JP2001168484A - 配線構体及びその形成法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線層上に、半田バンプを、半田をほとんど
展延させることなしに且つ配線層からの高さを予定の高
さとして、容易に、盛上げることができるようにする。 【解決手段】 絶縁性基板上に、第１の金属導体層とそ
れに比し低い半田濡れ性を有する第２の金属導体層とが
第２の金属導体層を表面側としてそれらの順に積層され
ている構成を有する配線層が形成され、配線層の第２の
金属導体層上に、第２の金属導体層に比し高い半田濡れ
性を有する半田バンプ盛上げ用金属電極層が形成されて
いる。
展延させることなしに且つ配線層からの高さを予定の高
さとして、容易に、盛上げることができるようにする。 【解決手段】 絶縁性基板上に、第１の金属導体層とそ
れに比し低い半田濡れ性を有する第２の金属導体層とが
第２の金属導体層を表面側としてそれらの順に積層され
ている構成を有する配線層が形成され、配線層の第２の
金属導体層上に、第２の金属導体層に比し高い半田濡れ
性を有する半田バンプ盛上げ用金属電極層が形成されて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁性基板上に配
線層が形成されている構成を有する配線構体、及びその
形成法に関する。
線層が形成されている構成を有する配線構体、及びその
形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図４に示すような、例えば合成樹
脂でなる絶縁性基板１上に、ＣｕまたはＡｕでなる金属
導体層２１の単層構成を有する配線層２が形成され、そ
の配線層２上に、半田レジスト層３が、絶縁性基板１上
の配線層２が延長していない領域（図示せず）にも延長
して形成され、その半田レジスト層３に、配線層２の一
部領域を半田バンプ盛上げ用電極部４として外部に臨ま
せる窓５が形成されている構成を有する配線構体Ｗが提
案されている。
脂でなる絶縁性基板１上に、ＣｕまたはＡｕでなる金属
導体層２１の単層構成を有する配線層２が形成され、そ
の配線層２上に、半田レジスト層３が、絶縁性基板１上
の配線層２が延長していない領域（図示せず）にも延長
して形成され、その半田レジスト層３に、配線層２の一
部領域を半田バンプ盛上げ用電極部４として外部に臨ま
せる窓５が形成されている構成を有する配線構体Ｗが提
案されている。
【０００３】このような従来の配線構体Ｗによれば、図
５に示すように、配線層２の、半田レジスト層３の半田
バンプ盛上げ用窓５に臨む半田バンプ盛上げ用電極部４
上に、半田６によるバンプ、すなわち半田バンプ７を盛
上げ、その半田バンプ７を、配線構体Ｗ上にそれと平行
に対向して配される、絶縁性基板上に電極部を有する配
線層が形成されている構成を有する他の配線構体（図示
せず）上の電極部に、接触させることによって、配線層
２を、他の配線構体上の配線層に接続させる、という態
様で使用することができる。
５に示すように、配線層２の、半田レジスト層３の半田
バンプ盛上げ用窓５に臨む半田バンプ盛上げ用電極部４
上に、半田６によるバンプ、すなわち半田バンプ７を盛
上げ、その半田バンプ７を、配線構体Ｗ上にそれと平行
に対向して配される、絶縁性基板上に電極部を有する配
線層が形成されている構成を有する他の配線構体（図示
せず）上の電極部に、接触させることによって、配線層
２を、他の配線構体上の配線層に接続させる、という態
様で使用することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図４に示す従来の配線
構体Ｗの場合、図５に示すように、配線層２の半田バン
プ盛上げ用電極部４上に半田バンプ７を盛上げる場合、
配線層２の半田バンプ盛上げ用電極部４の周りの領域
が、半田レジスト層３によって覆われているので、半田
６を、半田バンプ盛上げ用電極部４上から、半田レジス
ト層３上にほとんど展延させない。
構体Ｗの場合、図５に示すように、配線層２の半田バン
