JP2840293B2 - Ｔａｂ用テープ及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
Ｔａｂ用テープ及びこれを用いた半導体装置Info
- Publication number
- JP2840293B2 JP2840293B2 JP1144422A JP14442289A JP2840293B2 JP 2840293 B2 JP2840293 B2 JP 2840293B2 JP 1144422 A JP1144422 A JP 1144422A JP 14442289 A JP14442289 A JP 14442289A JP 2840293 B2 JP2840293 B2 JP 2840293B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base film
- tab tape
- semiconductor chip
- conductor
- conductor circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はTAB（Tape Automated Bonding）用テープ及
びこのTAB用テープを用いた半導体装置に関する。
びこのTAB用テープを用いた半導体装置に関する。
（従来技術） 通常用いられるTBA用テープは、電気的絶縁性を有す
るポリイミドなどからなるベースフィルムの片面に導体
回路を形成したものであって、ベースフィルムに穿設し
たデバイスホールの内側にインナーリードを延出させ、
半導体チップの周縁部のボンディング面にこのインナー
リード一括してボンディングするように構成されてい
る。このTAB用テープは、ベースフィルムに銅箔等の導
体材を接合した後、エッチング等を行い導体回路を形成
することにより製造される。
るポリイミドなどからなるベースフィルムの片面に導体
回路を形成したものであって、ベースフィルムに穿設し
たデバイスホールの内側にインナーリードを延出させ、
半導体チップの周縁部のボンディング面にこのインナー
リード一括してボンディングするように構成されてい
る。このTAB用テープは、ベースフィルムに銅箔等の導
体材を接合した後、エッチング等を行い導体回路を形成
することにより製造される。
なお、上記のように半導体チップの周縁部のボンディ
ング面にインナーリードをボンディングするものの他、
チップの中央部にもボンディングできるように形成した
エリアTABテープもある。このエリアTABテープは、チッ
プ表面に設けた多数の電極に合わせてボンディング部を
設けるからチップ表面上で導体回路が交錯しないように
する必要がある。そこで、エリアTABテープでは、導体
回路が交錯する部分では透孔に導体材料を充填したビア
で一方の面から他方の面に導体回路を逃がし、導体回路
が交錯することを解消している。
ング面にインナーリードをボンディングするものの他、
チップの中央部にもボンディングできるように形成した
エリアTABテープもある。このエリアTABテープは、チッ
プ表面に設けた多数の電極に合わせてボンディング部を
設けるからチップ表面上で導体回路が交錯しないように
する必要がある。そこで、エリアTABテープでは、導体
回路が交錯する部分では透孔に導体材料を充填したビア
で一方の面から他方の面に導体回路を逃がし、導体回路
が交錯することを解消している。
（発明が解決しようとする課題） 従来のTAB用テープは上述したように、ベースフィル
ムの片面に導体回路を設けておくのが普通であるが、こ
の方法ではTAB用テープに形成できるリード数、とくに
インナーリードの本数はリード幅、リード間隔、配置ス
ペースの関係から限界に近づいており、さらに高密度に
リードを形成することはきわめて困難になっている。
ムの片面に導体回路を設けておくのが普通であるが、こ
の方法ではTAB用テープに形成できるリード数、とくに
インナーリードの本数はリード幅、リード間隔、配置ス
ペースの関係から限界に近づいており、さらに高密度に
リードを形成することはきわめて困難になっている。
また、この結果、TAB用テープを用いた半導体装置の
多ピン化も限界に近づいている。
多ピン化も限界に近づいている。
そこで、本発明は上記問題点を解消すべくなされたも
のであり、その目的とするところは、従来のTAB用テー
プにくらべてさらに多数のリードを形成でき、高密度実
装を可能とするTAB用テープおよびこのTAB用テープを用
いた半導体装置を提供するにある。
のであり、その目的とするところは、従来のTAB用テー
プにくらべてさらに多数のリードを形成でき、高密度実
装を可能とするTAB用テープおよびこのTAB用テープを用
