KR100378919B1 - 범프 전극을 갖는 탄성 표면파 장치 및 그 장치의 제조방법 - Google Patents

범프 전극을 갖는 탄성 표면파 장치 및 그 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 범프(bump) 전극을 가지는 탄성 표면파(surface acoustic wave) 장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 전자소자는 그 위에 전극 패드가 제공되어 있는 기판을 포함한다. 중간 전극은 그 중간 전극의 바닥면에 있는 베이스 전극을 포함하는데, 상기 중간 전극의 바닥면은 전극 패드에 배치되어 있다. 범프 전극은 중간 전극 위에 제공되어 있고, 녹는점이 450℃ 이상인 금속을 포함한다. 또한, 베이스 전극은 중간 전극의 배향성을 감소시킬 수 있는 금속재료를 포함한다.

Description

범프 전극을 갖는 탄성 표면파 장치 및 그 장치의 제조방법{Surface acoustic wave device having bump electrodes and method for producing the same}
본 발명은 범프 전극(bump electrode)을 가지는 탄성 표면파 소자에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 초음파를 인가하는 동안, 접합 부분에 탑재(packaging)하기에 적합한 범프 전극을 가지는 탄성 표면파 소자에 관한 것이다.
최근, 전자소자의 소형화 및 박형화 경향에 따라, 기판의 탑재 표면에 대하여 직접적으로 대향하도록 기능면을 배치함으로써, 탄성 표면파 소자의 기능면을 탑재하는 페이스다운 결합(face-down bonding)에 의하여 전자 소자를 탑재(package)하는 것이 발전되었다.
페이스다운 결합에 의하여 탑재된 탄성 표면파 장치의 일반적인 구조를 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다. 도 1은 탄성 표면파 소자의 평면도를 보여준다. 도 2는 탄성 표면파 소자가 탑재된 탄성 표면파 장치의 단면도를 보여준다. 도 3은 범프 전극 영역에서의 탄성 표면파 소자의 탑재에 대한 확대 단면도이다. 도 1에 나타난 바와 같이, 탄성 표면파 소자 12는 압전기판(piezoelectric substrate) 21, 압전기판 21에 제공되어 있으면서 알루미늄을 주로 포함하는 도전성 박막으로 만들어진 빗살전극(comb electrode) 20, 반사전극 19, 입력전극 16, 출력전극 17, 및 접지전극(ground electrode) 18을 포함한다. 이러한 전극 중, 입력전극 16, 출력전극 17, 및 접지전극 18은 또한, 고주파 전압을 공급하기 위한 전극 패드(electrode pad)로 작용한다. 도 2를 참고하면, 범프 전극 11은 전극 패드 16, 17(나타나지 않음) 및 18 위에 제공되어 있다. 탄성 표면파 소자는, 범프 전극 11을 통하여, 패키지(package) 14 위에 제공되어 있는 패키지 전극 13과 접속된다.
압전기판 21에 제공되어 있는 전극 16 내지 20은 진공 증착(vacuum desposition) 또는 스퍼터링(sputtering)에 의하여 기판 21에 배치되고, 약 0.1 내지 0.2㎛ 정도의 두께를 가지는 주로 알루미늄으로 만들어진 금속 박막을 사진 석판술(photolithograpty) 및 에칭을 통하여 소정의 형상으로 패터닝(patterning) 함으로써 형성된다. 이러한 전극들은 진공 증착에 의하여 동시에 형성되었으므로, 전극 16 내지 18 또는 전극 패드의 막의 두께는 빗살 전극 20의 막 두께에 의하여 결정된다. 환언하면, 빗살 전극 20의 두께가 0.1 내지 0.2㎛의 두께가 되도록 요망된다면, 전극 패드 16 내지 18은 빗살 전극보다 두껍게는 만들 수 없다. 따라서, 전극패드 16 내지 18은 매우 약하다. 그렇기 때문에, 범프 전극 11이 두께 0.1 내지 0.2㎛를 갖는 전극패드 16 내지 18에 직접적으로 형성되고, 탄성 표면파 소자 12가 범프 전극 11을 통하여 패키지 14에 탑재될 때, 충분한 접착력이 얻어지지 않아서 예를 들면 전극 패드 16 내지 18의 벗겨짐을 일으킨다.
