JP3820991B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、配線基板上に弾性体を介在させて半導体チップを接着し、前記配線基板及び前記弾性体に設けられた開口部内で配線と半導体チップの外部電極とを接続した半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、配線基板(インターポーザ)上に半導体チップを実装した半導体装置には、前記配線基板上に、絶縁性の弾性体(エラストマー)を介在させて前記半導体チップを接着した半導体装置がある。
【0003】
前記弾性体を介在させて前記半導体チップを接着した半導体装置は、図13(a)に示すように、所定位置が開口された絶縁基板1の表面に、前記開口部1Aに突出する配線2が設けられた配線基板を設け、前記配線基板上に、前記絶縁基板1の開口部1Aと重なる位置が開口された前記弾性体3を設け、前記弾性体3上に前記半導体チップ4を設け、前記配線2の前記開口部1A内に突出した部分を変形させて前記半導体チップの外部電極401と電気的に接続している。
【0004】
また、前記半導体装置は、図13(a)に示したように、前記絶縁基板1の開口部1A及び前記弾性体3の開口部内、ならびに前記半導体チップ4の側面部を絶縁体5で封止している。
【0005】
図13(a)に示したような半導体装置の場合、前記絶縁体5は、熱硬化性樹脂を塗布あるいはポッティングして硬化させて形成しており、前記半導体装置の非回路形成面、言い換えると、前記外部電極401が設けられた面の裏面4Aが露出していることが多い。そのため、前記半導体装置を実装基板等に実装する際に、前記半導体チップの露出面4Aに傷が付いたり、欠けたりしやすい。そこで、近年では、図13(b)に示すように、前記半導体チップ4全体を前記絶縁体5で封止した半導体装置が製造されている。
【0006】
前記図13(b)に示したような半導体装置の製造方法を簡単に説明すると、まず、図14に示すように、テープ状の絶縁基板1の所定位置に第1開口部1A及び第2開口部1Bが形成され、前記絶縁基板1の表面に、前記第1開口部1A上に突出する配線2が形成された配線基板を形成する。
【0007】
このとき、前記絶縁基板1には、例えば、金型を用いた打ち抜き加工により、図14に示したように、半導体チップの外部電極と配線を接続する部分の第1開口部1Aと、ボール状端子などの外部接続端子を形成する部分の第2開口部1Bを形成する。また、前記配線2は、前記第1開口部1A及び前記第2開口部1Bを形成した絶縁基板1の表面に銅箔を接着した後、前記銅箔をエッチングして形成する。
【0008】
また、前記配線2は、後の工程で、前記配線2を変形させて前記半導体チップの外部電極と接続するので、図14に示したように、前記配線を切れやすくするためのノッチ2Aを設けておく。
【0009】
また、前記絶縁基板1は、図14では省略しているが、例えば、ポリイミドテープ等の一方向に長尺なテープ状であり、前記絶縁基板1の全域に渡って、図14に示した領域L1内のパターンが繰り返し形成されている。またこのとき、前記第1開口部1A及び第2開口部1B、ならびに前記配線2は、リールツーリール(reel to reel)方式で形成する。
【0010】
また、前記第1開口部1A及び第2開口部1B、ならびに前記配線2は、前記手順に限らず、例えば、銅箔を絶縁基板1上に接着した後、あるいは、絶縁基板1の表面に無電解めっきやスパッタリング等で導電性薄膜を形成した後、例えば、炭酸ガスレーザなどを用いたレーザ加工により前記第1開口部1A及び前記第2開口部1Bを形成し、前記銅箔あるいは導電性薄膜をエッチングして前記配線2を形成する方法もある。
【0011】
次に、図15に示すように、例えば、前記配線基板の前記配線2が形成された面に、前記絶縁基板1の第1開口部1Aと重なる位置が開口された絶縁性の弾性体3を配置する。図示は省略するが、前記弾性体3には、例えば、フッ素系化合物などの多孔質材料からなる弾性体の表面及び裏面に、熱硬化性樹脂等の接着材を設けた3層構造のものを用いる。
【0012】
次に、図16(a)に示すように、前記弾性体3上に半導体チップ4を配置し、前記配線基板(絶縁基板1)と前記半導体チップ4を接着する。このとき、前記半導体チップ4は、図16(a)に示したように、前記半導体チップの外部電極401が、前記弾性体3の開口部3A内にあり、前記配線2の前記第1開口部1Aに突出した部分と重なるように位置合わせをして接着する。
【0013】
次に、図16(b)に示すように、前記配線2と前記半導体チップの外部電極401とを電気的に接続する。このとき、例えば、ボンディングツール7を用いて前記配線2に荷重をかけることにより、前記配線2は、図14に示したノッチ2A部分で切断される。その後、前記ボンディングツール7により前記配線2を変形させ、前記半導体チップの外部電極401と接続する。
【0014】
次に、トランスファモールドにより前記弾性体3及び前記絶縁基板1の開口部内、ならびに前記半導体チップ4の周囲を絶縁体で封止する。前記トランスファモールドは、図17、図18、及び図19に示したように、前記配線基板の、前記半導体チップ4を接着した面に上金型8を配置し、前記配線基板の、前記半導体チップ4を接着した面の裏面に下金型9を配置して、前記上金型8に設けられた、前記半導体チップ4及び前記弾性体3を収容する空間(キャビティ)8A、及び前記弾性体3の開口部3A、ならびに前記絶縁基板1の開口部1A内に、流動性が高い状態の絶縁体(熱硬化性樹脂)5を流し込んで成形した後、前記成形した絶縁体5を加熱して完全硬化させる。
【0015】
このとき、前記絶縁基板1の第2開口部1Bに前記絶縁体5が流れ込むと、外部接続端子を形成したときの導通不良の原因となるため、前記下金型9は、図18及び図19に示したように、平板状の金型を用いて、前記絶縁基板1と密着させ、前記第1開口部1Aから絶縁体(樹脂)5が漏れないようにする。
【0016】
次に、図示は省略するが、前記絶縁基板の第2開口部1Bに、はんだ接合材を用いたボール状端子(外部接続端子)6を形成し、図20に示すように、前記絶縁基板1上の領域L1を切断して個片化すると、図13(b)に示したような半導体装置が得られる。
【0017】
また、図13(b)に示したような半導体装置の場合、個片化する際に、図20に示したように、前記弾性体3の外側、すなわち、前記絶縁基板1及び前記絶縁体5を切断すると、前記弾性体3の周囲が前記絶縁体5で覆われてしまい、前記弾性体3の内部に残留した水分の逃げ場がなくなり、前記弾性体3の剥離や、前記配線2の腐食等の原因になる。そのため、近年では、例えば、図21に示すように、前記弾性体3の外周部に、個片化する領域L1の外側に突出する部分301を設けておき、前記絶縁体5で封止した後、前記絶縁基板1及び前記絶縁体5、ならびに前記弾性体の突出部301を切断し、前記弾性体3の一部を前記絶縁体5の表面に露出される方法が提案されている。この場合、前記弾性体3の内部に残留した水分が前記露出面から半導体装置の外部に放出されるため、残留水分による弾性体3の剥離や配線2の腐食を防ぐことができる。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の技術では、図13(b)に示したように、トランスファモールドにより前記半導体チップ4全体を絶縁体5で封止すると、例えば、図22(a)に示すように、前記半導体チップの非回路形成面4A上の絶縁体502が収縮したときに、前記半導体チップ4の側面部分の絶縁体が引っ張られ、前記配線基板(絶縁基板1)を外側に引っ張るような力が働き、前記配線基板が反るという問題があった。
【0019】
また、図13(b)に示した半導体装置のように、前記絶縁基板1の第1開口部1Aの端面が露出していると、前記絶縁基板1を外側に引っ張るような力が働いたときに、図22(b)に示すように、前記第1開口部1Aの端面が前記絶縁体501から剥がれやすくなるという問題があった。
【0020】
また、前記絶縁基板1が前記絶縁体501から剥がれると、前記配線2にも負荷がかかり、断線しやすくなるという問題があった。また、前記絶縁基板1と前記絶縁体5の剥離した部分10から水分が浸入して配線2が腐食しやすくなるという問題があった。そのため、前記半導体装置の電気的信頼性が低下するという問題があった。
【0021】
本発明の目的は、配線基板上に弾性体を介在させて半導体チップを接着し、前記配線基板及び前記弾性体に設けられた開口部内で配線と半導体チップの外部電極とを接続し、前記開口部内及び前記半導体チップの周囲を絶縁体で封止した半導体装置において、前記開口部周辺での配線基板の剥離を防ぐことが可能な技術を提供することにある。
【0022】
本発明の他の目的は、配線基板上に弾性体を介在させて半導体チップを接着し、前記配線基板及び前記弾性体に設けられた開口部内で配線と半導体チップの外部電極とを接続し、前記開口部内及び前記半導体チップの周囲を絶縁体で封止した半導体装置において、電気的信頼性の低下を防ぐことが可能な技術を提供することにある。
【0023】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【0024】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明の概要を説明すれば、以下のとおりである。
【0025】
(1)所定位置が開口された絶縁基板の片面に前記開口部上に突出する配線を有する配線基板の前記配線が設けられた面の上に、前記絶縁基板の開口部と重なる位置が開口された絶縁性の弾性体を設け、前記弾性体上に半導体チップをその外部電極のある面を前記弾性体側に向けて設け、前記配線の前記開口部上に突出した部分を前記半導体チップ側に折り曲げ、その先端部を前記半導体チップの外部電極と電気的に接続し、トランスファモールドにより前記絶縁基板及び前記弾性体の開口部内、ならびに前記半導体チップの周囲を絶縁体で封止した半導体装置において、前記絶縁基板及び前記弾性体の開口部内を封止する前記絶縁体の部分は、前記絶縁基板の露出面から所定の高さだけ突出し、かつ、該突出した部分の外周が所定の厚さをもって前記開口部の端面よりも所定の幅だけ外側にある半導体装置である。
【0026】
前記(1)の手段によれば、前記絶縁体の突出した部分の外周部が所定の厚さ以上であることにより、前記絶縁基板の開口部の周辺と前記絶縁体との接着力が大きくなるため、前記絶縁基板を外側に引っ張るような力が働いたときに、前記絶縁基板が前記絶縁体から剥がれるのを防ぐことができる。
【0027】
そのため、前記配線の断線や、前記絶縁基板と前記絶縁体の剥離した部分からの水分の浸入による腐食を防げ、電気的信頼性が低下するのを防げる。
【0028】
また、トランスファモールドにより封止した場合には、前記弾性体の一部を前記絶縁体の表面に露出させることにより、前記弾性体の内部に残留する水分を前記半導体装置の外部に放出できるため、前記弾性体に残留する水分による弾性体の剥離や配線の腐食を防ぐことができる。
【0029】
(2)テープ状の絶縁基板の所定位置に開口部を形成し、前記絶縁基板の片面に前記開口部上に突出する配線を有する配線基板を形成する工程と、前記配線基板の前記配線が形成された面の上に、前記開口部と重なる位置が開口した絶縁性の弾性体を配置する工程と、半導体チップをその外部電極のある面を前記弾性体側に向けて前記弾性体の上に接着する工程と、前記配線の前記開口部上に突出した部分を前記半導体チップ側に折り曲げて、その先端部と前記半導体チップの外部電極とを電気的に接続する工程と、前記絶縁基板及び前記弾性体の開口部内、ならびに前記半導体チップの周囲を絶縁体で封止する工程と、前記絶縁体で封止する工程の後、前記絶縁体の外周部及び前記絶縁基板を切断して個片化する工程とを備える半導体装置の製造方法であって、前記絶縁体で封止する工程は、前記配線基板の前記半導体チップが配置された面側に配置される上金型と、前記配線基板の前記半導体チップが配置された面の裏面側に配置される下金型を用いたトランスファモールドにより行い、前記下金型の前記絶縁基板の開口部と重なる領域に、所定の深さで、かつ、前記絶縁基板の開口部の端面よりも外側に外周を有する溝を設けておく半導体装置の製造方法である。
【0030】
前記(2)の手段によれば、トランスファモールドで用いる下金型に、前記溝を設けておくことにより、前記絶縁基板の開口部の端面が前記絶縁体の内部に入り、前記絶縁基板の開口部周辺と前記絶縁体の密着力を大きくすることができ、前記絶縁基板の開口部周辺の剥離を防ぐことができる。
【0031】
また、前記個片化する工程において、前記絶縁体の外周部及び前記絶縁基板、ならびに前記弾性体の一部を切断して、前記弾性体の一部を前記絶縁体の表面に露出させることにより、前記弾性体の内部に残留した水分を外部に放出することができるため、前記弾性体に残留した水分による前記弾性体の剥離や配線の腐食を防ぐことができる。
【0032】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態(実施例)とともに詳細に説明する。
【0033】
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号をつけ、その繰り返しの説明は省略する。
【0034】
【発明の実施の形態】
(実施例)
図1及び図2は、本発明による一実施例の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図1は半導体装置の平面図、図2(a)は図1に示した半導体装置のA−A’線での断面図、図2(b)は図2(a)の配線と半導体装置の外部電極との接続部の部分拡大図である。
【0035】
図1、図2(a)及び図2(b)において、1は絶縁基板、1Aは第1開口部、1Bは第2開口部、2は配線、3は弾性体、3Aは弾性体の開口部、4は半導体チップ、401は半導体チップの外部電極(ボンディングパッド)、5は絶縁体、6はボール状端子である。
【0036】
本実施例の半導体装置は、図1及び図2(a)に示すように、所定位置が開口された絶縁基板1の表面に、第1開口部1A上に突出する配線2が設けられた配線基板を設け、前記配線基板上に、前記絶縁基板1の第1開口部1Aと重なる位置が開口された絶縁性の弾性体(エラストマー)3を設け、前記弾性体3上に半導体チップ4を設け、前記半導体チップ4の外部電極401と、前記配線2の前記開口部1A上に突出した部分とを電気的に接続し、トランスファモールドにより前記絶縁基板1及び前記弾性体3の開口部内、ならびに前記半導体チップ4の周囲を絶縁体5で封止した半導体装置である。
【0037】
また、前記絶縁体5の、前記絶縁基板1及び前記弾性体3の開口部内を封止する部分501は、図2(b)に示すように、前記絶縁基板1の露出面から所定の高さだけ突出している。このとき、前記絶縁体501の突出した部分の外周501Aは、前記第1開口部1Aの端面よりも所定の幅WR、例えば、1mm以上外側に設け、前記絶縁体501の前記突出した部分の外周部501Aが所定の厚さTR、例えば、0.075mm(75μm)以上になるように設ける。
【0038】
また、本実施例の半導体装置では、前記絶縁基板1に第2開口部1Bを設けており、図2(a)に示したように、前記第2開口部1Bに、例えば、はんだ接合材を用いたボール状端子6を接続し、前記配線2を半導体装置の外部に引き出している。
【0039】
図3乃至図10は、本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【0040】
以下、図3乃至図10に沿って、本実施例の半導体装置の製造方法について説明する。なお、従来の半導体装置の製造方法と同様の工程については、その詳細な説明を省略する。
【0041】
まず、図3に示すように、テープ状の絶縁基板1の所定位置に第1開口部1A及び第2開口部1Bが形成され、前記絶縁基板1の表面に、前記第1開口部1A上に突出する配線2が形成された配線基板を形成する。
【0042】
このとき、前記絶縁基板1には、例えば、金型を用いた打ち抜き加工により、図3に示したように、半導体チップの外部電極と配線を接続する部分の第1開口部1Aと、ボール状端子などの外部接続端子を形成する部分の第2開口部1Bを形成する。また、前記配線2は、前記第1開口部1A及び前記第2開口部1Bを形成した絶縁基板1の表面に銅箔を接着した後、前記銅箔をエッチングして形成する。
【0043】
また、前記配線2は、後の工程で、前記配線2を切断し、変形させて前記半導体チップの外部電極401と接続するので、図3に示したように、前記配線2を切れやすくするためのノッチ2Aを設けておく。
【0044】
また、前記絶縁基板1は、図3では省略しているが、例えば、ポリイミドテープ等の一方向に長尺なテープ状であり、前記絶縁基板1の全域に渡って、図3に示したような領域L1内のパターンが繰り返し形成されている。またこのとき、前記第1開口部1A及び第2開口部1B、ならびに前記配線2は、リールツーリール(reel to reel)方式で形成する。
【0045】
また、前記第1開口部1A及び第2開口部1B、ならびに前記配線2は、前記手順に限らず、例えば、銅箔を絶縁基板1上に接着した後、あるいは、絶縁基板1の表面に無電解めっきやスパッタリング等で導電性薄膜を形成した後、例えば、炭酸ガスレーザなどを用いたレーザ加工により前記第1開口部1A及び前記第2開口部1Bを形成し、前記銅箔あるいは導電性薄膜をエッチングして前記配線2を形成する方法もある。
【0046】
次に、図4に示すように、例えば、前記配線基板の前記配線2が形成された面に、前記絶縁基板の第1開口部1Aと重なる位置が開口された絶縁性の弾性体3を配置する。図示は省略するが、前記弾性体3には、例えば、フッ素系化合物などの多孔質材料からなる弾性体の表面及び裏面に、熱硬化性樹脂等の接着材を設けた3層構造のものを用いる。
【0047】
また、前記弾性体3の外周部には、図4に示したように、個片化する領域L1の外側に突出する突起部301を設けておく。
【0048】
次に、図5(a)に示すように、前記弾性体3上に半導体チップ4を配置し、前記配線基板と前記半導体チップ4を接着する。このとき、前記半導体チップ4は、図5(a)に示したように、前記半導体チップの外部電極401が、前記弾性体の開口部3A内にあり、前記配線2の前記第1開口部1Aに突出した部分と重なるように位置合わせをして接着する。
【0049】
次に、図5(b)に示すように、前記配線2と前記半導体チップの外部電極401を電気的に接続する。このとき、例えば、ボンディングツール7を用いて前記配線2に荷重をかけることにより、前記配線2は、図3に示したノッチ2A部分で切断される。その後、前記配線2を変形させて、前記半導体チップの外部電極401と接続される。
【0050】
