JP2002009570A - 電子部品とその製造方法 - Google Patents
電子部品とその製造方法Info
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージや基板など素子を実装する支持体
の実装面が平面でなくても、各バンプと支持体上に設け
た金属層とは同等の接合強度を有する電子部品を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 金属層４を有するパッケージ３と、この
金属層４上に複数のバンプ６ａ，６ｂを介して実装する
ＳＡＷ素子７とを備え、パッケージ３のＳＡＷ素子７の
実装部分は、中央部が外周部よりも厚いものであり、バ
ンプ６ａ，６ｂはＳＡＷ素子７の外周部よりも中央部を
小さくしたものであり、バンプ６ａ，６ｂを介して金属
層に加わる力のばらつきを低減することができるので上
記目的を達成することができる。
の実装面が平面でなくても、各バンプと支持体上に設け
た金属層とは同等の接合強度を有する電子部品を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 金属層４を有するパッケージ３と、この
金属層４上に複数のバンプ６ａ，６ｂを介して実装する
ＳＡＷ素子７とを備え、パッケージ３のＳＡＷ素子７の
実装部分は、中央部が外周部よりも厚いものであり、バ
ンプ６ａ，６ｂはＳＡＷ素子７の外周部よりも中央部を
小さくしたものであり、バンプ６ａ，６ｂを介して金属
層に加わる力のばらつきを低減することができるので上
記目的を達成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えばＳＡＷデバイ
スなど、パッケージなどの支持体にバンプを介して素子
を実装した電子部品とその製造方法に関するものであ
る。
スなど、パッケージなどの支持体にバンプを介して素子
を実装した電子部品とその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来のリッドで封止する前のＳＡ
Ｗデバイスの断面図である。
Ｗデバイスの断面図である。
【０００３】まず圧電基板１００上に少なくとも櫛形電
極１０１、及びこの櫛形電極１０１に電気的に接続する
ように形成した接続電極１０２を有するＳＡＷ素子１０
３を作製する。
極１０１、及びこの櫛形電極１０１に電気的に接続する
ように形成した接続電極１０２を有するＳＡＷ素子１０
３を作製する。
【０００４】次に、このＳＡＷ素子１０３の接続電極１
０２上にバンプ１０４を複数作製する。
０２上にバンプ１０４を複数作製する。
【０００５】次いでにアルミナなどのセラミック材料を
用いて作製したパッケージ１０５にパッケージ電極１０
６とＳＡＷ素子１０３とがバンプ１０４を介して電気的
に接続するように実装する。
用いて作製したパッケージ１０５にパッケージ電極１０
６とＳＡＷ素子１０３とがバンプ１０４を介して電気的
に接続するように実装する。
【０００６】その後パッケージ１０５の開口部をリッド
で封止することによりＳＡＷデバイスを作製していた。
で封止することによりＳＡＷデバイスを作製していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このパッケージ１０５
は、セラミック材料を開口部を有する箱状に形成すると
共に、パッケージ電極１０６を設けた後焼成したもので
ある。そのため焼成時にセラミック材料が収縮すること
により、パッケージ１０５のＳＡＷ素子１０３の実装面
に反りが生じ外周部より中央部が高くなっている。
は、セラミック材料を開口部を有する箱状に形成すると
共に、パッケージ電極１０６を設けた後焼成したもので
ある。そのため焼成時にセラミック材料が収縮すること
により、パッケージ１０５のＳＡＷ素子１０３の実装面
に反りが生じ外周部より中央部が高くなっている。
【０００８】一方接続電極１０２の上に設けたバンプ１
０４はほぼ同一形状である。
０４はほぼ同一形状である。
【０００９】このＳＡＷ素子１０３をパッケージ１０５
に実装しようとすると、ＳＡＷ素子１０３の中央部のバ
ンプには大きな力がかかり、外周部のバンプには中央部
のバンプにかかる力ほど大きな力がかからない。
に実装しようとすると、ＳＡＷ素子１０３の中央部のバ
ンプには大きな力がかかり、外周部のバンプには中央部
のバンプにかかる力ほど大きな力がかからない。
