JPH1041359A - 半導体装置用テープキャリア - Google Patents
半導体装置用テープキャリアInfo
- Publication number
- JPH1041359A JPH1041359A JP8196703A JP19670396A JPH1041359A JP H1041359 A JPH1041359 A JP H1041359A JP 8196703 A JP8196703 A JP 8196703A JP 19670396 A JP19670396 A JP 19670396A JP H1041359 A JPH1041359 A JP H1041359A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- inner lead
- bonding
- tape carrier
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 インナーリードを確実かつリードにダメージ
を与えないように切断し、更に一定のリード長に切断す
ることは難しく、また、工程が複雑になる。 【解決手段】 所定位置にデバイスホール３が開口され
た絶縁性フィルム１と、このポリイミドテープ１により
突出し、デバイスホール３を横断するように配設された
インナーリード４とを備えたテープキャリアであって、
ボンディングツールの接触によって切断可能な切断部１
１をインナーリード４の所定位置に形成した。これによ
り、切断部１１は他の部分に比べて強度が小さくなり、
ボンディングの直前にボンディングツールを接触させた
だけでインナーリード４は切断部１１から切断（分断）
される。
を与えないように切断し、更に一定のリード長に切断す
ることは難しく、また、工程が複雑になる。 【解決手段】 所定位置にデバイスホール３が開口され
た絶縁性フィルム１と、このポリイミドテープ１により
突出し、デバイスホール３を横断するように配設された
インナーリード４とを備えたテープキャリアであって、
ボンディングツールの接触によって切断可能な切断部１
１をインナーリード４の所定位置に形成した。これによ
り、切断部１１は他の部分に比べて強度が小さくなり、
ボンディングの直前にボンディングツールを接触させた
だけでインナーリード４は切断部１１から切断（分断）
される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に用いる
テープキャリアに係り、特に、デバイスホールにインナ
ーリードが架け渡される形状の半導体装置に最適なテー
プキャリアに関するものである。
テープキャリアに係り、特に、デバイスホールにインナ
ーリードが架け渡される形状の半導体装置に最適なテー
プキャリアに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】テープキャリアを用いた半導体装置のパ
ッケージング工程には、テープキャリアのインナーリー
ドを半導体チップの電極に接続するインナーリードボン
ディング（ＩＬＢ）工程を含んでいる。図６は従来のイ
ンナーリードボンディング工程におけるボンディング前
の状態を示す平面図であり、図７はボンディング中を示
す断面図である。
ッケージング工程には、テープキャリアのインナーリー
ドを半導体チップの電極に接続するインナーリードボン
ディング（ＩＬＢ）工程を含んでいる。図６は従来のイ
ンナーリードボンディング工程におけるボンディング前
の状態を示す平面図であり、図７はボンディング中を示
す断面図である。
【０００３】テープキャリアは絶縁性フィルムであるポ
リイミドテープ１を主体に構成され、その一部（例えば
中央部）には半導体チップ２を搭載する領域となるデバ
イスホール３（開口）が設けられている。このデバイス
ホール３に先端部の所定長が露出するようにして、ポリ
イミドテープ１の片面にはインナーリード４が一定間隔
に形成されている（インナーリード４の他端は、不図示
の金属導体（配線パターン）に接続されている）。すな
わち、インナーリード４の接続部は片持ち構造になって
いる。このインナーリード４の先端が半導体チップ２の
電極５に接続される。
リイミドテープ１を主体に構成され、その一部（例えば
中央部）には半導体チップ２を搭載する領域となるデバ
イスホール３（開口）が設けられている。このデバイス
ホール３に先端部の所定長が露出するようにして、ポリ
イミドテープ１の片面にはインナーリード４が一定間隔
に形成されている（インナーリード４の他端は、不図示
の金属導体（配線パターン）に接続されている）。すな
わち、インナーリード４の接続部は片持ち構造になって
いる。このインナーリード４の先端が半導体チップ２の
電極５に接続される。
【０００４】接続に際しては、超音波ボンダ等によるボ
ンディングツール６を電極５の上方へ位置させ、そのま
まボンディングツール６を降下させれば、インナーリー
ド４は押し下げられる過程で曲げられ、ボンディングツ
ール６が電極５の近傍まで降下した時点でインナーリー
ド４の先端の下面が電極５に当接する。この時点でボン
ディングツール６のボンディング部を動作させれば、イ
ンナーリード４の先端と電極５が接続される。
ンディングツール６を電極５の上方へ位置させ、そのま
まボンディングツール６を降下させれば、インナーリー
ド４は押し下げられる過程で曲げられ、ボンディングツ
ール６が電極５の近傍まで降下した時点でインナーリー
ド４の先端の下面が電極５に当接する。この時点でボン
ディングツール６のボンディング部を動作させれば、イ
ンナーリード４の先端と電極５が接続される。
【０００５】しかし、半導体装置のピン数（リード数）
が増加するのに伴ってリードピッチが狭くなってきてお
り、これに伴ってリード幅も細くなり、片持ち式のリー
ド構造ではリード変形が起きやすいという問題が生じて
いる。また、多ピンＢＧＡ（ボール グリッド アレ
イ： Ball Grid Array）用テープキャリアでは、全ての
リードに電気めっき用の給電配線を設ける構造が用いら
れている。
が増加するのに伴ってリードピッチが狭くなってきてお
り、これに伴ってリード幅も細くなり、片持ち式のリー
ド構造ではリード変形が起きやすいという問題が生じて
いる。また、多ピンＢＧＡ（ボール グリッド アレ
イ： Ball Grid Array）用テープキャリアでは、全ての
リードに電気めっき用の給電配線を設ける構造が用いら
れている。
【０００６】工程内でのリード変形を防止する手段とし
て、図８及び図９に示すストレートリード形状にする構
成がある。図８に示すように、インナーリード７はデバ
イスホール３を横断できる（架け渡しができる）長さを
有している。図９の（ａ）に示すように、ボンディング
を行う前にインナーリード７の先端の一部を専用のリー
ド切断ツール８によってＡ位置から切断する。ついで、
ボンディングツール６を電極５上に位置決めし、この状
態のままボンディングツール６を降下させれば、インナ
ーリード７は折り曲げられながら先端部が降下し、つい
には電極５に接触する（図９の（ａ））。この状態のま
まボンディングツール６のボンディング部を動作させれ
ば、インナーリード４の先端と電極５とが接続される。
て、図８及び図９に示すストレートリード形状にする構
成がある。図８に示すように、インナーリード７はデバ
イスホール３を横断できる（架け渡しができる）長さを
有している。図９の（ａ）に示すように、ボンディング
を行う前にインナーリード７の先端の一部を専用のリー
ド切断ツール８によってＡ位置から切断する。ついで、
ボンディングツール６を電極５上に位置決めし、この状
態のままボンディングツール６を降下させれば、インナ
ーリード７は折り曲げられながら先端部が降下し、つい
には電極５に接触する（図９の（ａ））。この状態のま
まボンディングツール６のボンディング部を動作させれ
ば、インナーリード４の先端と電極５とが接続される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のストレ
ートリード形状のテープキャリアによると、ボンディン
グ前にインナーリードの先端を切断する工程が必要にな
るが、リードを確実かつリードにダメージを与えないよ
うに切断し、更に一定のリード長に切断することは難し
く、また、工程が複雑になる。
ートリード形状のテープキャリアによると、ボンディン
グ前にインナーリードの先端を切断する工程が必要にな
るが、リードを確実かつリードにダメージを与えないよ
うに切断し、更に一定のリード長に切断することは難し
く、また、工程が複雑になる。
【０００８】そこで本発明は、１工程でリード変形を生
じないようにインナーリードを所定位置から切断するこ
とのできる半導体装置用テープキャリアを提供すること
を目的としている。
じないようにインナーリードを所定位置から切断するこ
とのできる半導体装置用テープキャリアを提供すること
を目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明は、所定位置にデバイスホールが開口さ
れた絶縁性フィルムと、前記デバイスホールを横断する
横断部を有したインナーリードとを具備する半導体装置
用テープキャリアにおいて、前記インナーリードはボン
ディングツールの接触によって切断される切断部を前記
横断部に形成した構成にしている。
めに、この発明は、所定位置にデバイスホールが開口さ
れた絶縁性フィルムと、前記デバイスホールを横断する
横断部を有したインナーリードとを具備する半導体装置
用テープキャリアにおいて、前記インナーリードはボン
ディングツールの接触によって切断される切断部を前記
横断部に形成した構成にしている。
【００１０】この構成によれば、切断部は他の部分に比
べて強度が小さくなるため、ボンディングの直前にボン
ディングツールを接触させただけで切断部から切断（分
断）され、リード切断ツールを用いる必要がなくなり、
工程を１つ減らすことができる。したがって、リード切
断とボンディングが、リード変形を生じさせることな
く、両者を１工程で行うことができる。
べて強度が小さくなるため、ボンディングの直前にボン
ディングツールを接触させただけで切断部から切断（分
断）され、リード切断ツールを用いる必要がなくなり、
工程を１つ減らすことができる。したがって、リード切
断とボンディングが、リード変形を生じさせることな
く、両者を１工程で行うことができる。
【００１１】前記切断部は、貫通孔、凹部又は溝にする
ことができる。この構成によれば、単純な構造なために
加工が容易であり、生産性及び量産性を高めることがで
きる。前記切断部は、エッチング加工により形成するこ
とができる。この構成によれば、従来より半導体装置の
製造工程で用いられているエッチング技術により切断部
を形成することができる。したがって、製造コストを下
げることがげきる。
ことができる。この構成によれば、単純な構造なために
加工が容易であり、生産性及び量産性を高めることがで
きる。前記切断部は、エッチング加工により形成するこ
とができる。この構成によれば、従来より半導体装置の
製造工程で用いられているエッチング技術により切断部
を形成することができる。したがって、製造コストを下
げることがげきる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を基に説明する。図１は本発明による半導体装置
用テープキャリアの一実施の形態を示す平面図であり、
図２は本発明に係るインナーリード切断部の詳細を示す
平面図及び断面図である。また、図３はインナーリード
切断部の他の例を示し、図４はインナーリード切断部の
更に他の例を示している。更に、図５は本発明における
ボンディング中の状態を示す断面図である。
て図面を基に説明する。図１は本発明による半導体装置
用テープキャリアの一実施の形態を示す平面図であり、
図２は本発明に係るインナーリード切断部の詳細を示す
平面図及び断面図である。また、図３はインナーリード
切断部の他の例を示し、図４はインナーリード切断部の
更に他の例を示している。更に、図５は本発明における
ボンディング中の状態を示す断面図である。
【００１３】図１に示すように、本発明による半導体装
置用テープキャリアは、デバイスホール３を横断する横
断部１０ａを有するインナーリード１０が配設されてい
る。このインナーリード１０の各々は、図８及び図９で
説明したストレートリード形状のときの切断位置であっ
た部位に切断部１１が設けられており、リード切断とボ
ンディングが同時に行えるようにしている。インナーリ
ード１０の各々は、半導体チップ２上に設けられている
電極５に重なる位置に配設されており、電極５との接続
がボンディングによって行えるようになっている。
置用テープキャリアは、デバイスホール３を横断する横
断部１０ａを有するインナーリード１０が配設されてい
る。このインナーリード１０の各々は、図８及び図９で
説明したストレートリード形状のときの切断位置であっ
た部位に切断部１１が設けられており、リード切断とボ
ンディングが同時に行えるようにしている。インナーリ
ード１０の各々は、半導体チップ２上に設けられている
電極５に重なる位置に配設されており、電極５との接続
がボンディングによって行えるようになっている。
【００１４】この切断部１１は、切断ツールを用いるこ
となく容易に切断が行える構造である必要がある。そこ
で、図２の（ａ）に示すように、インナーリード１０に
貫通孔１２を設け、切断（分断）が生じ易いようにして
いる。この貫通孔１２は、インナーリード１０の幅が４
０μｍ以上である場合、リード幅の約３０％程度の孔径
にする。そして、ボンディング部のリード幅が４０未満
の場合には、貫通孔１２を設けることによってリード強
度が著しく低下してリード変形が生じやすくなるので、
貫通孔に代え、図２の（ｂ）に示すように両側から深さ
５μｍ程度のエッチングを施して孔１３を形成し、或い
は、図２の（ｃ）に示すように片側から貫通孔が形成さ
れるようにエッチングを施して孔１４を形成する。
となく容易に切断が行える構造である必要がある。そこ
で、図２の（ａ）に示すように、インナーリード１０に
貫通孔１２を設け、切断（分断）が生じ易いようにして
いる。この貫通孔１２は、インナーリード１０の幅が４
０μｍ以上である場合、リード幅の約３０％程度の孔径
にする。そして、ボンディング部のリード幅が４０未満
の場合には、貫通孔１２を設けることによってリード強
度が著しく低下してリード変形が生じやすくなるので、
貫通孔に代え、図２の（ｂ）に示すように両側から深さ
５μｍ程度のエッチングを施して孔１３を形成し、或い
は、図２の（ｃ）に示すように片側から貫通孔が形成さ
れるようにエッチングを施して孔１４を形成する。
【００１５】また、貫通孔１２或いは孔１３，１４に代
え、図３の（ａ）、（ｂ）（平面図及び断面図）に示す
ように半円球状にエッチングを施したノッチ１５、或い
は図４（ａ）、（ｂ）（平面図及び断面図）に示すよう
に、幅方向に形成楕円溝又は長溝にエッチングを施した
ノッチ１６であってもよい。通常、エッチングの深さが
リード厚の３０％以上であれば、ボンディングツール６
がインナーリード１０に接触しながら降下する過程で切
断部１１から切断されるので、リード切断とボンディン
グを同時に行うことができる。
え、図３の（ａ）、（ｂ）（平面図及び断面図）に示す
ように半円球状にエッチングを施したノッチ１５、或い
は図４（ａ）、（ｂ）（平面図及び断面図）に示すよう
に、幅方向に形成楕円溝又は長溝にエッチングを施した
ノッチ１６であってもよい。通常、エッチングの深さが
リード厚の３０％以上であれば、ボンディングツール６
がインナーリード１０に接触しながら降下する過程で切
断部１１から切断されるので、リード切断とボンディン
グを同時に行うことができる。
【００１６】次に、本発明による半導体装置用テープキ
ャリアのインナーリードのボンディングについて、図５
を参照して説明する。まず、図１のように、切断部１１
が設けられているインナーリード１０の各々を半導体チ
ップ２上の電極５の各々に位置合わせする。この状態の
まま、超音波ボンダ等のボンディングツール６を押し下
げれば、その過程でインナーリード１０は切断部１１の
位置から切断される。そのままボンディングツール６を
降下させれば、本体側のインナーリード１０の先端はボ
ンディングツール６によって押し下げられ、インナーリ
ード１０の先端は電極５に当接する。この時点で不図示
の制御手段によりボンディングツール６を駆動すれば、
インナーリード１０の先端は電極５に接続される。
ャリアのインナーリードのボンディングについて、図５
を参照して説明する。まず、図１のように、切断部１１
が設けられているインナーリード１０の各々を半導体チ
ップ２上の電極５の各々に位置合わせする。この状態の
まま、超音波ボンダ等のボンディングツール６を押し下
げれば、その過程でインナーリード１０は切断部１１の
位置から切断される。そのままボンディングツール６を
降下させれば、本体側のインナーリード１０の先端はボ
ンディングツール６によって押し下げられ、インナーリ
ード１０の先端は電極５に当接する。この時点で不図示
の制御手段によりボンディングツール６を駆動すれば、
インナーリード１０の先端は電極５に接続される。
【００１７】このように、リード切断箇所を中心に深さ
５μｍ程度の溝状の切断部１１をインナーリード１０に
設けたことにより、インナーリードボンディング（ＩＬ
Ｂ）工程においてリード切断と同時にボンディングを行
うことができる。
５μｍ程度の溝状の切断部１１をインナーリード１０に
設けたことにより、インナーリードボンディング（ＩＬ
Ｂ）工程においてリード切断と同時にボンディングを行
うことができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明した通り、この発明は、インナ
ーリードの所定位置にボンディングツールの接触によっ
て切断可能な切断部を形成したので、ボンディングの直
前にボンディングツールで押圧するのみで切断部から分
離され、工程を増やすことなく、リード切断とボンディ
ングをリード変形を生じさせることなく１工程で行うこ
とができる。
ーリードの所定位置にボンディングツールの接触によっ
て切断可能な切断部を形成したので、ボンディングの直
前にボンディングツールで押圧するのみで切断部から分
離され、工程を増やすことなく、リード切断とボンディ
ングをリード変形を生じさせることなく１工程で行うこ
とができる。
【図１】本発明の半導体装置用テープキャリアの一実施
の形態を示す平面図である。
の形態を示す平面図である。
【図２】本発明に係る切断部の詳細を示し、（ａ）は平
面図、（ｂ）は断面図である。
面図、（ｂ）は断面図である。
【図３】切断部の他の例を示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）は断面図である。
（ｂ）は断面図である。
【図４】切断部の更に他の例を示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）は断面図である。
（ｂ）は断面図である。
【図５】本発明におけるボンディング中の状態を示す断
面図である。
面図である。
【図６】従来のインナーリードボンディング工程におけ
るボンディング前の状態を示す平面図である。
るボンディング前の状態を示す平面図である。
【図７】図６の状態からボンディングを行っている様子
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図８】ストレートリード形状の従来のインナーリード
ボンディング工程におけるボンディング前の状態を示す
平面図である。
ボンディング工程におけるボンディング前の状態を示す
平面図である。
【図９】図８の状態からボンディングを行っている様子
を示し、（ａ）は切断工程を示す断面図、（ｂ）はボン
ディング工程を示す断面図である。
を示し、（ａ）は切断工程を示す断面図、（ｂ）はボン
ディング工程を示す断面図である。
１ ポリイミドテープ ２ 半導体チップ ３ デバイスホール ４ インナーリード ５ 電極 ７，１０ インナーリード １０ａ 横断部 １１，１５，１６ 切断部 １２，１３ 貫通孔 １４ 孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 多賀 勝俊 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 御田 護 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 (72)発明者 安生 一郎 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内
Claims (3)
- 【請求項１】所定位置にデバイスホールが開口された絶
縁性フィルムと、前記デバイスホールを横断する横断部
を有したインナーリードとを具備する半導体装置用テー
プキャリアにおいて、 前記インナーリードはボンディングツールの接触によっ
て切断される切断部を前記横断部に形成したことを特徴
とする半導体装置用テープキャリア。 - 【請求項２】前記切断部は、貫通孔、凹部又は溝である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置用テープキ
ャリア。 - 【請求項３】前記切断部は、エッチング加工により形成
したことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置
用テープキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8196703A JPH1041359A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 半導体装置用テープキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8196703A JPH1041359A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 半導体装置用テープキャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041359A true JPH1041359A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16362189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8196703A Pending JPH1041359A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 半導体装置用テープキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1041359A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19924212B4 (de) * | 1999-05-27 | 2007-03-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Bonden von Leitern, insbesondere Beam Leads |
| JP2010272759A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Renesas Electronics Corp | テープキャリアパッケージ、テープキャリアパッケージ個別品、及びそれらの製造方法 |
-
1996
- 1996-07-25 JP JP8196703A patent/JPH1041359A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19924212B4 (de) * | 1999-05-27 | 2007-03-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Bonden von Leitern, insbesondere Beam Leads |
| JP2010272759A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Renesas Electronics Corp | テープキャリアパッケージ、テープキャリアパッケージ個別品、及びそれらの製造方法 |
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