JP4786976B2 - 配線基板及びその製造方法、並びに半導体装置 - Google Patents
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Description
フィルム基材1の周縁には、給電用導体パターン4が形成されている。導体配線2と給電用導体パターン4の境界近傍に、切断領域5が形成されている。導体配線2と給電用導体パターン4は形成当初は接続されており、突起電極3を形成するための電気メッキの工程において、給電用導体パターン4を介して導体配線2に対して給電が行われる。突起電極3形成後に、切断領域5を形成することにより、導体配線2と給電用導体パターン4が電気的に分離される。
上記課題を解決するために、本発明の配線基板は、前記第2導体配線の前記切断部が、前記絶縁性基材に形成された孔部であることを特徴とする。
本発明の半導体装置は、絶縁性基材と、前記絶縁性基材上に設けられた複数本の導体配線と、前記導体配線上に搭載された半導体素子とを備え、前記半導体素子の電極パッドと前記導体配線とは突起電極を介して接続され、前記導体配線は、前記突起電極と接続された端部の反対側端部の接続端子部において外部部品と接続され、前記導体配線は、前記半導体素子が搭載されるべき半導体素子搭載領域に各々前記突起電極と接続された第1導体配線と第2導体配線とを含み、前記第1導体配線は、前記突起電極から前記外部部品との接続端子部まで配線が延在し、前記第2導体配線は、前記突起電極から前記半導体素子搭載領域外であって前記接続端子部には至らない領域まで延在し、且つ前記半導体素子搭載領域外に延在した端部は、前記第1導体配線との境界領域に形成された切断部により前記第1導体配線とは電気的に分離されている。
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置は、前記第2導体配線の前記切断部が、前記絶縁性基材に形成された孔部であることを特徴とする。
上記課題を解決するために、本発明の第1構成の配線基板の製造方法は、前記切断部を形成する工程を前記絶縁性基材の打ち抜きにより行なうことを特徴とする。
また、本発明の第2構成の配線基板の製造方法は、前記切断部を形成する工程を、前記第1導体配線と前記第2導体配線をレーザーカットにより切断することにより行なうことを特徴とする。
実施の形態1におけるテープキャリア基板(配線基板)の構造について、図1に示すテープキャリア基板の一部の平面図を参照して説明する。なお、上述の従来例のテープキャリア基板と同一の構成要素については同一の参照符号を付して、説明の繰り返しを省略する。
まず、図2(a)に示すように、複数本の導体配線が整列して設けられたフィルム基材1(絶縁性基材)を用意する。導体配線は、第1導体配線2aと第2導体配線2bからなる。第1導体配線2aは、後の工程において突起電極が形成される領域から外部部品と接続される接続端子部11まで配線が延在し、さらに給電用導体パターン4に接続されている。第2導体配線2bは、突起電極が形成される領域から半導体素子搭載領域12外には延在するが、接続端子部11までは延在しない。第2導体配線2bは第1導体配線2aと接続されている。
図2(b)に示すように、電気めっきにより、第1導体配線2aと第2導体配線2bの先端部に突起電極3を形成する。突起電極3は、半導体素子搭載領域12に搭載される半導体素子の電極パッドに対応する位置に配置される。
図2(c)に示すように、第1導体配線2aおよび第2導体配線2bの一部を削除して、切断領域5、13を形成する。切断領域13により、第1導体配線2aと第2導体配線2bの接続部分が、電気的に分離される。
図3は、実施の形態2におけるテープキャリア基板の一部を示す平面図である。図4は、同テープキャリア基板を製造するための製造工程中、実施の形態1における図2(a)に示した工程に対応する状態を示す平面図である。
2 導体配線
2a 第1導体配線
2b 第2導体配線
3 突起電極
4 給電用導体パターン
5、13 切断部
6 半導体素子
7 封止樹脂
8 金属めっき被膜
9 ソルダーレジスト
10 電極パッド
11 接続端子部
12 半導体素子搭載領域
Claims (8)
- 絶縁性基材と、前記絶縁性基材上に設けられた複数本の導体配線と、前記各導体配線に形成された突起電極とを備え、半導体素子の電極パッドと前記導体配線とは前記突起電極を介して接続可能であり、前記導体配線は、前記突起電極が形成された端部の反対側端部の接続端子部において外部部品と接続可能であるように構成された配線基板において、
前記導体配線は、前記半導体素子が搭載されるべき半導体素子搭載領域に各々前記突起電極が形成された第1導体配線と第2導体配線とを含み、
前記第1導体配線は、前記突起電極から前記外部部品との接続端子部まで配線が延在し、前記第2導体配線は、前記突起電極から前記半導体素子搭載領域外であって前記接続端子部には至らない領域まで延在し、且つ前記半導体素子搭載領域外に延在した端部は、前記第1導体配線との境界領域に形成された切断部により前記第1導体配線とは電気的に分離され、
前記第2導体配線の前記切断部が、前記絶縁性基材に形成された孔部であることを特徴とする配線基板。 - 前記半導体素子搭載領域の対向する両辺に配置された前記第2導体配線は互いに接続されている請求項1に記載の配線基板。
- 請求項1または2に記載の配線基板と、前記半導体素子搭載領域に搭載された半導体素子とを備え、前記半導体素子の電極パッドと前記導体配線とが前記突起電極を介して接続されたことを特徴とする半導体装置。
- 絶縁性基材と、前記絶縁性基材上に設けられた複数本の導体配線と、前記導体配線上に搭載された半導体素子とを備え、前記半導体素子の電極パッドと前記導体配線とは突起電極を介して接続され、前記導体配線は、前記突起電極と接続された端部の反対側端部の接続端子部において外部部品と接続された半導体装置において、
前記導体配線は、前記半導体素子が搭載されるべき半導体素子搭載領域に各々前記突起電極と接続された第1導体配線と第2導体配線とを含み、
前記第1導体配線は、前記突起電極から前記外部部品との接続端子部まで配線が延在し、前記第2導体配線は、前記突起電極から前記半導体素子搭載領域外であって前記接続端子部には至らない領域まで延在し、且つ前記半導体素子搭載領域外に延在した端部は、前記第1導体配線との境界領域に形成された切断部により前記第1導体配線とは電気的に分離され、
前記第2導体配線の前記切断部が、前記絶縁性基材に形成された孔部であることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体素子搭載領域の対向する両辺に配置された前記第2導体配線は互いに接続されている請求項4に記載の半導体装置。
- 前記切断部は、前記半導体素子を保護する封止樹脂の領域外に形成されている請求項4または5に記載の半導体装置。
- 絶縁性基材と、前記絶縁性基材上に設けられた複数本の導体配線と、前記各導体配線に形成された突起電極とを備え、半導体素子の電極パッドと前記導体配線とは前記突起電極を介して接続可能であり、前記導体配線は、前記突起電極が形成された端部の反対側端部の接続端子部において外部部品と接続可能である配線基板の製造方法において、
前記絶縁性基材上に、前記導体配線として第1導体配線と第2導体配線が形成され、前記第1導体配線は、前記突起電極が形成される位置から前記外部部品との接続端子部まで配線が延在し、前記第2導体配線は、前記突起電極が形成される位置から前記半導体素子搭載領域外であって前記接続端子部には至らない領域まで延在して前記第1導体配線と電気的に接続された導体配線付設基板を用意する工程と、
前記第2導体配線を介する給電により電気めっきを施して、前記第1導体配線及び第2導体配線上に前記突起電極を形成する工程と、
前記第1導体配線と前記第2導体配線を電気的に分離する切断部を形成する工程とを備え、
前記切断部を形成する工程を前記絶縁性基材の打ち抜きにより行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 絶縁性基材と、前記絶縁性基材上に設けられた複数本の導体配線と、前記各導体配線に形成された突起電極とを備え、半導体素子の電極パッドと前記導体配線とは前記突起電極を介して接続可能であり、前記導体配線は、前記突起電極が形成された端部の反対側端部の接続端子部において外部部品と接続可能である配線基板の製造方法において、
前記絶縁性基材上に、前記導体配線として第1導体配線と第2導体配線が形成され、前記第1導体配線は、前記突起電極が形成される位置から前記外部部品との接続端子部まで配線が延在し、前記第2導体配線は、前記突起電極が形成される位置から前記半導体素子搭載領域外であって前記接続端子部には至らない領域まで延在して前記第1導体配線と電気的に接続された導体配線付設基板を用意する工程と、
前記第2導体配線を介する給電により電気めっきを施して、前記第1導体配線及び第2導体配線上に前記突起電極を形成する工程と、
前記第1導体配線と前記第2導体配線を電気的に分離する切断部を形成する工程とを備え、
前記切断部を形成する工程を、前記第1導体配線と前記第2導体配線をレーザーカットにより切断することにより行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
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