【００１０】そのため各バンプと金属層との接合強度に
ばらつきを生じるという問題点を有していた。
ばらつきを生じるという問題点を有していた。
【００１１】そこで本発明は、パッケージや基板など素
子を実装する支持体の実装面が平面でなくても、各バン
プと支持体上に設けた金属層とは同等の接合強度を有す
る電子部品を提供することを目的とするものである。
子を実装する支持体の実装面が平面でなくても、各バン
プと支持体上に設けた金属層とは同等の接合強度を有す
る電子部品を提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の電子部品は、表面に金属層を有する支持体
と、この金属層上に複数のバンプを介して実装する素子
とを備え、前記支持体と前記素子との距離が短い部分ほ
ど前記バンプを小さくしたものであり、上記目的を達成
することができる。
に本発明の電子部品は、表面に金属層を有する支持体
と、この金属層上に複数のバンプを介して実装する素子
とを備え、前記支持体と前記素子との距離が短い部分ほ
ど前記バンプを小さくしたものであり、上記目的を達成
することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、表面に金属層を有する支持体と、この金属層上に複
数のバンプを介して実装する素子とを備え、前記支持体
と前記素子との距離が短い部分ほど前記バンプを小さく
した電子部品であり、実装時に支持体と前記素子との距
離が短い部分のバンプに大きな力がかかるのを防止でき
るので金属層とは同等の接合強度を有するものとなる。
は、表面に金属層を有する支持体と、この金属層上に複
数のバンプを介して実装する素子とを備え、前記支持体
と前記素子との距離が短い部分ほど前記バンプを小さく
した電子部品であり、実装時に支持体と前記素子との距
離が短い部分のバンプに大きな力がかかるのを防止でき
るので金属層とは同等の接合強度を有するものとなる。
【００１４】請求項２に記載の発明は、素子の表面に複
数の電極およびこの電極上にバンプを作製する第１の工
程と、次に表面に金属層を有する支持体に前記バンプと
前記金属層とを接合して前記素子を実装する第２の工程
とを備え、前記第１の工程において前記支持体と前記素
子との距離が短い部分ほど前記素子と垂直方向の断面積
が小さいバンプを作製する電子部品の製造方法であり、
実装時に支持体と前記素子との距離が短い部分のバンプ
に大きな力がかかるのを防止できるので金属層とは同等
の接合強度を有するものとなる。
数の電極およびこの電極上にバンプを作製する第１の工
程と、次に表面に金属層を有する支持体に前記バンプと
前記金属層とを接合して前記素子を実装する第２の工程
とを備え、前記第１の工程において前記支持体と前記素
子との距離が短い部分ほど前記素子と垂直方向の断面積
が小さいバンプを作製する電子部品の製造方法であり、
実装時に支持体と前記素子との距離が短い部分のバンプ
に大きな力がかかるのを防止できるので金属層とは同等
の接合強度を有するものとなる。
【００１５】請求項３に記載の発明は、支持体と素子と
の距離が短い部分ほど低い高さのバンプを作製する請求
項２に記載の電子部品の製造方法であり、素子を確実に
水平に保持しながらバンプと金属層との接合を行うこと
ができるので、各バンプと金属層とは同等の接合強度を
有するものとなる。
の距離が短い部分ほど低い高さのバンプを作製する請求
項２に記載の電子部品の製造方法であり、素子を確実に
水平に保持しながらバンプと金属層との接合を行うこと
ができるので、各バンプと金属層とは同等の接合強度を
有するものとなる。
【００１６】請求項４に記載の発明は、支持体と素子と
の距離が短い部分ほど前記素子と平行方向の断面積が小
さいバンプを作製する請求項２に記載の電子部品の製造
方法であり、実装時に支持体と素子との距離が短い部分
のバンプに大きな力がかかるのを防止でき均等な力でバ
ンプと金属層との接合を行うことができるので、各バン
プと金属層とは同等な接合強度を有するものとなる。
の距離が短い部分ほど前記素子と平行方向の断面積が小
さいバンプを作製する請求項２に記載の電子部品の製造
方法であり、実装時に支持体と素子との距離が短い部分
のバンプに大きな力がかかるのを防止でき均等な力でバ
ンプと金属層との接合を行うことができるので、各バン
プと金属層とは同等な接合強度を有するものとなる。
【００１７】以下本発明の実施の形態についてＳＡＷデ
バイスを例に図面を参照しながら説明する。
