JP2002270653A - 配線基板、半導体装置、及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】センターパッド型の半導体チップを搭載する配
線基板（インターポーザ）において、前記配線基板上に
設けられた配線を高密度化する。 【解決手段】フィルム状の絶縁基板の所定領域に開口部
を設け、前記絶縁基板の一主面上に、前記開口部をまた
ぎ、且つ前記開口部が設けられた領域の外側の領域に外
部接続端子を有する配線を設けた配線基板において、前
記開口部は、所定位置に設けられた橋梁部により複数個
に分割され、前記配線は、前記橋梁部から前記開口部の
外側の領域へまたがる配線基板である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板、半導体
装置及び配線基板の製造方法に関し、特に、半導体基板
の中心線付近に線状に外部電極が設けられたセンターパ
ッド型の半導体チップを搭載する配線基板に適用して有
効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Acces
s Memory）のように、半導体基板の中心線付近に線状に
外部電極が設けられたセンターパッド型の半導体チップ
を搭載した半導体装置には、たとえば、図１１（ａ）、
図１１（ｂ）、図１２（ａ）、及び図１２（ｂ）に示し
たように、所定位置に第１開口部１０１及び第２開口部
（ビア孔）１０２が設けられた絶縁基板１の一主面に、
一端が前記第１開口部１０１上に突出した配線２を設
け、前記絶縁基板１の配線２が形成された面上に前記第
１開口部１０１と重なる位置が開口された弾性体（エラ
ストマ）３を介在させて前記半導体チップ４をフリップ
チップ実装し、前記配線２の前記第１開口部１０１上に
突出した部分を変形させて前記半導体チップ４の外部電
極４０１と接続し、前記開口部内を樹脂などの封止絶縁
体６で封止したものがある。また、前記配線２の一端
は、図１１（ｂ）及び図１２（ｂ）に示すように、前記
絶縁基板１の第２開口部（ビア孔）１０２を介してボー
ル端子５などの外部接続端子と接続されている。

【０００３】また、図１２（ｂ）に示したように、前記
開口部内の配線２を変形させて前記半導体チップ４の外
部電極４０１と接続する半導体装置のほかに、前記配線
２と前記半導体チップ４の外部電極４０１とをボンディ
ングワイヤにより接続し、前記開口部内及び前記ボンデ
ィングワイヤと配線２の接続部を封止した半導体装置も
ある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の技術のうち、例えば、図１２（ａ）及び図１２
（ｂ）に示したように、前記配線２を前記開口部内に突
出させ、前記突出部分を変形させて半導体チップ４の外
部電極４０１と接続する場合、前記絶縁基板１に設けら
れた第１開口部１０１が一つであると、配線の数を増加
させた場合に前記絶縁基板１（配線基板）が大型化し、
半導体装置が大型化するという問題があった。

【０００５】また、前記絶縁基板１に設けた第１開口部
１０１をまたぐように配線を形成する場合には、配線の
幅、及び配線同士が短絡しないための間隔が必要である
ため、前記絶縁基板１（配線基板）の小型化が難しく、
半導体装置の小型化が難しいという問題があった。

【０００６】また、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示
したような半導体装置では、前記半導体チップ４の外部
電極４０１を一列の線状に配列しなければならないた
め、前記半導体チップ４上に形成する外部電極４０１の
数を増やすことが難しい。例えば、前記半導体チップ３
の前記外部電極４０１を配置する方向の長さが１０mmで
あり、前記外部電極４０１の一辺が１００μｍである場
合には、前記外部電極４０１を密に配置したとしても１
００個程度しか配置できない。そのため、半導体チップ
の外部電極の高密度化が難しいという問題があった。

【０００７】また、例えば、前記ボンディングワイヤを
用いて前記配線２と前記外部電極４０１を接続した半導
体装置では、前記第１開口部１０１の外側の領域に、前
記配線２とボンディングワイヤを接続するためのボンデ
ィングエリアが必要であるため、前記ボンディングエリ
アの分だけ前記絶縁基板１（配線基板）が大きくなって
しまう。また、前記ボンディングワイヤが前記絶縁基板
１の外部に突出してしまうため、前記封止絶縁体６も前
記第１開口部１０１から突出してしまう。そのため、前
記半導体装置をマザーボードなどの実装基板に実装する
際に、前記実装基板と前記半導体装置の間に、前記封止
絶縁体６の突出した高さ以上の隙間が必要であり、小型
化、薄型化が難しいという問題があった。

