JP2001160565A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導体回路基板と半導体チップとの間の密着性
を高め、作業効率が高く、信頼性の高い半導体装置の製
造方法を提供する。 【解決手段】 複数の電極パッド２２を備えた半導体チ
ップ２０の半導体素子集積回路パターン２１面に、電極
パッド２２が露出する第１の開口部５１を設けたエラス
トマー系の絶縁性接着剤層５０を形成する工程と、第１
の開口部５１に対応する第２の開口部６１を有する絶縁
層６０に導体回路パターン７０を設け、第２の開口部６
１を貫通して導体回路パターン７０から絶縁層６０の半
導体チップ搭載面側に突出した接続端子７１が形成され
た導体回路基板４０を形成する工程とを備え、接続端子
７１をその接続端子７１に対応する電極パッド２２に接
続して電気的導通回路を形成すると共に、導体回路基板
４０と半導体チップ２０とをエラストマー系の絶縁性接
着剤層５０を介して接合する。
を高め、作業効率が高く、信頼性の高い半導体装置の製
造方法を提供する。 【解決手段】 複数の電極パッド２２を備えた半導体チ
ップ２０の半導体素子集積回路パターン２１面に、電極
パッド２２が露出する第１の開口部５１を設けたエラス
トマー系の絶縁性接着剤層５０を形成する工程と、第１
の開口部５１に対応する第２の開口部６１を有する絶縁
層６０に導体回路パターン７０を設け、第２の開口部６
１を貫通して導体回路パターン７０から絶縁層６０の半
導体チップ搭載面側に突出した接続端子７１が形成され
た導体回路基板４０を形成する工程とを備え、接続端子
７１をその接続端子７１に対応する電極パッド２２に接
続して電気的導通回路を形成すると共に、導体回路基板
４０と半導体チップ２０とをエラストマー系の絶縁性接
着剤層５０を介して接合する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面に電極パッド
を備えた集積回路パターンを有する半導体チップと導体
回路パターンを有する導体回路基板とを、エストマー系
の絶縁性接着剤層を介して接合された半導体装置の製造
方法に関する。
を備えた集積回路パターンを有する半導体チップと導体
回路パターンを有する導体回路基板とを、エストマー系
の絶縁性接着剤層を介して接合された半導体装置の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置は半導体チップとプリ
ント基板とを半田ボールを介して接続するＢＧＡ（Ｂａ
ｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）が利用されている。この
場合、例えばポリイミド樹脂などの耐熱性樹脂からなる
テープ基板上に導体回路パターンを備えた導体回路基板
（インターポーザ）を別に準備し、導体回路基板側に接
着剤層を形成している。その接着剤層の上に半導体チッ
プを載せて半導体チップと導体回路基板とを接合したあ
と、半導体チップの例えばアルミニウム材からなる電極
パッドと導体回路パターンとを、超音波法などにより電
気的に接続し、更に導体回路基板に備えた導体回路パタ
ーンに半田ボールを取付けている。半導体チップは導体
回路基板の導体回路パターンと導体回路パターンに取付
けられた半田ボールとを介してプリント基板の配線パタ
ーンに接続される。
ント基板とを半田ボールを介して接続するＢＧＡ（Ｂａ
ｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）が利用されている。この
場合、例えばポリイミド樹脂などの耐熱性樹脂からなる
テープ基板上に導体回路パターンを備えた導体回路基板
（インターポーザ）を別に準備し、導体回路基板側に接
着剤層を形成している。その接着剤層の上に半導体チッ
プを載せて半導体チップと導体回路基板とを接合したあ
と、半導体チップの例えばアルミニウム材からなる電極
パッドと導体回路パターンとを、超音波法などにより電
気的に接続し、更に導体回路基板に備えた導体回路パタ
ーンに半田ボールを取付けている。半導体チップは導体
回路基板の導体回路パターンと導体回路パターンに取付
けられた半田ボールとを介してプリント基板の配線パタ
ーンに接続される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法では、次に述べる解決すべき問題があった。 （１）導体回路基板のテープ基板は、例えば厚みが１０