バイスを例に図面を参照しながら説明する。
【００１８】図１は本発明の実施の形態１，２，３にお
けるリッドで封止する前のＳＡＷデバイスの断面図、図
２（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態１，２，３にお
けるバンプ形成工程を説明するための側面図、図３は本
発明の実施の形態１，２，３における実装工程を説明す
るための断面図であり、１はセラミック基板、２はセラ
ミック枠体、３はパッケージ、４，５は金属層、６ａ，
６ｂはバンプ、７はＳＡＷ素子、８は圧電基板、９は接
続電極、１０は櫛形電極、１１は反射器電極、１２はボ
ンディングツール、１３はステージである。
けるリッドで封止する前のＳＡＷデバイスの断面図、図
２（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態１，２，３にお
けるバンプ形成工程を説明するための側面図、図３は本
発明の実施の形態１，２，３における実装工程を説明す
るための断面図であり、１はセラミック基板、２はセラ
ミック枠体、３はパッケージ、４，５は金属層、６ａ，
６ｂはバンプ、７はＳＡＷ素子、８は圧電基板、９は接
続電極、１０は櫛形電極、１１は反射器電極、１２はボ
ンディングツール、１３はステージである。
【００１９】（実施の形態１）まず酸化アルミニウムを
主成分とするセラミック基板１の表面に形成しようとす
る金属層４と同じ形状のメッキ下地層を形成する。この
メッキ下地層はタングステンを主成分とするものであ
る。次にこのセラミック基板１の上に酸化アルミニウム
を主成分とするセラミック枠体２を設ける。
主成分とするセラミック基板１の表面に形成しようとす
る金属層４と同じ形状のメッキ下地層を形成する。この
メッキ下地層はタングステンを主成分とするものであ
る。次にこのセラミック基板１の上に酸化アルミニウム
を主成分とするセラミック枠体２を設ける。
【００２０】次いでセラミック枠体２の上端面に形成し
ようとする金属層５となるようにタングステンを主成分
とするメッキ下地層を形成する。
ようとする金属層５となるようにタングステンを主成分
とするメッキ下地層を形成する。
【００２１】その後焼成してセラミック基板１とセラミ
ック枠体２とを一体化させたパッケージ３を得る。
ック枠体２とを一体化させたパッケージ３を得る。
【００２２】このパッケージ３の底部は図１に示すよう
に焼成により収縮し、外周部から中央部にかけて凸状の
反りが発生し、外周部より中央部の方が高く、ＳＡＷ素
子７の実装面は平坦面でなく球面状となっている。
に焼成により収縮し、外周部から中央部にかけて凸状の
反りが発生し、外周部より中央部の方が高く、ＳＡＷ素
子７の実装面は平坦面でなく球面状となっている。
【００２３】次にこのパッケージ３のメッキ下地層上に
ニッケルメッキ層を形成し、このニッケルメッキ層上に
金メッキ層を形成し、金属層４，５を得る。
ニッケルメッキ層を形成し、このニッケルメッキ層上に
金メッキ層を形成し、金属層４，５を得る。
【００２４】一方、圧電基板８上に入出力用の櫛形電極
１０と、この櫛形電極１０の両側に反射器電極１１及び
櫛形電極１０に電気的に接続された接続電極９を複数形
成し、ＳＡＷ素子７を得る。
１０と、この櫛形電極１０の両側に反射器電極１１及び
櫛形電極１０に電気的に接続された接続電極９を複数形
成し、ＳＡＷ素子７を得る。
【００２５】次に図２（ａ），（ｂ）に示すようにＳＡ
Ｗ素子７の接続電極９上に導電性を有するバンプ６ａ，
６ｂを複数作製する。この時外周部のバンプ６ａの方が
中央部のバンプ６ｂよりも高くかつ圧電基板８と平行面
の断面積が大きくなるように形成する。
Ｗ素子７の接続電極９上に導電性を有するバンプ６ａ，
６ｂを複数作製する。この時外周部のバンプ６ａの方が
中央部のバンプ６ｂよりも高くかつ圧電基板８と平行面
の断面積が大きくなるように形成する。
【００２６】その後図３に示すようにステージ１３上に
パッケージ３を設置し、予め約１５０℃に加熱後、パッ
ケージ３の金属層４にＳＡＷ素子７のバンプ６ａ，６ｂ
を圧接し、圧電基板８の裏面からボンディングツール１
２により圧力及び超音波をかけてバンプ６ａ，６ｂを介
してパッケージ３内にＳＡＷ素子７を接続固定する。
パッケージ３を設置し、予め約１５０℃に加熱後、パッ
ケージ３の金属層４にＳＡＷ素子７のバンプ６ａ，６ｂ
を圧接し、圧電基板８の裏面からボンディングツール１
