JP3214302B2 - バンプ付ワークの製造方法 - Google Patents
バンプ付ワークの製造方法Info
- Publication number
- JP3214302B2 JP3214302B2 JP19306595A JP19306595A JP3214302B2 JP 3214302 B2 JP3214302 B2 JP 3214302B2 JP 19306595 A JP19306595 A JP 19306595A JP 19306595 A JP19306595 A JP 19306595A JP 3214302 B2 JP3214302 B2 JP 3214302B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- bumps
- work
- electrode
- jig
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/11001—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
- H01L2224/11003—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the bump preform
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハから切り出され
たチップなどのワークの電極上にバンプを形成するバン
プ付ワークの製造方法に関するものである。
たチップなどのワークの電極上にバンプを形成するバン
プ付ワークの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】チップなどのワークの電極にバンプ（突
出電極）を形成する方法として、従来より様々な方法が
提案されている。以下、従来のバンプの形成方法の一例
について説明する。
出電極）を形成する方法として、従来より様々な方法が
提案されている。以下、従来のバンプの形成方法の一例
について説明する。
【０００３】図５は従来のバンプ付ワークであるフリッ
プチップの部分断面図である。フリップチップ１は、チ
ップ２の表面に設けられた電極３上にバンプ４を形成し
て構成されている。電極３はアルミニウムであって、空
気に触れるとその表面に酸化膜が生じやすい。酸化膜は
バンプ４の接着性を阻害し、電極３とバンプ４の間で導
通不良を生じやすいことから、電極３の表面には酸化防
止のためのバリヤメタルとしてチタン膜５とニッケル膜
６が薄く形成されている。チタン膜５やニッケル膜６は
蒸着手段により形成される。またバンプ４の素材は金で
あって、メッキ手段によりニッケル膜６上に積層形成さ
れる。
プチップの部分断面図である。フリップチップ１は、チ
ップ２の表面に設けられた電極３上にバンプ４を形成し
て構成されている。電極３はアルミニウムであって、空
気に触れるとその表面に酸化膜が生じやすい。酸化膜は
バンプ４の接着性を阻害し、電極３とバンプ４の間で導
通不良を生じやすいことから、電極３の表面には酸化防
止のためのバリヤメタルとしてチタン膜５とニッケル膜
６が薄く形成されている。チタン膜５やニッケル膜６は
蒸着手段により形成される。またバンプ４の素材は金で
あって、メッキ手段によりニッケル膜６上に積層形成さ
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来方法は、蒸着
手段やメッキ手段により電極３上にチタン膜５、ニッケ
ル膜６、バンプ４を順次形成していくため、工程数が多
く、しかもバンプ４の素材として高価な金を用いること
もあって、コストアップになりやすく、更には歩留りも
低いという問題点があった。
手段やメッキ手段により電極３上にチタン膜５、ニッケ
ル膜６、バンプ４を順次形成していくため、工程数が多
く、しかもバンプ４の素材として高価な金を用いること
もあって、コストアップになりやすく、更には歩留りも
低いという問題点があった。
【０００５】したがって本発明は、ワークの電極の表面
に生じた酸化膜による導通不良を解消できるバンプ付ワ
ークの製造方法を提供することを目的とする。また低コ
ストでバンプを形成できるバンプ付ワークの製造方法を
提供することを目的とする。
に生じた酸化膜による導通不良を解消できるバンプ付ワ
ークの製造方法を提供することを目的とする。また低コ
ストでバンプを形成できるバンプ付ワークの製造方法を
提供することを目的とする。
【０００６】
【０００７】
【課題を解決するための手段】 このために本発明は、 突
起を有するバンプを導電ペーストにより治具上に形成す
る工程と、この導電ペーストにより形成されたバンプを
仮硬化させる工程と、このバンプをワークの電極に押し
付け加熱することにより、前記突起でこの電極の表面の