いた半導体装置を提供するにある。
（課題を解決するための手段） 本発明は上記目的を達成するため、次の構成をそなえ
る。
る。
すなわち、電気的絶縁性を有するベースフィルムの両
面に導体回路が形成され、半導体チップと電気的に接続
される前記各々の導体回路のボンディング部が前記ベー
スフィルムの半導体チップが搭載される一方の面にのみ
設けられ、前記ベースフィルムの半導体チップが搭載さ
れる領域内にデバイスホールが設けられたTAB用テープ
であって、前記ベースフィルムの一方の面に形成された
導体回路の一端にボンディング部が設けられるととも
に、前記ベースフィルムの他方の面に形成された導体回
路が前記デバイスホールの内壁面に密着して前記ベース
フィルムの一方の面に延在されて形成され、該導体回路
の一端のボンディング部が設けられたことを特徴とす
る。
面に導体回路が形成され、半導体チップと電気的に接続
される前記各々の導体回路のボンディング部が前記ベー
スフィルムの半導体チップが搭載される一方の面にのみ
設けられ、前記ベースフィルムの半導体チップが搭載さ
れる領域内にデバイスホールが設けられたTAB用テープ
であって、前記ベースフィルムの一方の面に形成された
導体回路の一端にボンディング部が設けられるととも
に、前記ベースフィルムの他方の面に形成された導体回
路が前記デバイスホールの内壁面に密着して前記ベース
フィルムの一方の面に延在されて形成され、該導体回路
の一端のボンディング部が設けられたことを特徴とす
る。
また、半導体装置において、前記TAB用テープのベー
スフィルムの一方の面に形成された導体回路のボンディ
ング部と半導体チップとがボンディングされ、前記ベー
スフィルムの両面に設けられた各々の導体回路の他端側
に、実装用の基板と電気的に接続する接続部が設けられ
たことを特徴とする。
スフィルムの一方の面に形成された導体回路のボンディ
ング部と半導体チップとがボンディングされ、前記ベー
スフィルムの両面に設けられた各々の導体回路の他端側
に、実装用の基板と電気的に接続する接続部が設けられ
たことを特徴とする。
（作用） 本発明に係るTAB用テープはベースフィルムの両面に
導体回路が形成されるとともに、半導体チップに接続さ
れるボンディング部がTAB用テープの一方の面にのみ設
けられていることから、半導体チップはTAB用テープの
一方の面でのボンディングによりベースフィルムの両面
に形成された導体回路と電気的に接続して搭載すること
ができる。また、導体回路のボンディング部がベースフ
ィルムに支持されていることにより、高精度のボンディ
ングが可能となる。
導体回路が形成されるとともに、半導体チップに接続さ
れるボンディング部がTAB用テープの一方の面にのみ設
けられていることから、半導体チップはTAB用テープの
一方の面でのボンディングによりベースフィルムの両面
に形成された導体回路と電気的に接続して搭載すること
ができる。また、導体回路のボンディング部がベースフ
ィルムに支持されていることにより、高精度のボンディ
ングが可能となる。
（実施例） 以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明に係るTAB用テープの構成とTAB用テー
プに半導体チップを搭載した状態を示す説明図である。
プに半導体チップを搭載した状態を示す説明図である。
図で10はポリイミドからなるベースフィルム、12はベ
ースフィルム10の上側の面（他方の面）に形成した導体
回路、14はベースフィルム10の下側の面（一方の面）に
形成した導体回路である。これらの導体回路12、14は銅
箔等の導体材によって形成される。20はデバイスホール
であり、半導体チップ22が搭載される領域内に設けられ
ている。
ースフィルム10の上側の面（他方の面）に形成した導体
回路、14はベースフィルム10の下側の面（一方の面）に
形成した導体回路である。これらの導体回路12、14は銅
箔等の導体材によって形成される。20はデバイスホール
であり、半導体チップ22が搭載される領域内に設けられ
ている。
本実施例のTAB用テープは、ベースフィルム10の上側
の面に形成した導体回路12をベースフィルム10の下側の
面にまで延在させ、半導体チップ22に接続される導体回
路12、14のボンディング部をベースフィルム10の下側の
面（一方の面）にのみ設けたことを特徴とする。
の面に形成した導体回路12をベースフィルム10の下側の
面にまで延在させ、半導体チップ22に接続される導体回
路12、14のボンディング部をベースフィルム10の下側の
面（一方の面）にのみ設けたことを特徴とする。
ベースフィルム10の上側の導体回路12はデバイスホー
ル20の内壁面に密着して形成された導通回路13を介して
ベースフィルム10の下側の面に延在し、延在した導体回
路12の端部で半導体チップ22と導体回路12とが接続され
る。
ル20の内壁面に密着して形成された導通回路13を介して
ベースフィルム10の下側の面に延在し、延在した導体回
路12の端部で半導体チップ22と導体回路12とが接続され
る。
本実施例のTAB用テープは、第１図に示すようにベー
スフィルム10の下側の面（一方の面）に導体回路12、14
のボンディング部が設けられているから、半導体チップ
22はベースフィルム10の一方の面で導体回路12、14と電
気的に接続することができる。
スフィルム10の下側の面（一方の面）に導体回路12、14
のボンディング部が設けられているから、半導体チップ
22はベースフィルム10の一方の面で導体回路12、14と電
気的に接続することができる。
なお、TAB用テープに半導体チップ22を接続した半導
体装置を実装基板等に実装する際には、実装側の基板に
設けた接続用電極と導体回路の他端側に設けた接続部と
を接続することによる。
体装置を実装基板等に実装する際には、実装側の基板に
設けた接続用電極と導体回路の他端側に設けた接続部と
を接続することによる。
以上のように、本実施例のTAB用テープでは、ベース
フィルム10の上下両面に導体回路12、14を設け、導体回
路12、14の各々の半導体チップ22と接続するボンディン
グ部を設けたから、従来のTAB用テープの２倍程度のボ
ンディング部を形成することが可能となる。
フィルム10の上下両面に導体回路12、14を設け、導体回
路12、14の各々の半導体チップ22と接続するボンディン
グ部を設けたから、従来のTAB用テープの２倍程度のボ
ンディング部を形成することが可能となる。
また、上記のように構成することによって、半導体チ
ップ22にボンディングすることも容易にでき、基板等に
実装することも容易にできるようになる。
ップ22にボンディングすることも容易にでき、基板等に
実装することも容易にできるようになる。
なお、ベースフィルム10の下面に設ける導体回路14に
ついては、基板に接合する側についてはスペース的に余
裕があるから、場合によっては導体回路14の接続電極側
へのボンディング部を外方に延出させ、たとえば先端が
アウターリードと交互に位置するように配置してもよ
い。このようにすれば、アウターリードと導体回路14と
が中間にベースフィルム10を介在させることなく基板に
的確にボンディングすることができる。
ついては、基板に接合する側についてはスペース的に余
裕があるから、場合によっては導体回路14の接続電極側
へのボンディング部を外方に延出させ、たとえば先端が
アウターリードと交互に位置するように配置してもよ
い。このようにすれば、アウターリードと導体回路14と
が中間にベースフィルム10を介在させることなく基板に
的確にボンディングすることができる。
なお、半導体チップ等の内部回路を気密封止する場合
は、従来のTAB用テープの場合と同様に、半導体チップ
をTAB用テープにボンディングした後、トランスファモ
ールドによって樹脂封止する方法、溶融樹脂をポッティ
ングして樹脂封止する方法などが適用できる。
は、従来のTAB用テープの場合と同様に、半導体チップ
をTAB用テープにボンディングした後、トランスファモ
ールドによって樹脂封止する方法、溶融樹脂をポッティ
ングして樹脂封止する方法などが適用できる。
次に、第２図（ａ）〜（ｆ）にしたがって、ベースフ
ィルム10の上側の面と下側の面に各々導体回路12、１が
形成されたTAB用テープの製造例について説明する。
ィルム10の上側の面と下側の面に各々導体回路12、１が
形成されたTAB用テープの製造例について説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、ベースフィルム10
の下面に導体回路14をつくるための銅箔14aを貼着す
る。
の下面に導体回路14をつくるための銅箔14aを貼着す
る。
次に、この銅箔14a上にレジストを塗布し、形成すべ
き導体回路14のパターンにしたがって銅箔14aをエッチ
ングし、レジストを除去して所定パターンの導体回路を
形成し、さらに、プレス打ち抜き加工を施して所要のデ
バイスホール20とスプロケットホール40等を形成する。
第２図（ｂ）はプレス打ち抜き加工を施した後の状態を
示し、ベースフィルム10の下面に導体回路14が形成され
た状態を示す。
き導体回路14のパターンにしたがって銅箔14aをエッチ
ングし、レジストを除去して所定パターンの導体回路を
形成し、さらに、プレス打ち抜き加工を施して所要のデ
