JPS62219530A - 光半導体素子のダイボンド方法 - Google Patents
光半導体素子のダイボンド方法Info
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- JPS62219530A JPS62219530A JP6204286A JP6204286A JPS62219530A JP S62219530 A JPS62219530 A JP S62219530A JP 6204286 A JP6204286 A JP 6204286A JP 6204286 A JP6204286 A JP 6204286A JP S62219530 A JPS62219530 A JP S62219530A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
未発明は、光半導体素子のダイボンド方法に関する。
〈発明の概要〉
未発明は、平板への蒸着により箔状ろう材を形成し、前
記箔状ろう材を形成した平板を、先端部カ凹状のコテと
ヒートシンクの間に挿入し、コテ及びヒートシンクに熱
を加え、さらにコテに超音波を力）けながらコテを加重
することにより、平板７３）ら箔状ろう材を分離しヒー
トシンクに転写し、その上に光半導体素子をダイボンド
することにより、箔状ろう材の転写を容易にし、その表
面の酸化を防ぐ。また、光半導体素子のサイズ及びダイ
ボンド位置の変更が容易となり、工程を簡略化できる。
記箔状ろう材を形成した平板を、先端部カ凹状のコテと
ヒートシンクの間に挿入し、コテ及びヒートシンクに熱
を加え、さらにコテに超音波を力）けながらコテを加重
することにより、平板７３）ら箔状ろう材を分離しヒー
トシンクに転写し、その上に光半導体素子をダイボンド
することにより、箔状ろう材の転写を容易にし、その表
面の酸化を防ぐ。また、光半導体素子のサイズ及びダイ
ボンド位置の変更が容易となり、工程を簡略化できる。
〈従来の技術〉
従来は第６図に示すように、表面に熱伝導の良いＩｎ＋
Ｓｎ等のろう材ｌを蒸着やめっき等の方法で形成したヒ
ートシンク２」二に、光半導体素子３を直接ボンディン
グして、光半導体素子から発生する熱を効率良く放散さ
せていた。
Ｓｎ等のろう材ｌを蒸着やめっき等の方法で形成したヒ
ートシンク２」二に、光半導体素子３を直接ボンディン
グして、光半導体素子から発生する熱を効率良く放散さ
せていた。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、上記方法では、ヒートシンク２の全面にろう材
１を形成しているので、ヒートシンク２に他の素子をつ
けるなどの他の工程の妨げとなり工程を複雑化していた
。
１を形成しているので、ヒートシンク２に他の素子をつ
けるなどの他の工程の妨げとなり工程を複雑化していた
。
また仮に、ヒートシンク２のダイボンド面のみにろう材
ｌを形成しようと−Ｊ−れば、グイボンド面以外にろう
材ｌが形成されないようなホルダにヒートシンク２′ｆ
：１個ずつセットする必要があり、工程数が非常に多く
かかって論た。
ｌを形成しようと−Ｊ−れば、グイボンド面以外にろう
材ｌが形成されないようなホルダにヒートシンク２′ｆ
：１個ずつセットする必要があり、工程数が非常に多く
かかって論た。
未発明は上記欠点を解消した光半導体素子のダイボンド
方法を提供することを目的とする。
方法を提供することを目的とする。
く問題点を解決するための手段〉
木発明は、平板への蒸着により箔状ろう材を形成する工
程、前記箔状ろう材を形成した平板を先端部が凹状のコ
テとヒートシンクの間に挿入し、コテ及びヒートシンク
に熱を加え、さらにコテに超音波をかけなからコテを加
重することにより、平板力・ら箔状ろう材を分離しヒー
トシンクのダイボンド面に転写する工程、ヒートシンク
のグイボンド面に光半導体素子をダイボンドする工程と
からなることを特徴とする。
程、前記箔状ろう材を形成した平板を先端部が凹状のコ
テとヒートシンクの間に挿入し、コテ及びヒートシンク
に熱を加え、さらにコテに超音波をかけなからコテを加
重することにより、平板力・ら箔状ろう材を分離しヒー
トシンクのダイボンド面に転写する工程、ヒートシンク
のグイボンド面に光半導体素子をダイボンドする工程と
からなることを特徴とする。
〈作 用〉
上記方法により箔状ろう材の転写が容易になり表面の酸
化を防ぐことができると共に、ヒートシンクのダイボン
ド部のみにろう材を供給することができる。
化を防ぐことができると共に、ヒートシンクのダイボン
ド部のみにろう材を供給することができる。
〈実施例〉
第１図及び第２図に木発明の一実施例を示す。
第２図において、１１はＩｎ 、Ｓｎ等の箔状ろう材、
２はヒートシンク、３は半導体レーザなどの光半導体素
子である。箔状ろう材１１は第１図Ｆｂｌのように、テ
フロンシート４への蒸着により形成される。このろう材
蒸着シートＡは、第１図ｆａｌのよつＩこ、ヒートシン
ク２とワイヤーボンダーのキャピラリ一部分のような先
端部が凹状のコテ５襄 の間に箔状ろう材１１８ヒートシンク２側に向けて挿入
される。そして、コテ及びヒートシンク２（又はステム
６）に熱を加え、さらにコテ５に超音波を９為けながら
コテ５全加重することにより、テフロンシート４から箔
状ろう材１１を分離して第２図のようにヒートシンク２
のダイボンド面に貼り付け、さらにその箔状ろう材１１
の上に光半導体素子３をダイボンドする。なお、ダイボ
ンド用ろう材を圧延等で形成すると、Ｉｎではろう材の
厚さは約１００μｍが限度であり、光半導体素子３に半
導体レーザを用いた場合、素子厚と等しくなるためダイ
ボンド用ろう材として適当でない。
２はヒートシンク、３は半導体レーザなどの光半導体素
子である。箔状ろう材１１は第１図Ｆｂｌのように、テ
フロンシート４への蒸着により形成される。このろう材
蒸着シートＡは、第１図ｆａｌのよつＩこ、ヒートシン
ク２とワイヤーボンダーのキャピラリ一部分のような先
端部が凹状のコテ５襄 の間に箔状ろう材１１８ヒートシンク２側に向けて挿入
される。そして、コテ及びヒートシンク２（又はステム
６）に熱を加え、さらにコテ５に超音波を９為けながら
コテ５全加重することにより、テフロンシート４から箔
状ろう材１１を分離して第２図のようにヒートシンク２
のダイボンド面に貼り付け、さらにその箔状ろう材１１
の上に光半導体素子３をダイボンドする。なお、ダイボ
ンド用ろう材を圧延等で形成すると、Ｉｎではろう材の
厚さは約１００μｍが限度であり、光半導体素子３に半
導体レーザを用いた場合、素子厚と等しくなるためダイ
ボンド用ろう材として適当でない。
ココで、箔状ろう材１１はテフロンシート４に蒸着する
際の蒸着方法や条件などの違いから、その剥がれやすさ
や強度が異なってくる。例えば、抵抗加熱ｌこよかテフ
ロンシート４上に箔状ろう材１１’に形成した場合、付
着強度が弱く剥がれやすい。このろう材蒸着シートＡを
、先端部が平面のコテで転写をした場合は、コテの周囲
の余分な部分まで箔状ろう材１１が剥がれてしまい、光
半導体素子３からのレーザ光を妨げるように残ってしま
う。そこで、第３画人）に示すような先端部を凹状にし
たコテ５ａを用いれば、コテ５ａのエツジ部７によって
必要な部分と不必要な部分とを切り離すようになり、必
要な部分のみを転写することができる。なお、抵抗加熱
によってろう材蒸着シー）Ａを形成した場合のコテ５ａ
の形状は、エツジ部７がろう材蒸着シートＡに当たれば
よいので第３図ＣＢ＋のように先端部を中空ζこしたコ
テ５ｂを用いることもでき、このような形状のコテ５ｂ
も形成が容易である。
際の蒸着方法や条件などの違いから、その剥がれやすさ
や強度が異なってくる。例えば、抵抗加熱ｌこよかテフ
ロンシート４上に箔状ろう材１１’に形成した場合、付
着強度が弱く剥がれやすい。このろう材蒸着シートＡを
、先端部が平面のコテで転写をした場合は、コテの周囲
の余分な部分まで箔状ろう材１１が剥がれてしまい、光
半導体素子３からのレーザ光を妨げるように残ってしま
う。そこで、第３画人）に示すような先端部を凹状にし
たコテ５ａを用いれば、コテ５ａのエツジ部７によって
必要な部分と不必要な部分とを切り離すようになり、必
要な部分のみを転写することができる。なお、抵抗加熱
によってろう材蒸着シー）Ａを形成した場合のコテ５ａ
の形状は、エツジ部７がろう材蒸着シートＡに当たれば
よいので第３図ＣＢ＋のように先端部を中空ζこしたコ
テ５ｂを用いることもでき、このような形状のコテ５ｂ
も形成が容易である。
また、電子ビーム加熱で形成した場合の箔状ろう材１１
は、付着強度が強力ので、第３図（Ａｌに示すコテ５ａ
の先端部の凹部８の厚みがろう材蒸着シートＡの厚みよ
り大きｂコテ５ａ、あるいは第３図の）に示す先端部が
中空のコテ５ｂでは、転写時に凹部８または中空の部分
の箔状ろう材１１がテフロンシート４に残ってし甘う。
は、付着強度が強力ので、第３図（Ａｌに示すコテ５ａ
の先端部の凹部８の厚みがろう材蒸着シートＡの厚みよ
り大きｂコテ５ａ、あるいは第３図の）に示す先端部が
中空のコテ５ｂでは、転写時に凹部８または中空の部分
の箔状ろう材１１がテフロンシート４に残ってし甘う。
この場合は第３図［Ｃ１に示す。凹部８も加重できるよ
うに、ろう材蒸着シートＡの厚みよりも凹部８をやや浅
くしたコテ５ｃを用すれば、確実に転写できる。
うに、ろう材蒸着シートＡの厚みよりも凹部８をやや浅
くしたコテ５ｃを用すれば、確実に転写できる。
また、コテ５の先端面とヒートシンク２のダイボンド面
が平行でなくなった場合、第４図（ＢＪに示すような先
端部が平面のコテ９は、ろう材蒸着シー）Ａを押す力が
コテ９の全面に加わるので、その力が分散してしまい、
ろう材蒸着シー）Ａ全体を押さえることができなくなり
、良好な転写ができない。ここで、第４図（Ａｌに示す
木偶の先端部が凹状（中空を含む）となっているコテ５
を用いれば、ろう材蒸着シートＡを押す力が分散されな
いので、ろう材蒸着シートＡｋコテ５の形状どおりに押
すことができ、良好な転写が可能となる。さらに、本案
のコテ５は、転写可能な温度および超音波の出力は下が
り、転写面を広くできる。
が平行でなくなった場合、第４図（ＢＪに示すような先
端部が平面のコテ９は、ろう材蒸着シー）Ａを押す力が
コテ９の全面に加わるので、その力が分散してしまい、
ろう材蒸着シー）Ａ全体を押さえることができなくなり
、良好な転写ができない。ここで、第４図（Ａｌに示す
木偶の先端部が凹状（中空を含む）となっているコテ５
を用いれば、ろう材蒸着シートＡを押す力が分散されな
いので、ろう材蒸着シートＡｋコテ５の形状どおりに押
すことができ、良好な転写が可能となる。さらに、本案
のコテ５は、転写可能な温度および超音波の出力は下が
り、転写面を広くできる。
また、テフロンシート４から箔状ろう材１１’に分離す
る前に、第５図のように、テフロンシート４を変形させ
ておくと、より箔状ろう材１１をはがれやすくできる。
る前に、第５図のように、テフロンシート４を変形させ
ておくと、より箔状ろう材１１をはがれやすくできる。
上記方法により、箔状ろう＋ａ’ １１ ’！ｚ蒸着に
より形成したことにより、酸化の少ない表面状態の良好
な、厚さ数μｍの均一な箔状ろう材１１を得ることがで
き、ダイボンド性は良好である。捷た、ろう材蒸着シー
トＡから箔状ろう材１１を転写する際に、コテ５及びヒ
ートシンク２に熱を加えることにより、箔状ろう材１１
をテフロンシート４７３）らはかれやすくするとともに
、ヒートシンク２への密着性を良くする。また、コテ５
ζこ超音波を力１けることにより、箔状ろう材１１がよ
りヒートシンク２に付きやすくなり、低温で箔状ろう材
１１の転写を行うことができ表面の酸化も妨げる。
より形成したことにより、酸化の少ない表面状態の良好
な、厚さ数μｍの均一な箔状ろう材１１を得ることがで
き、ダイボンド性は良好である。捷た、ろう材蒸着シー
トＡから箔状ろう材１１を転写する際に、コテ５及びヒ
ートシンク２に熱を加えることにより、箔状ろう材１１
をテフロンシート４７３）らはかれやすくするとともに
、ヒートシンク２への密着性を良くする。また、コテ５
ζこ超音波を力１けることにより、箔状ろう材１１がよ
りヒートシンク２に付きやすくなり、低温で箔状ろう材
１１の転写を行うことができ表面の酸化も妨げる。
この表面の酸化及び高い熱が加わると箔状ろう材１１が
劣化し、光半導体素子３のダイボンドの時に熱を加えて
も箔状ろう材１１が溶けに〈〈なり光半導体素子３のダ
イボンドに支障をきたすが、本案ではこれを防げる。さ
らにダイボンド部のみにろう材を供給できるので、他の
素子を取り付けるなどの池の工程の妨げとならないと共
に、光半導体素子８のサイズ及びダイボンド位置の変更
が容易である。また、箔状ろう材１１と蒸着する平板と
して、実施例のように特にテフロンシート４を用いれば
、汚染が少なく、はがれやすい箔ができるので好都合で
ある。
劣化し、光半導体素子３のダイボンドの時に熱を加えて
も箔状ろう材１１が溶けに〈〈なり光半導体素子３のダ
イボンドに支障をきたすが、本案ではこれを防げる。さ
らにダイボンド部のみにろう材を供給できるので、他の
素子を取り付けるなどの池の工程の妨げとならないと共
に、光半導体素子８のサイズ及びダイボンド位置の変更
が容易である。また、箔状ろう材１１と蒸着する平板と
して、実施例のように特にテフロンシート４を用いれば
、汚染が少なく、はがれやすい箔ができるので好都合で
ある。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、品質の良いろう材を提供
でき、比較的低温で容易に箔状ろう材の転写ができ、表
面の酸化を防ぐことができると共に、光半導体素子のサ
イズ及びダイボンド位置の変更が容易であり、またダイ
ボンド面のみにろう材を供給できるので、工程を簡略化
する有用な光半導体素子のダイボンド方法を提供できる
。さらに、先端部が凹状のコテを用いているので、必要
な量のろう材が確実に転写できる。
でき、比較的低温で容易に箔状ろう材の転写ができ、表
面の酸化を防ぐことができると共に、光半導体素子のサ
イズ及びダイボンド位置の変更が容易であり、またダイ
ボンド面のみにろう材を供給できるので、工程を簡略化
する有用な光半導体素子のダイボンド方法を提供できる
。さらに、先端部が凹状のコテを用いているので、必要
な量のろう材が確実に転写できる。
第１図は本発明の一実施例を示し、同図１ａｌは同分離
中の一工程例を説明する正面図、第１図（ｂｌは同図１
ａ）の要部部品の分離前の構成を示す断面図、第２図は
同全体の断面図、第３図（ａｌ 、 （ｂｌ 、 （ｃ
ｌはそれぞれ異なる未発明に係るコテの先端部形状例を
示す断面図、第４図はコテの先端とヒートシンクのダイ
ボンド位置 同図す）は未発明のコテを用いた場合の断面図、同幅 図［ｂｌは先端が平面のコテを用いた場合の断面図、第
５図は同分離中の一工程例を説明する斜視図、第６図は
従来例を示す断面図である。 １１：箔状ろう材、２：ヒートシンク、８：光半導体素
子、４：テフロンシート、５．５ａ、５ｂ、５ｃ：コテ
。 Ａ：ろう材蒸着シート。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１図（Ｑ
） 第１図（ｂ） 第２図 第３図（ｃｌ） 第３図（ｂ）絡３図（Ｃ） 第４ 図 （ｂ）
中の一工程例を説明する正面図、第１図（ｂｌは同図１
ａ）の要部部品の分離前の構成を示す断面図、第２図は
同全体の断面図、第３図（ａｌ 、 （ｂｌ 、 （ｃ
ｌはそれぞれ異なる未発明に係るコテの先端部形状例を
示す断面図、第４図はコテの先端とヒートシンクのダイ
ボンド位置 同図す）は未発明のコテを用いた場合の断面図、同幅 図［ｂｌは先端が平面のコテを用いた場合の断面図、第
５図は同分離中の一工程例を説明する斜視図、第６図は
従来例を示す断面図である。 １１：箔状ろう材、２：ヒートシンク、８：光半導体素
子、４：テフロンシート、５．５ａ、５ｂ、５ｃ：コテ
。 Ａ：ろう材蒸着シート。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１図（Ｑ
） 第１図（ｂ） 第２図 第３図（ｃｌ） 第３図（ｂ）絡３図（Ｃ） 第４ 図 （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ヒートシンクに光半導体素子をダイボンドする光半
導体素子のダイボンド方法において、平板への蒸着によ
り箔状ろう材を形成する工程、 前記箔状ろう材を形成した平板を、先端部が凹状のコテ
とヒートシンクの間に挿入し、コテ及びヒートシンクに
熱を加え、さらにコテには超音波をかけ、加重すること
により、平板から前記箔状ろう材を分離しヒートシンク
のダイボンド面に転写する工程、 ヒートシンクの前記ダイボンド面に光半導体素子をダイ
ボンドする工程、 を有することを特徴とする光半導体素子のダイボンド方
法。 ２、前記平板として、テフロンシートを用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光半導体素子のダ
イボンド方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6204286A JPS62219530A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 光半導体素子のダイボンド方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6204286A JPS62219530A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 光半導体素子のダイボンド方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62219530A true JPS62219530A (ja) | 1987-09-26 |
Family
ID=13188712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6204286A Pending JPS62219530A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 光半導体素子のダイボンド方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62219530A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03183179A (ja) * | 1989-12-12 | 1991-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子の実装方法 |
| JP2001176889A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Rohm Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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1986
- 1986-03-19 JP JP6204286A patent/JPS62219530A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03183179A (ja) * | 1989-12-12 | 1991-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子の実装方法 |
| JP2001176889A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Rohm Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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