プ盛上げ用電極部４上に半田バンプ７を盛上げる場合、
配線層２の半田バンプ盛上げ用電極部４の周りの領域
が、半田レジスト層３によって覆われているので、半田
６を、半田バンプ盛上げ用電極部４上から、半田レジス
ト層３上にほとんど展延させない。
【０００５】しかしながら、半田レジスト層３の半田バ
ンプ盛上げ用窓５に、配線層２及び半田レジスト層３間
の界面が臨み、そして、両者が、材質上から、熱膨張係
数などを大きく異にしているので、半田レジスト層３が
配線層２上から剥離し易く、このため、配線層２の半田
バンプ盛上げ用電極部４上に半田バンプ７を盛上げる場
合、半田６が配線層２及び半田レジスト層３間の界面に
浸入し、半田レジスト層３に、配線層２上からの剥離を
生ぜしめたりする。また、半田６が配線層２及び半田レ
ジスト層３間の界面に浸入すれば、配線層２からみた半
田バンプ７の高さが、半田バンプ７を盛上げるのに用い
る半田６の同じ量で、予定の高さより低くなり、半田バ
ンプ７を、上述したように、他の配線構体の電極部に接
触させる場合、両者間の接触圧を予定の値でとることが
できなくなり、よって、配線層２を他の配線構体の配線
層に良好に接続することができなくなったりする、とい
う欠点を有していた。
ンプ盛上げ用窓５に、配線層２及び半田レジスト層３間
の界面が臨み、そして、両者が、材質上から、熱膨張係
数などを大きく異にしているので、半田レジスト層３が
配線層２上から剥離し易く、このため、配線層２の半田
バンプ盛上げ用電極部４上に半田バンプ７を盛上げる場
合、半田６が配線層２及び半田レジスト層３間の界面に
浸入し、半田レジスト層３に、配線層２上からの剥離を
生ぜしめたりする。また、半田６が配線層２及び半田レ
ジスト層３間の界面に浸入すれば、配線層２からみた半
田バンプ７の高さが、半田バンプ７を盛上げるのに用い
る半田６の同じ量で、予定の高さより低くなり、半田バ
ンプ７を、上述したように、他の配線構体の電極部に接
触させる場合、両者間の接触圧を予定の値でとることが
できなくなり、よって、配線層２を他の配線構体の配線
層に良好に接続することができなくなったりする、とい
う欠点を有していた。
【０００６】よって、本発明は、上述した欠点を伴うこ
とのない、新規な配線構体、及びその形成法を提案せん
とするものである。
とのない、新規な配線構体、及びその形成法を提案せん
とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による配線構体
は、（ｉ）絶縁性基板上に、第１の金属導体層とそれに
比し低い半田濡れ性を有する第２の金属導体層とが上記
第２の金属導体層を表面側としてそれらの順に積層され
ている構成を有する配線層が形成され、（ｉｉ）配線層
の第２の金属導体層上に、第２の金属導体層に比し高い
半田濡れ性を有する半田バンプ盛上げ用金属電極層が形
成されている。この場合、第１の金属導体層がＣｕまた
はＡｕでなり、第２の金属導体層がＴｉまたはＣｒでな
り、半田バンプ盛上げ用金属電極層がＣｕ、Ａｕ、Ｎｉ
またはＰｔでなるのを可とする。
は、（ｉ）絶縁性基板上に、第１の金属導体層とそれに
比し低い半田濡れ性を有する第２の金属導体層とが上記
第２の金属導体層を表面側としてそれらの順に積層され
ている構成を有する配線層が形成され、（ｉｉ）配線層
の第２の金属導体層上に、第２の金属導体層に比し高い
半田濡れ性を有する半田バンプ盛上げ用金属電極層が形
成されている。この場合、第１の金属導体層がＣｕまた
はＡｕでなり、第２の金属導体層がＴｉまたはＣｒでな
り、半田バンプ盛上げ用金属電極層がＣｕ、Ａｕ、Ｎｉ
またはＰｔでなるのを可とする。
【０００８】本発明による配線構体の形成法は、（ｉ）
絶縁性基板上に、第１の金属導体層とそれに比し低い半
田濡れ性を有する第２の金属導体層とがそれらの順に積
層されている構成を有する配線層を形成する工程と、
（ｉｉ）配線層の第２の金属導体層上に、それと接触し
て、第２の金属導体層に比し高い半田濡れ性を有する半
田バンプ盛上げ用金属電極層を形成する工程とを有す
る。この場合、第１の金属導体層がＣｕまたはＡｕでな
り、第２の金属導体層がＴｉまたはＣｒでなり、半田バ
ンプ盛上げ用金属電極層がＣｕ、Ａｕ、ＮｉまたはＰｔ
でなるのを可とする。
絶縁性基板上に、第１の金属導体層とそれに比し低い半
田濡れ性を有する第２の金属導体層とがそれらの順に積
層されている構成を有する配線層を形成する工程と、
（ｉｉ）配線層の第２の金属導体層上に、それと接触し
て、第２の金属導体層に比し高い半田濡れ性を有する半
田バンプ盛上げ用金属電極層を形成する工程とを有す
る。この場合、第１の金属導体層がＣｕまたはＡｕでな
り、第２の金属導体層がＴｉまたはＣｒでなり、半田バ
ンプ盛上げ用金属電極層がＣｕ、Ａｕ、ＮｉまたはＰｔ
でなるのを可とする。
【０００９】
【発明の実施の形態１】次に、図１を伴って、本発明に
よる配線構体の実施の形態を述べよう。図１において、
図４との対応部分には同一符号を付して示す。
よる配線構体の実施の形態を述べよう。図１において、
図４との対応部分には同一符号を付して示す。
【００１０】図１に示す本発明による実施の形態は、図
３に示す従来の配線構体の場合と同様に、例えば合成樹
脂でなる絶縁性基板１上に、配線層２が形成されている
が、その配線層２が、図３に示す従来の配線構体の場合
とは異なり、ＣｕまたはＡｕでなる金属導体層２１と、
その金属導体層２１に比し低い半田濡れ性を有する、Ｔ
ｉまたはＣｒでなる金属導体層２２とが、金属導体層２
２を表面側として、それらの順に積層されている構成を
有する。
３に示す従来の配線構体の場合と同様に、例えば合成樹
脂でなる絶縁性基板１上に、配線層２が形成されている
が、その配線層２が、図３に示す従来の配線構体の場合
とは異なり、ＣｕまたはＡｕでなる金属導体層２１と、
その金属導体層２１に比し低い半田濡れ性を有する、Ｔ
ｉまたはＣｒでなる金属導体層２２とが、金属導体層２
２を表面側として、それらの順に積層されている構成を
有する。
【００１１】また、そのような構成を有する配線層２の
金属導体層２２上に、その金属導体層２２に比し高い半
田濡れ性を有する、Ｃｕ、Ａｕ、ＮｉまたはＰｔでなる
半田バンプ盛上げ用金属電極層１０が形成されている。
以上が、本発明による配線構体の実施の形態の構成であ
る。
金属導体層２２上に、その金属導体層２２に比し高い半
田濡れ性を有する、Ｃｕ、Ａｕ、ＮｉまたはＰｔでなる
半田バンプ盛上げ用金属電極層１０が形成されている。
以上が、本発明による配線構体の実施の形態の構成であ
る。
【００１２】このような構成を有する本発明による配線
構体の実施の形態によれば、図４に示す従来の配線構体
の場合に準じて、図２に示すように、半田バンプ盛上げ
用金属電極層１０上に、半田６によるバンプ、すなわち
半田バンプ７を盛上げ、その半田バンプ７を、配線構体
Ｗ上にそれと平行に対向して配される絶縁性基板上に電
極部を有する配線層が形成されている構成を有する他の
配線構体（図示せず）上の電極部に、接触させることに
よって、配線層２を、他の配線構体上の配線層に接続さ
せる、という態様で使用することができる。
構体の実施の形態によれば、図４に示す従来の配線構体
の場合に準じて、図２に示すように、半田バンプ盛上げ
用金属電極層１０上に、半田６によるバンプ、すなわち
半田バンプ７を盛上げ、その半田バンプ７を、配線構体
Ｗ上にそれと平行に対向して配される絶縁性基板上に電
極部を有する配線層が形成されている構成を有する他の
配線構体（図示せず）上の電極部に、接触させることに
よって、配線層２を、他の配線構体上の配線層に接続さ
せる、という態様で使用することができる。
【００１３】そして、この場合、すなわち、半田バンプ
盛上げ用金属電極層１０上に半田バンプ７を盛上げる場
合、半田バンプ７が盛上げられる半田バンプ盛上げ用金
属電極層１０が高い半田濡れ性を有し、一方、その半田
バンプ盛上げ用金属電極層１０を形成している配線層２
の金属導体層２２が低い半田濡れ性を有するので、半田
６を、半田バンプ盛上げ用金属電極層１０上から、配線
層２上にほとんど展延させない。
盛上げ用金属電極層１０上に半田バンプ７を盛上げる場
合、半田バンプ７が盛上げられる半田バンプ盛上げ用金
属電極層１０が高い半田濡れ性を有し、一方、その半田
バンプ盛上げ用金属電極層１０を形成している配線層２
の金属導体層２２が低い半田濡れ性を有するので、半田
６を、半田バンプ盛上げ用金属電極層１０上から、配線
層２上にほとんど展延させない。
【００１４】また、外部に、配線層２及び半田バンプ盛
上げ用金属電極層１０間の界面が臨んでいるが、両者
が、材質上から、従来の配線構体の配線層２及び半田レ
ジスト層３のようには、熱膨張係数などを大きく異にし
ていないので、半田バンプ盛上げ用金属電極層１０が配
線層２上から剥離し難い。
上げ用金属電極層１０間の界面が臨んでいるが、両者
が、材質上から、従来の配線構体の配線層２及び半田レ
ジスト層３のようには、熱膨張係数などを大きく異にし
ていないので、半田バンプ盛上げ用金属電極層１０が配
線層２上から剥離し難い。
【００１５】このため、半田バンプ盛上げ用金属電極層
１０上に半田バンプ７を盛上げる場合、半田６が、半田
バンプ盛上げ用金属電極層１０及び配線層２の界面にほ
とんど浸入せず、よって、半田バンプ盛上げ用金属電極
層１０が配線層２上から剥離するおそれをほとんど有さ
ず、また、このため、配線層２からみた半田バンプの高
さが、半田バンプを盛上げるのに用いる半田６の同じ量
で、予定の高さを保ち、半田バンプ７を、上述したよう
に、他の配線構体の電極部に接触させる場合、両者間の
接触圧を予定の値にすることができ、よって、配線層２
を他の配線構体の配線層に良好に接続することができ
る。
１０上に半田バンプ７を盛上げる場合、半田６が、半田
バンプ盛上げ用金属電極層１０及び配線層２の界面にほ
とんど浸入せず、よって、半田バンプ盛上げ用金属電極
層１０が配線層２上から剥離するおそれをほとんど有さ
ず、また、このため、配線層２からみた半田バンプの高
さが、半田バンプを盛上げるのに用いる半田６の同じ量
で、予定の高さを保ち、半田バンプ７を、上述したよう
に、他の配線構体の電極部に接触させる場合、両者間の
接触圧を予定の値にすることができ、よって、配線層２
を他の配線構体の配線層に良好に接続することができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態２】次に、図３を伴って、本発明に
よる配線構体の形成法の実施の形態を述べよう。図３に
おいて、図１との対応部分には同一符号を付して示す。
よる配線構体の形成法の実施の形態を述べよう。図３に
おいて、図１との対応部分には同一符号を付して示す。
【００１７】図３に示す本発明による配線構体の形成法
の実施の形態は、次に述べる順次の工程をとって、図１
に示す本発明による配線構体を製造する。
の実施の形態は、次に述べる順次の工程をとって、図１
に示す本発明による配線構体を製造する。
【００１８】すなわち、絶縁性基板１上に、爾後配線層
２を構成している金属導体層２１になる金属導体層２
１′と、爾後配線層２を構成している金属導体層２２に
なる、金属導体層２１′に比し低い半田濡れ性を有する
金属導体層２２′とを、それらの順に、電子ビーム法、
スパッタ法、もしくは化学鍍金法などのそれ自体は公知
の種々の方法によって形成し、よって、絶縁性基板１上
に、それら金属導体層２１′及び２２′がそれらの順に
積層されている構成を有する積層体２′を形成する（図
３Ａ）。
２を構成している金属導体層２１になる金属導体層２
１′と、爾後配線層２を構成している金属導体層２２に
なる、金属導体層２１′に比し低い半田濡れ性を有する
金属導体層２２′とを、それらの順に、電子ビーム法、
スパッタ法、もしくは化学鍍金法などのそれ自体は公知
の種々の方法によって形成し、よって、絶縁性基板１上
に、それら金属導体層２１′及び２２′がそれらの順に
積層されている構成を有する積層体２′を形成する（図
３Ａ）。
【００１９】次に、積層体２′の金属導体層２２′上
に、次に述べる金属導体層２１′及び２２′の積層体
２′に対するエッチング処理に耐性を有するレジスト層
３１を、形成せんとする配線層２のパターンに、それ自
体は公知の種々の方法によって形成する（図３Ｂ）。
に、次に述べる金属導体層２１′及び２２′の積層体
２′に対するエッチング処理に耐性を有するレジスト層
３１を、形成せんとする配線層２のパターンに、それ自
体は公知の種々の方法によって形成する（図３Ｂ）。
【００２０】次に、金属導体層２１′及び２２′の積層
体２′に対する、レジスト層３１をマスクとする、化学
エッチング法、プラズマエッチング法、イオンミリング
法などのそれ自体は公知の種々のエッチング法によるエ
ッチング処理によって、積層体２′から、パターン化さ
れた図１に示す本発明による配線構体Ｗで述べた配線層
２を形成する（図３Ｃ）。
体２′に対する、レジスト層３１をマスクとする、化学
エッチング法、プラズマエッチング法、イオンミリング
法などのそれ自体は公知の種々のエッチング法によるエ
ッチング処理によって、積層体２′から、パターン化さ
れた図１に示す本発明による配線構体Ｗで述べた配線層
２を形成する（図３Ｃ）。
【００２１】次に、配線層２上から、レジスト層３１を
除去して後、絶縁性基板１上に、配線層２の金属導体層
２２に比し高い半田濡れ性を有する、爾後半田バンプ盛
上げ用金属電極層１０になる金属層１０′を、配線層２
が形成されていない領域及び配線層２上に連続接触延長
して形成する（図３Ｄ）。
除去して後、絶縁性基板１上に、配線層２の金属導体層
２２に比し高い半田濡れ性を有する、爾後半田バンプ盛
上げ用金属電極層１０になる金属層１０′を、配線層２
が形成されていない領域及び配線層２上に連続接触延長
して形成する（図３Ｄ）。
【００２２】次に、金属層１０′上に、配線層２上の領
域において、次に述べる金属層１０′に対するエッチン
グ処理に耐性を有するレジスト層４１を、形成せんとす
る半田バンプ盛上げ用金属電極層１０のパターンに、そ
れ自体は公知の種々の方法によって形成する（図３
Ｅ）。
域において、次に述べる金属層１０′に対するエッチン
グ処理に耐性を有するレジスト層４１を、形成せんとす
る半田バンプ盛上げ用金属電極層１０のパターンに、そ
れ自体は公知の種々の方法によって形成する（図３
Ｅ）。
【００２３】次に、金属層１０′に対する、レジスト層
４１をマスクとする、化学エッチング法、プラズマエッ
チング法、イオンミリング法などのそれ自体は公知の種
々のエッチング法によるエッチング処理によって、その
金属層１０′から、パターン化された図１に示す本発明
による配線構体Ｗで述べた半田バンプ盛上げ用金属電極
層１０を形成し、次で、レジスト層４１を半田バンプ盛
上げ用金属電極層１０から除去する（図３Ｆ）。
４１をマスクとする、化学エッチング法、プラズマエッ
チング法、イオンミリング法などのそれ自体は公知の種
々のエッチング法によるエッチング処理によって、その
金属層１０′から、パターン化された図１に示す本発明
による配線構体Ｗで述べた半田バンプ盛上げ用金属電極
層１０を形成し、次で、レジスト層４１を半田バンプ盛
上げ用金属電極層１０から除去する（図３Ｆ）。
【００２４】以上が、本発明による配線構体の形成法の
実施の形態である。このような本発明による配線構体の
形成法の実施の形態によれば、絶縁性基板１上に、金属
導体層２１とそれに比し低い半田濡れ性を有する金属導
体層２２とがそれらの順に積層されている構成を有する
配線層２を形成する工程（図３Ａ〜３Ｃ）と、配線層２
の金属導体層２２上に、それと接触して、金属導体層２
２に比し高い半田濡れ性を有する半田バンプ盛上げ用金
属電極層１０を形成する工程（図３Ｄ〜３Ｆ）とを有す
るだけで、図１に示す本発明による、優れた特徴を有す
る配線構体Ｗを、容易に製造することができる。
実施の形態である。このような本発明による配線構体の
形成法の実施の形態によれば、絶縁性基板１上に、金属
導体層２１とそれに比し低い半田濡れ性を有する金属導
体層２２とがそれらの順に積層されている構成を有する
配線層２を形成する工程（図３Ａ〜３Ｃ）と、配線層２
の金属導体層２２上に、それと接触して、金属導体層２
２に比し高い半田濡れ性を有する半田バンプ盛上げ用金
属電極層１０を形成する工程（図３Ｄ〜３Ｆ）とを有す
るだけで、図１に示す本発明による、優れた特徴を有す
る配線構体Ｗを、容易に製造することができる。
【００２５】なお、上述した本発明による配線構体、及
びその形成法のそれぞれの実施の形態においては、配線
層２の金属導体層２１；金属導体層２２：及び半田バン
プ盛上げ用金属電極層１０が、それぞれＣｕまたはＡ
ｕ；ＴｉまたはＣｒ；及びＣｕ、Ａｕ、ＮｉまたはＰｔ
でなる場合を述べたが、それぞれ、本発明の精神を脱す
ることなしにそれら以外の金属でなるものとすることも
でき、その他、本発明の精神を脱することなしに種々の
変型、変更をなし得るであろう。
びその形成法のそれぞれの実施の形態においては、配線
層２の金属導体層２１；金属導体層２２：及び半田バン
プ盛上げ用金属電極層１０が、それぞれＣｕまたはＡ
ｕ；ＴｉまたはＣｒ；及びＣｕ、Ａｕ、ＮｉまたはＰｔ
でなる場合を述べたが、それぞれ、本発明の精神を脱す
ることなしにそれら以外の金属でなるものとすることも
でき、その他、本発明の精神を脱することなしに種々の
変型、変更をなし得るであろう。
【００２６】
【発明の効果】本発明による配線構体によれば、半田バ
ンプ盛上げ用金属電極層上に、半田バンプを、半田を配
線層上にほとんど展延させることなしに且つ配線層から
の高さを予定の高さとして、容易に、盛上げることがで
きる。
ンプ盛上げ用金属電極層上に、半田バンプを、半田を配
線層上にほとんど展延させることなしに且つ配線層から
の高さを予定の高さとして、容易に、盛上げることがで
きる。
【００２７】また、本発明による配線構体の形成法によ
れば、そのような優れた特徴を有する本発明による配線
構体を、容易に形成することができる。
れば、そのような優れた特徴を有する本発明による配線
構体を、容易に形成することができる。
【図１】本発明による配線構体の実施の形態を示す略線
的断面図である。
的断面図である。
【図２】図１に示す本発明による配線構体を用い、その
半田バンプ盛上げ用金属電極層上に半田バンプを盛上げ
た状態を示す、略線的断面図である。
半田バンプ盛上げ用金属電極層上に半田バンプを盛上げ
た状態を示す、略線的断面図である。
【図３】本発明による配線構体の形成法の実施の形態を
示す、順次の工程における略線的断面図である。
示す、順次の工程における略線的断面図である。
【図４】従来の配線構体を示す略線的断面図である。
【図５】図４に示す従来の配線構体を用い、その半田バ
ンプ盛上げ用電極部上に半田バンプを盛上げた状態を示
す略線的断面図である。
ンプ盛上げ用電極部上に半田バンプを盛上げた状態を示
す略線的断面図である。
１ 絶縁性基板 ２ 配線層 ２′ 積層体 ２１、２２ 配線層２を構成している金属導体層 ２１′、２２′ 積層体２′を構成している金属導体層 ３ 半田レジスト層 ４ 半田バンプ盛上げ用電極部 ５ 半田バンプ盛上げ用窓 ６ 半田 ７ 半田バンプ １０ 半田バンプ盛上げ用金属電極層 １０′ 金属層 ３１、４１ レジスト層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小勝負 信建 東京都新宿区西新宿３丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 高原 秀行 東京都新宿区西新宿３丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 4E351 CC02 CC03 CC06 DD04 DD06 DD11 DD17 DD19 DD20 DD24 GG15 5E319 AA03 AC17 BB04 GG03 5F033 HH07 HH11 HH13 HH17 HH18 MM08 PP15 PP19 PP27 PP28 QQ12 QQ14 VV07
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁性基板上に、第１の金属導体層とそれ
に比し低い半田濡れ性を有する第２の金属導体層とが上
記第２の金属導体層を表面側としてそれらの順に積層さ
れている構成を有する配線層が形成され、 上記配線層の第２の金属導体層上に、上記第２の金属導
体層に比し高い半田濡れ性を有する半田バンプ盛上げ用
金属電極層が形成されていることを特徴とする配線構
体。 - 【請求項２】請求項１記載の配線構体において、 上記第１の金属導体層がＣｕまたはＡｕでなり、上記第
２の金属導体層がＴｉまたはＣｒでなり、上記半田バン
プ盛上げ用金属電極層がＣｕ、Ａｕ、ＮｉまたはＰｔで
なることを特徴とする配線構体。 - 【請求項３】絶縁性基板上に、第１の金属導体層とそれ
に比し低い半田濡れ性を有する第２の金属導体層とがそ
れらの順に積層されている構成を有する配線層を形成す
る工程と、 上記配線層の第２の金属導体層上に、それと接触して、
上記第２の金属導体層に比し高い半田濡れ性を有する半
田バンプ盛上げ用金属電極層を形成する工程とを有する
ことを特徴とする配線構体形成法。 - 【請求項４】請求項３記載の配線構体形成法において、 上記第１の金属導体層がＣｕまたはＡｕでなり、上記第
２の金属導体層がＴｉまたはＣｒでなり、上記半田バン
プ盛上げ用金属電極層がＣｕ、Ａｕ、ＮｉまたはＰｔで
なることを特徴とする配線構体形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34688299A JP2001168484A (ja) | 1999-12-06 | 1999-12-06 | 配線構体及びその形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34688299A JP2001168484A (ja) | 1999-12-06 | 1999-12-06 | 配線構体及びその形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168484A true JP2001168484A (ja) | 2001-06-22 |
Family
ID=18386466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34688299A Pending JP2001168484A (ja) | 1999-12-06 | 1999-12-06 | 配線構体及びその形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001168484A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104254198A (zh) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 京瓷Slc技术株式会社 | 布线基板 |
| JP2015012112A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 京セラサーキットソリューションズ株式会社 | 配線基板 |
-
1999
- 1999-12-06 JP JP34688299A patent/JP2001168484A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104254198A (zh) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 京瓷Slc技术株式会社 | 布线基板 |
| KR20150002492A (ko) * | 2013-06-28 | 2015-01-07 | 쿄세라 서킷 솔루션즈 가부시키가이샤 | 배선 기판 |
| JP2015012112A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 京セラサーキットソリューションズ株式会社 | 配線基板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050419 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050809 |