JP2003158232A - 半導体装置用リードフレーム構造体 - Google Patents

半導体装置用リードフレーム構造体

Info

Publication number
JP2003158232A
JP2003158232A JP2001355262A JP2001355262A JP2003158232A JP 2003158232 A JP2003158232 A JP 2003158232A JP 2001355262 A JP2001355262 A JP 2001355262A JP 2001355262 A JP2001355262 A JP 2001355262A JP 2003158232 A JP2003158232 A JP 2003158232A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin film
lead frame
semiconductor device
sheet
frame structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001355262A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003158232A5 (ja
JP3671900B2 (ja
Inventor
Tsukasa Tokunaga
司 徳永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP2001355262A priority Critical patent/JP3671900B2/ja
Priority to TW91133624A priority patent/TWI255537B/zh
Publication of JP2003158232A publication Critical patent/JP2003158232A/ja
Publication of JP2003158232A5 publication Critical patent/JP2003158232A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3671900B2 publication Critical patent/JP3671900B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂による一括封止処理の際には金属体から
樹脂膜体が剥がれ難く、封止処理後においては樹脂膜体
の剥離作業を簡便に行える半導体装置用リードフレーム
構造体を提供すること。 【解決手段】 シート状金属体２と樹脂膜体１とで構成
され、金属体には少なくとも半導体素子用ダイパッド部
12とこの周囲に配置された信号接続用リード部11を単位
とする複数のリードフレームが形成されていると共に、
各リードフレームに半導体素子が搭載され封止樹脂にて
一括封止された後に樹脂膜体が金属体から剥離される半
導体装置用リードフレーム構造体200であって、樹脂膜
体の外周縁にはシート状金属体から露出する摘み部33、
34が設けられていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子用ダイ
パッド部とこの周囲に配置された信号接続用リード部を
単位とする複数のリードフレームが形成されたシート状
金属体とこの一面側に設けられた樹脂膜体とで構成され
る半導体装置用リードフレーム構造体に係り、特に、封
止樹脂による一括封止処理の際には金属体から樹脂膜体
が剥がれ難く、上記封止処理後においては樹脂膜体の剥
離作業を簡便に行える半導体装置用リードフレーム構造
体の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置用リードフレーム構造
体としては、例えば、図７（Ａ）〜（Ｂ）に示すような
構造を有するものが知られている。
【０００３】すなわち、この半導体装置用リードフレー
ム構造体１００は、半導体素子用ダイパッド部１２とこ
の周囲に配置された信号接続用リード部１１を単位とす
る複数のリードフレームが形成されたシート状金属体２
と、この一面側に設けられた樹脂シート等の樹脂膜体１
とでその主要部が構成されている。
【０００４】尚、図８に示すようにシート状金属体２の
幅寸法ａはこの一面側に設けられる樹脂膜体１の幅寸法
ｂより大きめに設定され、かつ、長さ方向の端面側が揃
うように設定されている。また、図９に示すように樹脂
膜体１の長さ方向端面側がシート状金属体２のそれより
内側に設定されている半導体装置用リードフレーム構造
体も知られている。
【０００５】そして、これ等半導体装置用リードフレー
ム構造体１００を用いて半導体装置を製造するには、図
１０（Ａ）〜（Ｄ）に示すように半導体装置用リードフ
レーム構造体１００における各リードフレームの半導体
素子用ダイパッド部１２に半導体素子１５をそれぞれ搭
載し、かつ、上記半導体素子用ダイパッド部１２の周囲
に配置された信号接続用リード部１１と半導体素子１５
とを金属細線（ワイヤー）１３で接続した後、半導体素
子１５側から封止用の樹脂を供給して封止樹脂１６によ
り複数の半導体装置を一括封止し、次いで、半導体素子
用ダイパッド部１２の裏面側への樹脂もれを防止する作
用を有する上記樹脂シート等の樹脂膜体１をシート状金
属体２から剥離し、かつ、図１１に示すように各リード
フレームの境界部（切断部）１４に沿ってブレード等に
より切断加工して図１０（Ｄ）に示すような個別の半導
体装置１０を得るものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の半導
体装置用リードフレーム構造体においては上記樹脂膜体
１がシート状金属体２から剥がれ難い構造になってい
る。
【０００７】これは、シート状金属体２から樹脂膜体１
が容易に剥離してしまうと、封止樹脂にて一括封止する
際に上記半導体素子用ダイパッド部１２裏面側への樹脂
もれを十分に防止できなくなり、その結果、半導体素子
用ダイパッド部１２における裏面側の導電性に支障を来
たすからである。
【０００８】一方、封止樹脂による一括封止処理後にお
いては、剥がれ難い構造になっているにも拘わらず上記
樹脂膜体１をシート状金属体２から剥離する必要があ
り、樹脂膜体１の剥離作業が面倒となる問題点を有して
いた。
【０００９】本発明はこのような問題点に着目してなさ
れたもので、その課題とするところは、封止樹脂による
一括封止処理の際には金属体から樹脂膜体が剥がれ難
く、上記封止処理後においては樹脂膜体の剥離作業を簡
便に行える半導体装置用リードフレーム構造体を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１に係
る発明は、シート状金属体とこの一面側に設けられた樹
脂膜体とで構成され、金属体には少なくとも半導体素子
用ダイパッド部とこの周囲に配置された信号接続用リー
ド部を単位とする複数のリードフレームが形成されてい
ると共に、各リードフレームに半導体素子が搭載され封
止樹脂にて一括封止された後に上記樹脂膜体が金属体か
ら剥離される半導体装置用リードフレーム構造体を前提
とし、上記樹脂膜体の外周縁には、シート状金属体から
露出する摘み部が設けられていることを特徴とするもの
である。
【００１１】また、請求項２に係る発明は、請求項１記
載の発明に係る半導体装置用リードフレーム構造体を前
提とし、シート状金属体における長さ方向端部側に切欠
部が設けられ、この切欠部から露出する樹脂膜体により
上記摘み部が構成されていることを特徴とし、請求項３
に係る発明は、樹脂膜体の長さ方向端部側にシート状金
属体の端部側から外方へ伸びる帯状突出部が設けられて
上記摘み部が構成されていることを特徴とし、請求項４
に係る発明は、シート状金属体における長さ方向端部側
から樹脂膜体の端部側が外方へ一様に伸びて上記摘み部
が構成されていることを特徴とする。
【００１２】次に、請求項５に係る発明は、シート状金
属体とこの一面側に設けられた樹脂膜体とで構成され、
金属体には少なくとも半導体素子用ダイパッド部とこの
周囲に配置された信号接続用リード部を単位とする複数
のリードフレームが形成されていると共に、各リードフ
レームに半導体素子が搭載され封止樹脂にて一括封止さ
れた後に上記樹脂膜体が金属体から剥離される半導体装
置用リードフレーム構造体を前提とし、上記シート状金
属体の外周縁には、分離されて上記樹脂膜体の一部を摘
み部として露出させる切欠き可能部、または、分離され
て上記樹脂膜体の一部と共に摘み部となる切欠き可能部
が設けられていることを特徴とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】この実施の形態に係る半導体装置用リード
フレーム構造体２００は、図１に示すようにプレス若し
くはエッチング加工されたシート状の銅（Ｃｕ）等金属
体２と、この金属体２の一面側（半導体素子搭載面の反
対面側）に適宜接着剤を介しラミネート方式あるいはプ
レス方式等にて積層されたポリイミドフィルム等の樹脂
シートから成る樹脂膜体１とでその主要部が構成されて
いる。
【００１５】また、上記シート状金属体２は、その幅方
向両側を除いた中央領域に半導体素子用ダイパッド部１
２とこの周囲に配置された信号接続用リード部１１を単
位とする複数のリードフレームが形成されており、更
に、シート状金属体２の長さ方向端部側には上記中央領
域から幅方向両側へ外れた領域にコ字形状の切欠部３
１、３２が距離を介して形成され、これ等切欠部３１、
３２から上記樹脂膜体１の外周縁が露出して摘み部３
３、３４を構成している（請求項２）。
【００１６】そして、この実施の形態に係る半導体装置
用リードフレーム構造体２００においては、上記金属体
２に対し樹脂膜体１が強固に接着されて剥がれ難い構造
となっているため、各半導体素子用ダイパッド部１２に
半導体素子が搭載されかつ封止樹脂による一括封止処理
を行う際、半導体素子用ダイパッド部１２裏面側への樹
脂もれを確実に防止することができる。
【００１７】一方、封止樹脂による一括封止処理後にお
いては、シート状金属体２の切欠部３１、３２から露出
する樹脂膜体１の上記摘み部３３、３４を摘んでこの部
位から順次剥がしはじめれば、容易に樹脂膜体１をシー
ト状金属体２から剥がすことができるため樹脂膜体１の
剥離作業を簡便にできる利点を有している。
【００１８】尚、図２に示されている半導体装置用リー
ドフレーム構造体３００は、コ字形状の切欠部を設ける
上記構造に代え、シート状金属体２の長さ方向端部側に
上記中央領域より幅方向一方側へ外れた領域に三角形状
の切欠部３５を形成し、この切欠部３５から上記樹脂膜
体１の外周縁を露出させて摘み部３６としている（請求
項２）点を除き図１に示されている半導体装置用リード
フレーム構造体２００と略同一である。
【００１９】次に、図３に示されている半導体装置用リ
ードフレーム構造体４００と図４に示されている半導体
装置用リードフレーム構造体５００は、シート状金属体
２の形状を従来のものと同一とし（図８、図９参照）、
樹脂膜体１の形状を変えている点を除き、図１と図２に
示されている半導体装置用リードフレーム構造体２０
０、３００と略同一である。
【００２０】すなわち、シート状金属体２の形状につい
ては変更を加えず、上記樹脂膜体１の長さ方向端部側で
幅方向の一方側端部にシート状金属体２より外方へ伸び
る帯状突出部３７、３８を設け、これ等帯状突出部３
７、３８で上記摘み部３９、４０を構成させている（請
求項３）点を除き、図１と図２に示されている半導体装
置用リードフレーム構造体２００、３００と略同一であ
る。
【００２１】そして、これ等の半導体装置用リードフレ
ーム構造体４００、５００においても、シート状金属体
２から露出する樹脂膜体１の摘み部３９、４０を摘んで
この部位から順次剥がしはじめれば容易に樹脂膜体１を
シート状金属体２から剥がすことができるため、上記半
導体装置用リードフレーム構造体２００、３００と同
様、樹脂膜体１の剥離作業を簡便にできる利点を有して
いる。
【００２２】また、図５に示されている半導体装置用リ
ードフレーム構造体６００は、シート状金属体２の形状
を変えずに樹脂膜体１の長さ寸法を若干長めに変えてい
る点を除き、図１と図２に示されている半導体装置用リ
ードフレーム構造体２００、３００と略同一である。
【００２３】すなわち、シート状金属体２の形状につい
ては変更を加えずに上記樹脂膜体１の長さ寸法を若干長
めに設定し、図５に示すようにシート状金属体２におけ
る長さ方向端部側から樹脂膜体１の端部側が外方へ所定
寸法一様に伸びるように形成して摘み部３３４を構成さ
せている（請求項４）点を除き、図１と図２に示されて
いる半導体装置用リードフレーム構造体２００、３００
と略同一である。
【００２４】そして、この半導体装置用リードフレーム
構造体６００においても、シート状金属体２から露出す
る樹脂膜体１の摘み部３３４を摘んでこの部位から順次
剥がしはじめれば容易に樹脂膜体１をシート状金属体２
から剥がすことができるため、上記半導体装置用リード
フレーム構造体２００、３００と同様、樹脂膜体１の剥
離作業を簡便にできる利点を有している。
【００２５】ところで、図１〜図５に示された上記半導
体装置用リードフレーム構造体２００〜６００において
は樹脂膜体１の一部をシート状金属体２から露出させて
摘み部３３、３４、３６、３９、４０、３３４としてい
るため、複数の半導体装置用リードフレーム構造体を重
ねて保管したような場合に、各半導体装置用リードフレ
ーム構造体が露出する摘み部３３、３４、３６、３９、
４０、３３４(樹脂膜体）を介し互いに接着されてしま
うことがある。図６に示された半導体装置用リードフレ
ーム構造体７００はこの点を改善したものである。
【００２６】すなわち、図６（Ａ）に示された半導体装
置用リードフレーム構造体７００は、シート状の金属体
２と、この金属体２の一面側に適宜接着剤を介しラミネ
ート方式あるいはプレス方式等にて積層されたポリイミ
ドフィルム等の樹脂シートから成る樹脂膜体１とでその
主要部が構成されている。
【００２７】また、上記シート状金属体２は、その幅方
向両側を除いた中央領域に半導体素子用ダイパッド部１
２とこの周囲に配置された信号接続用リード部１１を単
位とする複数のリードフレームが形成されており、更
に、シート状金属体２の長さ方向端部側には上記中央領
域から幅方向両側へ外れた領域にコ字形状の切欠き可能
部４１、４２が距離を介して形成されている。
【００２８】そして、図６（Ｂ）に示すように上記切欠
き可能部４１、４２をシート状金属体２より分離するこ
とで、樹脂膜体１の一部が摘み部４３、４４としてシー
ト状金属体２から露出し、これにより図１に示した半導
体装置用リードフレーム構造体２００と同一の構造とな
るため、半導体装置用リードフレーム構造体２００と同
一の機能を発揮させることが可能となる。
【００２９】また、図６（Ａ）に示すように上記切欠き
可能部４１、４２をシート状金属体２から分離させずに
残した場合、摘み部４３、４４を構成する樹脂膜体１が
露出しないため、複数の半導体装置用リードフレーム構
造体を重ねて保管した場合でも各半導体装置用リードフ
レーム構造体が樹脂膜体を介し互いに接着されることも
ない。
【００３０】尚、図６（Ａ）に示された半導体装置用リ
ードフレーム構造体７００においては、図６（Ｂ）に示
すように切欠き可能部４１、４２をシート状金属体２よ
り分離することで、樹脂膜体１の一部が摘み部４３、４
４としてシート状金属体２から露出される構造になって
いるが、シート状金属体２の分離部位（すなわち、切欠
き可能部）が樹脂膜体１の一部を露出させずに樹脂膜体
１の一部と共に摘み部を構成する構造にしてもよい。
【００３１】また、上記切欠き可能部４１、４２は、例
えばシート状金属体２をハーフエッチングする等して加
工することができる。
【００３２】
【発明の効果】請求項１〜４記載の発明に係る半導体装
置用リードフレーム構造体によれば、樹脂膜体の外周縁
には、シート状金属体から露出する摘み部が設けられて
おり、一括封止処理後においてシート状金属体から露出
する樹脂膜体の上記摘み部を摘んでこの部位から剥がし
はじめることで、シート状金属体から容易に樹脂膜体を
剥がすことができるため樹脂膜体の剥離作業を簡便にで
きる効果を有する。
【００３３】また、請求項５記載の発明に係る半導体装
置用リードフレーム構造体によれば、シート状金属体の
外周縁には、分離されて上記樹脂膜体の一部を摘み部と
して露出させる切欠き可能部、または、分離されて上記
樹脂膜体の一部と共に摘み部となる切欠き可能部が設け
られており、前者の切欠き可能部においては一括封止処
理後においてこの切欠き可能部をシート状金属体から分
離して樹脂膜体の上記摘み部を露出させることにより、
請求項１に係る半導体装置用リードフレーム構造体と同
様、シート状金属体から容易に樹脂膜体を剥がすことが
でき、また、後者の切欠き可能部においては一括封止処
理後においてこの切欠き可能部をシート状金属体から分
離して上記樹脂膜体の一部と共に摘み部とすることによ
りシート状金属体から容易に樹脂膜体を剥がすことがで
きるため樹脂膜体の剥離作業を簡便にできる効果を有す
る。
【００３４】更に、請求項５記載の発明に係る半導体装
置用リードフレーム構造体によれば、複数の半導体装置
用リードフレーム構造体を重ねて保管するような場合
に、各半導体装置用リードフレーム構造体が露出する樹
脂膜体を介し互いに接着される現象を回避できる効果も
有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置用リード
フレーム構造体の一部を示す概略平面図。
【図２】本発明の他の実施の形態に係る半導体装置用リ
ードフレーム構造体の一部を示す概略平面図。
【図３】本発明の他の実施の形態に係る半導体装置用リ
ードフレーム構造体の一部を示す概略平面図。
【図４】本発明の他の実施の形態に係る半導体装置用リ
ードフレーム構造体の一部を示す概略平面図。
【図５】本発明の他の実施の形態に係る半導体装置用リ
ードフレーム構造体の一部を示す概略平面図。
【図６】図６（Ａ）は切欠き可能部を有する本発明の実
施の形態に係る半導体装置用リードフレーム構造体の一
部を示す概略平面図、図６（Ｂ）は上記切欠き可能部が
分離された状態の半導体装置用リードフレーム構造体の
一部を示す概略平面図。
【図７】図７（Ａ）は従来例に係る半導体装置用リード
フレーム構造体の平面図、図７（Ｂ）は上記半導体装置
用リードフレーム構造体の断面図。
【図８】従来例に係る半導体装置用リードフレーム構造
体の一部を示す概略平面図。
【図９】他の従来例に係る半導体装置用リードフレーム
構造体の一部を示す概略平面図。
【図１０】図１０（Ａ）〜（Ｄ）は、従来例に係る半導
体装置用リードフレーム構造体を適用して半導体装置を
製造する工程説明図。
【図１１】樹脂膜体が剥離された後の半導体装置用リー
ドフレーム構造体の断面図。
【符号の説明】
１ 樹脂膜体 ２ シート状金属体 １０ 半導体装置 １１ 信号接続用リード部 １２ 半導体素子用ダイパッド部 １３ 金属細線（ワイヤー） １４ 切断部 １５ 半導体素子 １６ 封止樹脂 ３１ 切欠部 ３２ 切欠部 ３３ 摘み部 ３４ 摘み部 ３５ 切欠部 ３６ 摘み部 ３７ 帯状突出部 ３８ 帯状突出部 ３９ 摘み部 ４０ 摘み部 ４１ 切欠き可能部 ４２ 切欠き可能部 ４３ 摘み部 ４４ 摘み部 １００ 半導体装置用リードフレーム構造体 ２００ 半導体装置用リードフレーム構造体 ３００ 半導体装置用リードフレーム構造体 ３３４ 摘み部 ４００ 半導体装置用リードフレーム構造体 ５００ 半導体装置用リードフレーム構造体 ６００ 半導体装置用リードフレーム構造体 ７００ 半導体装置用リードフレーム構造体

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】シート状金属体とこの一面側に設けられた
    樹脂膜体とで構成され、金属体には少なくとも半導体素
    子用ダイパッド部とこの周囲に配置された信号接続用リ
    ード部を単位とする複数のリードフレームが形成されて
    いると共に、各リードフレームに半導体素子が搭載され
    封止樹脂にて一括封止された後に上記樹脂膜体が金属体
    から剥離される半導体装置用リードフレーム構造体にお
    いて、 上記樹脂膜体の外周縁には、シート状金属体から露出す
    る摘み部が設けられていることを特徴とする半導体装置
    用リードフレーム構造体。
  2. 【請求項２】シート状金属体における長さ方向端部側に
    切欠部が設けられ、この切欠部から露出する樹脂膜体に
    より上記摘み部が構成されていることを特徴とする請求
    項１記載の半導体装置用リードフレーム構造体。
  3. 【請求項３】樹脂膜体の長さ方向端部側にシート状金属
    体の端部側から外方へ伸びる帯状突出部が設けられて上
    記摘み部が構成されていることを特徴とする請求項１記
    載の半導体装置用リードフレーム構造体。
  4. 【請求項４】シート状金属体における長さ方向端部側か
    ら樹脂膜体の端部側が外方へ一様に伸びて上記摘み部が
    構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体
    装置用リードフレーム構造体。
  5. 【請求項５】シート状金属体とこの一面側に設けられた
    樹脂膜体とで構成され、金属体には少なくとも半導体素
    子用ダイパッド部とこの周囲に配置された信号接続用リ
    ード部を単位とする複数のリードフレームが形成されて
    いると共に、各リードフレームに半導体素子が搭載され
    封止樹脂にて一括封止された後に上記樹脂膜体が金属体
    から剥離される半導体装置用リードフレーム構造体にお
    いて、 上記シート状金属体の外周縁には、分離されて上記樹脂
    膜体の一部を摘み部として露出させる切欠き可能部、ま
    たは、分離されて上記樹脂膜体の一部と共に摘み部とな
    る切欠き可能部が設けられていることを特徴とする半導
    体装置用リードフレーム構造体。
JP2001355262A 2001-11-20 2001-11-20 半導体装置用リードフレーム構造体 Expired - Fee Related JP3671900B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001355262A JP3671900B2 (ja) 2001-11-20 2001-11-20 半導体装置用リードフレーム構造体
TW91133624A TWI255537B (en) 2001-11-20 2002-11-18 Lead-frame construction body for a semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001355262A JP3671900B2 (ja) 2001-11-20 2001-11-20 半導体装置用リードフレーム構造体

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003158232A true JP2003158232A (ja) 2003-05-30
JP2003158232A5 JP2003158232A5 (ja) 2005-02-17
JP3671900B2 JP3671900B2 (ja) 2005-07-13

Family

ID=19166990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001355262A Expired - Fee Related JP3671900B2 (ja) 2001-11-20 2001-11-20 半導体装置用リードフレーム構造体

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP3671900B2 (ja)
TW (1) TWI255537B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012114115A (ja) * 2010-11-19 2012-06-14 Mitsui High Tec Inc リードフレームとそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2015092627A (ja) * 2015-01-22 2015-05-14 株式会社三井ハイテック リードフレーム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012114115A (ja) * 2010-11-19 2012-06-14 Mitsui High Tec Inc リードフレームとそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2015092627A (ja) * 2015-01-22 2015-05-14 株式会社三井ハイテック リードフレーム

Also Published As

Publication number Publication date
TWI255537B (en) 2006-05-21
JP3671900B2 (ja) 2005-07-13
TW200300598A (en) 2003-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003078094A (ja) リードフレーム及びその製造方法並びに該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法
JPH09511097A (ja) 集積回路素子の製造方法および製造装置
JP2003303919A5 (ja)
JP2003133499A (ja) リードフレーム及びその製造方法並びに該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法
JP2004207275A (ja) 回路装置およびその製造方法
JPS59139636A (ja) ボンデイング方法
JP2003158232A (ja) 半導体装置用リードフレーム構造体
US7534661B2 (en) Method of forming molded resin semiconductor device
WO2005024944A1 (ja) リードフレームおよびその製造方法
JP2003158232A5 (ja)
JP3618316B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2001094026A (ja) リードフレーム及びその製造方法
JP3821865B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2005236309A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3664171B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JPH04258150A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2576462B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0319247A (ja) 半導体装置製造時の半田付け方法
JPH0291956A (ja) フィルムキャリヤ
JP2003060323A (ja) 突出端子を有する可撓性回路基板
JP2003133501A (ja) 半導体装置用リードフレーム構造体とその製造方法
JPH06314723A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH11126762A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03261597A (ja) Ｉｃカード用ｉｃモジュールの製造方法
JPH1174437A (ja) リードフレームの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040308

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040308

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050106

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050329

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050411

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080428

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090428

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090428

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100428

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100428

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110428

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110428

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120428

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130428

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130428

Year of fee payment: 8

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R370 Written measure of declining of transfer procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees