JPH0818387A - 表面弾性波デバイス及びその製造方法並びにその実装方法 - Google Patents
表面弾性波デバイス及びその製造方法並びにその実装方法Info
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- JPH0818387A JPH0818387A JP14902094A JP14902094A JPH0818387A JP H0818387 A JPH0818387 A JP H0818387A JP 14902094 A JP14902094 A JP 14902094A JP 14902094 A JP14902094 A JP 14902094A JP H0818387 A JPH0818387 A JP H0818387A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型で薄型の表面弾性波デバイスを得る。フ
ェースダウン接続時に接続不良を起こすことがなく、高
い信頼性で高い実装密度を実現できる。 【構成】 表面弾性波デバイス１０は、圧電単結晶基板
１２と、この基板１２の表面に形成された弾性波励振用
電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄと、電極１３ａ，
１３ｂ上に複数個設けられ圧電単結晶基板実装用のベー
ス基板１４に圧電単結晶基板１２をフェースダウンで電
気的に直接接続するためのパッド電極１５ａ，１５ｂと
を備える。パッド電極１５ａ，１５ｂがその圧電単結晶
基板１２表面からの高さｈが０．５〜３０μｍで中央部
がなだらかに盛り上がった山形の形状であることを特徴
とする。
ェースダウン接続時に接続不良を起こすことがなく、高
い信頼性で高い実装密度を実現できる。 【構成】 表面弾性波デバイス１０は、圧電単結晶基板
１２と、この基板１２の表面に形成された弾性波励振用
電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄと、電極１３ａ，
１３ｂ上に複数個設けられ圧電単結晶基板実装用のベー
ス基板１４に圧電単結晶基板１２をフェースダウンで電
気的に直接接続するためのパッド電極１５ａ，１５ｂと
を備える。パッド電極１５ａ，１５ｂがその圧電単結晶
基板１２表面からの高さｈが０．５〜３０μｍで中央部
がなだらかに盛り上がった山形の形状であることを特徴
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面弾性波フィルタ、
表面弾性波共振子等の表面弾性波デバイス及びその製造
方法に関する。更に詳しくは情報通信機器の電子回路に
適する表面弾性波共振子及びその製造方法並びにその実
装方法に関するものである。
表面弾性波共振子等の表面弾性波デバイス及びその製造
方法に関する。更に詳しくは情報通信機器の電子回路に
適する表面弾性波共振子及びその製造方法並びにその実
装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、図５に示すようにこの種の表面弾
性波デバイス１として、チップ化した圧電単結晶基板２
と、この基板表面に櫛形に形成されたアルミニウム等か
らなる弾性波励振用電極３ａ，３ｂとにより構成された
ものが知られている。この表面弾性波デバイス１をベー
ス基板４に実装するときには、圧電単結晶基板２をベー
ス基板４に接着した後、ベース基板４上の回路パターン
４ａ，４ｂにワイヤ５ａ，５ｂを用いて弾性波励振用電
極３ａ，３ｂを接続している。このベース基板４にワイ
ヤボンディングした表面弾性波デバイス１では、弾性波
励振用電極面がベース基板４の回路パターン面と同じ上
方を向いているため、即ちフェースアップであるため、
弾性波励振用電極などの表面弾性波の特性を左右する部
分には他のものを接触させることができず、図示しない
金属製の蓋でシールして気密を保っている。この結果、
蓋がワイヤ５ａ，５ｂに接触しないように、また蓋と弾
性波励振用電極との間には一定の空間を必要とすること
から、表面弾性波デバイスを薄型にできず、更に基板２
に対向するベース基板４上には回路を形成することがで
きず、回路の小型化に対する要求に応えられない不具合
があった。またワイヤの高さＨを低くして行うワイヤボ
ンディング作業は比較的煩わしい欠点があった。
性波デバイス１として、チップ化した圧電単結晶基板２
と、この基板表面に櫛形に形成されたアルミニウム等か
らなる弾性波励振用電極３ａ，３ｂとにより構成された
