JP3527589B2 - 半導体装置用パッケージ及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置用パッケージ及びその製造方法Info
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- H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はヒートシンク付きの
半導体装置用パッケージ及びその製造方法に関する。
半導体装置用パッケージ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＰＧＡ（Plastic Pin Grid Array) 、
ＰＢＧＡ(Plastic Ball Grid Array)といったパッケー
ジの本体にプリント基板等の樹脂基板を使用した半導体
装置用パッケージで、発熱量の大きなチップを搭載する
ものでは、パッケージ本体からの熱放散性が劣ることか
らパッケージの外面にヒートシンクを設けて提供される
製品がある。
ＰＢＧＡ(Plastic Ball Grid Array)といったパッケー
ジの本体にプリント基板等の樹脂基板を使用した半導体
装置用パッケージで、発熱量の大きなチップを搭載する
ものでは、パッケージ本体からの熱放散性が劣ることか
らパッケージの外面にヒートシンクを設けて提供される
製品がある。
【０００３】図６はパッケージの本体に樹脂基板を使用
したヒートシンク付きの半導体装置用パッケージの要部
を拡大して示す断面図である。１０はパッケージの本体
を構成する樹脂基板であり、複数枚のプラスチック基板
を積層して形成されている。１２は配線パターン、１４
は樹脂基板１０の表面の配線パターン１２を被覆するソ
ルダレジスト、１６は外部接続用のリードピンである。
２０は樹脂基板１０の外面に接着剤層１８により接着し
た金属製のヒートシンクである。樹脂基板１０の中央部
には半導体チップ３０を収納するための収納孔が開口
し、半導体チップ３０はヒートシンク２０に導電性接着
剤等により接合されて搭載されている。
したヒートシンク付きの半導体装置用パッケージの要部
を拡大して示す断面図である。１０はパッケージの本体
を構成する樹脂基板であり、複数枚のプラスチック基板
を積層して形成されている。１２は配線パターン、１４
は樹脂基板１０の表面の配線パターン１２を被覆するソ
ルダレジスト、１６は外部接続用のリードピンである。
２０は樹脂基板１０の外面に接着剤層１８により接着し
た金属製のヒートシンクである。樹脂基板１０の中央部
には半導体チップ３０を収納するための収納孔が開口
し、半導体チップ３０はヒートシンク２０に導電性接着
剤等により接合されて搭載されている。
【０００４】ヒートシンク２０は半導体チップ３０から
の熱放散を促進させるためのもので、樹脂基板１０の配
線パターン１２とヒートシンク２０とは通常、接着剤層
１８により電気的に絶縁して接着されるが、ヒートシン
ク２０を接地層あるいは電源層として使用する場合があ
り、その場合は接地ラインあるいは電源ラインとなる配
線パターン１２とヒートシンク２０とを電気的に接続す
る必要がある。
の熱放散を促進させるためのもので、樹脂基板１０の配
線パターン１２とヒートシンク２０とは通常、接着剤層
１８により電気的に絶縁して接着されるが、ヒートシン
ク２０を接地層あるいは電源層として使用する場合があ
り、その場合は接地ラインあるいは電源ラインとなる配
線パターン１２とヒートシンク２０とを電気的に接続す
る必要がある。
【０００５】図６に示す例は、ヒートシンク２０と配線
パターン１２とをワイヤボンディングによって電気的に
接続した例である。３２がボンディングワイヤである。
ヒートシンク２０と配線パターン１２とを電気的に接続
する他の方法としては、樹脂基板１０にヒートシンク２
０を接着した後、樹脂基板１０とヒートシンク２０を貫
通する貫通孔を設け、貫通孔にスルーホールめっきを施
してヒートシンク２０と配線パターン１２とを電気的に
接続する方法、また、樹脂基板１０をヒートシンク２０
に接着した後、樹脂基板１０側からドリル加工によって
ヒートシンク２０にまで達する接続孔を設け、接続孔に
導電性ぺーストを充填して電気的に接続する方法があ
る。
パターン１２とをワイヤボンディングによって電気的に
接続した例である。３２がボンディングワイヤである。
ヒートシンク２０と配線パターン１２とを電気的に接続
する他の方法としては、樹脂基板１０にヒートシンク２
０を接着した後、樹脂基板１０とヒートシンク２０を貫
通する貫通孔を設け、貫通孔にスルーホールめっきを施
してヒートシンク２０と配線パターン１２とを電気的に
接続する方法、また、樹脂基板１０をヒートシンク２０
に接着した後、樹脂基板１０側からドリル加工によって
ヒートシンク２０にまで達する接続孔を設け、接続孔に
導電性ぺーストを充填して電気的に接続する方法があ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図７はヒートシンク付
きの半導体装置用パッケージを作成する従来法を示す。
この方法ではリードピン１６を装着するためのピン装着
孔１７を設けた樹脂基板１０とヒートシンク２０とを位
置合わせし、プリプレグ等の接着性樹脂シート１８ａを
介して、加圧および加熱により一体化する。従来法でヒ
ートシンク２０を接地層あるいは電源層とする場合は、
ワイヤボンディング法あるいは樹脂基板１０とヒートシ
ンク２０に貫通孔を設けてスルーホールめっきを施すと
いった方法によるから、貫通孔を設けて電気的に接続す
る方法の場合は製造工程が複雑になるという問題があ
り、ワイヤボンディング法の場合はヒートシンク２０と
配線パターン１２とをボンディングするため、半導体チ
ップ３０とボンディングする配線パターンの他にヒート
シンク２０とボンディングする配線パターンを設けた
り、ヒートシンク２０にワイヤボンディングするための
領域を確保したりしなければならない等の制約をうける
という問題点があった。
きの半導体装置用パッケージを作成する従来法を示す。
この方法ではリードピン１６を装着するためのピン装着
孔１７を設けた樹脂基板１０とヒートシンク２０とを位
置合わせし、プリプレグ等の接着性樹脂シート１８ａを
介して、加圧および加熱により一体化する。従来法でヒ
ートシンク２０を接地層あるいは電源層とする場合は、
ワイヤボンディング法あるいは樹脂基板１０とヒートシ
ンク２０に貫通孔を設けてスルーホールめっきを施すと
いった方法によるから、貫通孔を設けて電気的に接続す
る方法の場合は製造工程が複雑になるという問題があ
り、ワイヤボンディング法の場合はヒートシンク２０と
配線パターン１２とをボンディングするため、半導体チ
ップ３０とボンディングする配線パターンの他にヒート
シンク２０とボンディングする配線パターンを設けた
り、ヒートシンク２０にワイヤボンディングするための
領域を確保したりしなければならない等の制約をうける
という問題点があった。
【０００７】本発明はこれらの問題点を解消すべくなさ
れたものであり、その目的とするところは、樹脂基板を
本体とするヒートシンク付きの半導体パッケージで、ヒ
ートシンクを接地層あるいは電源層として使用する半導
体パッケージの製造工程を簡素化し、半導体パッケージ
の製造コストを効果的に引き下げることを可能にすると
ともに、パッケージの配線を容易にする半導体パッケー
ジ及びその製造方法を提供するにある。
れたものであり、その目的とするところは、樹脂基板を
本体とするヒートシンク付きの半導体パッケージで、ヒ
ートシンクを接地層あるいは電源層として使用する半導
体パッケージの製造工程を簡素化し、半導体パッケージ
の製造コストを効果的に引き下げることを可能にすると
ともに、パッケージの配線を容易にする半導体パッケー
ジ及びその製造方法を提供するにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、パッケージ本体
に電気的絶縁性を有する接着剤層を介してヒートシンク
を一体に接着して成る半導体装置用パッケージにおい
て、前記パッケージ本体の前記ヒートシンクとの接着面
に、配線パターンが設けられると共に、前記接着剤層
に、当該接着剤層を厚さ方向に貫通する導電部が設けら
れ、該導電部により、前記パッケージ本体の前記ヒート
シンクとの接着面に形成された配線パターンと前記ヒー
トシンクとが、電気的に接続されていることを特徴とす
る。また、前記導電部が、先端が尖鋭に形成された導電
性バンプの先端部を前記配線パターンにくい込ませて形
成されたことを特徴とする。また、前記導電部が、先端
が尖鋭に形成された導電性バンプの先端部を前記ヒート
シンクにくい込ませて形成されたことを特徴とする。ま
た、前記導電部が、前記接着剤層に貫通して設けた接続
孔に充填された導電性ぺースト、めっき又ははんだによ
り形成されたことを特徴とする。
するため次の構成を備える。すなわち、パッケージ本体
に電気的絶縁性を有する接着剤層を介してヒートシンク
を一体に接着して成る半導体装置用パッケージにおい
て、前記パッケージ本体の前記ヒートシンクとの接着面
に、配線パターンが設けられると共に、前記接着剤層
に、当該接着剤層を厚さ方向に貫通する導電部が設けら
れ、該導電部により、前記パッケージ本体の前記ヒート
シンクとの接着面に形成された配線パターンと前記ヒー
トシンクとが、電気的に接続されていることを特徴とす
る。また、前記導電部が、先端が尖鋭に形成された導電
性バンプの先端部を前記配線パターンにくい込ませて形
成されたことを特徴とする。また、前記導電部が、先端
が尖鋭に形成された導電性バンプの先端部を前記ヒート
シンクにくい込ませて形成されたことを特徴とする。ま
た、前記導電部が、前記接着剤層に貫通して設けた接続
孔に充填された導電性ぺースト、めっき又ははんだによ
り形成されたことを特徴とする。
【０００９】また、パッケージ本体に接着剤層を介して
ヒートシンクを一体に接着して成る半導体装置用パッケ
ージの製造方法において、前記ヒートシンクの前記パッ
ケージ本体に対向する面に、先端を尖鋭に形成した導電
性バンプを設け、前記パッケージ本体と前記ヒートシン
クとを位置合わせするとともに、前記パッケージ本体と
前記ヒートシンクとの間に電気的絶縁性を有する接着性
樹脂シートを介在させて加圧し、前記導電性バンプによ
り前記接着性樹脂シートを貫通させると共に、導電性バ
ンプの先端部を前記パッケージ本体に形成した配線パタ
ーンにくい込ませることにより、該配線パターンと前記
ヒートシンクとを電気的に接続することを特徴とする。
また、パッケージ本体に接着剤層を介してヒートシンク
を一体に接着して成る半導体装置用パッケージの製造方
法において、前記パッケージ本体に形成した配線パター
ンの前記ヒートシンクに対向する面に、先端を尖鋭に形
成した導電性バンプを設け、前記パッケージ本体と前記
ヒートシンクとを位置合わせすると共に、前記パッケー
ジ本体と前記ヒートシンクとの間に電気的絶縁性を有す
る接着性樹脂シートを介在させて加圧し、前記導電性バ
ンプにより前記接着性樹脂シートを貫通させるととも
に、導電性バンプの先端部を前記ヒートシンクにくい込
ませることにより、前記配線パターンと前記ヒートシン
クとを電気的に接続することを特徴とする。また、パッ
ケージ本体に接着剤層を介してヒートシンクを一体に接
着して成る半導体装置用パッケージの製造方法におい
て、前記ヒートシンクの表面に接着剤層を形成し、該接
着剤層に前記ヒートシンクの表面にまで通じる接続孔を
設け、該接続孔内に導電部を形成した後、前記パッケー
ジ本体と前記ヒートシンクとを位置合わせして前記接着
剤層を介して接着し、前記導電部により前記パッケージ
本体に形成した配線パターンと前記ヒートシンクとを電
気的に接続することを特徴とする。
ヒートシンクを一体に接着して成る半導体装置用パッケ
ージの製造方法において、前記ヒートシンクの前記パッ
ケージ本体に対向する面に、先端を尖鋭に形成した導電
性バンプを設け、前記パッケージ本体と前記ヒートシン
クとを位置合わせするとともに、前記パッケージ本体と
前記ヒートシンクとの間に電気的絶縁性を有する接着性
樹脂シートを介在させて加圧し、前記導電性バンプによ
り前記接着性樹脂シートを貫通させると共に、導電性バ
ンプの先端部を前記パッケージ本体に形成した配線パタ
ーンにくい込ませることにより、該配線パターンと前記
ヒートシンクとを電気的に接続することを特徴とする。
また、パッケージ本体に接着剤層を介してヒートシンク
を一体に接着して成る半導体装置用パッケージの製造方
法において、前記パッケージ本体に形成した配線パター
ンの前記ヒートシンクに対向する面に、先端を尖鋭に形
成した導電性バンプを設け、前記パッケージ本体と前記
ヒートシンクとを位置合わせすると共に、前記パッケー
ジ本体と前記ヒートシンクとの間に電気的絶縁性を有す
る接着性樹脂シートを介在させて加圧し、前記導電性バ
ンプにより前記接着性樹脂シートを貫通させるととも
に、導電性バンプの先端部を前記ヒートシンクにくい込
ませることにより、前記配線パターンと前記ヒートシン
クとを電気的に接続することを特徴とする。また、パッ
ケージ本体に接着剤層を介してヒートシンクを一体に接
着して成る半導体装置用パッケージの製造方法におい
て、前記ヒートシンクの表面に接着剤層を形成し、該接
着剤層に前記ヒートシンクの表面にまで通じる接続孔を
設け、該接続孔内に導電部を形成した後、前記パッケー
ジ本体と前記ヒートシンクとを位置合わせして前記接着
剤層を介して接着し、前記導電部により前記パッケージ
本体に形成した配線パターンと前記ヒートシンクとを電
気的に接続することを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
つき添付図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る
半導体装置用パッケージの製造方法の第１実施形態を示
す。図１(a) はパッケージ本体を構成する樹脂基板１０
に電気的絶縁性を有する接着性樹脂シート１８ａを介し
て金属製のヒートシンク２０を接着する状態を示す。樹
脂基板１０およびヒートシンク２０の構成は前述した従
来例での樹脂基板１０およびヒートシンク２０と同じで
ある。実施形態の半導体パッケージはＰＧＡ用で、樹脂
基板１０にリードピン１６を装着するためのピン装着孔
１７が貫設されている。
つき添付図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る
半導体装置用パッケージの製造方法の第１実施形態を示
す。図１(a) はパッケージ本体を構成する樹脂基板１０
に電気的絶縁性を有する接着性樹脂シート１８ａを介し
て金属製のヒートシンク２０を接着する状態を示す。樹
脂基板１０およびヒートシンク２０の構成は前述した従
来例での樹脂基板１０およびヒートシンク２０と同じで
ある。実施形態の半導体パッケージはＰＧＡ用で、樹脂
基板１０にリードピン１６を装着するためのピン装着孔
１７が貫設されている。
【００１１】本実施形態の接着方法は、樹脂基板１０と
ヒートシンク２０を接着する際に、同時にヒートシンク
２０と樹脂基板１０の間の電気的接続を行うことを特徴
とする。そのために本実施形態では樹脂基板１０に対向
するヒートシンク２０の表面上に先端が尖った形状の導
電性バンプ２２を形成し、電気的絶縁性を有する接着性
樹脂シート１８ａを挟んで樹脂基板１０とヒートシンク
２０を加圧して一体に接着する際に、導電性バンプ２２
が接着性樹脂シート１８ａを貫通し、導電性バンプ２２
を介して樹脂基板１０の配線パターン１２とヒートシン
ク２０が電気的に導通するようにする。
ヒートシンク２０を接着する際に、同時にヒートシンク
２０と樹脂基板１０の間の電気的接続を行うことを特徴
とする。そのために本実施形態では樹脂基板１０に対向
するヒートシンク２０の表面上に先端が尖った形状の導
電性バンプ２２を形成し、電気的絶縁性を有する接着性
樹脂シート１８ａを挟んで樹脂基板１０とヒートシンク
２０を加圧して一体に接着する際に、導電性バンプ２２
が接着性樹脂シート１８ａを貫通し、導電性バンプ２２
を介して樹脂基板１０の配線パターン１２とヒートシン
ク２０が電気的に導通するようにする。
【００１２】接着性樹脂シート１８ａとしては加熱、加
圧によって接着するプリプレグ等の一般に使用されてい
る接着シートが使用できる。導電性バンプ２２は接着性
樹脂シート１８ａを貫通して配線パターン１２とヒート
シンク２０との電気的導通をとるため、先端形状を尖鋭
とし、樹脂基板１０とヒートシンク２０とで接着性樹脂
シート１８を加圧した際に先端が配線パターン１２にく
い込むことによって確実に電気的に導通できるようにす
る。このように導電性バンプ２２は接着性樹脂シート１
８ａの厚さを考慮してその高さを設定する。
圧によって接着するプリプレグ等の一般に使用されてい
る接着シートが使用できる。導電性バンプ２２は接着性
樹脂シート１８ａを貫通して配線パターン１２とヒート
シンク２０との電気的導通をとるため、先端形状を尖鋭
とし、樹脂基板１０とヒートシンク２０とで接着性樹脂
シート１８を加圧した際に先端が配線パターン１２にく
い込むことによって確実に電気的に導通できるようにす
る。このように導電性バンプ２２は接着性樹脂シート１
８ａの厚さを考慮してその高さを設定する。
【００１３】図１(b) は接着性樹脂シート１８ａを介し
て樹脂基板１０とヒートシンク２０を接着した状態の断
面図である。導電性バンプ２２は先端が樹脂基板１０の
配線パターン１２にくい込んで押しつぶされ、断面形状
が台形になる。２２ａが導電性バンプ２２によって形成
された導電部である。ヒートシンク２０と樹脂基板１０
とは導電性バンプ２２によって形成される導電部２２ａ
を介して電気的に接続される。導電性バンプ２２はヒー
トシンク２０と電気的に接続する樹脂基板１０の配線パ
ターン１２の接続部と平面配置を一致させて形成する。
て樹脂基板１０とヒートシンク２０を接着した状態の断
面図である。導電性バンプ２２は先端が樹脂基板１０の
配線パターン１２にくい込んで押しつぶされ、断面形状
が台形になる。２２ａが導電性バンプ２２によって形成
された導電部である。ヒートシンク２０と樹脂基板１０
とは導電性バンプ２２によって形成される導電部２２ａ
を介して電気的に接続される。導電性バンプ２２はヒー
トシンク２０と電気的に接続する樹脂基板１０の配線パ
ターン１２の接続部と平面配置を一致させて形成する。
【００１４】導電性バンプ２２は導電性ぺーストを用い
る印刷方法により、ヒートシンク２０上に適宜パターン
で形成することができる。先端を尖鋭に形成する導電性
バンプ２２の形成方法は、たとえば特開平６−３５０２
５０号に記載された方法を適用することができる。導電
性バンプ２２を形成した後、樹脂基板１０とヒートシン
ク２０を接着するが、接着性樹脂シート１８ａを加熱し
て接着性樹脂シート１８ａを軟化させた状態で接着する
と、導電性バンプ２２が容易に接着性樹脂シート１８ａ
を貫通して配線パターン１２とヒートシンク２０との電
気的接続が確実になされる。
る印刷方法により、ヒートシンク２０上に適宜パターン
で形成することができる。先端を尖鋭に形成する導電性
バンプ２２の形成方法は、たとえば特開平６−３５０２
５０号に記載された方法を適用することができる。導電
性バンプ２２を形成した後、樹脂基板１０とヒートシン
ク２０を接着するが、接着性樹脂シート１８ａを加熱し
て接着性樹脂シート１８ａを軟化させた状態で接着する
と、導電性バンプ２２が容易に接着性樹脂シート１８ａ
を貫通して配線パターン１２とヒートシンク２０との電
気的接続が確実になされる。
【００１５】図２は上記方法によって得られたヒートシ
ンク付き半導体装置用パッケージに半導体チップ３０を
搭載した状態を示す。図６に示す従来の構成と比較し
て、この実施形態の半導体装置は接着剤層１８の内部に
導電部２２ａが形成され導電部２２ａを介してヒートシ
ンク２０と樹脂基板１０の配線パターン１２が電気的に
導通されていることが特徴である。導電部２２ａはヒー
トシンク２０上で任意に配置して形成することが可能で
あり、樹脂基板１０に設けた配線パターン１２に容易に
位置合わせして形成できるという利点がある。また、導
電部２２は接着剤層１８の内部に設けているから半導体
チップ３０と配線パターン１２とのワイヤボンディング
の妨げになることがないといった効果もある。
ンク付き半導体装置用パッケージに半導体チップ３０を
搭載した状態を示す。図６に示す従来の構成と比較し
て、この実施形態の半導体装置は接着剤層１８の内部に
導電部２２ａが形成され導電部２２ａを介してヒートシ
ンク２０と樹脂基板１０の配線パターン１２が電気的に
導通されていることが特徴である。導電部２２ａはヒー
トシンク２０上で任意に配置して形成することが可能で
あり、樹脂基板１０に設けた配線パターン１２に容易に
位置合わせして形成できるという利点がある。また、導
電部２２は接着剤層１８の内部に設けているから半導体
チップ３０と配線パターン１２とのワイヤボンディング
の妨げになることがないといった効果もある。
【００１６】図３は半導体装置用パッケージの製造方法
の第２実施形態を示す。この実施形態では上記第１実施
形態とは逆に、樹脂基板１０の表面、すなわち樹脂基板
１０に設けた配線パターン１２でヒートシンク２０と電
気的に接続する部位に導電性バンプ２２を設け、接着性
樹脂シート１８ａを介してヒートシンク２０と樹脂基板
１０とを一体に接着する際に、導電性バンプ２２の先端
をヒートシンク２０にくい込ませて電気的に接続する。
の第２実施形態を示す。この実施形態では上記第１実施
形態とは逆に、樹脂基板１０の表面、すなわち樹脂基板
１０に設けた配線パターン１２でヒートシンク２０と電
気的に接続する部位に導電性バンプ２２を設け、接着性
樹脂シート１８ａを介してヒートシンク２０と樹脂基板
１０とを一体に接着する際に、導電性バンプ２２の先端
をヒートシンク２０にくい込ませて電気的に接続する。
【００１７】樹脂基板１０に設ける導電性バンプ２２も
第１実施形態と同様に先端が尖った形状に形成し、樹脂
基板１０とヒートシンク２０とを接着する際に先端がヒ
ートシンク２０にくい込むようにする。導電性バンプ２
２は第１実施形態と同様に導電性ぺーストを用いた印刷
法によって任意配置で形成することができる。図３(b)
は第２実施形態で樹脂基板１０とヒートシンク２０とを
一体に接着した状態の断面図である。導電性バンプ２２
は先端がヒートシンク２０にくい込み、断面形状が台形
状となっている。
第１実施形態と同様に先端が尖った形状に形成し、樹脂
基板１０とヒートシンク２０とを接着する際に先端がヒ
ートシンク２０にくい込むようにする。導電性バンプ２
２は第１実施形態と同様に導電性ぺーストを用いた印刷
法によって任意配置で形成することができる。図３(b)
は第２実施形態で樹脂基板１０とヒートシンク２０とを
一体に接着した状態の断面図である。導電性バンプ２２
は先端がヒートシンク２０にくい込み、断面形状が台形
状となっている。
【００１８】図４は半導体装置用パッケージの製造方法
の第３実施形態を示す。この実施形態では、まずヒート
シンク２０の表面で樹脂基板１０と接着する範囲に接着
性樹脂シート１８ａを貼着し、接着性樹脂シート１８ａ
にヒートシンク２０の表面まで通じる接続孔を設け、こ
の接続孔に導電性ぺースト（樹脂のバインダ中に導電性
粒子を混入したもの）を充填して導電部２４を形成する
（図４(a))。導電部２４はヒートシンク２０と電気的に
接続する配線パターン１２の位置に合わせて形成する。
なお、導電性ペーストを充填するかわりに、接続孔には
んだボールを充填してはんだで導電部２４を形成する方
法、銅、ニッケル、金等のめっきによって導電部２４を
形成する方法が可能である。
の第３実施形態を示す。この実施形態では、まずヒート
シンク２０の表面で樹脂基板１０と接着する範囲に接着
性樹脂シート１８ａを貼着し、接着性樹脂シート１８ａ
にヒートシンク２０の表面まで通じる接続孔を設け、こ
の接続孔に導電性ぺースト（樹脂のバインダ中に導電性
粒子を混入したもの）を充填して導電部２４を形成する
（図４(a))。導電部２４はヒートシンク２０と電気的に
接続する配線パターン１２の位置に合わせて形成する。
なお、導電性ペーストを充填するかわりに、接続孔には
んだボールを充填してはんだで導電部２４を形成する方
法、銅、ニッケル、金等のめっきによって導電部２４を
形成する方法が可能である。
【００１９】次いで、接着性樹脂シート１８ａを介し
て、樹脂基板１０とヒートシンク２０とを位置合わせし
て一体に接着し、導電部２４によりヒートシンク２０と
樹脂基板１０の配線パターン１２とを電気的に接続して
半導体装置用パッケージを得る。この場合、配線パター
ン１２とヒートシンク２０との電気的接続を確実にする
ため、導電部２４の表面が接着性樹脂シ−ト１８ａの表
面よりもやや突出するバンプ状に形成してもよい。
て、樹脂基板１０とヒートシンク２０とを位置合わせし
て一体に接着し、導電部２４によりヒートシンク２０と
樹脂基板１０の配線パターン１２とを電気的に接続して
半導体装置用パッケージを得る。この場合、配線パター
ン１２とヒートシンク２０との電気的接続を確実にする
ため、導電部２４の表面が接着性樹脂シ−ト１８ａの表
面よりもやや突出するバンプ状に形成してもよい。
【００２０】図５は半導体装置用パッケージの製造方法
の第４実施形態を示す。この実施形態では、ヒートシン
ク２０の表面で樹脂基板１０と接着する範囲に導電性接
着剤２６を塗布し、樹脂基板１０については、樹脂基板
１０に設けた配線パターン１２のうちヒートシンク２０
と電気的に接続する部位のみを露出させて、ソルダレジ
スト１４等の保護被膜で被覆する。樹脂基板１０とヒー
トシンク２０とを位置合わせし、導電性接着剤２６を介
して樹脂基板１０とヒートシンク２０とを接着すること
により、樹脂基板１０の配線パターン１２とヒートシン
ク２０とが導電性接着剤２６を介して電気的に接続され
る。
の第４実施形態を示す。この実施形態では、ヒートシン
ク２０の表面で樹脂基板１０と接着する範囲に導電性接
着剤２６を塗布し、樹脂基板１０については、樹脂基板
１０に設けた配線パターン１２のうちヒートシンク２０
と電気的に接続する部位のみを露出させて、ソルダレジ
スト１４等の保護被膜で被覆する。樹脂基板１０とヒー
トシンク２０とを位置合わせし、導電性接着剤２６を介
して樹脂基板１０とヒートシンク２０とを接着すること
により、樹脂基板１０の配線パターン１２とヒートシン
ク２０とが導電性接着剤２６を介して電気的に接続され
る。
【００２１】樹脂基板１０でヒートシンク２０と電気的
に接続する配線パターン１２の部位を露出させてソルダ
レジスト１４で被覆するには、配線パターン１２が形成
された樹脂基板１０の表面を感光性ソルダレジストで被
覆した後、感光性ソルダレジストを所定のパターンで露
光、現像する方法によればよい。なお、外部接続端子と
してリードピン１６を使用する場合はピン装着孔１７に
ソルダレジスト１４がはいり込まないようにして被覆す
る。樹脂基板１０とヒートシンク２０とを導電性接着剤
２６で接着すると、導電性接着剤２６がソルダレジスト
１４が除去された開口部にはいり込み、ヒートシンク２
０と配線パターン１２とが電気的に接続されてヒートシ
ンク２０と樹脂基板１０が接着される。
に接続する配線パターン１２の部位を露出させてソルダ
レジスト１４で被覆するには、配線パターン１２が形成
された樹脂基板１０の表面を感光性ソルダレジストで被
覆した後、感光性ソルダレジストを所定のパターンで露
光、現像する方法によればよい。なお、外部接続端子と
してリードピン１６を使用する場合はピン装着孔１７に
ソルダレジスト１４がはいり込まないようにして被覆す
る。樹脂基板１０とヒートシンク２０とを導電性接着剤
２６で接着すると、導電性接着剤２６がソルダレジスト
１４が除去された開口部にはいり込み、ヒートシンク２
０と配線パターン１２とが電気的に接続されてヒートシ
ンク２０と樹脂基板１０が接着される。
【００２２】なお、上記実施形態では、外部接続端子と
してリードピンを用いる製品について説明したが、外部
接続端子はリードピンに限らず、ＰＢＧＡのようなボー
ルバンプを用いるものについても同様に適用することが
できる。また、本発明はプリント基板等の樹脂基板をパ
ッケージ本体に用いるものに適用して好適な熱放散性を
得ることができ、製造コストを低減させることができる
が、パッケージ本体にセラミック回路基板を用いるヒー
トシンク付きの半導体装置用パッケージに適用すること
も可能である。
してリードピンを用いる製品について説明したが、外部
接続端子はリードピンに限らず、ＰＢＧＡのようなボー
ルバンプを用いるものについても同様に適用することが
できる。また、本発明はプリント基板等の樹脂基板をパ
ッケージ本体に用いるものに適用して好適な熱放散性を
得ることができ、製造コストを低減させることができる
が、パッケージ本体にセラミック回路基板を用いるヒー
トシンク付きの半導体装置用パッケージに適用すること
も可能である。
【００２３】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置用パッケージ
は、上述したように、ヒートシンクと樹脂基板との電気
的接続がヒートシンクと樹脂基板とを接着する接着剤層
の部分でのみなされていることにより、パッケージが簡
素に構成され、半導体チップと配線パターンとの接続が
容易に可能になる。また、本発明に係る半導体パッケー
ジの製造方法によれば、ヒートシンクと樹脂基板の配線
パターンとの電気的接続が容易であり、また樹脂基板と
ヒートシンクとを接着する操作のみで同時に樹脂基板の
配線パターンとヒートシンクとが電気的に接続でき、製
造工程を短縮して製造コストを効果的に引き下げること
が可能になる等の著効を奏する。
は、上述したように、ヒートシンクと樹脂基板との電気
的接続がヒートシンクと樹脂基板とを接着する接着剤層
の部分でのみなされていることにより、パッケージが簡
素に構成され、半導体チップと配線パターンとの接続が
容易に可能になる。また、本発明に係る半導体パッケー
ジの製造方法によれば、ヒートシンクと樹脂基板の配線
パターンとの電気的接続が容易であり、また樹脂基板と
ヒートシンクとを接着する操作のみで同時に樹脂基板の
配線パターンとヒートシンクとが電気的に接続でき、製
造工程を短縮して製造コストを効果的に引き下げること
が可能になる等の著効を奏する。
【図１】半導体装置用パッケージの製造方法の第１実施
形態を示す説明図である。
形態を示す説明図である。
【図２】第１実施形態で得られた半導体装置用パッケー
ジに半導体素子を搭載した半導体装置の断面図である。
ジに半導体素子を搭載した半導体装置の断面図である。
【図３】半導体装置用パッケージの製造方法の第２実施
形態を示す説明図である。
形態を示す説明図である。
【図４】半導体装置用パッケージの製造方法の第３実施
形態を示す説明図である。
形態を示す説明図である。
【図５】半導体装置用パッケージの製造方法の第４実施
形態を示す説明図である。
形態を示す説明図である。
【図６】半導体装置用パッケージの従来例の構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図７】半導体装置用パッケージの従来の製造方法を示
す説明図である。
す説明図である。
１０ 樹脂基板
１２ 配線パターン
１４ ソルダレジスト
１６ リードピン
１７ ピン装着孔
１８ 接着剤層
１８ａ 接着性樹脂シート
２０ ヒートシンク
２２ 導電性バンプ
２２ａ 導電部
２４ 導電部
２６ 導電性接着剤
３０ 半導体チップ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/12
H01L 23/40
H05K 1/02
Claims (7)
- 【請求項１】 パッケージ本体に電気的絶縁性を有する
接着剤層を介してヒートシンクを一体に接着して成る半
導体装置用パッケージにおいて、 前記パッケージ本体の前記ヒートシンクとの接着面に、
配線パターンが設けられると共に、 前記接着剤層に、当該接着剤層を厚さ方向に貫通する導
電部が設けられ、 該導電部により、前記パッケージ本体の前記ヒートシン
クとの接着面に形成された配線パターンと前記ヒートシ
ンクとが、電気的に接続されていることを特徴とする半
導体装置用パッケージ。 - 【請求項２】 前記導電部が、先端が尖鋭に形成された
導電性バンプの先端部を前記配線パターンにくい込ませ
て形成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体装
置用パッケージ。 - 【請求項３】 前記導電部が、先端が尖鋭に形成された
導電性バンプの先端部を前記ヒートシンクにくい込ませ
て形成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体装
置用パッケージ。 - 【請求項４】 前記導電部が、前記接着剤層に貫通して
設けた接続孔に充填された導電性ペースト、めっき又は
はんだにより形成されたことを特徴とする請求項１記載
の半導体装置用パッケージ。 - 【請求項５】 パッケージ本体に接着剤層を介してヒー
トシンクを一体に接着して成る半導体装置用パッケージ
の製造方法において、 前記ヒートシンクの前記パッケージ本体に対向する面
に、先端を尖鋭に形成した導電性バンプを設け、 前記パッケージ本体と前記ヒートシンクとを位置合わせ
するとともに、前記パッケージ本体と前記ヒートシンク
との間に電気的絶縁性を有する接着性樹脂シートを介在
させて加圧し、 前記導電性バンプにより前記接着性樹脂シートを貫通さ
せるとともに、導電性バンプの先端部を前記パッケージ
本体に形成した配線パターンにくい込ませることによ
り、該配線パターンと前記ヒートシンクとを電気的に接
続することを特徴とする半導体装置用パッケージの製造
方法。 - 【請求項６】 パッケージ本体に接着剤層を介してヒー
トシンクを一体に接着して成る半導体装置用パッケージ
の製造方法において、 前記パッケージ本体に形成した配線パターンの前記ヒー
トシンクに対向する面に、先端を尖鋭に形成した導電性
バンプを設け、 前記パッケージ本体と前記ヒートシンクとを位置合わせ
するとともに、前記パッケージ本体と前記ヒートシンク
との間に電気的絶縁性を有する接着性樹脂シートを介在
させて加圧し、 前記導電性バンプにより前記接着性樹脂シートを貫通さ
せるとともに、導電性バンプの先端部を前記ヒートシン
クにくい込ませることにより、前記配線パターンと前記
ヒートシンクとを電気的に接続することを特徴とする半
導体装置用パッケージの製造方法。 - 【請求項７】 パッケージ本体に接着剤層を介してヒー
トシンクを一体に接着して成る半導体装置用パッケージ
の製造方法において、 前記ヒートシンクの表面に接着剤層を形成し、 該接着剤層に前記ヒートシンクの表面にまで通じる接続
孔を設け、 該接続孔内に導電部を形成した後、 前記パッケージ本体と前記ヒートシンクとを位置合わせ
して前記接着剤層を介して接着し、前記導電部により前
記パッケージ本体に形成した配線パターンと前記ヒート
シンクとを電気的に接続することを特徴とする半導体装
置用パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17118396A JP3527589B2 (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | 半導体装置用パッケージ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17118396A JP3527589B2 (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | 半導体装置用パッケージ及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003434631A Division JP2004104156A (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 半導体装置用パッケージ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022427A JPH1022427A (ja) | 1998-01-23 |
| JP3527589B2 true JP3527589B2 (ja) | 2004-05-17 |
Family
ID=15918551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17118396A Expired - Fee Related JP3527589B2 (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | 半導体装置用パッケージ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3527589B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004349361A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6809261B1 (en) * | 2003-06-23 | 2004-10-26 | Agilent Technologies, Inc. | Physically compact device package |
-
1996
- 1996-07-01 JP JP17118396A patent/JP3527589B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1022427A (ja) | 1998-01-23 |
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