０ミクロン程度のポリイミド樹脂などのフィルムで形成
されているためフレキシブルであり、テープ基板に銅箔
からなる導体回路パターンの銅パターンやランドが接着
されている構成であるので、導体回路基板の表面を完全
に平坦にすることは難しい。そのため、半導体チップと
導体回路基板とを接合する際に、接着剤層の押さえが不
均一となり、接着剤層と半導体チップ及び導体回路基板
との密着性が低下する。特に、導体回路パターンのピッ
チが狭い場合は、接着剤層が導体回路パターンの隣り合
う銅パターンの間に入り込むことができず、半導体チッ
プと導体回路基板との間に空洞が発生しやすい。 （２）半導体チップと導体回路基板との密着性の低下に
より、半導体チップと導体回路基板との間の電極パッド
に空洞部分が生じ、高温多湿で保存した場合の耐性をテ
ストするＰＣＴ試験（プレッシャー、クラッカー試験）
でアルミニウム材からなる電極パッドが腐食することが
あった。 （３）半導体チップの裏面が露出するタイプのＢＧＡの
パッケージでは、半導体チップと導体回路基板との隙間
が生じるのを防ぐために、半導体チップの周囲を樹脂で
埋めるサイドフィル工程を必要とし、製造工程で作業効
率を低下する。本発明はこのような事情に鑑みてなされ
たもので、導体回路基板と半導体チップとの間の密着性
を高め、作業効率が高く、信頼性の高い半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。
来の方法では、次に述べる解決すべき問題があった。 （１）導体回路基板のテープ基板は、例えば厚みが１０
０ミクロン程度のポリイミド樹脂などのフィルムで形成
されているためフレキシブルであり、テープ基板に銅箔
からなる導体回路パターンの銅パターンやランドが接着
されている構成であるので、導体回路基板の表面を完全
に平坦にすることは難しい。そのため、半導体チップと
導体回路基板とを接合する際に、接着剤層の押さえが不
均一となり、接着剤層と半導体チップ及び導体回路基板
との密着性が低下する。特に、導体回路パターンのピッ
チが狭い場合は、接着剤層が導体回路パターンの隣り合
う銅パターンの間に入り込むことができず、半導体チッ
プと導体回路基板との間に空洞が発生しやすい。 （２）半導体チップと導体回路基板との密着性の低下に
より、半導体チップと導体回路基板との間の電極パッド
に空洞部分が生じ、高温多湿で保存した場合の耐性をテ
ストするＰＣＴ試験（プレッシャー、クラッカー試験）
でアルミニウム材からなる電極パッドが腐食することが
あった。 （３）半導体チップの裏面が露出するタイプのＢＧＡの
パッケージでは、半導体チップと導体回路基板との隙間
が生じるのを防ぐために、半導体チップの周囲を樹脂で
埋めるサイドフィル工程を必要とし、製造工程で作業効
率を低下する。本発明はこのような事情に鑑みてなされ
たもので、導体回路基板と半導体チップとの間の密着性
を高め、作業効率が高く、信頼性の高い半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う本発明に
係る半導体装置の製造方法は、複数の電極パッドを備え
た半導体チップの半導体素子集積回路パターン面に、電
極パッドが露出する第１の開口部を設けたエラストマー
系の絶縁性接着剤層を形成する工程と、第１の開口部に
対応する第２の開口部を有する絶縁層の半導体チップ搭
載面とは反対側に導体回路パターンを設け、第２の開口
部を貫通して導体回路パターンから絶縁層の半導体チッ
プ搭載面側に突出した接続端子が形成された導体回路基
板を形成する工程とを備え、導体回路基板の接続端子を
接続端子に対応する半導体チップの電極パッドに接続し
て電気的導通回路を形成すると共に、導体回路基板と半
導体チップとを半導体チップに形成されたエラストマー
系の絶縁性接着剤層を介して接合する。これにより、電
極パッド以外の半導体チップの半導体素子集積回路パタ
ーン面は完全に弾力性を備えたエラストマー系の絶縁性
接着剤層で覆うことが可能であるので、半導体チップの
表面に均一に絶縁性接着剤層が十分付着し、導体回路基
板側に生じる凹凸の凹の部分には絶縁性接着剤層が流れ
込んで、絶縁性接着剤層と半導体チップ及び導体回路基
板との密着性が高くなり、空洞が発生することがなくな
る。
係る半導体装置の製造方法は、複数の電極パッドを備え
た半導体チップの半導体素子集積回路パターン面に、電
極パッドが露出する第１の開口部を設けたエラストマー
系の絶縁性接着剤層を形成する工程と、第１の開口部に
対応する第２の開口部を有する絶縁層の半導体チップ搭
載面とは反対側に導体回路パターンを設け、第２の開口
部を貫通して導体回路パターンから絶縁層の半導体チッ
プ搭載面側に突出した接続端子が形成された導体回路基
板を形成する工程とを備え、導体回路基板の接続端子を
接続端子に対応する半導体チップの電極パッドに接続し
て電気的導通回路を形成すると共に、導体回路基板と半
導体チップとを半導体チップに形成されたエラストマー
系の絶縁性接着剤層を介して接合する。これにより、電
極パッド以外の半導体チップの半導体素子集積回路パタ
ーン面は完全に弾力性を備えたエラストマー系の絶縁性
接着剤層で覆うことが可能であるので、半導体チップの
表面に均一に絶縁性接着剤層が十分付着し、導体回路基
板側に生じる凹凸の凹の部分には絶縁性接着剤層が流れ
込んで、絶縁性接着剤層と半導体チップ及び導体回路基
板との密着性が高くなり、空洞が発生することがなくな
る。
【０００５】特に、本発明に係る半導体装置の製造方法
において、エラストマー系の絶縁性接着剤層は、スクリ
ーン印刷法を用いて形成され、半導体チップと導体回路
基板との接着は、接続端子を電極パッドに接続すると共
に、半導体チップと導体回路基板とを加熱加圧により絶
縁性接着剤層を硬化させることによって行ってもよい。
この場合、エラストマー系の絶縁性接着剤層として、例
えば熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂を使用し、常温では
流動性が少ない樹脂フィルム状の絶縁性接着剤層を形成
して半導体チップの表面に貼り付け、半導体チップと導
体回路基板とを接着する際には、加圧加熱することによ
り、絶縁性接着剤層を流動化させて、半導体チップと導
体回路基板との間の隙間を埋めることができる。また、
本発明に係る半導体装置の製造方法において、接続端子
は、第２の開口部に露出した導体回路パターンに導電性
部材を堆積して形成され、かつ絶縁層の半導体チップ搭
載面側に突出したバンプとしてもよい。この場合、絶縁
性接着剤層には、例えば、スクリーン印刷法を用いて正
確に電極パッドが露出する第１の開口部が形成され、絶
縁層の半導体チップ搭載面側に突出したバンプを第１の
開口部の中に嵌入させることにより、半導体チップと導
体回路基板との位置決めをすることが可能である。
において、エラストマー系の絶縁性接着剤層は、スクリ
ーン印刷法を用いて形成され、半導体チップと導体回路
基板との接着は、接続端子を電極パッドに接続すると共
に、半導体チップと導体回路基板とを加熱加圧により絶
縁性接着剤層を硬化させることによって行ってもよい。
この場合、エラストマー系の絶縁性接着剤層として、例
えば熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂を使用し、常温では
流動性が少ない樹脂フィルム状の絶縁性接着剤層を形成
して半導体チップの表面に貼り付け、半導体チップと導
体回路基板とを接着する際には、加圧加熱することによ
り、絶縁性接着剤層を流動化させて、半導体チップと導
体回路基板との間の隙間を埋めることができる。また、
本発明に係る半導体装置の製造方法において、接続端子
は、第２の開口部に露出した導体回路パターンに導電性
部材を堆積して形成され、かつ絶縁層の半導体チップ搭
載面側に突出したバンプとしてもよい。この場合、絶縁
性接着剤層には、例えば、スクリーン印刷法を用いて正
確に電極パッドが露出する第１の開口部が形成され、絶
縁層の半導体チップ搭載面側に突出したバンプを第１の
開口部の中に嵌入させることにより、半導体チップと導
体回路基板との位置決めをすることが可能である。
【０００６】
【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発
明の理解に供する。ここに、図１は本発明の一実施の形
態に係る半導体装置の製造方法によって製造される半導
体装置の側断面図、図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は同半
導体装置の製造方法の途中の工程を示す側断面図であ
る。
つ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発
明の理解に供する。ここに、図１は本発明の一実施の形
態に係る半導体装置の製造方法によって製造される半導
体装置の側断面図、図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は同半
導体装置の製造方法の途中の工程を示す側断面図であ
る。
【０００７】図１に示すように、本発明の一実施の形態
に係る半導体装置の製造方法によって製造される半導体
装置１０はＢＧＡを構成しており、表面に複数の電極パ
ッド２２を備え、電極パッド２２の上面を露出したカバ
ーコート層２３で覆われた半導体素子集積回路パターン
２１を有する半導体チップ２０と、プリント基板（図示
しない）に接続される外部接続端子として半田ボール３
０を設けた導体回路基板４０とを備えている。例えばア
ルミニウムからなる複数の電極パッド２２を設け、カバ
ーコート層２３で覆われた半導体素子集積回路パターン
２１の表面と導体回路基板４０との間には、電極パッド
２２が露出する第１の開口部５１を有する緩衝性（弾力
性）を備えたエラストマー系の絶縁性接着剤層５０を設
けて、半導体チップ２０と導体回路基板４０とを接合し
ている。導体回路基板４０は、例えば耐熱性の高いポリ
イミド樹脂などからなる絶縁層６０を備え、絶縁層６０
には第１の開口部５１に対応する第２の開口部６１を設
けている。絶縁層６０の表面には銅箔からなる導体回路
パターン７０を貼り付け、導体回路パターン７０面を絶
縁層６０を介して半導体素子集積回路パターン２１面に
対向させている。導体回路パターン７０には、銅などの
金属めっきを施すことによって接続端子としてバンプ７
１を析出して、第２の開口部６１を貫通し、絶縁層６０
の裏面から突出させ、さらに先端に金めっき７４を施し
ている。更に、バンプ７１は絶縁性接着剤層５０の第１
の開口部５１を貫通し、半導体チップ２０に設けた電極
パッド２２と対向して接触し、電気的に接続（電気的導
通回路の形成）されている。導体回路パターン７０の表
面側には、半田ボール３０の導通部７２とバンプ７１の
背面部７３を露出するカバーコート層８０を設けてい
る。
に係る半導体装置の製造方法によって製造される半導体
装置１０はＢＧＡを構成しており、表面に複数の電極パ
ッド２２を備え、電極パッド２２の上面を露出したカバ
ーコート層２３で覆われた半導体素子集積回路パターン
２１を有する半導体チップ２０と、プリント基板（図示
しない）に接続される外部接続端子として半田ボール３
０を設けた導体回路基板４０とを備えている。例えばア
ルミニウムからなる複数の電極パッド２２を設け、カバ
ーコート層２３で覆われた半導体素子集積回路パターン
２１の表面と導体回路基板４０との間には、電極パッド
２２が露出する第１の開口部５１を有する緩衝性（弾力
性）を備えたエラストマー系の絶縁性接着剤層５０を設
けて、半導体チップ２０と導体回路基板４０とを接合し
ている。導体回路基板４０は、例えば耐熱性の高いポリ
イミド樹脂などからなる絶縁層６０を備え、絶縁層６０
には第１の開口部５１に対応する第２の開口部６１を設
けている。絶縁層６０の表面には銅箔からなる導体回路
パターン７０を貼り付け、導体回路パターン７０面を絶
縁層６０を介して半導体素子集積回路パターン２１面に
対向させている。導体回路パターン７０には、銅などの
金属めっきを施すことによって接続端子としてバンプ７
１を析出して、第２の開口部６１を貫通し、絶縁層６０
の裏面から突出させ、さらに先端に金めっき７４を施し
ている。更に、バンプ７１は絶縁性接着剤層５０の第１
の開口部５１を貫通し、半導体チップ２０に設けた電極
パッド２２と対向して接触し、電気的に接続（電気的導
通回路の形成）されている。導体回路パターン７０の表
面側には、半田ボール３０の導通部７２とバンプ７１の
背面部７３を露出するカバーコート層８０を設けてい
る。
【０００８】ここで、本実施の形態に係る半導体装置の
製造方法について工程の順を追って説明する。 （１）図２（Ａ）に示すように、予め、レーザー加工な
どにより第２の開口部６１を設けた絶縁層６０の表面側
に銅箔からなる導体回路パターン７０を貼り付ける。 （２）導体回路パターン７０の表面側にスクリーン印刷
法により、半田ボール３０を付着させるための導通部７
２と接続端子となる部分の背面部７３を露出するカバー
コート層８０を設ける。 （３）第２の開口部６１に露出した導体回路パターン７
０の裏面側に、絶縁層６０の第２の開口部６１を貫通す
る接続端子としてバンプ７１を銅などの金属めっきによ
り導電性部材を堆積して絶縁層６０の半導体チップ搭載
面側に突出させ、その先端に金めっき７４を施し、導体
回路基板４０を形成する。 （４）図２（Ｂ）に示すように、半導体チップ２０の電
極パッド２２を設けている半導体素子集積回路パターン
２１の表面にはカバーコート層２３を介して、電極パッ
ド２２が露出する第１の開口部５１を設けたエラトマー
系の絶縁性接着剤層５０を、スクリーン印刷法により多
数の半導体チップ２０が配列されているウェハーの状態
で貼り付ける。絶縁性接着剤層５０の厚みは、電極パッ
ド２２の厚みより厚くしておく。なお、絶縁性接着剤層
５０には緩衝性を備え、しかも常温では流動性が少ない
熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂を使用し、例えばスクリ
ーン印刷法により電極パッド２２が露出する第１の開口
部５１を設けた樹脂フィルム状となっている。
製造方法について工程の順を追って説明する。 （１）図２（Ａ）に示すように、予め、レーザー加工な
どにより第２の開口部６１を設けた絶縁層６０の表面側
に銅箔からなる導体回路パターン７０を貼り付ける。 （２）導体回路パターン７０の表面側にスクリーン印刷
法により、半田ボール３０を付着させるための導通部７
２と接続端子となる部分の背面部７３を露出するカバー
コート層８０を設ける。 （３）第２の開口部６１に露出した導体回路パターン７
０の裏面側に、絶縁層６０の第２の開口部６１を貫通す
る接続端子としてバンプ７１を銅などの金属めっきによ
り導電性部材を堆積して絶縁層６０の半導体チップ搭載
面側に突出させ、その先端に金めっき７４を施し、導体
回路基板４０を形成する。 （４）図２（Ｂ）に示すように、半導体チップ２０の電
極パッド２２を設けている半導体素子集積回路パターン
２１の表面にはカバーコート層２３を介して、電極パッ
ド２２が露出する第１の開口部５１を設けたエラトマー
系の絶縁性接着剤層５０を、スクリーン印刷法により多
数の半導体チップ２０が配列されているウェハーの状態
で貼り付ける。絶縁性接着剤層５０の厚みは、電極パッ
ド２２の厚みより厚くしておく。なお、絶縁性接着剤層
５０には緩衝性を備え、しかも常温では流動性が少ない
熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂を使用し、例えばスクリ
ーン印刷法により電極パッド２２が露出する第１の開口
部５１を設けた樹脂フィルム状となっている。
【０００９】（５）図２（Ｃ）に示すように、絶縁性接
着剤層５０を貼り付けた半導体チップ２０と導体回路基
板４０とを重ねて電極パッド２２にバンプ７１を対向さ
せ、バンプ７１を第１の開口部５１の中に嵌入して、電
極パッド２２とバンプ７１とを接触させると共に、導体
回路基板４０と半導体チップ２０との位置決めをする。 （６）半導体チップ２０と導体回路基板４０とを重ね合
わせて加圧加熱し、半導体チップ２０と導体回路基板４
０とを接着する。これにより、樹脂フィルム状の絶縁性
接着剤層５０が流動化して、バンプ７１の先端が電極パ
ッド２２の表面に接触して押しつぶされ、絶縁性接着剤
層５０が半導体チップ２０と導体回路基板４０との間の
隙間を埋めて、硬化する。そのため、第１の開口部５１
の内面はバンプ７１の外周に付着した状態に縮められ
る。 （７）導体回路パターン７０の背面部７３上からバンプ
７１に向かって超音波振動子９０を押しつけて、電極パ
ッド２２とバンプ７１を超音波振動により接合し、電気
的に接続する。このとき、電極パッド２２とバンプ７１
の間に絶縁性接着剤層５０が流れ込んでも、超音波振動
子９０の振動圧力によって除かれて、電極パッド２２と
バンプ７１とは完全に接合される。 （８）導体回路パターン７０の導通部７２に、例えばク
リーム半田をスクリーン印刷法などにより付着させ、加
熱することにより球状の半田ボール３０を形成し、図１
に示すように、半導体装置１０を形成する。
着剤層５０を貼り付けた半導体チップ２０と導体回路基
板４０とを重ねて電極パッド２２にバンプ７１を対向さ
せ、バンプ７１を第１の開口部５１の中に嵌入して、電
極パッド２２とバンプ７１とを接触させると共に、導体
回路基板４０と半導体チップ２０との位置決めをする。 （６）半導体チップ２０と導体回路基板４０とを重ね合
わせて加圧加熱し、半導体チップ２０と導体回路基板４
０とを接着する。これにより、樹脂フィルム状の絶縁性
接着剤層５０が流動化して、バンプ７１の先端が電極パ
ッド２２の表面に接触して押しつぶされ、絶縁性接着剤
層５０が半導体チップ２０と導体回路基板４０との間の
隙間を埋めて、硬化する。そのため、第１の開口部５１
の内面はバンプ７１の外周に付着した状態に縮められ
る。 （７）導体回路パターン７０の背面部７３上からバンプ
７１に向かって超音波振動子９０を押しつけて、電極パ
ッド２２とバンプ７１を超音波振動により接合し、電気
的に接続する。このとき、電極パッド２２とバンプ７１
の間に絶縁性接着剤層５０が流れ込んでも、超音波振動
子９０の振動圧力によって除かれて、電極パッド２２と
バンプ７１とは完全に接合される。 （８）導体回路パターン７０の導通部７２に、例えばク
リーム半田をスクリーン印刷法などにより付着させ、加
熱することにより球状の半田ボール３０を形成し、図１
に示すように、半導体装置１０を形成する。
【００１０】なお、（８）の工程で導通部７２に半田ボ
ール３０を設けず、（３）の工程の後、半導体チップ２
０と導体回路基板４０とを接合する前に、導通部７２に
半田ボール３０を設けることも可能である。また、
（１）〜（３）の工程の前に（４）の工程を設けてもよ
い。また、絶縁性接着剤層５０に例えばビニール系やゴ
ム系樹脂などの熱可塑性樹脂の樹脂フィルムを使用した
場合は、常温では流動性が少ないが、半導体チップ２０
と導体回路基板４０とを重ねて加圧加熱することによ
り、樹脂フィルムが軟化して流動性を増し、半導体チッ
プ２０と導体回路基板４０とが接着される。このとき、
流動化した絶縁性接着剤層５０が半導体チップ２０と導
体回路基板４０との間の隙間を埋める。絶縁性接着剤層
５０を常温に戻すと流動性が低下するので接着強度を高
く維持することができる。また、絶縁性接着剤層５０に
例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂の樹脂フィルム
を使用した場合は、半硬化状態（Ｂステージ）にして半
導体チップ２０に貼り付けると、温度が上昇するにした
がって流動性が増し、その後硬化しはじめ、硬化後は強
力な接着強度が得られる。また、絶縁性接着剤層５０を
Ｂステージにすると、常温で表面が乾いているので、絶
縁性接着剤層５０の貼り付け作業のときに取扱が便利で
作業性がよい。
ール３０を設けず、（３）の工程の後、半導体チップ２
０と導体回路基板４０とを接合する前に、導通部７２に
半田ボール３０を設けることも可能である。また、
（１）〜（３）の工程の前に（４）の工程を設けてもよ
い。また、絶縁性接着剤層５０に例えばビニール系やゴ
ム系樹脂などの熱可塑性樹脂の樹脂フィルムを使用した
場合は、常温では流動性が少ないが、半導体チップ２０
と導体回路基板４０とを重ねて加圧加熱することによ
り、樹脂フィルムが軟化して流動性を増し、半導体チッ
プ２０と導体回路基板４０とが接着される。このとき、
流動化した絶縁性接着剤層５０が半導体チップ２０と導
体回路基板４０との間の隙間を埋める。絶縁性接着剤層
５０を常温に戻すと流動性が低下するので接着強度を高
く維持することができる。また、絶縁性接着剤層５０に
例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂の樹脂フィルム
を使用した場合は、半硬化状態（Ｂステージ）にして半
導体チップ２０に貼り付けると、温度が上昇するにした
がって流動性が増し、その後硬化しはじめ、硬化後は強
力な接着強度が得られる。また、絶縁性接着剤層５０を
Ｂステージにすると、常温で表面が乾いているので、絶
縁性接着剤層５０の貼り付け作業のときに取扱が便利で
作業性がよい。
【００１１】
【発明の効果】請求項１〜３記載の半導体装置の製造方
法においては、複数の電極パッドを備えた半導体チップ
の半導体素子集積回路パターン面に、電極パッドが露出
する第１の開口部を設けたエラストマー系の絶縁性接着
剤層を形成する工程と、第１の開口部に対応する第２の
開口部を有する絶縁層の半導体チップ搭載面とは反対側
に導体回路パターンを設け、第２の開口部を貫通して導
体回路パターンから絶縁層の半導体チップ搭載面側に突
出した接続端子が形成された導体回路基板を形成する工
程とを備え、導体回路基板の接続端子を接続端子に対応
する半導体チップの電極パッドに接続して電気的導通回
路を形成すると共に、導体回路基板と半導体チップとを
半導体チップに形成されたエラストマー系の絶縁性接着
剤層を介して接合している。そのため、半導体チップの
表面に均一に、しかも絶縁性接着剤層が十分付着し、導
体回路基板側の凹凸の凹の部分には絶縁性接着剤層が流
れ込んで、絶縁性接着剤層と半導体チップ及び導体回路
基板との密着性が高くなり、空洞が発生することがなく
なる。その結果、ＰＣＴ試験などでで電極パッドに腐食
が生じることもなく、高い品質の半導体装置の製造方法
を提供できる。
法においては、複数の電極パッドを備えた半導体チップ
の半導体素子集積回路パターン面に、電極パッドが露出
する第１の開口部を設けたエラストマー系の絶縁性接着
剤層を形成する工程と、第１の開口部に対応する第２の
開口部を有する絶縁層の半導体チップ搭載面とは反対側
に導体回路パターンを設け、第２の開口部を貫通して導
体回路パターンから絶縁層の半導体チップ搭載面側に突
出した接続端子が形成された導体回路基板を形成する工
程とを備え、導体回路基板の接続端子を接続端子に対応
する半導体チップの電極パッドに接続して電気的導通回
路を形成すると共に、導体回路基板と半導体チップとを
半導体チップに形成されたエラストマー系の絶縁性接着
剤層を介して接合している。そのため、半導体チップの
表面に均一に、しかも絶縁性接着剤層が十分付着し、導
体回路基板側の凹凸の凹の部分には絶縁性接着剤層が流
れ込んで、絶縁性接着剤層と半導体チップ及び導体回路
基板との密着性が高くなり、空洞が発生することがなく
なる。その結果、ＰＣＴ試験などでで電極パッドに腐食
が生じることもなく、高い品質の半導体装置の製造方法
を提供できる。
【００１２】特に、請求項２記載の半導体装置の製造方
法においては、エラストマー系の絶縁性接着剤層は、ス
クリーン印刷法を用いて形成され、半導体チップと導体
回路基板との接着は、接続端子を電極パッドに接続する
と共に、半導体チップと導体回路基板とを加熱加圧によ
り絶縁性接着剤層を硬化させて行っているので、加圧加
熱することにより絶縁性接着剤層を流動化させて、半導
体チップと導体回路基板との間の隙間を完全に埋め、サ
イドフィル工程などの作業を省くことが可能であり、信
頼性の高い半導体装置を製造することができる。また、
請求項３記載の半導体装置の製造方法においては、接続
端子は、第２の開口部に露出した導体回路パターンに導
電性部材を堆積して形成され、かつ絶縁層の半導体チッ
プ搭載面側に突出したバンプとしているので、絶縁層の
半導体チップ搭載面側に突出したバンプを第１の開口部
の中に嵌入させることにより、半導体チップと導体回路
基板との位置決めをすることが可能となり、作業効率が
高い半導体装置を製造方法を提供することができる。
法においては、エラストマー系の絶縁性接着剤層は、ス
クリーン印刷法を用いて形成され、半導体チップと導体
回路基板との接着は、接続端子を電極パッドに接続する
と共に、半導体チップと導体回路基板とを加熱加圧によ
り絶縁性接着剤層を硬化させて行っているので、加圧加
熱することにより絶縁性接着剤層を流動化させて、半導
体チップと導体回路基板との間の隙間を完全に埋め、サ
イドフィル工程などの作業を省くことが可能であり、信
頼性の高い半導体装置を製造することができる。また、
請求項３記載の半導体装置の製造方法においては、接続
端子は、第２の開口部に露出した導体回路パターンに導
電性部材を堆積して形成され、かつ絶縁層の半導体チッ
プ搭載面側に突出したバンプとしているので、絶縁層の
半導体チップ搭載面側に突出したバンプを第１の開口部
の中に嵌入させることにより、半導体チップと導体回路
基板との位置決めをすることが可能となり、作業効率が
高い半導体装置を製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体装置の製造
方法によって製造される半導体装置の側断面図である。
方法によって製造される半導体装置の側断面図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は同半導体装置の製造
方法の途中の工程を示す側断面図である。
方法の途中の工程を示す側断面図である。
１０：半導体装置、２０：半導体チップ、２１：半導体
素子集積回路パターン、２２：電極パッド、２３：カバ
ーコート層、３０：半田ボール、４０：導体回路基板、
５０：絶縁性接着剤層、５１：第１の開口部、６０：絶
縁層、６１：第２の開口部、７０：導体回路パターン、
７１：バンプ、７２：導通部、７３：背面部、７４：金
めっき、８０：カバーコート層、９０：超音波振動子
素子集積回路パターン、２２：電極パッド、２３：カバ
ーコート層、３０：半田ボール、４０：導体回路基板、
５０：絶縁性接着剤層、５１：第１の開口部、６０：絶
縁層、６１：第２の開口部、７０：導体回路パターン、
７１：バンプ、７２：導通部、７３：背面部、７４：金
めっき、８０：カバーコート層、９０：超音波振動子
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の電極パッドを備えた半導体チップ
の半導体素子集積回路パターン面に、前記電極パッドが
露出する第１の開口部を設けたエラストマー系の絶縁性
接着剤層を形成する工程と、前記第１の開口部に対応す
る第２の開口部を有する絶縁層の半導体チップ搭載面と
は反対側に導体回路パターンを設け、前記第２の開口部
を貫通して前記導体回路パターンから前記絶縁層の半導
体チップ搭載面側に突出した接続端子が形成された導体
回路基板を形成する工程とを備え、該導体回路基板の前
記接続端子を該接続端子に対応する前記半導体チップの
電極パッドに接続して電気的導通回路を形成すると共
に、前記導体回路基板と前記半導体チップとを前記半導
体チップに形成された前記エラストマー系の絶縁性接着
剤層を介して接合することを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記エラストマー系の絶縁性接着剤層は、スク
リーン印刷法を用いて形成され、前記半導体チップと前
記導体回路基板との接着は、前記接続端子を前記電極パ
ッドに接続すると共に、前記半導体チップと前記導体回
路基板とを加熱加圧により前記絶縁性接着剤層を硬化さ
せることによって行われることを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体装置の製造
方法において、前記接続端子は、前記第２の開口部に露
出した前記導体回路パターンに導電性部材を堆積して形
成され、かつ前記絶縁層の半導体チップ搭載面側に突出
したバンプであることを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34197899A JP2001160565A (ja) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34197899A JP2001160565A (ja) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001160565A true JP2001160565A (ja) | 2001-06-12 |
Family
ID=18350244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34197899A Pending JP2001160565A (ja) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001160565A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008135719A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-06-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法および携帯機器 |
| CN103000597A (zh) * | 2011-09-09 | 2013-03-27 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体器件及其制造和封装方法 |
-
1999
- 1999-12-01 JP JP34197899A patent/JP2001160565A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008135719A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-06-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法および携帯機器 |
| CN103000597A (zh) * | 2011-09-09 | 2013-03-27 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体器件及其制造和封装方法 |
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