ものが知られている。この表面弾性波デバイス１をベー
ス基板４に実装するときには、圧電単結晶基板２をベー
ス基板４に接着した後、ベース基板４上の回路パターン
４ａ，４ｂにワイヤ５ａ，５ｂを用いて弾性波励振用電
極３ａ，３ｂを接続している。このベース基板４にワイ
ヤボンディングした表面弾性波デバイス１では、弾性波
励振用電極面がベース基板４の回路パターン面と同じ上
方を向いているため、即ちフェースアップであるため、
弾性波励振用電極などの表面弾性波の特性を左右する部
分には他のものを接触させることができず、図示しない
金属製の蓋でシールして気密を保っている。この結果、
蓋がワイヤ５ａ，５ｂに接触しないように、また蓋と弾
性波励振用電極との間には一定の空間を必要とすること
から、表面弾性波デバイスを薄型にできず、更に基板２
に対向するベース基板４上には回路を形成することがで
きず、回路の小型化に対する要求に応えられない不具合
があった。またワイヤの高さＨを低くして行うワイヤボ
ンディング作業は比較的煩わしい欠点があった。
【０００３】これらの点を解決するために、弾性波励振
用電極上に複数個のＡｕバンプを形成しておき、弾性波
励振用電極をＡｕバンプを介してベース基板の回路パタ
ーンに直接接続してチップ状の圧電単結晶基板をフェー
スダウンでベース基板に実装した後、圧電単結晶基板全
体をシリコーン樹脂でコーティングした表面弾性波フィ
ルタが提案されている（特開平４−１５０４０５）。
用電極上に複数個のＡｕバンプを形成しておき、弾性波
励振用電極をＡｕバンプを介してベース基板の回路パタ
ーンに直接接続してチップ状の圧電単結晶基板をフェー
スダウンでベース基板に実装した後、圧電単結晶基板全
体をシリコーン樹脂でコーティングした表面弾性波フィ
ルタが提案されている（特開平４−１５０４０５）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の表
面弾性波フィルタでは、Ａｕバンプの高さが５０〜５０
０μｍであるため、圧電単結晶基板とベース基板との間
のギャップも５０〜５００μｍとなり、シリコーン樹脂
のコーティング時にこのギャップから圧電単結晶基板上
の電極までシリコーン樹脂が侵入しないように、通常圧
電単結晶基板の周縁部のマージンを広くしておく必要が
あった。この結果、従来の表面弾性波フィルタは実装面
積が大きくなり、より一層小型化することが困難であっ
た。またＡｕバンプはその高さや頂面の形状のばらつき
が大きいため、フェースダウン接続したときにＡｕバン
プがベース基板上の回路パターンに対して接続不良を生
じることがあった。
面弾性波フィルタでは、Ａｕバンプの高さが５０〜５０
０μｍであるため、圧電単結晶基板とベース基板との間
のギャップも５０〜５００μｍとなり、シリコーン樹脂
のコーティング時にこのギャップから圧電単結晶基板上
の電極までシリコーン樹脂が侵入しないように、通常圧
電単結晶基板の周縁部のマージンを広くしておく必要が
あった。この結果、従来の表面弾性波フィルタは実装面
積が大きくなり、より一層小型化することが困難であっ
た。またＡｕバンプはその高さや頂面の形状のばらつき
が大きいため、フェースダウン接続したときにＡｕバン
プがベース基板上の回路パターンに対して接続不良を生
じることがあった。
【０００５】本発明の目的は、ギャップをより狭めるこ
とにより、圧電単結晶基板の面積がより小さくかつより
薄型の表面弾性波デバイス及びその製造方法を提供する
ことにある。本発明の別の目的は、フェースダウン接続
時に接続不良を起こすことがない表面弾性波デバイスの
実装方法を提供することにある。本発明の更に別の目的
は、煩わしいワイヤボンディング工程や金属パッケージ
工程を要することなく、高い実装密度を実現できる表面
弾性波デバイスの実装方法を提供することにある。
とにより、圧電単結晶基板の面積がより小さくかつより
薄型の表面弾性波デバイス及びその製造方法を提供する
ことにある。本発明の別の目的は、フェースダウン接続
時に接続不良を起こすことがない表面弾性波デバイスの
実装方法を提供することにある。本発明の更に別の目的
は、煩わしいワイヤボンディング工程や金属パッケージ
工程を要することなく、高い実装密度を実現できる表面
弾性波デバイスの実装方法を提供することにある。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】上記目的を達成するた
めに、図１及び図２に示すように、本発明の表面弾性波
デバイス１０は、圧電単結晶基板１２と、この基板１２
の表面に形成された弾性波励振用電極１３ａ，１３ｂ，
１３ｃ，１３ｄと、電極１３ａ，１３ｂ上に複数個設け
られ圧電単結晶基板実装用のベース基板１４に圧電単結
晶基板１２をフェースダウンで電気的に直接接続するた
めのパッド電極１５ａ，１５ｂとを備える。その特徴あ
る構成は、パッド電極１５ａ，１５ｂはその圧電単結晶
基板１２表面からの高さｈが０．５〜３０μｍ、好まし
くは１．０〜２０μｍ、更に好ましくは５．０〜１０．
０μｍので中央部がなだらかに盛り上がった山形の形状
であることにある。パッド電極が０．５μｍ未満である
と、表面波の伝播に必要なギャップｈが得られず、３０
μｍを越えると樹脂モールド時にギャップ内への樹脂侵
入量が大きくなり基板１２の電極周縁部のマージンを多
くとる必要があり、基板１２が大型化する。
めに、図１及び図２に示すように、本発明の表面弾性波
デバイス１０は、圧電単結晶基板１２と、この基板１２
の表面に形成された弾性波励振用電極１３ａ，１３ｂ，
１３ｃ，１３ｄと、電極１３ａ，１３ｂ上に複数個設け
られ圧電単結晶基板実装用のベース基板１４に圧電単結
晶基板１２をフェースダウンで電気的に直接接続するた
めのパッド電極１５ａ，１５ｂとを備える。その特徴あ
る構成は、パッド電極１５ａ，１５ｂはその圧電単結晶
基板１２表面からの高さｈが０．５〜３０μｍ、好まし
くは１．０〜２０μｍ、更に好ましくは５．０〜１０．
０μｍので中央部がなだらかに盛り上がった山形の形状
であることにある。パッド電極が０．５μｍ未満である
と、表面波の伝播に必要なギャップｈが得られず、３０
μｍを越えると樹脂モールド時にギャップ内への樹脂侵
入量が大きくなり基板１２の電極周縁部のマージンを多
くとる必要があり、基板１２が大型化する。
【０００７】本発明の表面弾性波デバイスの製造方法
は、図３に示すように圧電単結晶基板１２の表面に弾性
波励振用電極１３ａを形成する工程と、この圧電単結晶
基板１２を被覆し得る面積を有し、かつマスク裏面の孔
径ｒ1が電極１３ａの幅以下でマスク表面の孔径ｒ2より
小さく形成されたテーパ付き窓孔１６を有するメタルマ
スク１７を用意する工程と、このメタルマスク１７をそ
の窓孔１６が電極１３ａに臨むように圧電単結晶基板１
２に重ね合わせる工程と、窓孔１６を介して電極１３ａ
と同種の金属１８をスパッタリングして電極１３ａ上に
中央部がなだらかに盛り上がった山形の形状のパッド電
極１５ａを形成する工程とを含む方法である。
は、図３に示すように圧電単結晶基板１２の表面に弾性
波励振用電極１３ａを形成する工程と、この圧電単結晶
基板１２を被覆し得る面積を有し、かつマスク裏面の孔
径ｒ1が電極１３ａの幅以下でマスク表面の孔径ｒ2より
小さく形成されたテーパ付き窓孔１６を有するメタルマ
スク１７を用意する工程と、このメタルマスク１７をそ
の窓孔１６が電極１３ａに臨むように圧電単結晶基板１
２に重ね合わせる工程と、窓孔１６を介して電極１３ａ
と同種の金属１８をスパッタリングして電極１３ａ上に
中央部がなだらかに盛り上がった山形の形状のパッド電
極１５ａを形成する工程とを含む方法である。
【０００８】本発明の表面弾性波デバイスの実装方法
は、図２及び図４に示すように表面弾性波デバイス１０
が弾性波励振用電極のほぼ中央部に圧電単結晶基板１２
表面からの高さｈがそれぞれ０．５〜３０μｍで中央部
がなだらかに盛り上がった山形の形状をなす一対のパッ
ド電極１５ａ，１５ｂが形成された表面弾性波共振子で
あって、一対のパッド電極１５ａ，１５ｂを圧電単結晶
基板実装用のベース基板１４上の回路パターンに直接当
接することにより圧電単結晶基板１２をベース基板１４
にフェースダウン接続する工程と、一対のパッド電極１
５ａ，１５ｂを結ぶ線に直交する方向の圧電単結晶基板
１２の両端部をゴム系の接着剤１９で接着する工程を含
み、必要により更に圧電単結晶基板１２全体を樹脂２０
でモールドする工程を含む方法である。
は、図２及び図４に示すように表面弾性波デバイス１０
が弾性波励振用電極のほぼ中央部に圧電単結晶基板１２
表面からの高さｈがそれぞれ０．５〜３０μｍで中央部
がなだらかに盛り上がった山形の形状をなす一対のパッ
ド電極１５ａ，１５ｂが形成された表面弾性波共振子で
あって、一対のパッド電極１５ａ，１５ｂを圧電単結晶
基板実装用のベース基板１４上の回路パターンに直接当
接することにより圧電単結晶基板１２をベース基板１４
にフェースダウン接続する工程と、一対のパッド電極１
５ａ，１５ｂを結ぶ線に直交する方向の圧電単結晶基板
１２の両端部をゴム系の接着剤１９で接着する工程を含
み、必要により更に圧電単結晶基板１２全体を樹脂２０
でモールドする工程を含む方法である。
【０００９】
【作用】スパッタリング法により、弾性波励振用電極１
３ａ，１３ｂ上に圧電単結晶基板１２表面からの高さｈ
が０．５〜３０μｍで中央部がなだらかに盛り上がった
山形の形状をなす複数個のパッド電極１５ａ，１５ｂを
形成すると、これらのパッド電極の高さｈのばらつきは
小さくフェースダウンで圧電単結晶基板１２をベース基
板１４に実装したときに、パッド電極１５ａ，１５ｂが
ベース基板１４の回路パターン１４ａに確実に接触し、
接続不良を生じない。同時に圧電単結晶基板１２とベー
ス基板１４との間には、表面波の伝播に必要な０．５〜
３０μｍのギャップｈが得られる。この状態で圧電単結
晶基板１２全体を樹脂２０でモールドすると、モールド
した樹脂２０のギャップ内への侵入は全くなく、圧電単
結晶基板１２の電極周縁部の面積を小さくできる。
３ａ，１３ｂ上に圧電単結晶基板１２表面からの高さｈ
が０．５〜３０μｍで中央部がなだらかに盛り上がった
山形の形状をなす複数個のパッド電極１５ａ，１５ｂを
形成すると、これらのパッド電極の高さｈのばらつきは
小さくフェースダウンで圧電単結晶基板１２をベース基
板１４に実装したときに、パッド電極１５ａ，１５ｂが
ベース基板１４の回路パターン１４ａに確実に接触し、
接続不良を生じない。同時に圧電単結晶基板１２とベー
ス基板１４との間には、表面波の伝播に必要な０．５〜
３０μｍのギャップｈが得られる。この状態で圧電単結
晶基板１２全体を樹脂２０でモールドすると、モールド
した樹脂２０のギャップ内への侵入は全くなく、圧電単
結晶基板１２の電極周縁部の面積を小さくできる。
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例を説明する。図１及び図
３（ａ）に示すように、この例では表面弾性波デバイス
１０は表面弾性波共振子であって、圧電単結晶基板１２
の片面に櫛形電極１３ａ，１３ｂ及びはしご型の反射器
１３ｃ，１３ｄからなる弾性波励振用電極を有する。こ
の共振子の長手方向の中央両端部である櫛形電極１３
ａ，１３ｂの広幅部に一対のパッド電極１５ａ，１５ｂ
が形成される。共振子の弾性波励振用電極は圧電単結晶
基板１２の片面にＡｌ薄膜を真空蒸着し、フォトリソ法
でパターニングして、所望の特性が得られるように形成
した。一方、この圧電単結晶基板１２を被覆し得る面積
を有し、かつマスク裏面の孔径ｒ1が電極１３ａの幅以
下でマスク表面の孔径ｒ2より小さく形成されたテーパ
付き窓孔１６を有するメタルマスク１７を用意した。こ
の例では窓孔１６は正方形であって、ｒ1＝０．５ｍ
ｍ、ｒ2＝０．７ｍｍであり、電極１３ａ，１３ｂの広
幅部の間隔に相応して２箇所設けられる。メタルマスク
１７はＣｕ板１７ａの両面にＮｉめっき１７ｂを施した
３層構造の厚さ０．５ｍｍのものを用いた。
３（ａ）に示すように、この例では表面弾性波デバイス
１０は表面弾性波共振子であって、圧電単結晶基板１２
の片面に櫛形電極１３ａ，１３ｂ及びはしご型の反射器
１３ｃ，１３ｄからなる弾性波励振用電極を有する。こ
の共振子の長手方向の中央両端部である櫛形電極１３
ａ，１３ｂの広幅部に一対のパッド電極１５ａ，１５ｂ
が形成される。共振子の弾性波励振用電極は圧電単結晶
基板１２の片面にＡｌ薄膜を真空蒸着し、フォトリソ法
でパターニングして、所望の特性が得られるように形成
した。一方、この圧電単結晶基板１２を被覆し得る面積
を有し、かつマスク裏面の孔径ｒ1が電極１３ａの幅以
下でマスク表面の孔径ｒ2より小さく形成されたテーパ
付き窓孔１６を有するメタルマスク１７を用意した。こ
の例では窓孔１６は正方形であって、ｒ1＝０．５ｍ
ｍ、ｒ2＝０．７ｍｍであり、電極１３ａ，１３ｂの広
幅部の間隔に相応して２箇所設けられる。メタルマスク
１７はＣｕ板１７ａの両面にＮｉめっき１７ｂを施した
３層構造の厚さ０．５ｍｍのものを用いた。
【００１１】図３（ｂ）に示すように、メタルマスク１
７を２つの窓孔１６が電極１３ａ及び１３ｂに臨むよう
に圧電単結晶基板１２に重ね合わせる。メタルマスク１
７を基板１２に密着しても、メタルマスク１７の裏面と
基板１２の表面との間には両面の表面粗さに起因して１
０μｍ程度の隙間ｐを生じる。図３（ｃ）に示すよう
に、この状態で窓孔１６を介して電極１３ａ，１３ｂと
同種のＡｌ１８をスパッタリングした。このスパッタリ
ング法は飛散した金属原子の回り込みが大きいため、電
極１３ａ，１３ｂ上に中央部がなだらかに盛り上がった
山形の形状のパッド電極１５ａ，１５ｂが形成された。
これらのパッド電極１５ａ，１５ｂの圧電単結晶基板１