도 3에서 보는 바와 같이, 역시 주로 알루미늄으로 만들어진 중간 전극 22는 약 1㎛의 두께를 가지며, 전극 패드 16 내지 18 위에서 진공 증착 또는 스프터링에 의하여 제공된다. 그러므로, 전극 패드 16 내지 18에 부가적인 전극 층을 제공함으로써 충분한 접착력을 얻을 수 있다. 그러나, 전극패드 16 내지 18의 표면은 주로 알루미늄으로 만들어졌기 때문에 쉽게 산화된다. 따라서, 만약 중간 전극 22도 역시 알루미늄으로 만들어졌고, 또한 산화된 표면을 가지는 전극패드 16 내지 18에 직접적으로 제공된다면, 전극 패드 16 내지 18과 중간 전극 22 사이의 접착력은 충분하지 못하다. 따라서, 전극 패드 16 내지 18과 중간 전극 22사이에 충분한 접착력을 확보하기 위하여, 알루미늄과 좋은 접착을 형성하는, 티타늄(Ti)으로 만들어진 베이스 전극 23을 중간 전극 22의 밑부분 표면에 제공한다.
따라서, 베이스 전극 23으로서 티타늄으로 만들어진 박막층(thin layer)이 전극 패드 16 내지 18 위에 제공되고, 알루미늄 층은 중간 전극 22로 작용하고, 범프 전극 11은 중간 전극 22 위에 제공되며, 탄성 표면파 소자는 패키지 전극 13이 범프 전극 11에 대하여 대향하는 위치에 배치된다. 이러한 소자는, 초음파나 열이 인가되는 동안 압착결합(press-bonding)에 의하여 패키지 14에 탑재된다.
그러나, 상기 설명한 종래의 탄성 표면파 소자는 하기와 같은 문제점이 있다. 탄성 표면파 소자 21이 범프 전극 11을 통하여 패키지 14 위에 제공된 패키지 전극 13에 대향하도록 배치되어 있고, 패키지 전극 13이 초음파나 열이 인가되는 동안 범프 전극 11에 압축 결합 될 때, 탄성 표면파 소자의 범프 전극 11의 결합부분, 또는 거기에 위치해 있는 전극 패드 16 내지 18 및 중간 전극 22는 큰 응력(stress)을 받게 된다. 전극 패드 16 내지 18과 중간 전극 22 사이의 접착력은, 중간 전극 22의 밑부분에서 알루미늄과 강력한 접착력을 가지고 있는 티타늄과 같은 베이스 전극 23을 제공함으로써 강화될 수 있고, 패키지 전극 13을 범프 전극11에 접착시키는 데서 발생하는 응력은, 전극 패드 16 내지 18과 중간 전극 22사이의 접착 부분이 아니라, 전극 패드 16 내지 18의 밑부분에 있는 압전기판 21로 집중한다. 결과적으로, 크랙(crack)과 부서짐이 압전기판 21에서 야기되는데, 이는 소자의 부서짐의 원인이 되고, 상기 소자와 패키지 14사이의 결합 강도를 감소시키며, 전기적인 연속성을 단절시킨다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예는 초음파 또는 열이 인가되는 동안, 탄성 표면파 소자가 패키지 전극에 대향하도록 배치될 때, 소자의 부서짐, 소자와 패키지 사이의 결합 강도의 감소, 또는 전기적 연속성의 단절이 없는 장치 및 탄성 표면파 소자의 제조방법을 제공한다.
도 1은 종래 탄성 표면파 소자의 평면도이다.
도 2는 종래 패키지에서 탄성 표면파 장치의 단면도이다.
도 3은 탄성 표면파 장치를 가지는 종래 패키지에서 범프 전극 영역의 확대 단면도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패키지에서 범프 전극 영역의 확대 단면도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 알루미늄으로 만들어진 중간 전극의 (111)평면에서의 X-선 회절 로킹 커브(X-ray diffraction locking curve)이다.
도 6은 종래의 탄성 표면파 장치 패키지에서 알루미늄으로 만들어진 중간 전극의 X-선 회절 로킹 커브이다.
도 7은 알루미늄으로 만들어진 중간 전극의 (111) 평면에서의 X-선 회절 로킹 커브의 반폭(half-width)과 기판에서의 크래킹(cracking) 발생률 사이의 관계를 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 패키지의 범프 전극 영역에서의 확대단면도이다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 전자소자는 그 위에 전극 패드를 가지고 있는 기판, 상기 전극 패드 위에 제공되어 있는 베이스 전극 , 상기 베이스 전극에 제공되어 있는 중간 전극 및 상기 중간 전극에 제공되어 있는 범프 전극을 포함하며, 여기서 베이스 전극은 중간 전극의 배향성(配向性)을 감소시키는 금속재료를 포함한다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에서, 탄성 표면파 소자는 압전기판(piezoelectric substrate), 상기 압전기판 위에 있는 빗살 전극, 상기 압전가판 위에 있는 전극 패드, 상기 전극 패드 위에 제공되어 있는 베이스 전극, 베이스 전극 위에 제공되어 있는 중간 전극, 상기 중간 전극 위에 제공되어 있는 범프 전극을 포함하며, 여기서 범프 전극은 녹는점 450℃ 이상인 금속으로 만들어진다. 또한 베이스 전극은 중간 전극의 배향성을 감소시키는 금속재료를 포함한다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예는, 전자 소자를 탑재하는 방법으로서, 이는 압전 기판을 제공하는 단계, 전극 패드를 상기 압전기판 위에 형성하는 단계, 베이스 전극을 상기 전극 패드 위에 배치하는 단계, 중간 전극을 상기 베이스 전극 위에 배치하는 단계, 녹는점이 약 450℃ 이상인 금속으로 만들어진 범프 전극을 상기 중간 전극 위에 형성하는 단계, 상기 범프 전극이 패키지 전극에 대향하도록 전자소자를 패키지에 배치하는 단계 및 초음파 또는 열을 가하는 동안 상기 패키지 전극을 상기 범프 전극에 압착 결합시키는 단계를 포함한다. 또한, 베이스 전극은 중간 전극의 배향성을 감소시키는 금속재료를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, NiCr과 같은 베이스 전극은, 중간 전극을 구성하는 알루미늄 또는 알루미늄을 함유하는 합금의 배향성을 감소시키기 위하여, 중간 전극의 밑부분에 놓여진다. 탄성 표면파 소자가 범프 전극을 통하여 패키지 상에서 패키지 전극에 대향하도록 배치되고, 상기 소자는 초음파 또는 열이 인가되는 동안 압축 결합 될 때, 중간 전극의 알루미늄 또는 알루미늄을 함유하는 합금이 낮은 정도의 방향성을 가지기 때문에, 전극 패드 및 기판에 인가되는 응력은 분산된다. 그리하여, 기판에는 크랙(crack)이나 부서짐(breakage)이 일어나지 않는다.
다른 한편, 소자 및 본 발명의 효과는 본 발명의 바람직한 실시예 및 부가된 도면을 참고하여 보다 상세하게 설명한다.
<바람직한 구현예>
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자 소자는 기판, 기판 위에 위치해 있는 전극패드, 전극패드 위에 제공되어 있는 중간 전극 및 중간 전극 위에 위치해 있는 범프 전극을 포함한다. 상기 전자 소자는 또한, 중간 전극의 밑부분에 제공되어 있는 베이스 전극을 포함한다. 베이스 전극의 금속재료는 중간 전극의 배향성을 감소시키도록 배치 및 구성되어 있다. 상기 배치에서 탑재하는 동안 전극패드 및 압전기판에 인가되는 응력은 최소화되고 분산되어, 기판의 크랙이나 부서짐은 발생하지 않는다.