酸化膜を破壊する工程と、このバンプを本硬化させてこ
の電極に接着する工程と、前記治具を前記バンプから剥
ぎ取る工程とからバンプ付ワークを製造する。
起を有するバンプを導電ペーストにより治具上に形成す
る工程と、この導電ペーストにより形成されたバンプを
仮硬化させる工程と、このバンプをワークの電極に押し
付け加熱することにより、前記突起でこの電極の表面の
酸化膜を破壊する工程と、このバンプを本硬化させてこ
の電極に接着する工程と、前記治具を前記バンプから剥
ぎ取る工程とからバンプ付ワークを製造する。
【０００８】またワークの表面に形成された電極を覆う
ようにボンドを塗布する工程と、突起を有するバンプを
導電ペーストにより治具上に形成する工程と、この導電
ペーストにより形成されたバンプを仮硬化させる工程
と、このバンプを前記電極に押し付けて前記突起で前記
電極の表面の酸化膜を破壊しながら、このバンプを前記
ボンドで前記ワークに接着する工程と、前記治具を前記
バンプから剥ぎ取る工程とからバンプ付ワークを製造す
る。
ようにボンドを塗布する工程と、突起を有するバンプを
導電ペーストにより治具上に形成する工程と、この導電
ペーストにより形成されたバンプを仮硬化させる工程
と、このバンプを前記電極に押し付けて前記突起で前記
電極の表面の酸化膜を破壊しながら、このバンプを前記
ボンドで前記ワークに接着する工程と、前記治具を前記
バンプから剥ぎ取る工程とからバンプ付ワークを製造す
る。
【０００９】また表面にエッジを有する微粒子が混入さ
れた素材によりワークの電極上にバンプを形成する工程
と、このバンプを治具により加圧してこのバンプを押し
拡げながら、前記微粒子により前記電極の表面の酸化膜
を破壊して前記バンプを前記電極に接着する工程とから
バンプ付ワークを製造する。
れた素材によりワークの電極上にバンプを形成する工程
と、このバンプを治具により加圧してこのバンプを押し
拡げながら、前記微粒子により前記電極の表面の酸化膜
を破壊して前記バンプを前記電極に接着する工程とから
バンプ付ワークを製造する。
【００１０】
【作用】上記構成によれば、バンプの先鋭な突起によっ
て電極表面の酸化膜を破壊し、電極の新鮮面を露出させ
てバンプを電極に接着し、バンプと電極の間の導通性を
十分に確保できる。
て電極表面の酸化膜を破壊し、電極の新鮮面を露出させ
てバンプを電極に接着し、バンプと電極の間の導通性を
十分に確保できる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の第一実施例のバンプ付ワークの製
造工程図である。図１（ａ）において、１１はワークで
あり、その上面には電極１２が形成されている。ワーク
１１は、例えばウエハから切り出されたチップや基板で
ある。また電極１２はアルミニウムなどの金属であり、
図示しないがその表面には空気に触れることにより酸化
膜が生じている。
する。図１は本発明の第一実施例のバンプ付ワークの製
造工程図である。図１（ａ）において、１１はワークで
あり、その上面には電極１２が形成されている。ワーク
１１は、例えばウエハから切り出されたチップや基板で
ある。また電極１２はアルミニウムなどの金属であり、
図示しないがその表面には空気に触れることにより酸化
膜が生じている。
【００１２】図１（ｂ）において、１３はプレート状の
治具であり、そのフラットな上面にはバンプ１４が形成
されている。このバンプ１４は、導電ペーストをスクリ
ーン印刷機で印刷することにより形成される。このよう
なスクリーン印刷機は、例えば特開平４−６５２４３号
公報に記載されている。スクリーン印刷は、スクリーン
マスク上をスキージを摺動させて、スクリーンマスク上
のペーストをスクリーンマスクに開孔されたパターン孔
を通して治具１３に塗布し、次いでスクリーンマスクと
治具１３を分離することによりバンプ１４を形成する
が、その際、バンプ１４の上面はフラットにはならず、
その上面には突起ａが必然的に生じる。後述するよう
に、本発明はこのようにバンプ１４の上面に突起ａが生
じることに着眼してなされたものである。
治具であり、そのフラットな上面にはバンプ１４が形成
されている。このバンプ１４は、導電ペーストをスクリ
ーン印刷機で印刷することにより形成される。このよう
なスクリーン印刷機は、例えば特開平４−６５２４３号
公報に記載されている。スクリーン印刷は、スクリーン
マスク上をスキージを摺動させて、スクリーンマスク上
のペーストをスクリーンマスクに開孔されたパターン孔
を通して治具１３に塗布し、次いでスクリーンマスクと
治具１３を分離することによりバンプ１４を形成する
が、その際、バンプ１４の上面はフラットにはならず、
その上面には突起ａが必然的に生じる。後述するよう
に、本発明はこのようにバンプ１４の上面に突起ａが生
じることに着眼してなされたものである。
