JP2001291838A5 - 半導体チップ及びその製造方法、半導体装置、回路基板並びに電子機器 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ及びその製造方法、半導体装置、回路基板並びに電子機器に関する。

本発明は、上記問題を解消するためになされたもので、側面から電気的な接続をとることができる半導体チップ及びその製造方法、半導体装置、回路基板並びに電子機器を提供することを目的としている。

Claims (12)

1. 能動素子形成面に電極が形成されてなる半導体チップの製造方法において、
   前記半導体チップの集合体である半導体ウエハの前記電極が設けられた第１の面に、絶縁性を有する下部保護膜を形成する第１の工程と、
   前記下部保護膜の、少なくとも前記電極上に設けられた部分を除去する第２の工程と、
   前記下部保護膜に導電膜を形成する第３の工程と、
   前記導電膜の、少なくとも単一の半導体チップとなる領域内に形成された電極同士を接続している部分を除去する第４の工程と、
   前記下部保護膜及び前記導電膜に、絶縁性を有するとともに、少なくとも前記導電膜が被覆される厚さを有する上部保護膜を形成する第５の工程と、
   前記半導体ウエハを前記半導体チップごとに断裁する第６の工程と、
   を少なくとも有することを特徴とする半導体チップの製造方法。
2. 前記第１の工程において、前記第１の面に有機系材料を塗布することを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの製造方法。
3. 前記第２の工程において、前記第１の保護膜の、少なくとも前記電極上に設けられた部分をエッチングにより除去することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体チップの製造方法。
4. 前記第３の工程において、前記下部保護膜にメッキより金属膜を形成することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
5. 前記第３の工程と前記第４の工程の間に、前記導電膜の前記電極上に形成された部位に導電性材料を配置する工程と、
   前記第６の工程の後に、前記能動素子形成面と略直交する方向から前記半導体チップを加圧するとともに、前記能動素子形成面を加熱する工程と、
   を有することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
6. 前記第６の工程において、
   前記半導体ウエハの第２の面側をウエハシートに貼り付けて、前記半導体ウエハを前記第１の面側からハーフダイシングし、
   前記半導体ウエハを前記第２の面側から研磨して前記半導体ウエハを断裁することを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
7. 能動素子形成面に電極が形成されてなる半導体チップの製造方法において、
   前記半導体チップの集合体である半導体ウエハの前記電極が設けられた第１の面に、端子材を前記電極上に形成する第１の工程と、
   前記第１の面に、絶縁性を有するとともに、少なくとも前記端子材が被覆される厚さを有する保護膜を形成する第２の工程と、
   前記半導体ウエハを前記半導体チップごとに断裁する第３の工程と、
   を少なくとも有し、
   前記第１の工程において、インクジェットノズルからの吹き付けにより端子材を形成することを特徴とする半導体チップの製造方法。
8. 前記第３の工程において、
   前記半導体ウエハの第２の面側をウエハシートに貼り付けて、前記半導体ウエハを前記第１の面側からハーフダイシングし、
   前記半導体ウエハを前記第２の面側から研磨して前記半導体ウエハを断裁することを特徴とする請求項７に記載の半導体チップの製造方法。
9. 請求項１から請求項８のいずれかに記載された方法によって製造された半導体チップ。
10. 請求項９に記載された半導体チップを有する半導体装置。
11. 請求項１０に記載された半導体装置が搭載された回路基板。
12. 請求項１０に記載された半導体装置を有する電子機器。