２表面からの高さｈはそれぞれ約５μｍであった。
７を２つの窓孔１６が電極１３ａ及び１３ｂに臨むよう
に圧電単結晶基板１２に重ね合わせる。メタルマスク１
７を基板１２に密着しても、メタルマスク１７の裏面と
基板１２の表面との間には両面の表面粗さに起因して１
０μｍ程度の隙間ｐを生じる。図３（ｃ）に示すよう
に、この状態で窓孔１６を介して電極１３ａ，１３ｂと
同種のＡｌ１８をスパッタリングした。このスパッタリ
ング法は飛散した金属原子の回り込みが大きいため、電
極１３ａ，１３ｂ上に中央部がなだらかに盛り上がった
山形の形状のパッド電極１５ａ，１５ｂが形成された。
これらのパッド電極１５ａ，１５ｂの圧電単結晶基板１
２表面からの高さｈはそれぞれ約５μｍであった。
【００１２】パッド電極１５ａ，１５ｂを形成した後、
圧電単結晶基板１２をダイシング加工してチップ状に切
断して表面弾性波共振子１０を得た。図２に示すよう
に、アルミナ基板を研磨したベース基板１４上に形成さ
れた回路パターン１４ａに表面弾性波共振子１０をフェ
ースダウンで接続した後、図４（ａ），（ｂ）に示すよ
うに一対のパッド電極１５ａ，１５ｂを結ぶ線に直交す
る方向の圧電単結晶基板１２の両端部をゴム系の接着剤
１９で接着した。接着剤が乾燥すると、パッド電極１５
ａ，１５ｂを支点として基板１２が押さえ付けられ、パ
ッド電極１５ａ，１５ｂの２点に押し付け力が集中し、
パッド電極１５ａ，１５ｂがベース基板１４の回路パタ
ーン１４ａ（一方は図示せず）に確実に接触し、確実な
電気的な接続が得られた。図４（ｃ），（ｄ）に示すよ
うに、更に圧電単結晶基板１２全体をシリコーン樹脂２
０で被覆した。パッド電極１５ａ，１５ｂの高さが約５
μｍであるため、モールドした樹脂の基板１２と基板１
４との間のギャップへの侵入は全くなかった。この樹脂
モールドにより表面弾性波共振子１０の電極部は完全に
保護され、信頼性を高めることができた。
圧電単結晶基板１２をダイシング加工してチップ状に切
断して表面弾性波共振子１０を得た。図２に示すよう
に、アルミナ基板を研磨したベース基板１４上に形成さ
れた回路パターン１４ａに表面弾性波共振子１０をフェ
ースダウンで接続した後、図４（ａ），（ｂ）に示すよ
うに一対のパッド電極１５ａ，１５ｂを結ぶ線に直交す
る方向の圧電単結晶基板１２の両端部をゴム系の接着剤
１９で接着した。接着剤が乾燥すると、パッド電極１５
ａ，１５ｂを支点として基板１２が押さえ付けられ、パ
ッド電極１５ａ，１５ｂの２点に押し付け力が集中し、
パッド電極１５ａ，１５ｂがベース基板１４の回路パタ
ーン１４ａ（一方は図示せず）に確実に接触し、確実な
電気的な接続が得られた。図４（ｃ），（ｄ）に示すよ
うに、更に圧電単結晶基板１２全体をシリコーン樹脂２
０で被覆した。パッド電極１５ａ，１５ｂの高さが約５
μｍであるため、モールドした樹脂の基板１２と基板１
４との間のギャップへの侵入は全くなかった。この樹脂
モールドにより表面弾性波共振子１０の電極部は完全に
保護され、信頼性を高めることができた。
【００１３】なお、上記例ではベース基板としてアルミ
ナ基板を挙げたが、シリコンウェーハや研磨加工した圧
電単結晶基板でもよい。また、上記例では表面弾性波デ
バイスとして表面弾性波共振子を挙げたが、表面弾性波
フィルタその他のデバイスでもよい。また、上記例では
接着剤で固定した後、圧電単結晶基板１２全体を樹脂モ
ールドしたが、接着剤で固定せずに直接樹脂モールドし
てもよい。更に、フェースダウン接続した圧電単結晶基
板１２全体を接着剤で接着した後に、ベース基板上に実
装された他の電子部品とともに基板１２を樹脂モールド
するか、又は金属容器で封入してもよい。この場合、よ
りコンパクトで信頼性の高いハイブリッドＩＣが得られ
る。
ナ基板を挙げたが、シリコンウェーハや研磨加工した圧
電単結晶基板でもよい。また、上記例では表面弾性波デ
バイスとして表面弾性波共振子を挙げたが、表面弾性波
フィルタその他のデバイスでもよい。また、上記例では
接着剤で固定した後、圧電単結晶基板１２全体を樹脂モ
ールドしたが、接着剤で固定せずに直接樹脂モールドし
てもよい。更に、フェースダウン接続した圧電単結晶基
板１２全体を接着剤で接着した後に、ベース基板上に実
装された他の電子部品とともに基板１２を樹脂モールド
するか、又は金属容器で封入してもよい。この場合、よ
りコンパクトで信頼性の高いハイブリッドＩＣが得られ
る。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたように、弾性波励振用電極上