【００１３】次に図１（ｃ）に示すように、キュアによ
り治具１３上のバンプ１４を仮硬化させる。仮硬化と
は、バンプ１４を不十分に加熱して、不十分に硬化させ
るものである。このキュアは、加熱炉（図示せず）にお
いて、治具１３を比較的短時間加熱することにより行わ
れる。
り治具１３上のバンプ１４を仮硬化させる。仮硬化と
は、バンプ１４を不十分に加熱して、不十分に硬化させ
るものである。このキュアは、加熱炉（図示せず）にお
いて、治具１３を比較的短時間加熱することにより行わ
れる。
【００１４】次に図１（ｄ）に示すように、図１に示す
ワーク１１に図１（ｃ）に示す治具１３を重ね合わせ
て、仮硬化したバンプ１４を電極１２に強く押し付け、
次いでその状態で図１（ｅ）に示すようにキュアにより
バンプ１４を十分に加熱することにより、バンプ１４を
電極１２の上面に接着する。図１（ｄ）および図１
（ｅ）に示す工程において、仮硬化したバンプ１４の突
起ａは電極１２の表面に強く押し付けられ、この表面の
酸化膜を部分的に破壊する。したがって電極１２の新鮮
面は露出し、バンプ１４はこの新鮮面にしっかり接着さ
れる。
ワーク１１に図１（ｃ）に示す治具１３を重ね合わせ
て、仮硬化したバンプ１４を電極１２に強く押し付け、
次いでその状態で図１（ｅ）に示すようにキュアにより
バンプ１４を十分に加熱することにより、バンプ１４を
電極１２の上面に接着する。図１（ｄ）および図１
（ｅ）に示す工程において、仮硬化したバンプ１４の突
起ａは電極１２の表面に強く押し付けられ、この表面の
酸化膜を部分的に破壊する。したがって電極１２の新鮮
面は露出し、バンプ１４はこの新鮮面にしっかり接着さ
れる。
【００１５】次に図１（ｆ）に示すように、治具１３を
バンプ１４から剥ぎ取ることにより、バンプ付ワーク１
５が完成する。ここで、バンプ１４は図１（ｄ）（ｅ）
に示されるように、治具１３のフラットな面により電極
１２に押し付けられたので、バンプ付ワーク１５のすべ
てのバンプ１４の上面の高さは揃う。したがってこのバ
ンプ付ワーク１５を配線基板（図外）に実装する場合、
すべてのバンプ１４を配線基板の電極に確実に接地させ
てボンディングできる。
バンプ１４から剥ぎ取ることにより、バンプ付ワーク１
５が完成する。ここで、バンプ１４は図１（ｄ）（ｅ）
に示されるように、治具１３のフラットな面により電極
１２に押し付けられたので、バンプ付ワーク１５のすべ
てのバンプ１４の上面の高さは揃う。したがってこのバ
ンプ付ワーク１５を配線基板（図外）に実装する場合、
すべてのバンプ１４を配線基板の電極に確実に接地させ
てボンディングできる。
【００１６】図２は本発明の第二実施例のバンプ付ワー
クの製造工程図である。なお、以下の各実施例におい
て、第一実施例と同一要素には同一符号を付す。図２
（ａ）に示すワーク１１の上面にボンド１６を塗布する
（図２（ｂ））。ボンド１６は電極１２を覆うように均
一な厚さで薄く塗布される。このボンド塗布はスクリー
ン印刷機などにより行われる。
クの製造工程図である。なお、以下の各実施例におい
て、第一実施例と同一要素には同一符号を付す。図２
（ａ）に示すワーク１１の上面にボンド１６を塗布する
（図２（ｂ））。ボンド１６は電極１２を覆うように均
一な厚さで薄く塗布される。このボンド塗布はスクリー
ン印刷機などにより行われる。
【００１７】また図２（ｃ）に示すように治具１３上に
スクリーン印刷機によりバンプ１４を形成し、次いでバ
ンプ１４をキュアにより加熱して仮硬化させる（図２
（ｄ））。次に図２（ｅ）に示すように治具１３をワー
ク１１に重ねて加圧する。するとバンプ１４の突起ａは
電極１２の表面に接地して表面の酸化膜を破壊する。
スクリーン印刷機によりバンプ１４を形成し、次いでバ
ンプ１４をキュアにより加熱して仮硬化させる（図２
（ｄ））。次に図２（ｅ）に示すように治具１３をワー
ク１１に重ねて加圧する。するとバンプ１４の突起ａは
電極１２の表面に接地して表面の酸化膜を破壊する。
【００１８】次に図２（ｆ）に示すように再度キュアを
行ってボンド１６を硬化させ、ボンド１６の接着力によ
りバンプ１４を電極１２上に接着する。次いで図２
（ｇ）に示すように治具１３をバンプ１４から剥ぎ取れ
ば、バンプ付ワーク１７が完成する。なお上述のように
治具１３でバンプ１４を加圧したことにより、突起ａは
潰れている。この第二実施例も、第一実施例と同様の作
用効果が得られる。
行ってボンド１６を硬化させ、ボンド１６の接着力によ
りバンプ１４を電極１２上に接着する。次いで図２
（ｇ）に示すように治具１３をバンプ１４から剥ぎ取れ
ば、バンプ付ワーク１７が完成する。なお上述のように
治具１３でバンプ１４を加圧したことにより、突起ａは
潰れている。この第二実施例も、第一実施例と同様の作
用効果が得られる。
【００１９】図３は本発明の第三実施例のバンプ付ワー
クの製造工程図、図４は同バンプのＡ部分の部分拡大図
である。図３（ａ）に示すワーク１１を用意し、図３
（ｂ）に示すようにワーク１１上にスクリーン印刷機に
よりバンプ１４を形成して、キュアによりバンプ１４を
仮硬化させる。図４に示すように、バンプ１４の内部に
はエッジを有する硬質の微粒子１８が混合されている。
この微粒子１８は、例えばガラスやニッケルなどであ
る。
クの製造工程図、図４は同バンプのＡ部分の部分拡大図
である。図３（ａ）に示すワーク１１を用意し、図３
（ｂ）に示すようにワーク１１上にスクリーン印刷機に
よりバンプ１４を形成して、キュアによりバンプ１４を
仮硬化させる。図４に示すように、バンプ１４の内部に
はエッジを有する硬質の微粒子１８が混合されている。
この微粒子１８は、例えばガラスやニッケルなどであ
る。
【００２０】次に図３（ｃ）に示すように治具１３をワ
ーク１１に重ねて加圧し、次いでキュアによりバンプ１
４を本硬化させる（図３（ｄ））。次に治具１３をバン
プ１４から剥ぎ取れば、バンプ付ワーク１９が完成する
（図３（ｅ））。ここで、図３（ｃ）（ｄ）に示す工程
において、バンプ１４を治具１３により電極１２に押し
付ければ、バンプ１４は左右に押し拡げられる（図３
（ｄ）の矢印参照）。これにより、バンプ１４中の微粒
子１８は電極１２の表面をこすって酸化膜を破壊するの
で、電極１２の新鮮面は露出し、バンプ１４は新鮮面に
しっかり接着される。
ーク１１に重ねて加圧し、次いでキュアによりバンプ１
４を本硬化させる（図３（ｄ））。次に治具１３をバン
プ１４から剥ぎ取れば、バンプ付ワーク１９が完成する
（図３（ｅ））。ここで、図３（ｃ）（ｄ）に示す工程
において、バンプ１４を治具１３により電極１２に押し
付ければ、バンプ１４は左右に押し拡げられる（図３
（ｄ）の矢印参照）。これにより、バンプ１４中の微粒
子１８は電極１２の表面をこすって酸化膜を破壊するの
で、電極１２の新鮮面は露出し、バンプ１４は新鮮面に
しっかり接着される。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、バンプの突起やエッジ
を有する微粒子により電極の表面の酸化膜を破壊して新
鮮面を露出させながら、バンプを電極に接着できるの
で、バンプと電極の間の導通性を十分に確保できる。ま
たワーク上のバンプの高さを揃えることができ、さらに
は従来例のように電極上にバリヤメタルとしてのチタン
膜やニッケル膜を形成する必要がなく、また高価な金を
不要にできるので、大巾なコストダウンを図れる。
を有する微粒子により電極の表面の酸化膜を破壊して新
鮮面を露出させながら、バンプを電極に接着できるの
で、バンプと電極の間の導通性を十分に確保できる。ま
たワーク上のバンプの高さを揃えることができ、さらに
は従来例のように電極上にバリヤメタルとしてのチタン
膜やニッケル膜を形成する必要がなく、また高価な金を
不要にできるので、大巾なコストダウンを図れる。
【図１】本発明の第一実施例のバンプ付ワークの製造工
程図
程図
【図２】本発明の第二実施例のバンプ付ワークの製造工
程図
程図
【図３】本発明の第三実施例のバンプ付ワークの製造工
程図
程図
【図４】本発明の第三実施例のバンプの部分拡大図
【図５】従来のバンプ付ワークであるフリップチップの
部分断面図
部分断面図
１１ ワーク １２ 電極 １３ 治具 １４ バンプ １５、１６、１９ バンプ付ワーク １８ 微粒子 ａ 突起
Claims (3)
- 【請求項１】突起を有するバンプを導電ペーストにより
治具上に形成する工程と、この導電ペーストにより形成
されたバンプを仮硬化させる工程と、このバンプをワー
クの電極に押し付け加熱することにより、前記突起でこ
の電極の表面の酸化膜を破壊する工程と、このバンプを
本硬化させてこの電極に接着する工程と、前記治具を前
記バンプから剥ぎ取る工程と、を含むことを特徴とする
バンプ付ワークの製造方法。 - 【請求項２】ワークの表面に形成された電極を覆うよう
にボンドを塗布する工程と、突起を有するバンプを導電
ペーストにより治具上に形成する工程と、この導電ペー
ストにより形成されたバンプを仮硬化させる工程と、こ
のバンプを前記電極に押し付けて前記突起で前記電極の
表面の酸化膜を破壊しながら、このバンプを前記ボンド
で前記ワークに接着する工程と、前記治具を前記バンプ
から剥ぎ取る工程と、を含むことを特徴とするバンプ付
ワークの製造方法。 - 【請求項３】表面にエッジを有する微粒子が混入された
素材によりワークの電極上にバンプを形成する工程と、
このバンプを治具により加圧してこのバンプを押し拡げ
ながら、前記微粒子により前記電極の表面の酸化膜を破
壊して前記バンプを前記電極に接着する工程と、を含む