２により圧力及び超音波をかけてバンプ６ａ，６ｂを介
してパッケージ３内にＳＡＷ素子７を接続固定する。
【００２７】この時ステージ１３、ＳＡＷ素子７及びボ
ンディングツール１２のＳＡＷ素子７との接触面とは平
行である。
ンディングツール１２のＳＡＷ素子７との接触面とは平
行である。
【００２８】次に一方の面に半田層を形成した金属製の
リッド（図示せず）でパッケージ３の開口部を封止す
る。
リッド（図示せず）でパッケージ３の開口部を封止す
る。
【００２９】本実施の形態１のように、ＳＡＷ素子７と
パッケージ３の底面との距離の短い中央部のバンプ６ｂ
を外周部のバンプ６ａよりも高さ及び圧電基板８と平行
方向の断面積の両方とも小さく形成することにより、パ
ッケージ３の外周部から中央部にかけて凸状の反りが存
在したとしても、実装時に中央部のバンプ６ｂに大きな
力がかかるのを防止することができる。
パッケージ３の底面との距離の短い中央部のバンプ６ｂ
を外周部のバンプ６ａよりも高さ及び圧電基板８と平行
方向の断面積の両方とも小さく形成することにより、パ
ッケージ３の外周部から中央部にかけて凸状の反りが存
在したとしても、実装時に中央部のバンプ６ｂに大きな
力がかかるのを防止することができる。
【００３０】従って各接合部は十分かつ同等の強度を有
するものとなり、安定した特性を有するＳＡＷデバイス
となる。
するものとなり、安定した特性を有するＳＡＷデバイス
となる。
【００３１】（実施の形態２）実施の形態１と同様にし
てパッケージ３及びＳＡＷ素子７を作製する。
てパッケージ３及びＳＡＷ素子７を作製する。
【００３２】次に図２（ａ），（ｃ）に示すようにこの
ＳＡＷ素子７の接続電極９上に導電性を有するバンプ６
ａ，６ｂを複数作製する。この時外周部のバンプ６ａと
中央部のバンプ６ｂは圧電基板８と平行方向の断面積は
同等とし、外周部のバンプ６ａの方が中央部のバンプ６
ｂよりも高くなるように形成する。
ＳＡＷ素子７の接続電極９上に導電性を有するバンプ６
ａ，６ｂを複数作製する。この時外周部のバンプ６ａと
中央部のバンプ６ｂは圧電基板８と平行方向の断面積は
同等とし、外周部のバンプ６ａの方が中央部のバンプ６
ｂよりも高くなるように形成する。
【００３３】その後図３に示すようにステージ１３上に
パッケージ３を設置し、予め約１５０℃に加熱後、パッ
ケージ３の金属層４にＳＡＷ素子７のバンプ６ａ，６ｂ
を圧接し、圧電基板８の裏面からボンディングツール１
２により圧力及び超音波をかけてバンプ６ａ，６ｂを介
してパッケージ３内にＳＡＷ素子７を接続固定する。
パッケージ３を設置し、予め約１５０℃に加熱後、パッ
ケージ３の金属層４にＳＡＷ素子７のバンプ６ａ，６ｂ
を圧接し、圧電基板８の裏面からボンディングツール１
２により圧力及び超音波をかけてバンプ６ａ，６ｂを介
してパッケージ３内にＳＡＷ素子７を接続固定する。
【００３４】次に実施の形態１と同様にしてリッドでパ
ッケージ３の開口部を封止してＳＡＷデバイスを得る。
ッケージ３の開口部を封止してＳＡＷデバイスを得る。
【００３５】本実施の形態２と実施の形態１とで異なる
点は、ＳＡＷ素子７の中央部に設けたバンプ６ｂの形状
である。すなわち圧電基板８と平行方向の断面積はバン
プ６ａと同等で、高さはバンプ６ａよりも低くした。そ
のため金属層４とバンプ６ａ，６ｂとの接合をＳＡＷ素
子７を水平に保持しながら行うことができると共に中央
部のバンプ６ｂに大きな力がかかるのを防止できる。
点は、ＳＡＷ素子７の中央部に設けたバンプ６ｂの形状
である。すなわち圧電基板８と平行方向の断面積はバン
プ６ａと同等で、高さはバンプ６ａよりも低くした。そ
のため金属層４とバンプ６ａ，６ｂとの接合をＳＡＷ素
子７を水平に保持しながら行うことができると共に中央
部のバンプ６ｂに大きな力がかかるのを防止できる。
【００３６】従って各接合部は十分かつ同等の強度を有
するものとなり、安定した特性を有するＳＡＷデバイス
となる。
するものとなり、安定した特性を有するＳＡＷデバイス
となる。
【００３７】（実施の形態３）まず実施の形態１と同様
にしてパッケージ３及びＳＡＷ素子７を作製する。
にしてパッケージ３及びＳＡＷ素子７を作製する。
【００３８】次に図２（ａ），（ｄ）に示すようにこの
ＳＡＷ素子７の接続電極９上に導電性を有するバンプ６
ａ，６ｂを複数作製する。この時外周部のバンプ６ａと
中央部のバンプ６ｂの高さは同等で、圧電基板８と平行
方向の断面積はバンプ６ａよりもバンプ６ｂの方が小さ
くなるようにする。
ＳＡＷ素子７の接続電極９上に導電性を有するバンプ６
ａ，６ｂを複数作製する。この時外周部のバンプ６ａと
中央部のバンプ６ｂの高さは同等で、圧電基板８と平行
方向の断面積はバンプ６ａよりもバンプ６ｂの方が小さ
くなるようにする。
【００３９】その後図３に示すようにステージ１３上に
パッケージ３を設置し、予め約１５０℃に加熱後、パッ
ケージ３の金属層４にＳＡＷ素子７のバンプ６ａ，６ｂ
を圧接し、圧電基板８の裏面からボンディングツール１
２により圧力及び超音波をかけてバンプ６ａ，６ｂを介
してパッケージ３内にＳＡＷ素子７を接続固定する。
パッケージ３を設置し、予め約１５０℃に加熱後、パッ
ケージ３の金属層４にＳＡＷ素子７のバンプ６ａ，６ｂ
を圧接し、圧電基板８の裏面からボンディングツール１
２により圧力及び超音波をかけてバンプ６ａ，６ｂを介
してパッケージ３内にＳＡＷ素子７を接続固定する。
【００４０】次に実施の形態１と同様にしてリッドでパ
ッケージ開口部３を封止してＳＡＷデバイスを得る。
ッケージ開口部３を封止してＳＡＷデバイスを得る。
【００４１】本実施の形態３と実施の形態１とで異なる
点は、ＳＡＷ素子７の中央部に設けたバンプ６ｂの形状
である。すなわちバンプ６ａとバンプ６ｂの高さは同等
で、圧電基板８と平行方向の断面積はバンプ６ａよりバ
ンプ６ｂの方が小さくなるように形成したことである。
そのため実装時に中央部のバンプ６ｂに大きな力がかか
るのを防止できるので、各接合部は十分かつ同等の強度
を有するものとなる。
点は、ＳＡＷ素子７の中央部に設けたバンプ６ｂの形状
である。すなわちバンプ６ａとバンプ６ｂの高さは同等
で、圧電基板８と平行方向の断面積はバンプ６ａよりバ
ンプ６ｂの方が小さくなるように形成したことである。
そのため実装時に中央部のバンプ６ｂに大きな力がかか
るのを防止できるので、各接合部は十分かつ同等の強度
を有するものとなる。
【００４２】従って安定した特性を有するＳＡＷデバイ
スとなる。
スとなる。
【００４３】以下本発明のポイントについて記載する。
【００４４】（１）ＳＡＷ素子７をパッケージ３に実装
する際、バンプ６ａ，６ｂに均等に力がかかり、実装後
のバンプ６ａ，６ｂと金属層４との接合面積ができるだ
け等しく、かつＳＡＷ素子７が水平に固定されるように
することにより優れた特性を有するＳＡＷデバイスを得
ることができる。
する際、バンプ６ａ，６ｂに均等に力がかかり、実装後
のバンプ６ａ，６ｂと金属層４との接合面積ができるだ
け等しく、かつＳＡＷ素子７が水平に固定されるように
することにより優れた特性を有するＳＡＷデバイスを得
ることができる。
【００４５】そのために上記各実施の形態ではいずれも
バンプ６ｂはバンプ６ａと比較すると圧電基板７と垂直
方向の断面積が小さくなるように形成している。
バンプ６ｂはバンプ６ａと比較すると圧電基板７と垂直
方向の断面積が小さくなるように形成している。
【００４６】さらにバンプ６ａ，６ｂは実施の形態２で
示したように外周部のより中央部の高さが低くかつ圧電
基板７と平行方向の断面積が同等となるように形成する
ことが最も望ましい。
示したように外周部のより中央部の高さが低くかつ圧電
基板７と平行方向の断面積が同等となるように形成する
ことが最も望ましい。
【００４７】（２）ＳＡＷデバイスは接続電極９と櫛形
電極１０あるいは反射器電極１１との距離が非常に短
い。そのため従来のように全てのバンプを同じように形
成するとＳＡＷ素子７をパッケージ３に実装する際、中
央部のバンプに外周部のバンプよりも大きな力が加わる
こととなる。その結果、中央部のバンプが過度に押しつ
ぶされて横に広がり、接続電極９と極性の異なる隣接す
る櫛形電極１０あるいは反射器電極１１とが電気的に接
続されショート不良を発生することも有った。
電極１０あるいは反射器電極１１との距離が非常に短
い。そのため従来のように全てのバンプを同じように形
成するとＳＡＷ素子７をパッケージ３に実装する際、中
央部のバンプに外周部のバンプよりも大きな力が加わる
こととなる。その結果、中央部のバンプが過度に押しつ
ぶされて横に広がり、接続電極９と極性の異なる隣接す
る櫛形電極１０あるいは反射器電極１１とが電気的に接
続されショート不良を発生することも有った。
【００４８】しかしながら本発明においてはバンプが過
度に押しつぶされることがないのでこのような問題発生
を防止することができる。
度に押しつぶされることがないのでこのような問題発生
を防止することができる。
【００４９】（３）上記各実施の形態では、ＳＡＷデバ
イスを例に説明した。これ以外にも例えば半導体デバイ
スなど素子をセラミック材料を焼成することにより作製
したパッケージにバンプを介して実装する場合について
も同様の効果が得られる。またパッケージに素子を実装
する場合だけでなく、セラミック基板等セラミック材料
を焼成して形成した支持体に素子を実装する場合につい
ても同様の効果が得られる。何故ならば、セラミック材
料を用いて形成した支持体は、焼成時の収縮により反り
が発生し、実装面が平坦でなく曲面状になるからであ
る。さらにセラミック材料を用いて形成した支持体に限
らず、支持体の素子を実装する面が平面でない場合に、
支持体と素子との距離が短いところほど小さなバンプを
形成することにより、素子を水平に保持しながら実装す
ることができるので、各バンプと金属層とは同等かつ十
分な接合強度を有するものとなる。また特定のバンプに
大きな力が加わることを防止でき、バンプが押しつぶさ
れることにより発生するショート不良も防止することが
できる。
イスを例に説明した。これ以外にも例えば半導体デバイ
スなど素子をセラミック材料を焼成することにより作製
したパッケージにバンプを介して実装する場合について
も同様の効果が得られる。またパッケージに素子を実装
する場合だけでなく、セラミック基板等セラミック材料
を焼成して形成した支持体に素子を実装する場合につい
ても同様の効果が得られる。何故ならば、セラミック材
料を用いて形成した支持体は、焼成時の収縮により反り
が発生し、実装面が平坦でなく曲面状になるからであ
る。さらにセラミック材料を用いて形成した支持体に限
らず、支持体の素子を実装する面が平面でない場合に、
支持体と素子との距離が短いところほど小さなバンプを
形成することにより、素子を水平に保持しながら実装す
ることができるので、各バンプと金属層とは同等かつ十
分な接合強度を有するものとなる。また特定のバンプに
大きな力が加わることを防止でき、バンプが押しつぶさ
れることにより発生するショート不良も防止することが
できる。
【００５０】
【発明の効果】以上本発明によると、支持体の素子実装
面が平面でなくても素子を実装する際、素子を水平に保
持しながら実装することができ、各バンプと金属層とは
同等かつ十分な接合強度を有する電子部品を提供するこ
とができる。
面が平面でなくても素子を実装する際、素子を水平に保
持しながら実装することができ、各バンプと金属層とは
同等かつ十分な接合強度を有する電子部品を提供するこ
とができる。
【図１】本発明の実施の形態１，２，３におけるリッド
で封止する前のＳＡＷデバイスの断面図
で封止する前のＳＡＷデバイスの断面図
【図２】（ａ）本発明の実施の形態１，２，３における
バンプ形成工程を説明するための側面図 （ｂ）本発明の実施の形態１におけるバンプ形成工程を
説明するための側面図 （ｃ）本発明の実施の形態２におけるバンプ形成工程を
説明するための側面図 （ｄ）本発明の実施の形態３におけるバンプ形成工程を
説明するための側面図
バンプ形成工程を説明するための側面図 （ｂ）本発明の実施の形態１におけるバンプ形成工程を
説明するための側面図 （ｃ）本発明の実施の形態２におけるバンプ形成工程を
説明するための側面図 （ｄ）本発明の実施の形態３におけるバンプ形成工程を
説明するための側面図
【図３】本発明の実施の形態１，２，３における実装工
程を説明するための断面図
程を説明するための断面図
【図４】従来のＳＡＷデバイスのリッドで封止する前の
断面図
断面図
１ セラミック基板 ２ セラミック枠体 ３ パッケージ ４ 金属層 ５ 金属層 ６ａ バンプ ６ｂ バンプ ７ ＳＡＷ素子 ８ 圧電基板 ９ 接続電極 １０ 櫛形電極 １１ 反射器電極 １２ ボンディングツール １３ ステージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E319 AA03 AA07 AB05 AC04 BB04 CC61 5J097 AA24 AA32 HA04 HA09 JJ09 KK10
Claims (4)
- 【請求項１】 表面に金属層を有する支持体と、この金
属層上に複数のバンプを介して実装する素子とを備え、
前記支持体と前記素子との距離が短い部分ほど前記バン
プを小さくした電子部品。 - 【請求項２】 素子の表面に複数の電極およびこの電極
上にバンプを作製する第１の工程と、次に表面に金属層
を有する支持体に前記バンプと前記金属層とを接合して
前記素子を実装する第２の工程とを備え、前記第１の工
程において前記支持体と前記素子との距離が短い部分ほ
ど前記素子と垂直方向の断面積が小さいバンプを作製す
る電子部品の製造方法。 - 【請求項３】 支持体と素子との距離が短い部分ほど低
い高さのバンプを作製する請求項２に記載の電子部品の
製造方法。 - 【請求項４】 支持体と素子との距離が短い部分ほど前
記素子と平行方向の断面積が小さいバンプを作製する請
求項２に記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000190914A JP2002009570A (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | 電子部品とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000190914A JP2002009570A (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | 電子部品とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002009570A true JP2002009570A (ja) | 2002-01-11 |
Family
ID=18690308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000190914A Pending JP2002009570A (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | 電子部品とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002009570A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003063232A1 (en) * | 2002-01-23 | 2003-07-31 | Fujitsu Media Devices Limited | Module device |
| JP2009054829A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
| JP6447946B1 (ja) * | 2018-01-19 | 2019-01-09 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置および半導体モジュール |
| JP7499601B2 (ja) | 2020-04-24 | 2024-06-14 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージ、電子装置および電子モジュール |
-
2000
- 2000-06-26 JP JP2000190914A patent/JP2002009570A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003063232A1 (en) * | 2002-01-23 | 2003-07-31 | Fujitsu Media Devices Limited | Module device |
| JP2009054829A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
| JP6447946B1 (ja) * | 2018-01-19 | 2019-01-09 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置および半導体モジュール |
| JP2019129308A (ja) * | 2018-01-19 | 2019-08-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置および半導体モジュール |
| JP7499601B2 (ja) | 2020-04-24 | 2024-06-14 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージ、電子装置および電子モジュール |
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