JPH039973A - Ｔａｂ用テープ及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、Ｔ　Ａ　Ｂ　（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅ
ｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）用テープ及びこのＴＡＢ用テープ
を用いた半導体装置に関する。

（従来技術） 通常用いられるＴＡＢ用テープは、電気的絶縁性を有す
るポリイミドなどからなるベースフィルムの片面に導体
回路を形成したものであって、ベースフィルムに穿設し
たデバイスホールの内側にインナーリードを延出させ、
半導体チップの周縁部のボンディング面にこのインナー
リードを一括してボンディングするように構成されてい
る。このＴＡＢ用テープは、ベースフィルムに銅箔等の
導体材を接合した後エツチング等を行い導体回路を形成
することにより製造される。

なお、上記のように半導体チップの周縁部のボンディン
グ面にインナーリードをボンディングするものの他、チ
ップの中央部に設けたボンディング面にもボンディング
できるように形成したエリアＴＡＢ用テープもある。こ
のエリアＴＡＢ用テープは、チップ表面に設ける多数の
ボンディング面に合わせて多数のボンディング部を設け
るからチップ表面上で導体回路が交錯しないようにする
必要がある。そこで、エリアＴＡＢ用テープでは、導体
回路が交ｊ＋Ｆする部分では透孔に導体材料を充填した
ビアで一方の面から他方の面に導体回路を逃がし、導体
回路が交錯することを解消している。

（発明が解決しようとする課題） 従来のＴＡＢ用テープは上述したように、ベースフィル
ムの片面に導体回路を設けておくのが普通であるが、こ
の方法ではＴＡＢ用テープに形成できるリード数、とく
にインナーリードの本数はリード幅、リード間隔、配置
スペースの関係から限界に近づいており、さらに高密度
にリードを形成することはきわめて国元になっている。

また、この結果ＴＡＢ用テープを用いた半導体装置の多
ピン化も限界に近づいている。

そこで、本発明は上記間屈点を解消すべくなされたもの
であり、その目的とするところは、従来のＴＡＢ用テー
プにくらべてさらに多数のリードを形成でき、高密度実
装を可能とするＴＡＢ用テープおよびこのＴＡＢ用テー
プを用いた半導体装置を提供するにある。

（課題を解決するための手段） 本発明は上記目的を達成するため次の構成をそなえる。

すなわち、電気的絶縁性を有するベースフィルムに導体
回路を設けてなるＴＡＢ用テープにおいて、前記ベース
フィルムの上下両面に導体回路を形成し、該導体回路の
それぞれに、搭載する半導体チップと接合するボンディ
ング部を設けるとともに、前記それぞれの導体回路に、
接続基板等の接続用電極へ接続する電極接続部を設けた
ことを特徴とする。また、前記ベースフィルムの一方の
面に設けた導体回路の先端を、ベースフィルムに穿設し
たデバイスホールの内側に延出させて、半導体チップと
接合するインナーリードとして形成したことを特徴とす
る。また、ＴＡＢ用テープのベースフィルムの上下両面
に設けたそれぞれの導体回路のボンディング部が半導体
チップのボンディング面にボンディングされ、前記それ
ぞれの導体回路に接続基板等に接続する電極接続部を設
けたことを特徴とする。

（作用） ベースフィルムの上下両面に導体回路を設け。

これら導体回路がそれぞれ半導体チップにボンディング
できるように構成することによって、ＴＡＢ用テープの
リード数を２倍程度まで増大させることができる。これ
によって、高密度実装が容易に可能となる。

（実施例） 以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に
説明する。

第１図は本発明に係るＴＡＢ用テープを用いた半導体装
置の構成を示す説明図である。

図で１０はポリイミドからなるベースフィルム、１２は
ベースフィルム１０の上側の面に形成した導体回路、１
４はベースフィルム１０の下側の面に形成した。銅箔等
の導体材からなる導体回路である。ベースフィルム１０
の上側の面に設けた導体回路１２には、インナーリード
１６とアウターリード１８を形成する。インナーリード
１６はベースフィルム１０に形成したデバイスホール２
０の内側にその先端を延出し、アウターリード１８はベ
ースフィルム１０の外側にその先端を延出する。ベース
フィルム１０の下側の面に形成した導体回路１４はベー
スフィルム１０に接合する。これら、ベースフィルム１
０および導体回路１２．１４等の各部がＴＡＢ用テープ
を構成する。

また、２２は上記ＴＡＢ用テープに接合した半導体チッ
プで、２４は半導体チップ２２の上面のボンディング面
に形成したボンディング用のバンブである。半導体チッ
プ２２は前記ＴＡＢ用テーブのインナーリード１６の先
端部および導体回路１４のデバイスホール２０に臨む端
部下面にボンディングされている。

２６は半導体チップ２２をボンディングする際に用いる
ボンディングツールであるが、図のようにインナーリー
ド１６および導体回路１４の端部はバンプ２４を介して
一括して半導体チップ２２の上面にボンディングする。

インナーリード１６はベースフィルム１０の厚さにくら
べて先端が長く延出するから、ボンディングツール２６
によって容易にボンディングできる。一方、導体回路１
４はベースフィルム１０を中間に介在させてボンディン
グすることになる。

また、２８は半導体チップ２２を支持する基板である。

半導体チップ２２は基板２８の凹部３０内に収容されて
いる。３２は基板２８上に設けた接続用電極で、３４は
接続用電極３２に設けたバンプである。接続用電極３２
はバンプ３４を介して前記アウターリード１８および導
体回路１４の外側の端部下面に接続される。

なお、接続用電極３２とアウターリード１８、導体回路
１４とは、バンプを用いずにはんだ等により接合しても
よい。

また、半導体チップ２２は基板２８に接合せず、ＴＡＢ
用テープにボンディングした後インナーリード１６や半
導体チップ２２を樹脂封止するようにしてもよい。

以上のように、本実施例のＴＡＢ用テープではベースフ
ィルム１０の上下両面に導体回路１２．１４を設け、導
体回路１２．１４のそれぞれに半導体チップ２２とのボ
ンディング部を設けたから、従来のＴＡＢ用テープの２
倍程度のボンディング部を形成することが可能となる。

また、上記のように枯成することによって、半導体チッ
プ２２にボンディングすることも容易にでき、基板２８
等に実装することも容易にできるようになる。なお、上
記実施例においては、ベースフィルム１０の下面に設け
た導体回路１４については、ベースフィルム１０から外
側に出ないようにして形成したが、基板２８に接合する
側についてはスペース的に余裕があるから、場合によっ
ては、導体回路１４の接続電極側へのボンデイン部を外
方に延出させ、たとえば先端がアウターリード１８と交
互に位置するように配置してもよい。

このようにすれば、アウターリード１８と導体回路１４
が中間にベースフィルム１０を介在させることなく基板
２８に的確にボンディングすることができる。

なお、インナーリードおよび半導体チップ等の内部回路
を気密封止する場合は、従来のＴＡＢ用テープの場合と
同様に、半導体チップを上記ＴＡＢ用テープにボンディ
ングした後、トランスファーモールドによって樹脂封止
する方法、第１図のように基板に接合した後、溶融槓脂
をポツティングして樹脂封止する方法などが適用できる
。

次に、第２図＜ａ）〜＜ｆ）にしたがって上記ＴＡＢ用
テープの製造方法例について説明する。

まず、第２図（ａ）に示すように、ベースフィルム１０
の下面に前記導体回路１４をつくるための銅箔１４ａを
貼着する。

次に、この銅箔１４ａ上にレジストを塗布し、形成すべ
き導体回路１４の回路パターンに従って銅箔１４ａをエ
ツチングし、レジストを除去して所定パターンの導体回
路を形成し、さらに、プレス打ち抜き加工を施して所要
のデバイスホール２０あるいはスプロケットホール４０
等を形成する。

第２図（ｂ）は上記のプレス打ち抜き加工を施した後の
状態を示し、ベースフィルム１０の下面に導体回路１４
が形成された状態を示す。

次いで、第２図（ｃ）に示すように、ベースフィルム１
０の上面に導体回路１２を形成するための銅箔１２ａを
貼着する。

次に、銅箔１２ａにレジストを塗布し、所定の回路パタ
ーンにしたがってレジストパターン４２を形成する。同
時にベースフィルム１０の下面側の導体回路１４をレジ
ストで保護し、デバイスホール２０等の所要部分にレジ
スト４４を埋めて銅ｆＭ１２　ａを裏打ちする（第２図
（ｄ））　。