次に、トランスファモールドにより前記弾性体3及び前記絶縁基板1の第1開口部1A、ならびに前記半導体チップ4の周囲を絶縁体で封止する。前記トランスファモールドは、図6、図7、及び図8に示したように、前記配線基板の、前記半導体チップ4を接着した面に上金型8を配置し、前記配線基板の、前記半導体チップを接着した面の裏面に下金型9を配置して、前記上金型8に設けられた、前記半導体チップ4及び前記弾性体3を収容する空間(キャビティ)8A、及び前記弾性体3の開口部3Aならびに前記絶縁基板1の第1開口部1A内に、流動性が高い状態の絶縁体(熱硬化性樹脂)5を流し込んで成形した後、前記成形した絶縁体5を加熱して完全硬化させる。
【0051】
このとき、前記絶縁基板1の第2開口部1Bに前記絶縁体5が流れ込むと、外部接続端子を形成したときの導通不良の原因となるため、前記下金型9は、図7及び図8に示したように、平板状の金型を用いて、前記絶縁基板1と密着させ、前記第1開口部1Aから絶縁体(樹脂)5が漏れないようにするが、本実施例では、図7及び図8に示したように、前記絶縁基板の第1開口部1Aと重なる位置に、所定の深さで、かつ、外周が前記第1開口部1Aよりも外側にある溝9Aを設けておく。前記溝9Aの深さは、例えば、0.075mm程度にする。
【0052】
次に、図示は省略するが、前記絶縁基板の第2開口部1Bに、はんだ接合材を用いたボール状端子(外部接続端子)6を形成し、図9及び図10に示すように、前記絶縁基板上の領域L1を切断して個片化すると、図1及び図2(a)に示したような半導体装置が得られる。このとき、前記領域L1を切断すると、図9に示したように、前記絶縁基板1及び前記絶縁体502、ならびに前記弾性体の突起部301が切断され、前記弾性体3の一部が前記絶縁体502の表面に露出する。そのため、前記弾性体3の内部に残留した水分を、前記弾性体3の露出面から前記半導体装置へ放出することができ、残留した水分による弾性体3の剥離や配線2の腐食を防ぐことができる。
【0053】
図11は、本実施例の半導体装置の作用効果を説明するための模式図であり、図11(a)は半導体装置の断面図、図11(b)は図11(a)の配線と半導体装置の外部電極との接続部の部分拡大図である。
【0054】
本実施例の半導体装置は、図2(b)に示したように、前記配線基板(絶縁基板1)及び前記弾性体3の開口部内を封止する絶縁体501は、前記絶縁基板1から突出しており、かつ、突出部の外周5Aが前記絶縁基板1の第1開口部1Aの端面よりも外側にある。このとき、前記絶縁基板1の第1開口部1Aの周辺は、3つの面で前記絶縁体501と密着しており、例えば、図22(b)に示したような従来の半導体装置に比べ、前記絶縁基板1の第1開口部1Aの周辺と前記絶縁体5の密着力が大きくなっている。そのため、図11(a)及び図11(b)に示すように、例えば、前記半導体チップの非回路形成面4A上の絶縁体502が収縮し、前記絶縁基板1(配線基板)が外側に引っ張られるような力が加わったときに、前記絶縁基板1の第1開口部1Aの端面が前記絶縁体5から剥がれにくくすることができる。
【0055】
また、前記絶縁基板の第1開口部1Aの端面が前記絶縁体5から剥がれにくくなるため、前記配線2に負荷がかかり、断線する可能性も低くなり、半導体装置の電気的信頼性が低下することを防げる。
【0056】
以上説明したように、本実施例の半導体装置によれば、前記絶縁体の前記突出した部分の、前記外周部が所定の厚さ以上であることにより、前記絶縁基板の開口部の周辺と前記絶縁体との接着力が大きくなるため、前記絶縁基板を外側に引っ張るような力が働いたときに、前記絶縁基板が前記絶縁体から剥がれるのを防ぐことができる。
【0057】
そのため、トランスファモールドにより半導体チップ全体を封止した半導体装置であっても、前記配線の断線や前記絶縁基板と前記絶縁体の剥離した部分からの水分の浸入による腐食を防げ、電気的信頼性が低下するのを防げる。
【0058】
また、トランスファモールドにより封止した場合には、個片化する工程で、前記弾性体を一部切断し、前記絶縁体の表面に露出させることにより、前記弾性体の内部に残留する水分を前記半導体装置の外部に放出できるため、前記弾性体に残留する水分による弾性体の剥離や配線の腐食を防ぐことができる。
【0059】
また、前記絶縁基板1の第1開口部1Aの端面が前記絶縁体5から剥がれにくくなるため、従来の図22(b)に示した半導体装置のように、剥離した部分から水分が浸入して配線2が腐食することがないので、半導体装置の電気的信頼性が低下することを防げる。
【0060】
また、本実施例の半導体装置のように、トランスファモールドにより前記半導体チップ4の周囲を絶縁体5(502)で封止することにより、前記半導体チップ4に傷が付いたり、欠けたりすることを防げる。また、トランスファモールドにより封止することにより、前記絶縁体502の外形のばらつき、すなわち、前記半導体装置の外形のばらつきを低減することができる。そのため、従来の、図13(a)に示した半導体装置に比べ、取り扱いが容易になるとともに、故障や不良が起きにくくなる。
【0061】
図12は、前記実施例の半導体装置の応用例を示す模式断面図である。
【0062】
前記実施例では、図2(a)に示したように、前記半導体チップ4全体、すなわち、前記半導体チップの非回路形成面4Aも絶縁体5(502)で封止した半導体装置を例にあげているが、これに限らず、トランスファモールドにより封止している半導体装置であれば、例えば、図12に示すように、前記半導体チップの非回路形成面4Aが露出するように封止されていてもよい。この場合も、前記絶縁基板1及び前記弾性体3の開口部内を封止する絶縁体501の突出した部分の、前記外周部が所定の厚さTR以上であることにより、前記絶縁基板の第1開口部1Aの周辺と前記絶縁体501との接着力が大きくなるため、前記絶縁基板1が前記絶縁体5から剥がれるのを防ぐことができる。
【0063】
また、トランスファモールドにより封止するため、前記半導体装置の外形のばらつきが少なく、また、半導体チップ4の欠けを防ぐことができ、取り扱いが容易である。また、前記半導体チップの非回路形成面4Aが露出しているため、放熱特性が向上する。
【0064】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることはもちろんである。
【0065】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【0066】
(1)配線基板上に弾性体を介在させて半導体チップを接着し、前記配線基板及び前記弾性体に設けられた開口部内で配線と半導体チップの外部電極とを接続し、前記開口部内及び前記半導体チップの周囲を絶縁体で封止した半導体装置において、前記開口部周辺での配線基板の剥離を防ぐことができる。
【0067】
(2)配線基板上に弾性体を介在させて半導体チップを接着し、前記配線基板及び前記弾性体に設けられた開口部内で配線と半導体チップの外部電極とを接続し、前記開口部内及び前記半導体チップの周囲を絶縁体で封止した半導体装置において、電気的信頼性の低下を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による一実施例の半導体装置の概略構成を示す模式平面図である。
【図2】本実施例の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図2(a)は図1に示した半導体装置のA−A’線での断面図、図2(b)は図2(a)の配線と半導体チップの外部電極との接続部の拡大図である。
【図3】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、配線基板を形成する工程の平面図である。
【図4】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、弾性体を配置する工程の平面図である。
【図5】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図5(a)は半導体チップを接着する工程の断面図、図5(b)は配線と半導体チップの外部電極を接続する工程の断面図である。
【図6】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、トランスファモールドにより封止する工程の平面図である。
【図7】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図6のB−B’線での断面図である。
【図8】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図6のC−C’線での断面図である。
【図9】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、半導体装置を個片化する工程の平面図である。
【図10】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図9のD−D’線での断面図である。
【図11】本実施例の半導体装置の作用効果を説明するための模式図であり、図11(a)は図2(a)に対応する断面図、図11(b)は図11(a)の配線と半導体チップの外部電極との接続部の拡大図である。
【図12】前記実施例の半導体装置の応用例を説明するための模式断面図である。
【図13】従来の半導体装置の概略構成を示す模式断面図である。
【図14】従来の半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図15】従来の半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図16】従来の半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図17】従来の半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図18】従来の半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図19】従来の半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図20】従来の半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図21】従来の半導体装置の応用例を説明するための模式平面図である。
【図22】従来の半導体装置の課題を説明するための模式図であり、図22(a)は図13(b)に対応する断面図、図22(b)は図13(b)の配線と半導体チップの外部電極との接続部の拡大図である。
【符号の説明】
1…絶縁基板、1A…第1開口部、1B…第2開口部、2…配線、2A…ノッチ、3…弾性体(エラストマー)、3A…弾性体の開口部、301…弾性体の突起部、4…半導体チップ、401…半導体チップの外部電極、4A…半導体チップの非回路形成面、5…絶縁体、501…開口部内の絶縁体、502…半導体チップ周辺の絶縁体、501A…絶縁体501の突出部の外周、6…ボール状端子(外部接続端子)、7…ボンディングツール、8…上金型、8A…キャビティ、9…下金型、9A…下金型の溝。
Claims (4)
- 所定位置が開口された絶縁基板の片面に前記開口部上に突出する配線を有する配線基板の前記配線が設けられた面の上に、前記絶縁基板の開口部と重なる位置が開口された絶縁性の弾性体を設け、前記弾性体上に半導体チップをその外部電極のある面を前記弾性体側に向けて設け、前記配線の前記開口部上に突出した部分を前記半導体チップ側に折り曲げ、その先端部を前記半導体チップの外部電極と電気的に接続し、トランスファモールドにより前記絶縁基板及び前記弾性体の開口部内、ならびに前記半導体チップの周囲を絶縁体で封止した半導体装置において、
前記絶縁基板及び前記弾性体の開口部内を封止する前記絶縁体の部分は、前記絶縁基板の露出面から所定の高さだけ突出し、かつ、該突出した部分の外周が所定の厚さをもって前記開口部の端面よりも所定の幅だけ外側にあることを特徴とする半導体装置。 - 前記弾性体の一部が、前記絶縁体の表面に露出していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- テープ状の絶縁基板の所定位置に開口部を形成し、前記絶縁基板の片面に前記開口部上に突出する配線を有する配線基板を形成する工程と、前記配線基板の前記配線が形成された面の上に、前記開口部と重なる位置が開口した絶縁性の弾性体を配置する工程と、半導体チップをその外部電極のある面を前記弾性体側に向けて前記弾性体の上に接着する工程と、前記配線の前記開口部上に突出した部分を前記半導体チップ側に折り曲げ、その先端部と前記半導体チップの外部電極とを電気的に接続する工程と、前記絶縁基板及び前記弾性体の開口部内、ならびに前記半導体チップの周囲を絶縁体で封止する工程と、前記絶縁体で封止する工程の後、前記絶縁体の外周部及び前記絶縁基板を切断して個片化する工程とを備える半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁体で封止する工程は、前記配線基板の前記半導体チップが配置された面側に配置される上金型と、前記配線基板の前記半導体チップが配置された面の裏面側に配置される下金型を用いたトランスファモールドにより行い、
前記下金型の前記絶縁基板の開口部と重なる領域に、所定の深さで、かつ、前記絶縁基板の開口部の端面よりも外側に外周を有する溝を設けておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記個片化する工程は、
前記絶縁体の外周部及び前記絶縁基板、ならびに前記弾性体の一部を切断して、前記弾性体の一部を前記絶縁体の表面に露出させることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
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