범프 전극은 납땜 범프를 사용하는 경우를 배제하기 위해 450℃ 이상의 녹는점을 가지는 금속으로 만들어지는데, 본원발명은 초음파나 열이 인가되는 동안 압축 결합할 때 기판이 부서지는 것을 막기 위한 것으로서, 열을 인가하는 방식에 의한 납땜 범프를 사용하는 경우는 배제하는 것이다.
전극 패드는 바람직하게는 주로 알루미늄 또는 알루미늄을 포함하는 합금으로 만들어지고, 베이스 전극은 바람직하게는 중간 전극을 구성하는 알루미늄의 (111)평면으로부터의 X-선 회절 피크의 로킹 커브(locking curve of the X-ray diffraction)의 반폭(half width)을 15도 이상 높일 수 있는 금속재료를 갖는다. 바람직하게는 베이스 전극은 NiCr로 만들어진다.
하나의 바람직한 실시예에서, 전자소자는 압전기판을 포함하는 탄성 표면파 소자이다. 빗살 전극이 상기 압전기판의 표면에 제공된다. 전극패드가 상기 압전기판의 표면에 제공되고, 중간 전극이 상기 전극패드에 제공되며, 녹는점 450℃ 이상의 금속으로 만들어진 범프 전극이 중간 전극 위에 제공된다. 탄성 표면파 소자는, 표면파가 진동하기 위한 공간이 소자의 빗살 전극에 의하여 형성되는 쪽에 제공되어야 하기 때문에, 소자와 패키지 사이에 접착제를 채워 넣어서는 상기 소자를 접착시킬 수 없다. 따라서, 범프 전극은 상기 소자와 패키지 사이의 전기적 연속성 및 그들 사이의 기계적인 접속을 달성하도록 배치되어야 한다. 그러므로, 범프 전극에는 특히 고도의 강도와 신뢰성이 요구된다.
본 발명은 또한 전자 소자 또는 탄성 표면파 소자를 패키지에 탑재하는 방법을 제공하는데, 이는 범프 전극이, 패키지에 위치하고 있는 패키지 전극과 대향하도록 전자 소자 또는 탄성 표면파소자를 배치하는 단계 및 초음파 또는 열을 이용하여 상기 패키지 전극을 상기 범프 전극에 압축 결합시키는 단계를 포함한다. 압축 결합에 의하여 범프 전극의 접착부분에 인가되는 응력이 증가하는 동안, 압전기판에 인가되는 응력도 증가한다. 그러나, 중간 전극의 배향성을 감소시키는 금속 재료 갖는 베이스 전극이 중간 전극의 밑부분에 형성되었을 때는, 전극 패드 및 압전기판에 인가된 응력은 최소화가 되고 분산된다. 본 발명의 바람직한 실시 방법의 예에 있어서의, 기판은 크래킹이나 부서짐이 방지된다.
