JP3821865B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、薄型を要する半導体装置の製造方法に関し、特に、ワイヤボンディングを用いた半導体装置の製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来におけるワイヤボンディングを用いた半導体装置の製造は、リードフレームに設けられたダイ(アイランド)に接着剤や接着テープで半導体素子を固定し、半導体素子とリードフレームのインナーリードとをワイヤで電気的に接続して、半導体素子とインナーリードとを樹脂で封止することによって行われていた。
【0003】
これは、工業調査会発行(1986年6月1初版)の最新サーフェイス・マウント・テクノロジーの159〜161ページに開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者は、上記従来技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
【0005】
従来のワイヤーボンディングを用いた半導体装置の製造方法では、半導体素子の固定部であるダイと固定用の接着剤や接着テープの厚さが半導体装置の厚さの一部となり、薄型にするが困難であるという問題点があった。
【0006】
また、半導体素子の電極パット面とリードフレームのインナーリードのボンディングパット面では段差ができることにより、チップ周辺部とショートを考慮に入れると、ボンディングワイヤのループが高くなるため、いっそう薄型化が困難であった。
【0007】
本発明の目的は、半導体装置の厚さを薄くすることが可能な技術を提供することにある。
【0008】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0010】
(1)本発明の半導体装置の製造方法は、接着面と、前記接着面に接着し互いに離間して向かい合うように接着配置されたリードフレームのリード部とを有するテープを準備する工程と、前記向かい合うリード部間の前記テープの接着面に選択的に半導体素子を接着する工程と、前記半導体素子の電極と前記リード部とをワイヤにより接続する工程と、前記半導体素子と前記ワイヤと前記リード部のワイヤ接続部とを樹脂で封止する工程と、前記テープを取り除くことにより前記リード部のワイヤ接続部とは反対側の面及び前記リード部間の樹脂を露出する工程とを有する。前記テープは、粘着テープであり、粘着面に半導体素子及びリードが接着される。
【0011】
【作用】
前記(1)の手段によれば、半導体素子の固定部であるダイ及び半導体素子固定のための接着剤や接着テープが半導体装置の厚さの一部とはならないため、半導体装置の厚さを薄くすることができる。
【0012】
また、半導体素子の固定部であるダイ及びその固定用接着剤や接着テープを用いる必要がなくなることにより、半導体素子の電極パット面とリードフレームのインナーリードのボンディングパット面では段差が小さくなり、低ループのワイヤボンディングができるので、半導体装置の厚さを薄くすることが可能となる。
【0013】
以下、本発明の構成について、実施例とともに説明する。
【0014】
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0015】
【実施例】
図1は、本発明の一実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図である。なお、本実施例の製造方法を簡単に説明するため、全ての図面は、半導体装置を中央付近で切った断面図を用い、説明する上で必要ないものは省略している。
【0016】
図1において、1はリードフレーム(フレーム枠の記載を除いてある)、2は接着テープ、3は半導体素子、4はワイヤ、5は樹脂をそれぞれ示す。
【0017】
本実施例の半導体装置の製造は、まず、図1(a)に示すように、半導体素子搭載するダイの無いリードフレーム1を用意し、図1(b)に示すように、リードフレーム1に接着テープ2を貼り付け、続いて、図1(c)に示すように、接着テープ2の所定位置にダイシングされた半導体素子3を接着する。
【0018】
この接着テープ2は、粘着テープならそのまま、粘着性の無いものなら接着剤を使用して付ける。
【0019】
また、半導体装置の信頼性の向上のために、接着テープ2の貼り付けは、半導体素子の裏面全体に行なわず、半導体素子裏面の中心部のみを接着し、かつ、リードフレームもインナリードの部分だけ接着しないようにし、後述する樹脂封止の工程で樹脂が半導体素子、インナリードに回り込めるようにしてもよい。
【0020】
次に、図1(d)に示すように、半導体素子3の電極パット部とリードフレーム1のボンディングパット部を金線等のワイヤー4を使い、ワイヤーボンディングで接続し、図1(e)に示すように、ポッティング等の方法で製品の保護を必要とする部分を樹脂5で封止する。これにより半導体素子3とリードフレーム1を固定する。
【0021】
そして、図1(f)に示すように、半導体素子3とリードフレーム1を固定していた接着テープ2を取り除き、樹脂流れ止めのダムバーを除去し、リードフレームの切断除去を施し、図1(g)に示す半導体装置を得る。
【0022】
また、例えば、図8に示すように、リードフレーム1のボンディングパッド部が平らになるようにコイニング等で段差をつけることにより、ワイヤボンディングの接着性が向上し、かつ、その段差部分がポッティングの樹脂のストッパーの役目を果たし、流動性の高い樹脂を用いて封止することができるので、半導体装置の厚さをより薄くコントロールできる。
【0023】
最後に、図1(h)に示すように、必要に応じてリードフレーム1のアウタリードを折り曲げる。
【0024】
次に、図1(f)に示した接着テープ2の取り除き工程を具体的に挙げ、以下に説明する。
【0025】
図2、図3は、本実施例の半導体装置の製造方法における接着テープ取り除き工程の具体的手段を説明するための図である。
【0026】
図2、図3において、10は突き上げ針、11はリードフレームの枠押さえ、12はテープはぎ取り金型をそれぞれ示す。
【0027】
本実施例の接着テープ取り除き工程の第一の手段は、図2に示すように、接着テープ2の下から複数の針10を用いて半導体素子とリードフレーム1を突き上げ、取り除くものである。
【0028】
第二の手段は、図3(a)に示すように、リードフレーム1の端を枠押さえ11で押さえておき、リードフレーム1の穴あき部分からテープはぎ取り金型12で接着テープ2を押し出すことによって取り除くものである。
【0029】
上述したいずれかの手段を用いることにより、容易に接着テープ2の取り除くことができる。なお、接着テープ取り除き手段は、これに限定されない。
【0030】
次に、本実施例の製造方法の応用について図4を用いて説明する。
【0031】
まず、リードの長さが短いリードフレームと長いリードフレームとでそれぞれ上述した製造方法を用いて半導体装置の製造を行い、図4(a)に示すように、それぞれのリードを折り曲げ、リード整形形状の長短を組み合わせることることにより半導体装置の積層化が可能となる。
【0032】
また、図1(h)に示したリードの折り曲げ工程で、リードを反対方向に折り曲げることにより、図4(b)に示すようなリバース曲げタイプの半導体装置を製造することができる。
【0033】
さらに、リバース曲げタイプの半導体装置において、パワーを要するものは、本実施例のリードの折り曲げ工程の後に、図4(c)に示すように、半導体素子及びリードフレームの一部に絶縁された両面テープ20を介在させ、放熱板21を貼り付ける工程を設けることにより、効率よく熱を逃がすことが可能な半導体装置を製造できる。
【0034】
図5は、本実施例の製造方法で製造された半導体装置における各部分の厚さを示した図であり、図5(a)が単体のものであり、図5(b)が二つの単体を重ねた積層タイプのものである。
【0035】
図5(a)に示すように、本実施例の製造方法で製造された半導体装置における各部分の厚さは、金線ループの高さが0.2mm、ループ上の樹脂厚が0.1mm、半導体素子の厚さが0.28mm、リードフレームの厚さが0.17±0.05mm、リードを折り曲げないときの半導体装置全体の厚さが0.58mmである。
【0036】
これにより、従来の方法で製造された半導体装置にあったダイと半導体素子固定用テープがなくなり、全体の厚さが薄くなっていることがわかり、さらに、金線のループの高さ、樹脂の厚さも薄くなっていることもわかる。
【0037】
また、図5(b)に示すように、二つの単体を重ねた積層タイプの半導体装置全体の厚さは、1.16〜1.9mmである。
【0038】
したがって、上述したように本実施例では、半導体素子の固定部であるダイ及び半導体素子固定のための接着剤や接着テープが半導体装置の厚さの一部とはならないため、半導体装置の厚さを薄くすることができる。
【0039】
また、半導体素子の固定部であるダイ及びその接着剤や接着テープを用いる必要がなくなることにより、半導体素子の電極パット面とリードフレームのインナーリードのボンディングパット面では段差が小さくなり、低ループのワイヤボンディングができるので、半導体装置の厚さを薄くすることが可能となる。
【0040】
以上、本発明の一実施例として、リードを有する半導体装置の製造方法について説明してきたが、本発明は、これに限定されず、プリント基板に半導体素子を直接搭載するCOB型(Chip On Board)、P/B−LCC(Print Board Leadless Chip Carrier)型半導体装置の製造にも同様に応用可能であり、ここではCOB型半導体装置を例に挙げて以下に説明する。
【0041】
図6は、本発明の他の実施例であるCOB型半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【0042】
図6において、30はプリント基板を示す。
【0043】
本実施例のCOB型半導体装置の製造は、まず、図6(a)に示すように、プリント基板30に半導体素子3が入る大きさのスルーホールを形成し、図6(b)に示すように、素子が形成されていない裏面に接着テープ2を貼り付け、続いて、図6(c)に示すように、プリント基板30の所定位置にダイシングされた半導体素子3を接着する。
【0044】
次に、図6(d)に示すように、半導体素子3の電極パット部とプリント基板30のボンディングパット部を金線等のワイヤー4を使い、ワイヤーボンディングで接続し、図6(e)に示すように、ポッティング等の方法で製品の保護を必要とする部分を樹脂5で封止する。これにより半導体素子3とプリント基板30を固定する。
【0045】
そして、図6(f)に示すように、半導体素子3とプリント基板30を固定していた接着テープ2を取り除き、図6(g)に示す半導体装置を得る。
【0046】
なお、接着テープ2のはぎ取りは、図2に示したものと同様に、接着テープ2の下から複数の針10を用いて半導体素子3とプリント基板30を突き上げ、取り除くものを用いる。
【0047】
また、P/B−LCC型半導体装置の製造もCOB型半導体装置と同じ製造行程である。
【0048】
このように、前述のリードを有する半導体装置の場合と同様な行程を行うことにより、COB型、P/B−LCC型半導体装置でも薄型化が可能となる。
【0049】
次に、上述した本実施例の方法で製造した半導体装置を積層する場合について図7を用いて説明する。
【0050】
まず、図6(a)、図6(b)に示したスルーホール付きプリント基板30に接着テープ2を貼り付け工程を、スルーホール付きプリント基板30の代わりに、図7(a)に示すように、スルーホール付きの段差があるプリント基板(以下、ザグリ基板と記す)30aと、接着テープ2の代わりに、ザグリ基板30aの段差と嵌合する形状の段差を有する段差接着テープ2aとを用いて行い、以下、上述同様に製造していくと、図7(b)に示す半導体装置が得られる。
【0051】
この図7(b)に示したザグリ基板を有する半導体装置と図6(g)に示したザグリ基板を有しない半導体装置を組み合わせることにより、図7(c)に示すように、COB型、P/B−LCC型の半導体装置でも積層化できる。
【0052】
次に、上述してきた各半導体装置を金型を用いて製造する方法について説明する。
【0053】
図9は、本実施例の金型を用いた半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【0054】
本実施例の金型を用いた半導体装置の製造方法は、まず、図9(a)に示すように、仮固定治具35に接着剤36を塗布しておき、図9(b)に示すように、リードフレーム1を用意し、図9(c)に示すように、リードフレーム1を仮固定治具35に固定する。
【0055】
そして、図9(d)に示すように、半導体素子3を仮固定治具35に固定し、図9(e)に示すように、リードフレーム1と半導体素子3をワイヤ4でボンディングする。
【0056】
その後、図9(f)に示すように、金型の上型40、41下型で用いて、図9(g)に示すように、樹脂5で封止し、図9(h)に示すように、金型40、41を取り外す。
【0057】
その後、図9(i)に示すように、仮固定治具35と接着剤36を取り除き、図9(j)に示すように、アウタリードを曲げる。
【0058】
なお、ここでは、リードを有する半導体装置について説明したが、COB型、P/B−LCC型の半導体装置の製造も同様に行うことができる。
【0059】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【0060】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0061】
1.半導体装置の厚さを薄くすることが可能となる。
【0062】
2.接着テープの取り除きを容易にする。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図2】本実施例の半導体装置の製造方法におけるテープ取り除き工程の具体的手段を説明するための図である。
【図3】本実施例の半導体装置の製造方法におけるテープ取り除き工程の具体的手段を説明するための図である。
【図4】本実施例の製造方法の応用について説明するための図である。
【図5】本実施例の製造方法で製造された半導体装置における各部分の厚さを示した図である。
【図6】本発明の他の実施例であるCOB型、P/B−LCC型の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図7】本実施例の方法で製造した半導体装置を積層する場合について説明するための図である。
【図8】本実施例の製造方法の応用について説明するための図である。
【図9】本実施例の金型を用いた半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
1…リードフレーム(フレーム枠の記載を除いてある)、2、2a…接着テープ、3…半導体素子、4…ワイヤ、5…樹脂、10…突き上げ針、11…リードフレームの枠押さえ、12…テープはぎ取り金型、30、30a…プリント基板、35…仮固定治具、36…接着剤、40…金型の上型、40…金型の下型。
Claims (12)
- 接着面と、前記接着面に接着し互いに離間して向かい合うように接着配置されたリードフレームのリード部とを有するテープを準備する工程と、
前記向かい合うリード部間の前記テープの接着面に選択的に半導体素子を接着する工程と、
前記半導体素子の電極と前記リード部とをワイヤにより接続する工程と、
前記半導体素子と前記ワイヤと前記リード部のワイヤ接続部とを樹脂で封止する工程と、
前記テープを取り除くことにより前記リード部のワイヤ接続部とは反対側の面及び前記リード部間の樹脂を露出する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記テープは、粘着テープであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記テープは、接着剤を有するものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記テープを取り除く工程は、前記テープが取り除かれた前記各リード部の面と前記半導体素子の裏面が同一側に露出するように行われることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 固定部材上に選択的にリードフレームのリード部およびこのリード部間に前記リード部からは離間して位置する半導体素子を搭載する工程、
前記半導体素子と前記リード部間をボンディングワイヤで接続する工程、
前記固定部材を上型、下型の金型に収納して前記固定部材上の前記半導体素子、前記ボンディングワイヤ、前記リード部を樹脂で封止する工程、
前記固定部材を除去して前記リード部のボンディングワイヤ接続部とは反対側の面及び前記リード部間の樹脂を露出する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記固定部材を除去する工程は、前記固定部材が取り除かれた前記各リード部の面と前記半導体素子の裏面が同一側に露出するように行われることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体素子と、前記半導体素子を挟んでその両側に配置されたリードと、前記各リードの一方の面と対応する前記半導体素子の電極とをそれぞれ接続するワイヤと、前記半導体素子と前記ワイヤと前記リードを封止する樹脂とによって構成された半導体装置の製造方法において、
前記各リードは前記半導体装置の製造工程においてリードフレームのリード部によってそれぞれ構成され、
前記各リード部の他方の面を仮固定部材に貼り付け前記各リード部間を仮固定する工程と、
前記半導体素子をその両側に前記リード部が配置されるように前記仮固定部材に貼り付け仮固定する工程と、
前記各リード部の一方の面と対応する前記電極とをそれぞれ接続する工程と、
前記半導体素子と前記ワイヤと前記各リード部とを樹脂により封止する工程と、
前記樹脂封止された部材から前記仮固定部材を取り除くことにより前記各リード部の他方の面を露出させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記仮固定部材は粘着テープであることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体素子の裏面と前記各リード部の他方の面が略同一面に配置されるように仮固定されることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体素子の裏面の一部のみを接着剤により貼り付け、前記樹脂封止工程において、前記樹脂が前記半導体素子の裏面に回り込むようにしたことを特徴とする請求項7乃至請求項9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記各リード部の他方の面の一部のみを前記接着剤により貼り付け、前記樹脂封止工程において、前記樹脂が前記各リード部の他方の面に回り込むようにしたことを特徴とする請求項7乃至請求項9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記仮固定部材を取り除くことにより、前記半導体素子の裏面と前記各リード部の他方の面が同一側に露出するようにすることを特徴とする請求項7乃至請求項11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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