の貫通孔
    が格子状に配列形成されているとともに、上記各個別配
    線部が上記各貫通孔とそれぞれ繋げられており、上記各
    貫通孔を介して上記各個別配線部がボール状とされた外
    部端子部と接続されている、請求項５に記載の半導体装
    置。
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