상기 전자 소자 또는 탄성 표면파 소자는 상기 설명한 바와 같이 탑재될 수 있으며, 전자 부품 또는 탄성 표면파 장치는 밀폐(airtight)되도록 상기 패키지를 뚜껑으로 밀봉함으로써 제조될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 패키지의 범프 전극의 영역에 대한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄성 표면파 소자는 리튬 탄탈라이트(lithium tantalite)로 만들어진 압전기판 1, 0.1 내지 0.2 ㎛의 두께를 가지는 알루미늄 박막으로 만들어져서 상기 압전기판 1의 표면에 배치되어 있는 빗살 전극(나타나지 않음), 및 상기 빗살 전극과 같이 압전기판 1의 동일한 표면에 배치되어 있는 전극패드를 포함하며, 상기 전극패드는 상기 빗살 전극과 전기적으로 접속되어 있다. 알루미늄으로 만들어진 중간 전극 3은 두께가 약 1㎛정도이며, 전극패드 2 위에 배치되어 있다. 바람직하게는 NiCr로 만들어진 베이스 전극 4는 두께가 약 10㎚정도이며, 중간 전극 3의 밑부분에 제공되어 있다. 바람직하게는 주로 금(Au)으로 만들어진 범프 전극 6은 중간 전극 3 위에 제공된다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 탄성 표면파 소자를 제조하는 방법은 이하에서 설명한다. 진공증착 또는 스퍼터링에 의하여 기판 1위에 약 0.1㎛ 정도 두께로 알루미늄 박막을 형성한 후, 사진 석판술 및 에칭을 이용하여 소정의 형상으로 상기 박막을 패터닝 함으로써 빗살 전극 및 전극패드 2를 형성한다. 이어서, 바람직하게는 10㎚ 정도의 두께의 NiCr 막을 포함하는 베이스 전극 4는, 사진 석판술을 사용하여 진공증착 또는 스퍼터링에 의하여 전극 패드 2 위에 형성된다. 이어서 약 1㎛의 두께를 가지는 중간 전극 3이 진공증착 또는 스퍼터링에 의하여 베이스 전극 4에 형성된다. 범프 전극은 볼 결합법(ball bonding method)에 의하여 중간 전극 3에 형성된다. 좀 더 상세하게, 초음파를 인가하면서 Au 전선(Au wire) 끝에 형성된 볼을 중간 전극 3 위에 압축 결합한 후 상기 볼을 Au 전선으로부터 잘라냄으로써 범프를 형성한다.
상기의 과정에 의하여 형성된 탄성 표면파 소자의 표면은 패키지 8 위에 형성된 패키지 전극 7에 대향하여 배치된다. 범프 전극 6은 초음파를 가하면서 패키지 전극 7에 압축 결합된다. 상기 패키지 8을 적당한 밀폐용 뚜껑으로 봉인함으로써 탄성 표면파 장치는 완성된다(나타나지 않음).
도 5(본 발명의 실시예) 및 도 6(비교예 1)은 중간 전극 3의 알루미늄의 (111) 평면에서의 X-선 회절 로킹 커브의 측정결과인데, 여기서 베이스 전극 4로서 NiCr층(본 발명의 실시예) 또는 Ti층(비교예 1)은 중간 전극 3의 밑부분에 제공되어 있다. 도면에서 보는 바와 같이, NiCr층이 중간 전극의 밑부분에 제공되어 있는 본 발명의 실시예에서 로킹 커브의 반폭은 약 20도 정도이다. 이것은 중간 전극의 밑부분에 Ti층을 가지는 비교예(로킹 커브의 반폭은 15도)와 비교했을 때, 알루미늄의 배향성이 감소했음을 보여준다. 중간 전극 3의 밑부분에 베이스 전극 4로서, Ti 층 대신 NiCr 층을 제공하는 것은 중간 전극 3의 알루미늄의 배향성을 감소시킨다.
중간 전극 3의 밑부분에서 베이스 전극 4로서 NiCr층(본 발명) 또는 Ti층(비교예 1)이 제공되었을 때, 각각의 경우에 대한 기판에서의 크랙의 발생이 표 1에 나타나 있다.
중간층의 밑부분에 NiCr층이 배치됨
(실시예)		 중간층의 밑부분에 Ti층이 배치됨
(비교예 1)
크랙의 발생율
(크랙의 발생수/시료수)		 0 (％)
(0/398)		 13 (％)
(60/467)
표 1에서 본 바와 같이, 비교예 1에서 발생된 크랙이 본 발명의 바람직한 실시예에서는 발생되지 않았다. NiCr층으로 만들어진 베이스 전극 4를 제공함으로써 중간 전극 3의 알루미늄의 배향성이 감소했을 때, 즉, 알루미늄의 배향성이 감소하여, 알루미늄의 (111)평면에서 X-선 회절 로킹 커브의 반폭이 15도 이상이 된 경우에, 초음파에 의하여 패키지 전극 7이 범프 전극 6에 압축 결합 되었을 때, 전극 패드 2 및 기판 1에 가해진 응력은 최소화되고 분산되었다. 그러므로, 기판 1에서의 크랙 및 부서짐의 상당히 감소하였다.
