JPH08203961A - 集積回路チップの構造体及びその実装方法 - Google Patents

集積回路チップの構造体及びその実装方法

Info

Publication number
JPH08203961A
JPH08203961A JP7228094A JP22809495A JPH08203961A JP H08203961 A JPH08203961 A JP H08203961A JP 7228094 A JP7228094 A JP 7228094A JP 22809495 A JP22809495 A JP 22809495A JP H08203961 A JPH08203961 A JP H08203961A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
integrated circuit
circuit chip
adhesive
metal material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7228094A
Other languages
English (en)
Inventor
Jin-Woo Park
鎭宇 朴
Chang-Hoon Lee
昌勲 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Devices Co Ltd
Samsung Electron Devices Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Devices Co Ltd, Samsung Electron Devices Co Ltd filed Critical Samsung Display Devices Co Ltd
Publication of JPH08203961A publication Critical patent/JPH08203961A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/1147Manufacturing methods using a lift-off mask
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818Bonding techniques
    • H01L2224/81801Soldering or alloying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 隣接する電極間の電気的ショートの防止及び
小型化に有利な集積回路及びその実装方法を提供する。 【解決手段】 集積回路チップには第1電極が形成され
ており、ベースには第1電極に対向されて第2電極が形
成されている。そして、第2電極には弾性重合体よりな
った第1接着剤が塗布され、その上面に導電性金属材が
蒸着される。最終的に金属材の上面に第2接着剤を塗布
して第1電極と接合される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は集積回路チップの構
造体及びその実装方法に係り、特に隣接する電極間のシ
ョートが防止され接触する電極間の応力を減らすように
した集積回路チップの構造体及びその製造に適合な実装
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の集積回路チップの構造体は図1に
示された通りである。ベース10には所定パターンの電
極11が形成されており、集積回路チップ20には各電
極11に対向されて電極21およびAuよりなったバン
プ22が積層形成されている。これらは相互非等質の導
電性ペースト15により接合された構造を有する。ここ
で、前記導電性ペースト15は非導電性接着剤に導電性
金属粒子が混合されて形成される。
【0003】ところが、かかる集積回路のチップ構造体
は前記した電極11,12間のピッチが微細になる場
合、導電性ペースト15により各電極間のショートが生
じる問題がある。
【0004】また、ニッケルなどの導電性粒子と接着剤
とを混合して導電性ペースト15を形成する場合均一な
分布とすべきなので、この制御が困難であるという問題
がある。
【0005】また、各電極11とバンプ22が相互押圧
される時、応力が発生されて電極11及びバンプ22の
亀裂されることもあるという問題がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題点を解決するために創出されたものであって、電極間
のピットの微細化にもかかわらず、電極間のショートを
防止することができ、集積回路チップとベースを相互押
圧して接合する時各電極の亀裂を防止し得るように改良
された集積回路チップの構造体を提供することにその目
的がある。
【0007】本発明の他の目的は前記した問題点を解決
する集積回路チップの構造体の製造に適合な実装方法を
提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、所定パターンの第1電極の形成された集積
回路チップと第1電極に対応して第2電極の形成された
ベースとが相互電気的に連結されるように接合された集
積回路チップの構造体において、前記第1電極と第2電
極のうちいずれか一つの電極の上面に第1接着剤が塗布
され、前記第1接着剤の外周面に前記他の電極と電気的
に接触される導電性金属材が塗布され、前記導電性金属
材と前記他の電極とを接着させる第2接着剤が塗布され
たことを特徴とする。
【0009】前記の目的を達成するために本発明よる集
積回路チップの構造体は、所定パターンの第1電極と該
第1電極の上面に導電性バンプの形成された集積回路チ
ップと、第1電極に対応して第2電極の形成されたベー
スが相互接着された集積回路チップの構造体において、
前記第2電極の上面に第1接着剤が塗布され、前記第1
接着剤の外周面に前記バンプと電気的に接触される導電
性金属材が塗布され、前記導電性金属材と対応された前
記バンプを接着させる第2接着剤が塗布されたことを特
徴とする。
【0010】前記目的を達成するために本発明による集
積回路チップの構造体は、所定パターンの第1電極と該
第1電極の上面に導電性バンプの形成された集積回路チ
ップと、第1電極に対応して第2電極の形成されたベー
スとが相互接着された集積回路チップの構造体におい
て、前記バンプは第1接着剤で形成され、前記第1接着
剤の外周面に導電性金属材が塗布され、前記導電性金属
材の表面に第2接着剤が塗布された状態で前記集積回路
チップとベースとが相互接合されたことを特徴とする。
【0011】前記目的を達成するために本発明による集
積回路チップの実装方法は、第1電極の形成された集積
回路チップを第1電極に対向されて第2電極の形成され
たベースに接合させる集積回路チップの実装方法におい
て、前記第2電極の上面に第1接着剤を塗布する段階
と、前記第1接着剤の上面に導電性金属材を前記第2電
極と電気的に連結されるように塗布する段階と、前記第
1電極と導電性金属材が電気的に連結されるように押圧
して接合する段階とを含むことを特徴とする。
【0012】前記目的を達成するために本発明による集
積回路チップの実装方法は、所定パターンの第1電極と
各第1電極の上面にバンプの形成された集積回路チップ
と第1電極と電気的に連結されるように対向されて第2
電極の形成されたベースとを接合する集積回路チップの
実装方法において、前記第2電極の上面に第1接着剤を
塗布する段階と、前記第1接着剤の上面に導電性金属材
を前記第2電極と電気的に連結されるように塗布する段
階と、前記バンプと前記導電性金属材が電気的に連結さ
れるように押圧して接合する段階とを含むことを特徴と
する。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明を詳細に説明する。
【0014】図2を参照すれば、集積回路チップ30の
一側には所定パターンの第1電極31が形成されてお
り、これらの第1電極31に対向されてベース40の上
面には第2電極41が形成されている。
【0015】そして、前記第2電極41の上面には第1
接着剤50が取り付けられており、この第1接着剤50
の外周面には前記第1電極31と電気的に接触される導
電性金属材51が塗布されている。この際、導電性金属
材51は第2電極41と電気的に連結される。そして、
前記導電性金属材51と前記第1電極31との間には第
2接着剤52が塗布される。この際、第2接着剤52は
前記集積回路チップ30とベース40の押圧により、図
2に示されたように第1電極31と第2電極41の側面
に突出する。したがって、第1,2電極31,41は相
互電気的に連結され得る。
【0016】そして、前記第1接着剤50は弾性重合体
で形成され、前記第2接着剤52は非導電性接着剤又は
導電性接着剤で形成され得る。
【0017】一方、前記第2接着剤52は非導電性接着
剤と導電性金属粒子とを混合して形成され得る。この
際、金属粒子は第1電極31と導電性金属材51を電気
的に連結して伝導度を向上させる。
【0018】ここで、前記第2接着剤52は、図3に示
されたように、集積回路チップ30とベース40との間
に全体的に塗布された状態で前記集積回路チップ30と
ベース40とを接合させることができる。
【0019】このように構成された集積回路チップの構
造体は次のような実装方法で接合され得る。
【0020】図8Aを参照すれば、先ずベース40の上
面に第2電極41を蒸着により形成する。これと同様
に、集積回路チップ30の下面に第1電極31が形成さ
れる(図2参照)。そして、第2電極41の上面に第1
接着剤50を塗布したのち、この第1接着剤50の外周
面に導電性金属材51を塗布する。
【0021】ここで、第1接着剤50は次のように塗布
する。まず、図8Bのように第2電極41の形成された
ベース40にフォトレジスト60を塗布する。次いで、
図8Cのように第2電極41の上面の一部分が露出され
るようにフォトレジストを露光する。次いで、図8Dの
ように露出された第2電極41の上面に第1接着剤50
を塗布する。最終的に、図9Eのようにフォトレジスト
60を取り除かせる。一方、前記導電性金属材51は蒸
着で塗布され得る。この際の蒸着段階は次の通りであ
る。まず、図9Fのように、第1接着剤50の塗布され
たベース40に所定パターンのマスク70を載置する。
このマスク70は前記第1接着剤50及び第2電極41
の上面のみを露出させる多数の孔71を有する。次い
で、(G)のように、マスク70、第1接着剤50及び
第2電極41の上面に導電性金属材51を蒸着させ、最
後にマスクを分離する。このように蒸着された導電性金
属材51は第2電極41と電気的に連結される。第1接
着剤50は導電性又は非導電性接着剤が使用され得る。
そして、この第1接着剤50は弾性重合体で形成され
る。
【0022】次いで、第1電極31と導電性金属材51
とが電気的に連結されるように接合する。この際、導電
性金属材51の上面にマスクを利用して第2接着剤52
を塗布した後、集積回路チップ30をベース40に対し
て押圧する。その結果、図2に示されたように、第1電
極31と導電性金属材51が接合される。この際、押圧
により第2接着剤52は第1電極31及び導電性金属材
51の側面に突出されて相互接合させる。ここで、第2
接着剤52は接着剤と導電性金属粒子とを混合して製造
されることができる。
【0023】一方、前記第2接着剤52は図3及び図9
H、図9Iに示されたように、集積回路チップ30とベ
ース40との間に全体的に塗布されることができる。こ
の際、第2接着剤52は非導電性の弾性重合体を使用す
ることが望ましい。
【0024】図4を参照すれば、集積回路チップ30の
一側には所定パターンの第1電極31とバンプ32が積
層形成されており、これらのバンプ32に対向されてベ
ース40の上面には第2電極41が形成されている。
【0025】そして、前記第2電極41の上面には第1
接着剤50が取り付けられており、この第1接着剤50
の外周面には前記バンプ32と電気的に接触される導電
性金属材51が塗布されている。この際、導電性金属材
51は第2電極41と電気的に連結される。そして、前
記導電性金属材51と前記バンプ32との間には第2接
着剤52が塗布される。この際、第2接着剤52は前記
集積回路チップ30とベース40の押圧でバンプ32と
第2電極41の側面に突出される。したがって、バンプ
32と第2電極41は相互電気的に連結され得る。
【0026】ここで、前記第1接着剤50は弾性重合体
で形成される。そして、前記第2接着剤52は非導電性
接着剤又は導電性接着剤で形成されることができる。
【0027】また、前記第2接着剤52は非導電性接着
剤と導電性金属粒子を混合して形成されることができ
る。この際、金属粒子はバンプ32と導電性金属材51
を電気的に連結して伝導度を向上させる。
【0028】ここで、前記第2接着剤52は、図5に示
されたように、集積回路チップ30とベース40との間
に全体的に塗布された状態で前記集積回路チップ30と
ベース40とを接合させることができる。
【0029】一方、前記バンプ32は図6及び図7に示
されたように、導電性接着剤で形成され得る。または、
前記バンプ32は弾性重合体で形成されることもでき
る。そして、バンプ32の外周面に導電性金属材51が
蒸着で塗布される。そして、第2電極41の上面に第2
接着剤52が塗布される。そして、押圧で導電性金属材
51と第2電極41が接合される。一方、第2接着剤5
2は、図7に示されたように、集積回路チップ30とベ
ース40との間に全体的に塗布されることができる。こ
の際、第2接着剤52は非導電性で形成されることが望
ましい。そして、第2接着剤52は非導電性の接着剤と
金属粒子とを混合して製造されることができる。
【0030】このように構成された集積回路チップ構造
体は前記実施例の実装方法で実装されることができる。
【0031】
【発明の効果】以上、説明したような集積回路チップの
構造体及びその実装方法は次のような利点を有する。
【0032】第1に、第1電極31と第2電極41との
間に弾性重合体よりなった第1接着剤50を適用するこ
とにより、押圧される電極間の応力発生を防止する。し
たがって、電極の亀裂などの損傷を防止する。
【0033】第2に、各電極間にのみ接着剤を塗布して
接合することにより隣接する電極間の電気的ショートを
防止する。
【0034】第3に、緩衝作用をする第2接着剤の上面
に金属材を塗布することにより、対向される電極との接
合時伝導度を向上させる。
【0035】以上のような利点を有する本発明の集積回
路チップの構造体及びその実装方法は隣接する電極間の
ピッチの微細な小型製品に適用されることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来の集積回路チップの構造体を示した断面
図である。
【図2】 本発明による集積回路チップの実装構造体を
示した一実施例の断面図である。
【図3】 本発明による集積回路チップの実装構造体を
示した一実施例の断面図である 。
【図4】 本発明による集積回路チップの実装構造体を
示した他の実施例の断面図である。
【図5】 本発明による集積回路チップの実装構造体を
示した他の実施例の断面図である。
【図6】 本発明による実装構造体のさらに他の実施例
を示した断面図である。
【図7】 本発明による実装構造体のさらに他の実施例
を示した断面図である。
【図8】 (A)ないし(D)は本発明による集積回路
チップの実装方法を示した工程図である。
【図9】 (E)ないし(I)は本発明による集積回路
チップの実装方法を示した工程図である。

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定パターンの第1電極の形成された集
    積回路チップと第1電極に対応して第2電極の形成され
    たベースが相互電気的に連結されるように接合された集
    積回路チップ構造体において、 前記第1電極と第2電極のうちいずれか一つの電極の上
    面に第1接着剤が塗布され、前記第1接着剤の外周面に
    前記他の電極と電気的に接触される導電性金属材が塗布
    され、前記導電性金属材と前記他の電極とを接着させる
    第2接着剤が塗布されたことを特徴とする集積回路チッ
    プの構造体。
  2. 【請求項2】 前記第1接着剤は弾性重合体よりなった
    ことを特徴とする請求項1記載の集積回路チップの構造
    体。
  3. 【請求項3】 前記第2接着剤は非導電性であり、集積
    回路チップとベースとの間に全体的に塗布された状態で
    前記集積回路チップとベースとを接合させたことを特徴
    とする請求項1記載の集積回路チップの構造体。
  4. 【請求項4】 前記第2接着剤は前記金属材とこれに対
    向された電極との間にのみ塗布されたことを特徴とする
    請求項1記載の集積回路チップの構造体。
  5. 【請求項5】 所定パターンの第1電極と該第1電極の
    上面に導電性バンプの形成された集積回路チップと、第
    1電極に対応して第2電極の形成されたベースが相互接
    着された集積回路チップの構造体において、 前記第2電極の上面に第1接着剤が塗布され、前記第1
    接着剤の外周面に前記バンプと電気的に接触される導電
    性金属材が塗布され、前記導電性金属材と対応された前
    記バンプを接着させる第2接着剤が塗布されたことを特
    徴とする集積回路チップの構造体。
  6. 【請求項6】 前記第1接着剤は弾性重合体よりなった
    ことを特徴とする請求項5記載の集積回路チップの構造
    体。
  7. 【請求項7】 前記第2接着剤は非導電性であり、集積
    回路チップとベースとの間に全体的に塗布された状態で
    前記集積回路チップとベースとを接合させたことを特徴
    とする請求項5記載の集積回路チップの構造体。
  8. 【請求項8】 前記第2接着剤は前記金属材とこれに対
    向されたバンプとの間にのみ塗布されたことを特徴とす
    る請求項5記載の集積回路チップの構造体。
  9. 【請求項9】 所定パターンの第1電極と該第1電極の
    上面に導電性バンプの形成された集積回路チップと、第
    1電極に対応して第2電極の形成されたベースが相互接
    着された集積回路チップの構造体において、 前記バンプは第1接着剤で形成され、前記第1接着剤の
    外周面に導電性金属材が塗布され、前記導電性金属材の
    表面に第2接着剤が塗布された状態で前記集積回路チッ
    プとベースが相互接合されたことを特徴とする集積回路
    チップの構造体。
  10. 【請求項10】 前記第1接着剤は弾性重合体よりなっ
    たことを特徴とする請求項9記載の集積回路チップの構
    造体。
  11. 【請求項11】 前記第2接着剤は非導電性であり、集
    積回路チップとベースとの間に全体的に塗布された状態
    で前記集積回路チップとベースとを接合させたことを特
    徴とする請求項9記載の集積回路チップの構造体。
  12. 【請求項12】 前記第2接着剤は前記金属材とこれに
    対向された電極又はバンプとの間にのみ塗布されたこと
    を特徴とする請求項9記載の集積回路チップの構造体。
  13. 【請求項13】 第1電極の形成された集積回路チップ
    を第1電極に対向されて第2電極の形成されたベ−スに
    接合させる集積回路チップの実装方法において、 前記第2電極の上面に第1接着剤を塗布する段階と、 前記第1接着剤の上面に導電性金属材を前記第2電極と
    電気的に連結するように塗布する段階と、 前記第1電極と導電性金属材が電気的に連結されるよう
    に押圧して接合する段階とを含むことを特徴とする集積
    回路チップの実装方法。
  14. 【請求項14】 前記第1接着剤を塗布する段階は前記
    第2電極の形成されたベースの上面にフォトレジストを
    塗布し、前記第2電極の一部分が露出されるように露光
    させたのち、露出された第2電極の上面に第1接着剤を
    塗布することを特徴とする請求項13記載の集積回路チ
    ップの実装方法。
  15. 【請求項15】 前記第1接着剤は弾性重合体で形成さ
    れることを特徴とする請求項13記載の集積回路チップ
    の実装方法。
  16. 【請求項16】 前記導電性金属材の塗布段階で前記導
    電性金属材は蒸着塗布されることを特徴とする請求項1
    3記載の集積回路チップの実装方法。
  17. 【請求項17】 前記接合段階は前記導電性金属材の上
    面にのみ導電性の第2接着剤を塗布して接合することを
    特徴とする請求項13記載の集積回路チップの実装方
    法。
  18. 【請求項18】 前記接合段階は前記集積回路チップと
    ベースとの間に非導電性の第2接着剤が全体的に塗布さ
    れた状態で接合することを特徴とする請求項13記載の
    集積回路チップの実装方法。
  19. 【請求項19】 所定パターンの第1電極と各第1電極
    の上面にバンプの形成された集積回路チップと第1電極
    と電気的に連結されるように対向されて第2電極の形成
    されたベースとを接合する集積回路チップの実装方法に
    おいて、 前記第2電極の上面に第1接着剤を塗布する段階と、 前記第1接着剤の上面に導電性金属材を前記第2電極と
    電気的に連結されるように塗布する段階と、 前記バンプと前記導電性金属材が電気的に連結されるよ
    うに押圧して接合する段階とを含むことを特徴とする集
    積回路チップの実装方法。
  20. 【請求項20】 前記第1接着剤を塗布する段階は前記
    第2電極の形成されたベースの上面にフォトレジストを
    塗布し、前記第2電極の一部分が露出されるように露光
    させたのち、露出された第2電極の上面に第1接着剤を
    塗布することを特徴とする請求項19記載の集積回路チ
    ップの実装方法。
  21. 【請求項21】 前記第1接着剤は弾性重合体で形成さ
    れることを特徴とする請求項19記載の集積回路チップ
    の実装方法。
  22. 【請求項22】 前記導電性金属材の塗布段階で前記導
    電性金属材は蒸着塗布されることを特徴とする請求項1
    9記載の集積回路チップの実装方法。
  23. 【請求項23】 前記接合段階は前記導電性金属材の上
    面にのみ導電性の第2接着剤を塗布して接合することを
    特徴とする請求項19記載の集積回路チップの実装方
    法。
  24. 【請求項24】 前記接合段階は前記集積回路チップと
    ベースとの間に非導電性の第2接着剤を充填させた状態
    で接合することを特徴とする請求項19記載の集積回路
    チップの実装方法。
  25. 【請求項25】 前記バンプは導電性の弾性重合体で形
    成されることを特徴とする請求項19記載の集積回路チ
    ップの実装方法。
JP7228094A 1994-12-28 1995-09-05 集積回路チップの構造体及びその実装方法 Pending JPH08203961A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR94P38300 1994-12-28
KR1019940038300A KR100349896B1 (ko) 1994-12-28 1994-12-28 집적회로칩의실장구조체및그실장방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08203961A true JPH08203961A (ja) 1996-08-09

Family

ID=19404560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7228094A Pending JPH08203961A (ja) 1994-12-28 1995-09-05 集積回路チップの構造体及びその実装方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5625230A (ja)
JP (1) JPH08203961A (ja)
KR (1) KR100349896B1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0931346B1 (de) * 1996-09-30 2010-02-10 Infineon Technologies AG Mikroelektronisches bauteil in sandwich-bauweise
US8581403B2 (en) 2008-01-30 2013-11-12 Nec Corporation Electronic component mounting structure, electronic component mounting method, and electronic component mounting board

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5657206A (en) * 1994-06-23 1997-08-12 Cubic Memory, Inc. Conductive epoxy flip-chip package and method
US6329711B1 (en) 1995-11-08 2001-12-11 Fujitsu Limited Semiconductor device and mounting structure
US6072239A (en) 1995-11-08 2000-06-06 Fujitsu Limited Device having resin package with projections
US6159770A (en) * 1995-11-08 2000-12-12 Fujitsu Limited Method and apparatus for fabricating semiconductor device
US6376921B1 (en) 1995-11-08 2002-04-23 Fujitsu Limited Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device, lead frame and method for producing the lead frame
KR100438256B1 (ko) * 1995-12-18 2004-08-25 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 반도체장치 및 그 제조방법
EP0853337B1 (en) * 1996-07-12 2004-09-29 Fujitsu Limited Method for manufacturing semiconductor device
US6034331A (en) * 1996-07-23 2000-03-07 Hitachi Chemical Company, Ltd. Connection sheet and electrode connection structure for electrically interconnecting electrodes facing each other, and method using the connection sheet
US5789278A (en) * 1996-07-30 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Method for fabricating chip modules
US6271598B1 (en) * 1997-07-29 2001-08-07 Cubic Memory, Inc. Conductive epoxy flip-chip on chip
TW453137B (en) * 1997-08-25 2001-09-01 Showa Denko Kk Electrode structure of silicon semiconductor device and the manufacturing method of silicon device using it
US6326241B1 (en) 1997-12-29 2001-12-04 Visteon Global Technologies, Inc. Solderless flip-chip assembly and method and material for same
US6703566B1 (en) * 2000-10-25 2004-03-09 Sae Magnetics (H.K.), Ltd. Bonding structure for a hard disk drive suspension using anisotropic conductive film
WO2005093816A1 (en) * 2004-03-05 2005-10-06 Infineon Technologies Ag Semiconductor device for radio frequency applications and method for making the same
US7245021B2 (en) * 2004-04-13 2007-07-17 Vertical Circuits, Inc. Micropede stacked die component assembly
US7215018B2 (en) 2004-04-13 2007-05-08 Vertical Circuits, Inc. Stacked die BGA or LGA component assembly
US7705432B2 (en) * 2004-04-13 2010-04-27 Vertical Circuits, Inc. Three dimensional six surface conformal die coating
US20090174423A1 (en) * 2004-07-21 2009-07-09 Klaerner Peter J Bond Reinforcement Layer for Probe Test Cards
US8154881B2 (en) * 2006-11-13 2012-04-10 Telecommunication Systems, Inc. Radiation-shielded semiconductor assembly
US8533853B2 (en) 2009-06-12 2013-09-10 Telecommunication Systems, Inc. Location sensitive solid state drive

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0521519A (ja) * 1991-07-16 1993-01-29 Sharp Corp 半導体装置
JP2730357B2 (ja) * 1991-11-18 1998-03-25 松下電器産業株式会社 電子部品実装接続体およびその製造方法
JP2833326B2 (ja) * 1992-03-03 1998-12-09 松下電器産業株式会社 電子部品実装接続体およびその製造方法
US5508561A (en) * 1993-11-15 1996-04-16 Nec Corporation Apparatus for forming a double-bump structure used for flip-chip mounting

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0931346B1 (de) * 1996-09-30 2010-02-10 Infineon Technologies AG Mikroelektronisches bauteil in sandwich-bauweise
US8581403B2 (en) 2008-01-30 2013-11-12 Nec Corporation Electronic component mounting structure, electronic component mounting method, and electronic component mounting board

Also Published As

Publication number Publication date
US5625230A (en) 1997-04-29
KR960026672A (ko) 1996-07-22
KR100349896B1 (ko) 2002-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08203961A (ja) 集積回路チップの構造体及びその実装方法
US6437412B1 (en) Surface acoustic wave device having a package including a conductive cap that is coated with sealing material
JP2001035999A (ja) チップサイズスタックパッケージ及びその製造方法
JP2000082723A (ja) 機能素子及び機能素子搭載用基板並びにそれらの接続方法
JP3509642B2 (ja) 半導体装置の実装方法および実装構造
JPH046841A (ja) 半導体装置の実装構造
JPH03190238A (ja) 半導体チップおよびそれを用いた実装構造体
JPH08186150A (ja) 集積回路チップの実装構造体及びその実装方法
JP2003124256A (ja) フレキシブル基板の実装方法
JP2002134558A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2002009570A (ja) 電子部品とその製造方法
JP3446608B2 (ja) 半導体ユニット
JP2000252320A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH03185894A (ja) 電極端子の相互接続方法
JP2000077465A (ja) 電子ユニット
JP3449997B2 (ja) 半導体素子のテスト方法、そのテスト基板
JPH07297228A (ja) 基板の接続方法
JP2001237365A (ja) 接続用端子の接合方法、半導体装置の製造方法および半導体装置
JP3265316B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH07169871A (ja) 半導体装置
JP2000012613A (ja) 異方性導電接着剤および電子部品の実装方法
JP2001160565A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0382048A (ja) 半導体素子の接続方法
JPH07147298A (ja) 半導体装置の実装構造及びその実装方法
JPH08139138A (ja) 電子部品の接続方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040706