ことを特徴とするバンプ付ワークの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19306595A JP3214302B2 (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | バンプ付ワークの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19306595A JP3214302B2 (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | バンプ付ワークの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945693A JPH0945693A (ja) | 1997-02-14 |
| JP3214302B2 true JP3214302B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=16301626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19306595A Expired - Fee Related JP3214302B2 (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | バンプ付ワークの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3214302B2 (ja) |
-
1995
- 1995-07-28 JP JP19306595A patent/JP3214302B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0945693A (ja) | 1997-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3065549B2 (ja) | 半導体チップ部品の実装方法 | |
| EP0042693B1 (en) | Semi-conductor power device assembly and method of manufacture thereof | |
| JPH08203961A (ja) | 集積回路チップの構造体及びその実装方法 | |
| JP2000082723A (ja) | 機能素子及び機能素子搭載用基板並びにそれらの接続方法 | |
| JP3214302B2 (ja) | バンプ付ワークの製造方法 | |
| JP2001308146A (ja) | チップキャリアに半導体チップを取り付けるための装置 | |
| JP2606606B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11111761A (ja) | 半導体チップ部品の実装体 | |
| JPH11204567A (ja) | 異方性導電接着剤およびその基板への形設方法ならびに半導体チップ実装方法ならびに半導体装置 | |
| JPH1117050A (ja) | 回路基板及び回路基板の製造方法 | |
| JP3180628B2 (ja) | バンプ付ワークの製造方法 | |
| JP2748530B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63143851A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3235456B2 (ja) | チップの実装方法 | |
| JP2830824B2 (ja) | バンプ付きワークの実装方法および実装構造 | |
| JP3726795B2 (ja) | バンプ付きワークの実装方法 | |
| JP2812304B2 (ja) | フリップチップ型半導体装置のリペア方法 | |
| JP3314662B2 (ja) | バンプの形成方法 | |
| JP3600015B2 (ja) | 絶縁金属基板の製造方法 | |
| JP2002134641A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置の実装方法 | |
| JPH05299476A (ja) | 半導体チップの実装方法 | |
| JP2000012613A (ja) | 異方性導電接着剤および電子部品の実装方法 | |
| JP2538718B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09174807A (ja) | 印刷用スキージおよびペースト印刷方法 | |
| JP2002164388A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |