JP3879394B2 - 回路基板の接続構造 - Google Patents
回路基板の接続構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3879394B2 JP3879394B2 JP2000373814A JP2000373814A JP3879394B2 JP 3879394 B2 JP3879394 B2 JP 3879394B2 JP 2000373814 A JP2000373814 A JP 2000373814A JP 2000373814 A JP2000373814 A JP 2000373814A JP 3879394 B2 JP3879394 B2 JP 3879394B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- electrode
- electrodes
- heat seal
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、電子腕時計や携帯型電話などの電子機器に用いられる回路基板の接続構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、電子腕時計において、回路基板と液晶表示装置とを電気的に接続する場合には、回路基板の一端部に配列された接続電極と液晶表示装置の一端部に配列された接続端子とをヒートシールによって接続している。この場合、回路基板の接続電極は、ヒートシールとの接続信頼性を確保するために、そのピッチが液晶表示装置の接続端子のピッチよりも広く形成されている。
このような接続構造では、高密度実装が要望され、これに応えて液晶表示装置の接続端子および回路基板の接続電極のうち、特に回路基板の接続電極のピッチを液晶表示装置の接続端子のピッチと同程度に狭くする必要がある。
【0003】
図6(a)および図6(b)はその一例を示した要部の拡大断面図である。これらの図において、回路基板1の上面には、複数の接続用の電極2が列をなして形成されている。これら電極2は、回路基板1の上面に設けられた銅箔や銅めっきを所定形状にエッチングすることにより、狭いピッチP、例えば0.25mm程度のピッチでパターン形成されており、その厚さTが30μm程度に形成されている。また、これら電極2に接合されるヒートシール3は、ベースフィルム4の下面に複数の導体部5が各電極2に対応して形成され、これら導体部5間に接着層6が設けられた構造になっている。この場合、接着層6は、導体部5の厚さよりも少し厚く形成され、かつ各導体部5の下面を僅かに覆った状態で設けられている。
【0004】
そして、回路基板1とヒートシール3とを接続する場合には、回路基板1の各電極2にヒートシール3の各導体部5を互いに向き合わせて位置決めし、この状態で加熱しながら各導体部5を各電極2に対して押圧する。すると、図6(b)に示すように、各導体部5がその下面を僅かに覆った接着層6を突き破り、各導体部5と各電極2とが導通する。これと同時に、接着層6がベースフィルム4と共に沈み込んで回路基板1側に接着される。これにより、回路基板1の各電極2とヒートシール3の各導体部5とが電気的に接続されて接合される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような回路基板1の接続構造では、回路基板1に形成された各電極2のピッチPが0.25mm程度と狭く、かつ各電極2の厚さTが30μm程度と厚いため、回路基板1とヒートシール3とを接続するときに、図6(b)に示すように、各導体部5間に位置するヒートシール3のベースフィルム4を撓ませても、ヒートシール3の接着層6が回路基板1の上面に確実に密着せず、接着層6の下面と回路基板1の上面との間に隙間Sが生じことがあり、回路基板1の各電極2とヒートシール3の各導体部5との接合状態が不安定になり、接続信頼性に欠けるという問題がある。
【0006】
この発明の課題は、回路基板の各電極のピッチが狭く、かつその厚さが厚くても、回路基板の各電極とヒートシールの各導体部とを確実に接合できるようにすることである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、複数の電極が列をなして形成され、これら複数の電極を覆って絶縁膜が塗布され、かつこの絶縁膜が前記複数の電極の上面を露出させるまで削られてなる回路基板と、前記回路基板の前記複数の電極に接合される複数の導体部が設けられ、これら複数の導体部間に接着層が設けられたヒートシールとを備え、前記回路基板の前記複数の電極に前記ヒートシールの前記複数の導体部を互いに向き合わせて位置決めし、この状態で加熱しながら前記導体部を前記電極に対し押圧させて、前記回路基板と前記ヒートシールとを接続したことを特徴とする。