【０００８】本発明の目的は、センターパッド型の半導
体チップを搭載する配線基板（インターポーザ）におい
て、前記配線基板上に設けられた配線の高密度化が可能
な技術を提供することにある。

【０００９】本発明の他の目的は、センターパッド型の
半導体チップが実装された半導体装置において、前記半
導体チップの外部電極の数を容易に増加させることが可
能な技術を提供することにある。

【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明ら
かになるであろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明の概要を説明すれば、以下のとおりである。

【００１２】（１）フィルム状の絶縁基板の所定領域に
開口部を設け、前記絶縁基板の一主面上に、前記開口部
をまたぎ、且つ前記開口部が設けられた領域の外側の領
域に外部接続端子を有する配線を設けた配線基板におい
て、前記開口部は、所定位置に設けられた橋梁部により
複数個に分割され、前記配線は、前記橋梁部から前記開
口部の外側の領域へまたがる配線基板である。

【００１３】前記（１）の手段によれば、前記絶縁基板
に、橋梁部により分割される複数個の開口部を設け、そ
れぞれの開口部を跨ぐように配線を設けることにより、
図に示したような、従来の配線基板に比べ、前記開口部
をまたぐ配線の数を増やすことができる。そのため、前
記半導体チップの高機能化、高密度化により、接続端指
数が増加した場合に、前記配線基板が大型化するのを防
ぐことができる。

【００１４】（２）フィルム状の絶縁基板の所定領域に
開口部を設け、前記絶縁基板の一主面上に、前記開口部
をまたぎ、且つ前記開口部が設けられた領域の外側の領
域に外部接続端子を有する配線を設け、前記絶縁基板の
前記配線が設けられた面に弾性体（エラストマ）を設け
た配線基板において、前記開口部は、所定位置に設けら
れた橋梁部により複数個に分割され、前記配線は、前記
橋梁部から前記開口部の外側の領域へまたがり、前記弾
性体は、前記各開口部の外側の領域及び前記橋梁部に設
けられている配線基板である。

【００１５】前記（２）の手段によれば、前記（１）の
手段と同様に、前記絶縁基板に設けられた開口部を橋梁
部により複数個に分割し、前記橋梁部から前記開口部の
外側の領域にまたがる配線を設けることにより、前記開
口部をまたぐ配線の数を増やすことができ、配線基板が
大型化することを防げる。

【００１６】また、前記開口部の外側の領域及び前記橋
梁部に前記弾性体を設けることにより、前記弾性体を介
在させて半導体チップを接着させる場合に、前記橋梁部
と前記半導体チップの間も前記弾性体で支持されるの
で、前記橋梁部が空中に浮いて不安定になることを防ぐ
ことができる。

【００１７】またこのとき、前記弾性体は、前記絶縁基
板に設けられた各開口部と平面的に重なる位置が開口さ
れていてもよいし、例えば、前記絶縁基板に設けられた
開口部の外側の領域に第１弾性体を設け、前記橋梁部に
第２弾性体を設けてもよい。また、前記絶縁基板の開口
部が設けられた領域と平面的に重なる位置に、前記絶縁
基板に設けられた橋梁部と直交する方向に橋梁部を有す
る開口部が設けられている弾性体を設けてもよい。

【００１８】また、前記（１）または（２）の手段の配
線基板では、前記各開口部をまたぐ配線を、例えば、前
記橋梁部上で短絡させてもよいし、各々を独立させてお
いてもよい。前記配線を橋梁部上で短絡させた場合は、
前記橋梁部上から、前記絶縁基板の端部に向けて配線を
引き出すことにより、例えば、引き出した配線を電気め
っき用の給電配線として利用することができる。その場
合、前記配線は、半導体チップを実装し、外部電極と接
続する際に前記開口部上で切断されて電気的に独立した
配線になる。

【００１９】また、前記（１）または（２）の手段で
は、前記絶縁基板に設けられた橋梁部の幅は、強度的な
面を考慮した場合、１５０μｍから５００μｍであるこ
とが望ましい。

【００２０】（３）フィルム状の絶縁基板の所定位置に
開口部を設け、前記絶縁基板の一主面上に前記開口部内
に突出し、且つ前記開口部が設けられた領域の外側の領
域に外部接続端子を有する配線を設け、前記絶縁基板の
配線が設けられた面に弾性体を設け、前記弾性体上に半
導体チップを、その外部電極が前記絶縁基板の開口部と
向かい合うように設け、前記開口部内の配線を変形させ
て前記半導体チップの外部電極と接続し、前記開口部内
を絶縁体で封止した半導体装置において、前記絶縁基板
の前記開口部は、所定位置に設けられた橋梁部により複
数個に分割され、前記半導体チップの外部電極は、各開
口部内に線状に設けられており、前記弾性体は、前記絶
縁基板の前記開口部が設けられた領域の外側の領域及び
前記橋梁部上に設けられている半導体装置である。

【００２１】前記（３）の手段によれば、前記開口部が
所定位置に設けられた橋梁部により分割されているた
め、従来の、図に示したような半導体装置に比べ、前記
開口部に突出する配線の数を増やすことができる。その
ため、センターパッド型の半導体チップの場合でも、容
易に外部電極の数を増やすことができる。また、前記外
部電極の数が増えた場合にも半導体装置が大型化するこ
とを防げる。

【００２２】（４）フィルム状の絶縁基板の所定領域内
に、橋梁部により分割される複数個の開口部を形成し、
前記絶縁基板の一主面上に導電性薄膜を形成し、前記導
電性薄膜をエッチングして、前記各開口部のいずれかを
前記橋梁部の延在方向と直交する方向にまたぎ、且つ前
記開口部が形成された領域の外側の領域に外部接続端子
を有する配線を形成する配線基板の製造方法である。

【００２３】前記（４）の手段によれば、前記橋梁部に
より分割された開口部を形成し、前記橋梁部から前記開
口部の外側の領域にまたがる配線を形成することによ
り、従来の配線基板に比べ、開口部をまたぐ配線の数を
増やすことができる。また、前記開口部内に橋梁部を設
けて前記開口部を分割するため、前記開口部を形成する
領域が広くなることを防げ、配線基板が大型化すること
を防げる。

【００２４】また、前記絶縁基板の配線形成面に弾性体
を形成する場合には、前記絶縁基板の前記開口部が形成
された領域の外側の領域及び前記橋梁部上に弾性体（エ
ラストマ）を形成するが、この場合、前記絶縁基板に形
成された開口部と平面的に重なる部分が開口された弾性
体を形成するのが好ましい。また、その他にも、前記絶
縁基板の配線形成面の、前記開口部が形成された領域の
外側の領域に第１弾性体を形成し、前記橋梁部に第２弾
性体を形成してもよい。

【００２５】以下、本発明について、図面を参照して実
施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。

【００２６】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは、同一符号をつけ、その繰
り返しの説明は省略する。

【００２７】

【発明の実施の形態】（実施例）図１乃至図４は、本発
明による一実施例の半導体装置の概略構成を示す模式図
であり、図１（ａ）は本実施例の半導体装置の平面図、
図１（ｂ）は図１（ａ）の半導体装置の裏面図、図２は
図１（ｂ）のＡ−Ａ’線での断面図、図３は図１（ｂ）
の部分拡大図、図４は図３のＢ−Ｂ’線での断面図であ
る。

【００２８】図１（ａ）、図１（ｂ）、図２、図３、及
び図４において、１は絶縁基板、１０１は第１開口部、
１０２は第２開口部（ビア孔）、１Ａは絶縁基板の橋梁
部、２は配線、２’はめっき用の給電配線、３は弾性体
（エラストマ）、３０１は弾性体の開口部、３Ａは弾性
体の橋梁部、４は半導体チップ、４０１は半導体チップ
の外部電極、５はボール端子、６は封止絶縁体である。

【００２９】本実施例の半導体装置は、図１（ａ）、図
１（ｂ）、図２、図３、及び図４に示すように、フィル
ム状の絶縁基板１の所定領域に第１開口部１０１を設
け、前記第１開口部１０１が設けられた領域の外側の領
域に第２開口部１０２を設け、前記絶縁基板１の一主面
上に前記第１開口部１０１内に突出し、且つ前記第２開
口部１０２を覆う配線２を設け、前記絶縁基板１の配線
２が設けられた面上に弾性体（エラストマ）３を設け、
前記弾性体３上に半導体チップ４を、その外部電極４０
１が前記絶縁基板１の第１開口部１０１と向かい合うよ
うに設け、前記配線２を変形させて前記半導体チップ４
の外部電極４０１を接続し、前記絶縁基板１及び前記弾
性体３の開口部内が封止絶縁体６により封止されてい
る。なお、本実施例の半導体装置に用いられる半導体チ
ップ４は、前記外部電極４０１が半導体基板の中心線付
近に線状に配置されているセンターパッド型の半導体チ
ップであるものとする。

【００３０】また、前記絶縁基板１の第１開口部１０１
は、図１（ｂ）、図３、及び図４に示したように、橋梁
部１Ａにより二つに分割されており、前記半導体チップ
４の外部電極４０１は、前記二つの第１開口部１０１の
それぞれに、直線状に配置されている。すなわち、前記
半導体チップ４の外部電極４０１は中心線付近に２列、
線状に配置されている。

【００３１】また、前記第１開口部１０１を分割する橋
梁部１Ａには、図３に示したように、例えば、めっき用
の給電配線２’が設けられており、前記給電配線２’か
ら前記各第１開口部１０１に向かって、複数本の分岐線
が設けられている。また、前記弾性体３は、図１
（ａ）、図３、及び図４に示したように、前記絶縁基板
１の第１開口部１０１と重なる位置に開口部３０１が設
けられている。前記弾性体３の開口部３０１も、図３及
び図４に示したように、前記絶縁基板１の橋梁部１Ａと
重なる位置に設けられた橋梁部３Ａにより二つに分割さ
れており、前記半導体チップ４と前記絶縁基板１は、前
記絶縁基板１の第１開口部１０１が設けられた領域の外
側の領域及び前記絶縁基板１の橋梁部１Ａ上の弾性体３
を介在して接着されている。このとき、前記絶縁基板１
の橋梁部１Ａの幅、あるいは前記弾性体３の橋梁部３Ａ
の幅は約１５０μｍから５００μｍ程度である。

【００３２】また、前記配線２の一端は、図２及び図４
に示すように、前記絶縁基板１に設けられた第２開口部
（ビア孔）１０２を通してボール端子５のような外部接
続端子と接続されている。

【００３３】図５乃至図９は、本実施例の半導体装置の
製造方法を説明するための模式図であり、図５は一製造
工程の平面図、図６は図５のＣ−Ｃ’線での断面図、図
７は一製造工程の平面図、図８は図７のＤ−Ｄ’線での
断面図、図９（ａ）及び図９（ｂ）は各製造工程での断
面図である。

【００３４】以下、図５乃至図９に沿って、本実施例の
半導体装置の製造方法について説明する。

【００３５】まず、図５及び図６に示すように、例え
ば、ポリイミドテープなどの絶縁基板１’の配線基板形
成領域１内の所定領域に、橋梁部１Ａで分割される第１
開口部１０１及び前記第１開口部１０１を形成する領域
の外側の領域の第２開口部（ビア穴）１０２を形成し、
前記絶縁基板１の一主面上に、前記第１開口部１０１を
横断し、且つ前記第２開口部１０２を覆う配線２を形成
する。このとき、前記配線２は、前記絶縁基板１の橋梁
部１Ａ上に形成されためっき用の給電配線２’により短
絡されており、前記めっき用給電配線２’は、図５に示
すように、前記絶縁基板１の端部のスプロケットホール
１０３が形成された領域に引き出されている。

【００３６】前記第１開口部１０１、前記第２開口部１
０２、前記配線２、及び前記給電配線２’の形成方法
は、例えば、金型による打ち抜き加工で前記絶縁基板１
に前記第１開口部１０１及び前記第２開口部１０２を形
成し、前記絶縁基板１の一主面に銅箔などの導電性薄膜
を形成した後、前記導電性薄膜をエッチング処理して前
記配線２及び前記給電配線２’を形成し、前記給電配線
２’から電流を印加して電気めっき法あるいは電解めっ
き法を用いて前記配線２の表面にめっき層（図示しな
い）を形成する方法や、前記絶縁基板１の一主面上に前
記導電性薄膜を形成しておき、レーザ等で前記絶縁基板
１に前記第１開口部１０１及び前記第２開口部１０２を
形成した後、前記導電性薄膜をエッチング処理して前記
配線２及び前記給電配線２’を形成し、前記給電配線２
窒ゥら電流を印加して電気めっき法あるいは電解めっき
法を用いて前記配線２の表面にめっき層（図示しない）
を形成する方法がある。またこのとき、前記第１開口部
１０１を分割する橋梁部１Ａの幅は約１５０μｍから５
００μｍになるように形成する。

【００３７】次に、図７及び図８に示すように、前記絶
縁基板１の配線２が形成された面上に弾性体（エラスト
マ）３を形成する。このとき、前記弾性体３は、図７及
び図８に示したように、前記第１開口部１０１と平面的
に重なる位置に開口部３０１が形成されており、前記第
１開口部１０１を分割する橋梁部１Ａと重なる位置に橋
梁部３Ａが設けられている。

【００３８】次に、図９（ａ）に示すように、前記弾性
体３上に半導体チップ４を、外部電極４０１が前記弾性
体３の開口部３０１内に位置するように接着する。この
とき、前記半導体チップ４の外部電極４０１は、図３及
び図９（ａ）に示したように前記半導体チップ４の中心
線をはさんだ両側に線状に２列配列されており、それぞ
れの外部電極４０１の間隔は約６００μｍ離れているも
のとする。またこのとき、前記絶縁基板１と前記半導体
チップ４とは、前記絶縁基板１の第２開口部（ビア孔）
１０２が設けられた領域上の弾性体３及び前記絶縁基板
１の橋梁部１Ａ上の弾性体３Ａにより接着される。

【００３９】次に、図９（ｂ）に示すように、ボンディ
ングツールを用いて、前記配線２の各第１開口部１０１
上を横断する部分を前記弾性体３の開口部３０１内に押
し込んで前記半導体チップ４の外部電極４０１と電気的
に接続する。このとき、前記配線２にはくぼみが設けら
れており、前記配線２を押し込むことにより前記配線２
と前記給電配線２’が前記くぼみ部分で切断されてそれ
ぞれが電気的に独立する。

【００４０】またこのとき、前記各第１開口部１０１を
分割する橋梁部１Ａは、前記弾性体３の橋梁部３Ａを介
在させて前記半導体チップ４と接着されているため、前
記配線２を前記弾性体３の開口部３０１に押し込む際の
応力で前記絶縁基板の橋梁部１Ａが変形することがな
く、前記配線２を確実に切断することができる。

【００４１】次に、前記各第１開口部１０１から、液状
樹脂などの封止絶縁体６を流し込み、硬化させて前記配
線２と前記外部電極４０１の接続部分を封止する。

【００４２】その後、前記絶縁基板１の第２開口部１０
２上にボール端子５を接続し、前記絶縁基板１を所定位
置で切断して個片化すると図１（ａ）、図１（ｂ）に示
したような半導体装置を得ることができる。

【００４３】以上説明したように、本実施例によれば、
前記絶縁基板１の所定領域に設けられる前記第１開口部
１０１を橋梁部１Ａにより分割し、前記橋梁部１Ａから
前記第１開口部１０１をまたぎ、前記第１開口部１０１
が形成された領域の外側の領域に延びる配線２を設ける
ことにより、従来の図１１（ａ）及び図１２（ａ）に示
したような半導体装置に比べ、前記第１開口部１０１を
またぐ前記配線２の数を増やすことができる。そのた
め、前記半導体装置の外部接続端子、配線が増加した時
に前記配線基板が大型化することを防げる。

【００４４】また、前記第１開口部１０１をまたぐ前記
配線２の数を増やすことができるため、センターパッド
型の半導体チップ４でも、前記外部電極４０１の数を容
易に増加させることができる。そのため、例えば、電源
端子やグランド端子のように高電圧が印加される電極の
数を増加させて、前記半導体チップ４の動作を安定させ
たり、前記半導体チップ４を高密度、高機能化させたと
きに大型化することを防げる。

【００４５】また、本実施例では、前記絶縁基板１の橋
梁部１Ａ上に給電配線２’を設けて前記配線２を短絡さ
せているが、これに限らず、前記給電配線２’を設けず
に、前記各配線２を電気的に独立させた状態で形成して
もよい。この場合は、無電解めっき法を用いて前記配線
２の表面にめっき層を形成する。

【００４６】また、本実施例では、前記配線２を前記絶
縁基板１の橋梁部１Ａ上に設けた給電配線２’から切断
して半導体チップ４の外部電極４０１と接続している
が、これに限らず、前記給電配線２’をグランド用の配
線として用い、前記半導体チップ４の外部電極４０１を
接続してもよい。

【００４７】図１０は、前記実施例の半導体装置の変形
例の概略構成を示す模式平面図である。

【００４８】前記実施例の半導体装置では、前記弾性体
３の橋梁部３Ａは、前記絶縁基板１の橋梁部１Ａに沿っ
て設けられているが、これに限らず、図１０に示したよ
うに、前記絶縁基板１の橋梁部１Ａと直交する方向に前
記弾性体３の橋梁部３Ａ’を設けてもよい。この場合、
前記絶縁基板１の橋梁部１Ａは部分的に、前記弾性体３
によって支持されるが、前記弾性体３で支持することに
より、前記図９（ｂ）に示したように、前記配線２を変
形、切断して前記半導体チップ４の外部電極４０１と接
続する際に前記橋梁部１Ａが変形することを防げる。

【００４９】また、前記実施例では、前記橋梁部３Ａで
分割された開口部３０１が形成された弾性体３を接着し
たが、これに限らず、例えば、前記絶縁基板１の第１開
口部１０１が形成された領域の外側に平板状の第１弾性
体を接着し、前記絶縁基板１の橋梁部１Ａ上に、棒状
（線状）の第２弾性体を接着してもよい。

【００５０】以上、本発明を、前記実施例に基づき具体
的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変
更可能であることはもちろんである。

【００５１】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００５２】（１）センターパッド型の半導体チップを
搭載する配線基板（インターポーザ）において、前記配
線基板上に設けられた配線の高密度化が容易である。

【００５３】（２）センターパッド型の半導体チップが
実装された半導体装置において、前記半導体チップの外
部電極の数を容易に増加させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による一実施例の半導体装置の概略構成
を示す模式図であり、図１（ａ）は半導体装置の平面
図、図１（ｂ）は図１（ａ）の裏面図である。

【図２】本実施例の半導体装置の概略構成を示す模式図
であり、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線での断面図である。

【図３】本実施例の半導体装置の概略構成を示す模式図
であり、図１（ｂ）の部分拡大図である。

【図４】本実施例の半導体装置の概略構成を示す模式図
であり、図３のＢ−Ｂ’線での断面図である。

【図５】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するた
めの模式図であり、一製造工程の平面図である。

【図６】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するた
めの模式図であり、図５のＣ−Ｃ’線での断面図であ
る。

【図７】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するた
めの模式図であり、一製造工程の平面図である。

【図８】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するた
めの模式図であり、図７のＤ−Ｄ’線での断面図であ
る。

【図９】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するた
めの模式図であり、図９（ａ）及び図９（ｂ）はそれぞ
れ、各製造工程での断面図である。

【図１０】前記実施例の半導体装置の変形例の概略構成
を示す模式断面図である。

【図１１】従来の半導体装置の概略構成を示す模式図で
あり、図１１（ａ）は半導体装置の平面図、図１１
（ｂ）は図１１（ａ）のＥ−Ｅ’線での断面図である。

【図１２】従来の半導体装置の概略構成を示す模式図で
あり、図１２（ａ）は図１１（ａ）の部分拡大図、図１
２（ｂ）は図１２（ａ）のＦ−Ｆ’線での断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 絶縁基板 １０１ 第一開口部 １０２ 第二開口部（ビア孔） １０３ スプロケットホール １Ａ 絶縁基板の橋梁部 １’ 配線基板形成領域 ２ 配線 ２’ めっき用の給電配線 ３ 弾性体（エラストマ） ３０１ 弾性体の開口部 ３Ａ，３Ａ’ 弾性体の開口部 ４ 半導体チップ ４０１ 半導体チップの外部電極 ５ ボール端子 ６ 封止絶縁体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 亀山 康晴 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 Ｆターム(参考） 5E338 BB16 BB17 BB75 CD32 CD40 EE23 5F044 MM07 MM14

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】フィルム状の絶縁基板の所定領域に開口部
   を設け、前記絶縁基板の一主面上に、前記開口部をまた
   ぎ、且つ前記開口部が設けられた領域の外側の領域に外
   部接続端子を有する配線を設けた配線基板において、 前記開口部は、所定位置に設けられた橋梁部により複数
   個に分割され、前記配線は、前記橋梁部から前記開口部
   の外側の領域へまたがることを特徴とする配線基板。
2. 【請求項２】フィルム状の絶縁基板の所定領域に開口部
   を設け、前記絶縁基板の一主面上に、前記開口部をまた
   ぎ、且つ前記開口部が設けられた領域の外側の領域に外
   部接続端子を有する配線を設け、前記絶縁基板の前記配
   線が設けられた面に弾性体（エラストマ）を設けた配線
   基板において、 前記開口部は、所定位置に設けられた橋梁部により複数
   個に分割され、前記配線は、前記橋梁部から前記開口部
   の外側の領域へまたがり、 前記弾性体は、前記各開口部の外側の領域及び前記橋梁
   部に設けられていることを特徴とする配線基板。
3. 【請求項３】前記請求項２に記載の配線基板において、 前記弾性体は、前記絶縁基板に設けられた各開口部と平
   面的に重なる位置が開口されていることを特徴とする配
   線基板。
4. 【請求項４】前記請求項２に記載の配線基板において、 前記弾性体は、前記絶縁基板に設けられた開口部の外側
   の領域に設けられた第１弾性体と、前記橋梁部に設けら
   れた第２弾性体からなることを特徴とする配線基板。
5. 【請求項５】前記請求項２に記載の配線基板において、 前記弾性体は、前記絶縁基板の開口部が設けられた領域
   と平面的に重なる位置に、前記絶縁基板に設けられた橋
   梁部と直交する方向に橋梁部を有する開口部が設けられ
   ていることを特徴とする配線基板。
6. 【請求項６】前記請求項１乃至５のいずれか１項に記載
   の配線基板において、 前記開口部をまたぐ各配線は、前記絶縁基板に設けられ
   た橋梁部上で短絡していることを特徴とする配線基板。
7. 【請求項７】前記請求項１乃至６のいずれか１項に記載
   の配線基板において、 前記絶縁基板に設けられた橋梁部の幅が、１５０μｍか
   ら５００μｍであることを特徴とする配線基板。
8. 【請求項８】フィルム状の絶縁基板の所定位置に開口部
   を設け、前記絶縁基板の一主面上に前記開口部内に突出
   し、且つ前記開口部が設けられた領域の外側の領域に外
   部接続端子を有する配線を設け、前記絶縁基板の配線が
   設けられた面に弾性体を設け、前記弾性体上に半導体チ
   ップを、その外部電極が前記絶縁基板の開口部と向かい
   合うように設け、前記開口部内の配線を変形させて前記
   半導体チップの外部電極と接続し、前記開口部内を絶縁
   体で封止した半導体装置において、 前記絶縁基板の前記開口部は、所定位置に設けられた橋
   梁部により複数個に分割され、 前記半導体チップの外部電極は、前記各開口部内に線状
   に設けられ、 前記弾性体は、前記絶縁基板の前記開口部が設けられた
   領域の外側の領域及び前記橋梁部上に設けられているこ
   とを特徴とする半導体装置。
9. 【請求項９】前記請求項８に記載の半導体装置におい
   て、 前記各開口部を分割する橋梁部の幅が、１５０μｍから
   ５００μｍであることを特徴とする半導体装置。
10. 【請求項１０】フィルム状の絶縁基板の所定領域内に、
    橋梁部により分割される複数個の開口部を形成し、 前記絶縁基板の一主面上に導電性薄膜を形成し、 前記導電性薄膜をエッチングして、前記各開口部のいず
    れかを前記橋梁部の延在方向と直交する方向にまたぎ、
    且つ前記開口部が形成された領域の外側の領域に外部接
    続端子を有する配線を形成することを特徴とする配線基
    板の製造方法。
11. 【請求項１１】前記請求項１０に記載の配線基板の製造
    方法において、 前記配線を形成した後、 前記絶縁基板の配線形成面の、前記絶縁基板の前記開口
    部が形成された領域の外側の領域及び前記橋梁部上に弾
    性体（エラストマ）を形成することを特徴とする配線基
    板の製造方法。
12. 【請求項１２】前記請求項１１に記載の配線基板の製造
    方法において、 前記絶縁基板の配線形成面の、前記開口部が形成された
    領域の外側の領域に第１弾性体を形成し、前記橋梁部に
    第２弾性体を形成することを特徴とする配線基板の製造
    方法。