次いで、銅箔１２ａを片面側からエツチングし、レジス
トを除去して導体回路１２を形成する（第２図（ｅ））
　、この後、形成した導体回路１２．１４に所要のめっ
きを施す。

最後に、ベースフィルム１０などの不要部分を除去して
、第２図（ｆ）に示すように、ベースフィルム１０の上
下両面に導体回路１２．１４が形成されたＴＡＢ用テー
プを得る。上記の製造方法によって、インナーリード１
６およびアウターリード１８がそれぞれデバイスホール
２０の内側およびベースフィルム１０の外側に延出する
ように形成される。

なお、ベースフィルム１０などの不要部分を除去する前
のＴＡＢ用テープの導体回路１２．１４、または半導体
チップにバンプを形成して、半導体チップをボンディン
グするようにしてもよい。

第３図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は前述したＴＡＢ用テー
プの変形例を示す。

第３図（ａ）に示す例は、半導体チップ２２のボンディ
ング面の位置に段差を設けて、インナーリード１６およ
び導体回路１４の厚み方向の位置の差をＭ消したもので
、これによってボンディング性を改善することができる
。

第３図（ト））に示す例は、ベースフィルム１０の上面
に設けた導体回路１２のボンディング部をベースフィル
ム１０の下面にもってきた例で、デバイスホール２０側
面に導通回路１３を設けてベースフィルム１０下面にボ
ンディング部を設けている。

この場合は、バンプ３４をＴＡＢ用テープ側に設けるこ
とが容易である。

第３図（Ｃ）に示す例は、ベースフィルム１０に導体材
料を充填したビア４６を形成してベースフィルム１０の
上面に設けた導体回路１２のボンディング部をベースフ
ィルム１ｏの下面に設けた例である。

以上、本発明について好適な実施例を挙げて種々説明し
たが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、
種々のタイプの半導体装置に同様に適用できるものであ
って１発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施
し得るのはもちろんのことである。

（発明の効果） 上述したように１本発明に係るＴＡＢ用テープによれば
、ベースフィルムの上下面に導体回路を設け、それぞれ
の導体回路を半導体チップにボンディングするようにし
たから、従来のＴＡＢ用テープにくらべて、２倍程度の
本数のリードを形成することが容易に可能となり、ＴＡ
Ｂ用テープの高密度化にきわめて有効である。また、こ
のＴＡＢ用テープを用いることによって高密度実装され
た半導体装置を容易に得ることができる等の著効を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るＴＡＢ用テープを用いた半導体装
置を示す説明図、第２図はＴＡＢ用テープの製造例を示
す説明図、第３図は他の実施例を示す説明図である。 １０・・・ベースフィルム、　　１２．１４・・・導体
回路、　１２ａ、１４ａ・・・銅箔、１６・・・インナ
ーリード、　　１８・・・アウターリード、　　２０・
・・デバイスホール。 ２２・・・半導体チップ、　２４．３４・・・バンプ、
　２６・・・ボンディングツール、２８・・・基板、　
４２・・・レジストパターン。 ４４・・・レジスト。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電気的絶縁性を有するベースフィルムに導体回路を
   設けてなるＴＡＢ用テープにおいて、前記ベースフィル
   ムの上下両面に導体回路 を形成し、該導体回路のそれぞれに、搭載する半導体チ
   ップと接合するボンディング部を設けるとともに、 前記それぞれの導体回路に、接続基板等の 接続用電極ヘ接続する電極接続部を設けたことを特徴と
   するＴＡＢ用テープ。 ２、ベースフィルムの一方の面に設けた導体回路の先端
   を、ベースフィルムに穿設したデバイスホールの内側に
   延出させて、半導体チップと接合するインナーリードと
   して形成したことを特徴とする請求項１記載のＴＡＢ用
   テープ。 ３、請求項１または２記載のＴＡＢ用テープのベースフ
   ィルムの上下両面に設けたそれぞれの導体回路のボンデ
   ィング部が半導体チップのボンディング面にボンディン
   グされ、前記それぞれの導体回路に接続基板等に接続す
   る電極接続部を設けたことを特徴とする半導体装置。