비교예 2에서 중간 전극 3에서 알루미늄의 배향성은 더욱 증가되었다. 상기 비교예 1과 같은 배치에서, 5㎚ 두께의 Ti 층이 제공되었을 때(비교예 2), 중간 전극 3의 알루미늄의 (111)평면에서 X-선 회절 로킹 커브의 반폭은 약 2.45도로 밝혀졌다. 이는 배향성이 더욱 증가했으며, 따라서, 기판에서의 크랙의 발생률이 92％까지 증가했음을 보여준다.
로킹 커브의 반폭과 크랙의 발생률 사이의 관계를 다른 관점에서 고찰해 본다. 결과는 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예 1 및 2의 결과와 함께 도 7에 나타나 있다. 도 7에 나타난 결과는 중간 전극 3에서 알루미늄의 배향성을 감소시키는 것은 기판 1에서 크랙의 발생률을 감소시키는 것과 서로 상관관계가 있음을 의미한다. 또한, 알루미늄의 배향성이 감소하여, 로킹 커브의 반폭이 약 15도 까지 증가하면 기판에서의 크랙의 발생률은 상당히 감소한다고 결론지을 수 있다.
전극 패드 2 및 중간 전극 3이 알루미늄으로 제조된 실시예가 본 발명의 바람직한 예로서 나타나 있지만, 이러한 재료가 알루미늄을 함유하는 합금으로 만들어졌을 때도 같은 결과가 얻어진다.
NiCr은 Ti와 마찬가지로 알루미늄과 강한 결합력을 가지기 때문에, NiCr은 전극 패드 2와 중간 전극 3 사이의 접착력을 증가시킨다. 본 발명에서 베이스 전극은 NiCr로 한정되지 않고, 중간 전극 3에서의 금속의 배향성을 감소시킬 수 있는 특성을 가진 금속은 이용 가능하다는 것을 주목해야 한다.
상기 본 발명의 바람직한 실시예에서 중간 전극은 하나의 층으로 형성되지만, 중간 전극의 성능을 향상시키기 위하여 및 알루미늄의 배향성을 충분히 감소시키기 위하여, 도 8에 나타난 바와 같이 두 개의 층을 포함하거나 세 개 이상의 층으로 이루어질 수 있다. 비록, 소자들은 초음파를 인가하는 동안 압축 결합에 의하여 탑재되었지만, 초음파와 동시에 열을 인가할 수 있으며, 또는 압축 결합을 위하여 열 만을 인가할 수도 있다.
본 발명은 특히 여기에 관련된 바람직한 실시예를 참고하여 설명되었지만, 당업자라면 본 발명의 범위 및 사상의 범위 내에서 출발하여 다른 변형이나 세부적인 사항을 형성해 낼 수 있다.
본 발명은 범프(bump)전극을 가지는 전자 소자와 탄성 표면파 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 전자소자는 그 위에 전극 패드가 제공되어 있는 기판. 중간 전극, 베이스 전극, 전극 패드를 포함하며 베이스 전극이 중간전극의 배향성을 감소시킴에 따라 크랙이나 부서짐이 감소된 전자소자를 제조할 수 있다.
이러한 전자 소자 및 탄성 표면파 소자를 패키지에 탑재하여 탄성 표면파 장치 및 기타 전자 기기를 제조할 수 있다.