に５０〜５００μｍのＡｕバンプやはんだバンプを形成
した後、フェースダウン接続する従来の技術と比べて、
本発明によれば、スパッタリング法により高さｈが０．
５〜３０μｍで中央部がなだらかに盛り上がった山形の
形状をなすパッド電極を形成するので、パッド電極のば
らつきが小さい上、ギャップをより狭めることができ
る。またモールド樹脂のギャップへの侵入をなくすこと
ができるので、その分だけ圧電単結晶基板の電極周縁部
の面積を小さくでき、表面弾性波デバイスを小型化でき
る。バッド電極を山形の形状にすることにより、フェー
スダウンで圧電単結晶基板をベース基板に実装したとき
に、パッド電極がベース基板の回路パターンに確実に接
触し、接続不良を生じない。この結果、煩わしいワイヤ
ボンディング工程や金属パッケージ工程が不要となり、
高い信頼性と高い実装密度で表面弾性波デバイスを実装
することができる。
に５０〜５００μｍのＡｕバンプやはんだバンプを形成
した後、フェースダウン接続する従来の技術と比べて、
本発明によれば、スパッタリング法により高さｈが０．
５〜３０μｍで中央部がなだらかに盛り上がった山形の
形状をなすパッド電極を形成するので、パッド電極のば
らつきが小さい上、ギャップをより狭めることができ
る。またモールド樹脂のギャップへの侵入をなくすこと
ができるので、その分だけ圧電単結晶基板の電極周縁部
の面積を小さくでき、表面弾性波デバイスを小型化でき
る。バッド電極を山形の形状にすることにより、フェー
スダウンで圧電単結晶基板をベース基板に実装したとき
に、パッド電極がベース基板の回路パターンに確実に接
触し、接続不良を生じない。この結果、煩わしいワイヤ
ボンディング工程や金属パッケージ工程が不要となり、
高い信頼性と高い実装密度で表面弾性波デバイスを実装
することができる。
【図１】本発明実施例の表面弾性波デバイスである表面
弾性波共振子の外観斜視図。
弾性波共振子の外観斜視図。
【図２】その表面弾性波デバイスをフェースダウンでベ
ース基板に実装した要部拡大断面図。
ース基板に実装した要部拡大断面図。
【図３】（ａ）弾性波励振用電極を形成した圧電単結晶
基板の要部拡大断面図。 （ｂ）弾性波励振用電極上にメタルマスクを重ね合わせ
た圧電単結晶基板の要部拡大断面図。 （ｃ）弾性波励振用電極上にメタルマスクを介してスパ
ッタリングをしてパッド電極を形成している状態を示す
要部拡大断面図。 （ｄ）弾性波励振用電極上にパッド電極を形成した圧電
単結晶基板の要部拡大断面図。
基板の要部拡大断面図。 （ｂ）弾性波励振用電極上にメタルマスクを重ね合わせ
た圧電単結晶基板の要部拡大断面図。 （ｃ）弾性波励振用電極上にメタルマスクを介してスパ
ッタリングをしてパッド電極を形成している状態を示す
要部拡大断面図。 （ｄ）弾性波励振用電極上にパッド電極を形成した圧電
単結晶基板の要部拡大断面図。
【図４】（ａ）その表面弾性波デバイスをベース基板に
実装した状態を示す図４（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図。 （ｂ）その表面弾性波デバイスをベース基板に実装した
状態を示す図４（ａ）のＡ−Ａ線断面図。 （ｃ）その表面弾性波デバイスをベース基板に実装した
状態を示す図４（ｄ）のＤ−Ｄ線断面図。 （ｄ）その表面弾性波デバイスをベース基板に実装した
状態を示す図４（ｃ）のＣ−Ｃ線断面図。
実装した状態を示す図４（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図。 （ｂ）その表面弾性波デバイスをベース基板に実装した
状態を示す図４（ａ）のＡ−Ａ線断面図。 （ｃ）その表面弾性波デバイスをベース基板に実装した
状態を示す図４（ｄ）のＤ−Ｄ線断面図。 （ｄ）その表面弾性波デバイスをベース基板に実装した
状態を示す図４（ｃ）のＣ−Ｃ線断面図。
１０ 表面弾性波デバイス（表面弾性波共振子） １２ 圧電単結晶基板 １３ａ，１３ｂ 櫛形電極（弾性波励振用電極） １３ｃ，１３ｄ 反射器（弾性波励振用電極） １４ ベース基板 １４ａ ベース基板上の回路パターン １５ａ，１５ｂ パッド電極 １６ 窓孔 １７ メタルマスク １８ スパッタリング金属 １９ 接着剤 ２０ 樹脂
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１１月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明実施例の表面弾性波デバイスである表面
弾性波共振子の外観斜視図。
弾性波共振子の外観斜視図。
【図２】その表面弾性波デバイスをフェースダウンでベ
ース基板に実装した要部拡大断面図。
ース基板に実装した要部拡大断面図。
【図３】（ａ）弾性波励振用電極を形成した圧電単結晶
基板の要部拡大断面図。 （ｂ）弾性波励振用電極上にメタルマスクを重ね合わせ
た圧電単結晶基板の要部拡大断面図。 （ｃ）弾性波励振用電極上にメタルマスクを介してスパ
ッタリングをしてパッド電極を形成している状態を示す
要部拡大断面図。 （ｄ）弾性波励振用電極上にパッド電極を形成した圧電
単結晶基板の要部拡大断面図。
基板の要部拡大断面図。 （ｂ）弾性波励振用電極上にメタルマスクを重ね合わせ
た圧電単結晶基板の要部拡大断面図。 （ｃ）弾性波励振用電極上にメタルマスクを介してスパ
ッタリングをしてパッド電極を形成している状態を示す
要部拡大断面図。 （ｄ）弾性波励振用電極上にパッド電極を形成した圧電
単結晶基板の要部拡大断面図。
【図４】（ａ）その表面弾性波デバイスをベース基板に
実装した状態を示す図４（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図。 （ｂ）その表面弾性波デバイスをベース基板に実装した
状態を示す図４（ａ）のＡ−Ａ線断面図。 （ｃ）その表面弾性波デバイスをベース基板に実装した
状態を示す図４（ｄ）のＤ−Ｄ線断面図。 （ｄ）その表面弾性波デバイスをベース基板に実装した
状態を示す図４（ｃ）のＣ−Ｃ線断面図。
実装した状態を示す図４（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図。 （ｂ）その表面弾性波デバイスをベース基板に実装した
状態を示す図４（ａ）のＡ−Ａ線断面図。 （ｃ）その表面弾性波デバイスをベース基板に実装した
状態を示す図４（ｄ）のＤ−Ｄ線断面図。 （ｄ）その表面弾性波デバイスをベース基板に実装した
状態を示す図４（ｃ）のＣ−Ｃ線断面図。
【図５】従来例の表面弾性波デバイスをベース基板に実
装した状態を示す外観斜視図。
装した状態を示す外観斜視図。
【符号の説明】 １０ 表面弾性波デバイス（表面弾性波共振子） １２ 圧電単結晶基板 １３ａ，１３ｂ 櫛形電極（弾性波励振用電極） １３ｃ，１３ｄ 反射器（弾性波励振用電極） １４ ベース基板 １４ａ ベース基板上の回路パターン １５ａ，１５ｂ パッド電極 １６ 窓孔 １７ メタルマスク １８ スパッタリング金属 １９ 接着剤 ２０ 樹脂
Claims (5)
- 【請求項１】 圧電単結晶基板(12)と、前記基板(12)の
表面に形成された弾性波励振用電極(13a,13b,13c,13d)
と、前記電極上に複数個設けられ圧電単結晶基板実装用
のベース基板(14)に前記圧電単結晶基板(12)をフェース
ダウンで電気的に直接接続するためのパッド電極(15a,1
5b)とを備えた表面弾性波デバイス(10)であって、 前記パッド電極(15a,15b)はその圧電単結晶基板(12)表
面からの高さ(h)が０．５〜３０μｍで中央部がなだら
かに盛り上がった山形の形状であることを特徴とする表
面弾性波デバイス。 - 【請求項２】 圧電単結晶基板(12)の表面に弾性波励振
用電極(13a,13b,13c,13d)を形成する工程と、 前記圧電単結晶基板(12)を被覆し得る面積を有し、かつ
マスク裏面の孔径(r1)が前記電極(13a,13b)の幅以下で
マスク表面の孔径(r2)より小さく形成されたテーパ付き
窓孔(16)を有するメタルマスク(17)を用意する工程と、 前記メタルマスク(17)をその窓孔(16)が前記電極(13a,1
3b)に臨むように前記圧電単結晶基板(12)に重ね合わせ
る工程と、 前記窓孔(16)を介して前記電極(13a,13b)と同種の金属
(18)をスパッタリングして前記電極(13a,13b)上に中央
部がなだらかに盛り上がった山形の形状のパッド電極(1
5a)を形成する工程とを含む表面弾性波デバイスの製造
方法。 - 【請求項３】 弾性波励振用電極(13a,13b)のほぼ中央
部に圧電単結晶基板(12)表面からの高さ(h)がそれぞれ
０．５〜３０μｍで中央部がなだらかに盛り上がった山
形の形状をなす一対のパッド電極(15a,15b)が形成され
た表面弾性波共振子からなる表面弾性波デバイス(10)の
実装方法であって、 前記一対のパッド電極(15a,15b)を圧電単結晶基板実装
用のベース基板(14)上の回路パターンに直接当接するこ
とにより前記圧電単結晶基板(12)を前記ベース基板(12)
にフェースダウン接続する工程と、 前記一対のパッド電極(15a,15b)を結ぶ線に直交する方
向の前記圧電単結晶基板(12)の両端部をゴム系の接着剤
(19)で接着する工程を含む表面弾性波デバイスの実装方
法。 - 【請求項４】 圧電単結晶基板(12)の両端部をゴム系の
接着剤(19)で接着した後、前記圧電単結晶基板(12)全体
を樹脂(20)でモールドする請求項３記載の表面弾性波デ
バイスの実装方法。 - 【請求項５】 ベース基板(14)が基板上に回路パターン
を形成したシリコン基板又はアルミナ基板である請求項
４又は５記載の表面弾性波デバイスの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14902094A JPH0818387A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 表面弾性波デバイス及びその製造方法並びにその実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14902094A JPH0818387A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 表面弾性波デバイス及びその製造方法並びにその実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818387A true JPH0818387A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15465921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14902094A Withdrawn JPH0818387A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 表面弾性波デバイス及びその製造方法並びにその実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818387A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7554242B2 (en) | 2005-01-17 | 2009-06-30 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave chip, surface acoustic wave device, and manufacturing method for implementing the same |
| WO2014192597A1 (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-04 | 日本碍子株式会社 | 複合基板用支持基板および複合基板 |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP14902094A patent/JPH0818387A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7554242B2 (en) | 2005-01-17 | 2009-06-30 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave chip, surface acoustic wave device, and manufacturing method for implementing the same |
| WO2014192597A1 (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-04 | 日本碍子株式会社 | 複合基板用支持基板および複合基板 |
| JPWO2014192597A1 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-02-23 | 日本碍子株式会社 | 複合基板用支持基板および複合基板 |
| US10332958B2 (en) | 2013-05-31 | 2019-06-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Supporting substrate for composite substrate and composite substrate |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010904 |