バイスホール20とスプロケットホール40等を形成する。
第２図（ｂ）はプレス打ち抜き加工を施した後の状態を
示し、ベースフィルム10の下面に導体回路14が形成され
た状態を示す。
次いで、第２図（ｃ）に示すように、ベースフィルム
10の上面に導体回路12を形成するための銅箔12aを貼着
する。
10の上面に導体回路12を形成するための銅箔12aを貼着
する。
次に、銅箔12aにレジストを塗布し、所定の回路パタ
ーンにしたがってレジストパターン42を形成する。同時
にベースフィルム10の下面側の導体回路14をレジストで
保護し、デバイスホール20等の所要部分にレジスト44を
埋めて銅箔12aを裏打ちする（第２図（ｄ））。
ーンにしたがってレジストパターン42を形成する。同時
にベースフィルム10の下面側の導体回路14をレジストで
保護し、デバイスホール20等の所要部分にレジスト44を
埋めて銅箔12aを裏打ちする（第２図（ｄ））。
次いで、銅箔12aを片面側からエッチングし、レジス
トを除去して導体回路12を形成する（第２図（ｅ））。
この後、形成した導体回路12、14に所要のめっきを施
す。
トを除去して導体回路12を形成する（第２図（ｅ））。
この後、形成した導体回路12、14に所要のめっきを施
す。
最後に、ベースフィルム10などの不要部分を除去し
て、第２図（ｆ）に示すように、ベースフィルム10の上
下両面に導体回路12、14が形成されたTAB用テープを得
る。
て、第２図（ｆ）に示すように、ベースフィルム10の上
下両面に導体回路12、14が形成されたTAB用テープを得
る。
なお、ベースフィルム10などの不要部分を除去する前
のTAB用テープの導体回路12、14にバンプを形成して半
導体チップをボンディングするようにしてもよい。
のTAB用テープの導体回路12、14にバンプを形成して半
導体チップをボンディングするようにしてもよい。
以上、本発明について、好適な実施例を挙げて種々説
明したが、本発明はこの実施例に限定されものではな
く、種々のタイプの半導体装置に同様に適用できるもの
であって、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変
を施し得るのはもちろんである。
明したが、本発明はこの実施例に限定されものではな
く、種々のタイプの半導体装置に同様に適用できるもの
であって、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変
を施し得るのはもちろんである。
（発明の効果） 本発明に係るTAB用テープは、上述したように、ベー
スフィルムの両面に導体回路が形成され、半導体チップ
にボンディングされるボンディング部はTAB用テープの
一方の両面にのみ設けられているから、TAB用テープの
一方の面でのボンディングによって半導体チップと容易
にボンディングすることができ、このボンディングによ
りベースフィルムの両面に形成された導体回路と半導体
チップとをベースフィルムの一方の面側で電気的に接続
させた状態で搭載することができる。ベースフィルムの
両面に導体回路が形成されたことにより、高密度実装が
可能となり、高集積化された半導体チップを搭載するこ
とが容易であり、ボンディング部がベースフィルムに支
持されていることから、高精度で確実なボンディングが
可能となって、信頼性の高い半導体装置として提供する
ことが可能になる等の著効を奏する。
スフィルムの両面に導体回路が形成され、半導体チップ
にボンディングされるボンディング部はTAB用テープの
一方の両面にのみ設けられているから、TAB用テープの
一方の面でのボンディングによって半導体チップと容易
にボンディングすることができ、このボンディングによ
りベースフィルムの両面に形成された導体回路と半導体
チップとをベースフィルムの一方の面側で電気的に接続
させた状態で搭載することができる。ベースフィルムの
両面に導体回路が形成されたことにより、高密度実装が
可能となり、高集積化された半導体チップを搭載するこ
とが容易であり、ボンディング部がベースフィルムに支
持されていることから、高精度で確実なボンディングが
可能となって、信頼性の高い半導体装置として提供する
ことが可能になる等の著効を奏する。
第１図は本発明に係るTAB用テープとTAB用テープに半導
体チップを搭載した構成を示す説明図、第２図はベース
フィルムの両面に導体回路を有するTAB用テープの製造
例を示す説明図である。 10……ベースフィルム、12、14……導体回路、12a、14a
……銅箔、16……インナーリード、18……アウターリー
ド、20……デバイスホール、22……半導体チップ、34…
…バンプ、42……レジストパターン。
体チップを搭載した構成を示す説明図、第２図はベース
フィルムの両面に導体回路を有するTAB用テープの製造
例を示す説明図である。 10……ベースフィルム、12、14……導体回路、12a、14a
……銅箔、16……インナーリード、18……アウターリー
ド、20……デバイスホール、22……半導体チップ、34…
…バンプ、42……レジストパターン。
Claims (2)
- 【請求項１】電気的絶縁性を有するベースフィルムの両
面に導体回路が形成され、半導体チップと電気的に接続
される前記各々の導体回路のボンディング部が前記ベー
スフィルムの半導体チップが搭載される一方の面にのみ
設けられ、前記ベースフィルムの半導体チップが搭載さ
れる領域内にデバイスホールが設けられたTAB用テープ
であって、 前記ベースフィルムの一方の面に形成された導体回路の
一端にボンディング部が設けられるとともに、 前記ベースフィルムの他方の面に形成された導体回路が
前記デバイスホールの内壁面に密着して前記ベースフィ
ルムの一方の面に延在されて形成され、 該導体回路の一端のボンディング部が設けられたことを
特徴とするTAB用テープ。 - 【請求項２】請求項１記載のTAB用テープのベースフィ
ルムの一方の面に形成された導体回路のボンディング部
と半導体チップとがボンディングされ、 前記ベースフィルムの両面に設けられた各々の導体回路
の他端側に、実装用の基板と電気的に接続する接続部が
設けられたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1144422A JP2840293B2 (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | Ｔａｂ用テープ及びこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1144422A JP2840293B2 (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | Ｔａｂ用テープ及びこれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH039973A JPH039973A (ja) | 1991-01-17 |
| JP2840293B2 true JP2840293B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=15361815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1144422A Expired - Lifetime JP2840293B2 (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | Ｔａｂ用テープ及びこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2840293B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996012296A1 (en) * | 1994-10-18 | 1996-04-25 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and its manufacture |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552250A (en) * | 1978-10-11 | 1980-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Connecting structure in semiconductor integrated circuit |
| JPS5887360U (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-14 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JPS6226046U (ja) * | 1985-07-30 | 1987-02-17 |
-
1989
- 1989-06-07 JP JP1144422A patent/JP2840293B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH039973A (ja) | 1991-01-17 |
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