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판위의 전극 패드;
    상기 전극 패드 위의 베이스 전극;
    상기 베이스 전극 위의 중간 전극; 및
    상기 중간 전극 위의 범프 전극;
    을 포함하고, 상기 베이스 전극은 중간 전극의 배향성을 감소시키는 금속재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 범프 전극은 녹는점이 450℃ 이상인 금속으로 만들어진 것을 특징으로 하는 전자소자.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 중간 전극은 알루미늄이나 알루미늄을 함유하는 합금 중 적어도 하나로 만들어진 것을 특징으로 하는 전자소자.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 베이스 전극은 상기 중간 전극에서의 알루미늄의 (111) 평면에서 X-선 회절 피크의 로킹 커브의 반폭을 15도 이상 증가시키는 금속 재료로서 NiCr을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 중간 전극은 1㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전자소자.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 베이스 전극은 10㎚의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전자소자.
  7. 제 1항, 제 2항, 제 3항, 제 5항 및 제 6 항 중 하나의 청구항에 있어서, 상기 베이스 전극은 NiCr로 만들어지는 것을 특징으로 하는 전자소자.
  8. 압전기판;
    상기 압전기판상의 전극 패드;
    밑부분 표면에 배치된 베이스 전극을 포함하고, 그 밑부분 표면이 상기 전극 패드 위에 배치되어 있는 중간 전극; 및
    녹는점이 450℃ 이상인 금속으로 만들어져서, 상기 중간 전극 상에 배치된 범프 전극;
    을 포함하고, 상기 베이스 전극은 상기 중간 전극의 배향성을 감소시키는 금속재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 소자.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 각각의 중간 전극은 복수의 층을 가지며, 상기 중간 전극의 각각의 층 사이에는 상기 중간 전극의 배향성을 감소시키는 상기 금속재료를 갖는 상기 베이스 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 소자.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 중간 전극은 알루미늄이나 알루미늄을 함유하는 합금 중 적어도 하나로 만들어진 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 소자.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 베이스 전극은, 상기 중간 전극에 있는 알루미늄의 (111)표면에서의 X-선 회절 피크의 로킹 커브의 반폭을 15도 이상이 되도록 증가시키는 금속재료로서 NiCr을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 소자.
  12. 제 8항 내지 제 10항 중 하나의 청구항에 있어서, 상기 베이스 전극은 NiCr을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 소자.
  13. 제 8항에 있어서, 상기 전극패드는 알루미늄 또는 알루미늄을 함유하는 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 소자.
  14. 제 8항에 있어서, 상기 탄성 표면파 소자는 패키지 전극을 갖는 패키지를 더 포함하고, 상기 범프 전극은 상기 패키지 전극에 접착되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 소자.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 탄성 표면파 소자는 상기 패키지를 밀폐하여 봉합하기 위하여 배치된 뚜껑을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 소자.
  16. 압전기판을 제공하는 단계;
    상기 압전기판에 전극패드를 형성하는 단계;
    상기 전극패드에 중간 전극을 배치하는 단계;
    상기 중간 전극에 범프 전극을 형성하는 단계;
    상기 범프 전극이 패키지 전극에 대향하도록 전자 소자를 패키지에 배치하는 단계; 및
    초음파 또는 열을 인가하는 동안 상기 패키지 전극을 상기 범프 전극에 압축 결합하는 단계;
    를 포함하며, 여기서 상기 중간 전극은 상기 전극패드와 상기 중간 전극 사이에 위치한 베이스 전극을 포함하고, 상기 베이스 전극은 중간 전극의 배향성을 감소시키는 금속재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법.
  17. 제 16항에 있어서, 뚜껑으로 상기 패키지를 밀폐하여 밀봉하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법.
  18. 제 16항에 있어서, 복수의 층을 가진 중간 전극을 제공하는 단계 및 상기 베이스 전극을 상기 중간 전극의 상기 층들 사이에 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법.
  19. 제 16항에 있어서, 상기 범프 전극은 녹는점 450℃ 이상의 금속으로 만들어진 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법.
  20. 제 16항에 있어서, 상기 중간 전극은 최소한 알루미늄이나 알루미늄을 함유하는 합금 중의 하나로 만들어진 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법.
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