この請求項1記載の発明によれば、回路基板に各電極を覆って塗布された絶縁膜が各電極の上面を露出させるまで削られていることにより、回路基板の各電極の厚さが厚くても、絶縁膜により段差のない平坦面に形成できると共に、ヒートシールの各導体部間に接着層を設けているので、各電極のピッチを狭く形成しても、回路基板の各電極とヒートシールの各導体部とを接続するときに、接着層に対応する部分のヒートシールの沈み込みを小さく抑えて、ヒートシールの接着層を回路基板の絶縁層上に確実に密着させて接着することができ、これにより回路基板の各電極とヒートシールの各導体部とを確実に接合することができる。
【0008】
請求項2記載の発明は、前記絶縁膜が削られて露出した前記複数の電極の上面にニッケルや金などの金属めっきがその厚み分だけ前記絶縁膜の上面よりも突出して形成されていることを特徴とする。この請求項2記載の発明によれば、金属めっきの厚さだけ段差が生じるが、この金属めっきの厚さは電極に比べて薄いので、ほぼ平坦面に近い状態となり、このためヒートシールの接着層を回路基板の絶縁膜上に確実に接着できるので、回路基板の各電極とヒートシールの各導体部とを確実に接合することができるほか、金属めっきによって各電極と各導体部との導通信頼性をも高めることができる。
また、請求項3記載の発明は、複数の電極が列をなして形成され、これら複数の電極を覆って絶縁膜が塗布され、かつこの絶縁膜が前記複数の電極の上面を露出させるまで削られ、この露出した前記複数の電極の上面にニッケルや金などの金属めっきがその厚み分だけ前記絶縁膜の上面よりも突出して形成された回路基板と、この回路基板の前記複数の電極に接合される複数の導体部が設けられ、これら複数の導体部間に接着層が前記導体部の下面を僅かに覆って設けられたヒートシールとを備え、前記回路基板の前記複数の電極に前記ヒートシールの前記複数の導体部を互いに向き合わせて位置決めし、この状態で加熱しながら前記導体部を前記電極に対し押圧させて、前記回路基板と前記ヒートシールとを接続したことを特徴とする。
この請求項3記載の発明によれば、請求項1、2記載の発明と同様の作用効果があるほか、ヒートシールに設けられた複数の導体部間にその下面を接着層が僅かに覆って設けられていることにより、回路基板の各電極上に形成された各金属めっきにヒートシールの各導体部を互いに向き合わせて位置決めし、この状態で加熱しながら各導体部を各金属めっきに対し押圧させると、ヒートシールの各導体部の下面を僅かに覆った接着層を各導体部が突き破って、各導体部と各金属めっきとが導通し、これと同時に接着層が回路基板に設けられた絶縁層の上面に接着され、これにより回路基板の各電極とヒートシールの各導体部とが各金属めっきを介して導通した状態で、回路基板とヒートシールとを接続することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
[第1実施形態]
以下、図1〜図3を参照して、この発明に係る回路基板の接続構造の第1実施形態について説明する。なお、図6(a)および図6(b)に示された従来例と同一部分には同一符号を付して説明する。
この接続構造は、図1に示すように、回路基板1と液晶表示装置10とをヒートシール3によって電気的に接続する場合における回路基板1とヒートシール3との接続構造で、液晶表示装置10の縁部に配列された接続端子11のピッチと回路基板1の電極2のピッチPとがほぼ同じピッチで狭く形成されている。また、この接続構造は、図2(a)および図2(b)に示すように、回路基板1の上面の縁部に多数の電極2が列をなして形成され、これら電極2を覆って絶縁膜12が設けられ、かつこの絶縁膜12が各電極2の上面を露出させるまで削られた上、これら露出した各電極2の上面に金属めっき13が設けられた構造で、これ以外は従来例とほぼ同じ構造になっている。
【0010】
すなわち、回路基板1の各電極2は、従来例と同様、回路基板1の上面に設けられた銅箔や銅めっきを所定形状にエッチングすることにより、所定の狭いピッチP、例えば0.25mm程度のピッチでパターン形成されており、その厚さTが30μm程度に形成されている。絶縁膜12は、絶縁性を有するめっきレジストであり、図3(a)に示すように、回路基板1上に各電極2を覆って塗布され、図3(b)に示すように、ミーリングなどにより各電極2の上面が露出するまで削られた構造になっている。これにより、各電極2の上面と絶縁膜12の上面とは、段差のない平坦面に形成されている。この状態で、図3(c)に示すように、各電極2の露出した上面には、金属めっき13が形成されている。この金属めっき13は、電極2上に形成されたニッケルめっきと、このニッケルめっき上に形成された金めっきとからなる2層構造で、全体の厚さtが5〜6μm程度で、電極2の厚さTよりも大幅に薄く形成されている。
【0011】
そして、このような回路基板1とヒートシール3とを接続する場合には、まず、図2(a)に示すように、回路基板1の各電極2上に形成された各金属めっき13にヒートシール3の各導体部5を互いに向き合わせて位置決めし、この状態で加熱しながら各導体部5を各金属めっき13に対して押圧させる。すると、図2(b)に示すように、ヒートシール3の各導体部5間に設けられて各導体部5の下面を僅かに覆った接着層6を各導体部5が突き破って、各導体部5と各金属めっき13とが導通する。これと同時に、接着層6がヒートシール3のベースフィルム4と共に沈み込んで回路基板1に設けられた絶縁膜12の上面に接着される。これにより、回路基板1の各電極2とヒートシール3の各導体部5とが各金属めっき13を介して導通した状態で、回路基板1とヒートシール3とが接続される。
【0012】
このように、この接続構造では、回路基板1に各電極2を覆って塗布された絶縁膜12が各電極2の上面を露出させるまで削られていることにより、回路基板1の電極2の厚さTが厚くても、絶縁膜12により段差のない平坦面に形成することができる。このため、各電極2の上面に各金属めっき13を形成しても、金属めっき13の厚さtだけ段差が生じるが、この金属めっき13の厚さtが5〜6μm程度で電極2の厚さT(30μm程度)に比べて大幅に薄いので、ほぼ平坦面に近い状態にすることができる。このため、各電極2のピッチPが0.25mm程度と狭くても、回路基板1の各電極2とヒートシール3の各導体部5とを接続するときに、ヒートシール3の接着層6とこの部分のベースフィルム4との沈み込みを小さく抑えることができる。これにより、ヒートシール3の接着層6を回路基板1の絶縁膜12に確実に密接させて接着することができるので、回路基板1の各電極2とヒートシール3の各導体部5とを確実に接合することができ、しかも金属めっき13によって各電極2と各導体部5との導通信頼性をも高めることができる。
【0013】
なお、上記第1実施形態では、回路基板1の上面に各電極2を覆って絶縁膜12を塗布し、かつこの絶縁膜12を各電極2の上面が露出するまで削った上、露出した各電極2の上面に金属めっき13を形成し、これら金属めっき13にヒートシール3の各導体部5を接合させたが、必ずしも金属めっき13を形成する必要はなく、例えば図4に示すように、回路基板1の上面に各電極2を覆って設けられた絶縁膜12を各電極2の上面が露出するまで削り、この状態で各電極2とヒートシール3の各導体部5とを直接接合しても良い。この場合には、回路基板1の各電極2の上面と絶縁膜12の上面とが段差のない平坦面に形成されているので、ヒートシール3のベースフィルム4がほとんど撓むことなく、ヒートシール3の接着層6を回路基板1の絶縁膜12に、より一層、確実に密接させて接着することができ、これにより回路基板1の各電極2とヒートシール3の各導体部5とを確実に接合することができる。
【0014】
[第2実施形態]
次に、図5(a)〜図5(c)を参照して、この発明に係る回路基板の接続構造の第2実施形態について説明する。この場合には、図1〜図3に示された第1実施形態と同一部分に同一符号を付して説明する。
この接続構造は、回路基板1の各電極15が導体パターン16と金属めっき17からなる2層構造で、これ以外は第1実施形態とほぼ同じ構造になっている。すなわち、導体パターン16は、図5(a)に示すように、回路基板1の上面に設けられた銅箔や銅めっきを所定形状にエッチングすることにより、所定の狭いピッチP、例えば0.25mm程度のピッチでパターン形成されており、その厚さTが30μm程度に形成されている。
【0015】
また、金属めっき17は、導体パターン16の表面にニッケルめっきを施し、このニッケルめっき上に金めっきを施した2層構造で、全体の厚さtが5〜6μm程度に形成されている。
これにより、電極15は、導体パターン16と金属めっき17からなる2層構造で、これら全体の厚さ(T+t)が35〜36μm程度に形成されている。
さらに、回路基板1上には、図5(a)に示すように、絶縁膜12が各電極15を覆って塗布された上、図5(b)に示すように、ミーリングなどにより各電極15の上面つまり金属めっき17の上面が露出するまで削られた構造になっている。これにより、各電極15の上面と絶縁膜12の上面とは、段差のない平坦面に形成されている。
【0016】
そして、このような回路基板1とヒートシール3とを接続する場合には、第1実施形態と同様、回路基板1の各電極15にヒートシール3の各導体部5を互いに向き合わせて位置決めし、この状態で加熱しながら各導体部5を各電極15に対して押圧させる。すると、図5(c)に示すように、ヒートシール3の各導体部5間に設けられて各導体部5の下面を僅かに覆った接着層6を各導体部5が突き破って、各導体部5と各電極15の金属めっき17とが導通する。これと同時に、ヒートシール3の絶縁層6が回路基板1の絶縁膜12上に接着される。このときには、電極15の上面と絶縁膜12の上面とが段差のない平坦面に形成されているので、ヒートシール3のベースフィルム4がほとんど撓むことがなく、ヒートシール3の接着層6が回路基板1の絶縁膜12に密接して接着される。このため、回路基板1の各電極15とヒートシール3の各導体部5とが導通した状態で、回路基板1とヒートシール3とが確実に接続される。
【0017】
このように、この接続構造では、回路基板1に各電極15を覆って塗布された絶縁膜12が各電極2の上面を露出させるまで削られることにより、回路基板1の電極15の厚さ(T+t)が厚くても、絶縁膜12により段差のない平坦面に形成することができる。このため、各電極15のピッチPが0.25mm程度と狭くても、回路基板1の各電極15とヒートシール3の各導体部5とを接続するときに、ヒートシール3の接着層6を回路基板1の絶縁膜12に密着させて接着することができる。このため、回路基板1の各電極15とヒートシール3の各導体部5とを確実に接合することができ、これにより接続信頼性の高いものを得ることができると共に、各電極15の金属めっき17によって各電極15と各導体部5との導通信頼性をも高めることができる。
【0018】
なお、上記第1実施形態の変形例および第2実施形態では、ヒートシール3の各導体部5間に接着層6が各導体部5の下面を僅かに覆って設けられているが、必ずしも導体部5の下面を覆って接着層6を設ける必要はなく、導体部5と同じ厚さで導体部5の下面を露出させた状態で設けた構造でも良い。
また、上記第1、第2実施形態およびその変形例では、ヒートシール3で回路基板1と液晶表示装置10とを接続する場合について述べたが、これに限らず、回路基板同士を接続する場合にも適用することができる。
さらに、上記第1、第2実施形態およびその変形例では、電子腕時計に組み込まれる回路基板1の接続構造について述べたが、これに限らず、例えば携帯型電話や電子手帳、あるいは携帯型のパーソナルコンピュータなどの電子機器にも広く適用することができる。
【0019】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1記載の発明によれば、回路基板に各電極を覆って塗布された絶縁膜が各電極の上面を露出させるまで削ることにより、回路基板の各電極の厚さが厚くても、絶縁膜により段差のない平坦面に形成することができると共に、ヒートシールの各導体部間に接着層を設けているので、各電極のピッチを狭く形成しても、回路基板の各電極とヒートシールの各導体部とを接続するときに、接着層に対応する部分のヒートシールの沈み込みを小さく抑えて、ヒートシールの接着層を回路基板の絶縁層上に確実に密着させて接着することができ、これにより回路基板の各電極とヒートシールの各導体部とを確実に接合することができ、きわめて接続信頼性の高いものを得ることができる。
【0020】
請求項2記載の発明によれば、絶縁膜が削られて露出した複数の電極の上面にニッケルや金などの金属めっきをその厚み分だけ絶縁膜の上面よりも突出させて形成することにより、金属めっきの厚さだけ段差が生じても、この金属めっきの厚さが電極に比べて薄いので、ほぼ平坦面に近い状態にすることができ、このためヒートシールの接着層を回路基板の絶縁膜上に確実に接着できるので、回路基板の各電極とヒートシールの各導体部とを確実に接合することができるほか、金属めっきによって各電極と各導体部との導通信頼性をも高めることができる。
また、請求項3記載の発明によれば、請求項1、2記載の発明と同様の作用効果があるほか、ヒートシールに設けられた複数の導体部間にその下面を接着層が僅かに覆って設けられていることにより、回路基板の各電極上に形成された各金属めっきにヒートシールの各導体部を互いに向き合わせて位置決めし、この状態で加熱しながら各導体部を各金属めっきに対し押圧させると、ヒートシールの各導体部の下面を僅かに覆った接着層を各導体部が突き破って、各導体部と各金属めっきとが導通し、これと同時に接着層が回路基板に設けられた絶縁層の上面に接着され、これにより回路基板の各電極とヒートシールの各導体部とが各金属めっきを介して導通した状態で、回路基板とヒートシールとを接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る回路基板の接続構造の第1実施形態を示した外観平面図。
【図2】図1の回路基板とヒートシールとを接続する状態を示し、(a)は図1のA−A矢視における回路基板とヒートシールとを互いに対向させた状態の要部の拡大断面図、(b)はその回路基板とヒートシールとを接合した状態の要部の拡大断面図。
【図3】図2の回路基板の製造工程を示し、(a)は回路基板上に各電極を形成した後、これら電極を覆って絶縁膜を塗布した状態を示した要部の拡大断面図、(b)は電極を覆って塗布された絶縁膜を電極の上面が露出するまで削った状態を示した要部の拡大断面図、(c)は露出した電極の上面に金属めっきを形成した状態を示した要部の拡大断面図。
【図4】第1実施形態の変形例を示した要部の拡大断面図。
【図5】この発明に係る回路基板の接続構造の第2実施形態を示し、(a)は回路基板上に導体パターンと金属めっきとかなる電極を形成し、これら電極を覆って絶縁膜を塗布した状態を示した要部の拡大断面図、(b)は電極を覆って設けられた絶縁膜を電極の上面が露出するまで削った状態を示した要部の拡大断面図、(c)は電極が露出した回路基板とヒートシールとを接合した状態を示した要部の拡大断面図。
【図6】従来の回路基板の接続構造を示し、(a)は回路基板とヒートシールとを互いに対向させた状態の要部の拡大断面図、(b)はその回路基板とヒートシールとを接合した状態の要部の拡大断面図。
【符号の説明】
1 回路基板
2、15 電極
3 ヒートシール
5 導体部
6 接着層
12 絶縁膜
13、17 金属めっき
16 導体パターン
Claims (3)
- 複数の電極が列をなして形成され、これら複数の電極を覆って絶縁膜が塗布され、かつこの絶縁膜が前記複数の電極の上面を露出させるまで削られてなる回路基板と、
前記回路基板の前記複数の電極に接合される複数の導体部が設けられ、これら複数の導体部間に接着層が設けられたヒートシールとを備え、
前記回路基板の前記複数の電極に前記ヒートシールの前記複数の導体部を互いに向き合わせて位置決めし、この状態で加熱しながら前記導体部を前記電極に対し押圧させて、前記回路基板と前記ヒートシールとを接続したことを特徴とする回路基板の接続構造。 - 前記絶縁膜が削られて露出した前記複数の電極の上面にニッケルや金などの金属めっきがその厚み分だけ前記絶縁膜の上面よりも突出して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の回路基板の接続構造。
- 複数の電極が列をなして形成され、これら複数の電極を覆って絶縁膜が塗布され、かつこの絶縁膜が前記複数の電極の上面を露出させるまで削られ、この露出した前記複数の電極の上面にニッケルや金などの金属めっきがその厚み分だけ前記絶縁膜の上面よりも突出して形成された回路基板と、
この回路基板の前記複数の電極に接合される複数の導体部が設けられ、これら複数の導体部間に接着層が前記導体部の下面を僅かに覆って設けられたヒートシールとを備え、
前記回路基板の前記複数の電極に前記ヒートシールの前記複数の導体部を互いに向き合わせて位置決めし、この状態で加熱しながら前記導体部を前記電極に対し押圧させて、前記回路基板と前記ヒートシールとを接続したことを特徴とする回路基板の接続構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000373814A JP3879394B2 (ja) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | 回路基板の接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000373814A JP3879394B2 (ja) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | 回路基板の接続構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002176238A JP2002176238A (ja) | 2002-06-21 |
JP3879394B2 true JP3879394B2 (ja) | 2007-02-14 |
Family
ID=18843120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000373814A Expired - Fee Related JP3879394B2 (ja) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | 回路基板の接続構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3879394B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113299191B (zh) * | 2021-05-24 | 2022-09-23 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示模组、显示面板及柔性电路板 |
-
2000
- 2000-12-08 JP JP2000373814A patent/JP3879394B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002176238A (ja) | 2002-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5347222B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US6137184A (en) | Flip-chip type semiconductor device having recessed-protruded electrodes in press-fit contact | |
JPS63158711A (ja) | フレキシブルプリント基板の端子構造 | |
JPS60230377A (ja) | ピンなしコネクタ・インタ−ポ−ザ | |
KR20070113112A (ko) | 배선 기판, 그 제조 방법 및 반도체 장치 | |
JP2003100371A (ja) | 端子付き配線基板 | |
EP1065555A1 (en) | Structure for mounting semiconductor device on liquid crystal display, and semiconductor device | |
JPH08203583A (ja) | コネクタおよびコネクタの製造方法 | |
JP3879394B2 (ja) | 回路基板の接続構造 | |
JP2000513152A (ja) | 電気絶縁性支持体上に金属導体路パターンを形成させる方法 | |
JP2005050971A (ja) | フレキシブル回路基板 | |
JP4037248B2 (ja) | 回路保護素子とその製造方法 | |
JPH07282878A (ja) | 異方導電性接続部材及びその製造方法 | |
JP2000299559A (ja) | パワーモジュール用基板 | |
JP3704651B2 (ja) | プリント配線板及びその製造方法 | |
JP2954559B2 (ja) | 配線基板の電極構造 | |
JP3633203B2 (ja) | 接続基板、接続基板の製造方法および表示装置の製造方法 | |
JP2006261177A (ja) | 半導体装置とその製造方法および実装構造 | |
JP2802495B2 (ja) | Icカード用プリント配線板 | |
JP2003045517A (ja) | 電気接続部材 | |
JPH10340907A (ja) | 突起電極の形成方法 | |
JP2006013160A (ja) | 配線回路基板および半導体装置 | |
JP2004193466A (ja) | フレキシブル回路基板 | |
JP2020088183A (ja) | 配線基板及び電子装置 | |
JP2005136339A (ja) | 基板接合方法およびその接合構造 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040225 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060203 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060328 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060411 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060413 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060607 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061017 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061030 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101117 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101117 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111117 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111117 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121117 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131117 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |