JPH0888248A - フェイスダウンボンディング方法及びそれに用いる接続材料 - Google Patents
フェイスダウンボンディング方法及びそれに用いる接続材料Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子部品の接続用端子電極のピッチを狭く形
成しても不具合を生じないフェイスダウンボンディング
方法及びそれに用いる接続材料を提供する。 【構成】 半導体集積回路１の底面に形成された端子電
極１ａに対応して貫通孔３ｃが形成され、貫通孔３ｃ内
に導電性樹脂３ｂが充填された樹脂シート３ａからなる
接続封止用シート３を半導体集積回路１と回路基板２と
の間に介在させ、端子電極１ａと、導電性樹脂３ｂと、
表面電極２ｂとの位置合わせを行った後、これらを密着
し、樹脂シート３ａを硬化することにより、導電性樹脂
３ｂによって半導体集積回路１の端子電極１ａと回路基
板２上の表面電極２ｂとを導電接続する。 【効果】 接続作業を簡略化することができ、高い信頼
性を得ることができると共に、端子電極１ａの狭ピッチ
化を図ることが可能となる。
成しても不具合を生じないフェイスダウンボンディング
方法及びそれに用いる接続材料を提供する。 【構成】 半導体集積回路１の底面に形成された端子電
極１ａに対応して貫通孔３ｃが形成され、貫通孔３ｃ内
に導電性樹脂３ｂが充填された樹脂シート３ａからなる
接続封止用シート３を半導体集積回路１と回路基板２と
の間に介在させ、端子電極１ａと、導電性樹脂３ｂと、
表面電極２ｂとの位置合わせを行った後、これらを密着
し、樹脂シート３ａを硬化することにより、導電性樹脂
３ｂによって半導体集積回路１の端子電極１ａと回路基
板２上の表面電極２ｂとを導電接続する。 【効果】 接続作業を簡略化することができ、高い信頼
性を得ることができると共に、端子電極１ａの狭ピッチ
化を図ることが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路等の電
子部品を回路基板に導電接続するフェイスダウンボンデ
ィング方法及びそれに用いる接続材料に関するものであ
る。
子部品を回路基板に導電接続するフェイスダウンボンデ
ィング方法及びそれに用いる接続材料に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣ等の電子部品と配線回路基板
との接続方法としてフェイスダウンボンディングが知ら
れている。フェイスダウンボンディングとは、電子部品
の底面に形成されたパッド（接続用端子電極）にバンプ
を設け、このバンプと基板上の電極とを接合剤を介して
接合し、電子部品と基板上の配線とを電気的に接続する
方法である。
との接続方法としてフェイスダウンボンディングが知ら
れている。フェイスダウンボンディングとは、電子部品
の底面に形成されたパッド（接続用端子電極）にバンプ
を設け、このバンプと基板上の電極とを接合剤を介して
接合し、電子部品と基板上の配線とを電気的に接続する
方法である。
【０００３】バンプ形成方法としては、メッキにより形
成する方法、金属ボールを付ける方法、ワイヤーボンダ
ーによりバンプ形成するいわゆるスタッドバンプ等の方
法が用いられている。
成する方法、金属ボールを付ける方法、ワイヤーボンダ
ーによりバンプ形成するいわゆるスタッドバンプ等の方
法が用いられている。
【０００４】また、バンプと基板電極との接合方法とし
ては、導電性樹脂を塗布して硬化させる方法、異方導電
性樹脂を充填して電子部品を加圧しながら硬化させる方
法、基板電極上にクリーム半田印刷や半田ディップによ
り半田を供給し、リフローする方法などがある。
ては、導電性樹脂を塗布して硬化させる方法、異方導電
性樹脂を充填して電子部品を加圧しながら硬化させる方
法、基板電極上にクリーム半田印刷や半田ディップによ
り半田を供給し、リフローする方法などがある。
【０００５】さらに、接合後、信頼性を確保するために
絶縁性の封止樹脂を電子部品と配線回路基板との間に封
入し、ＵＶ加工などにより樹脂を硬化させている。
絶縁性の封止樹脂を電子部品と配線回路基板との間に封
入し、ＵＶ加工などにより樹脂を硬化させている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、バンプ
形成方法のうち、メッキ金属ボールの半田付けは、電子
部品のアルミ（Ａｌ）パット上に幾層ものメタル層をメ
ッキ蒸着等により形成する必要があるため、工程が複雑
になる。また、ワイヤーボンダーによるスタッドバンプ
形成は、工程は簡略であるが、バンプ径が８０μｍ程度
であるため、パッドのピッチを狭くすることが困難であ
った。さらに、封止樹脂を封入する際、電子部品と配線
回路基板との間隔が数十μｍと狭いため、樹脂の流れ込
まない部分が生じてボイドが発生し易く、このボイドに
より接合部及び電子部品の信頼性が著しく低下するとい
う問題点があった。
形成方法のうち、メッキ金属ボールの半田付けは、電子
部品のアルミ（Ａｌ）パット上に幾層ものメタル層をメ
ッキ蒸着等により形成する必要があるため、工程が複雑
になる。また、ワイヤーボンダーによるスタッドバンプ
形成は、工程は簡略であるが、バンプ径が８０μｍ程度
であるため、パッドのピッチを狭くすることが困難であ
った。さらに、封止樹脂を封入する際、電子部品と配線
回路基板との間隔が数十μｍと狭いため、樹脂の流れ込
まない部分が生じてボイドが発生し易く、このボイドに
より接合部及び電子部品の信頼性が著しく低下するとい
う問題点があった。
【０００７】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、電子
部品の接続用端子電極のピッチを狭く形成しても不具合
を生じないフェイスダウンボンディング方法及びそれに
用いる接続材料を提供することにある。
部品の接続用端子電極のピッチを狭く形成しても不具合
を生じないフェイスダウンボンディング方法及びそれに
用いる接続材料を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために請求項１では、回路基板に電子部品を導電
接続するフェイスダウンボンディング方法において、前
記電子部品の底面に形成された接続用端子電極に対応し
て貫通孔が形成され、該貫通孔内に導電接続用材料が充
填された所定の樹脂シートを、前記電子部品と回路基板
との間に介在させ、前記電子部品の接続用端子電極と、
前記樹脂シートの導電接続用材料と、前記回路基板上の
接続電極との位置合わせを行った後、前記電子部品と前
記樹脂シートと前記回路基板とを密着し、前記樹脂シー
トを硬化することにより、前記導電接続材料により前記
電子部品の接続用端子と前記回路基板上の接続電極とを
導電接続するフェイスダウンボンディング方法を提案す
る。
成するために請求項１では、回路基板に電子部品を導電
接続するフェイスダウンボンディング方法において、前
記電子部品の底面に形成された接続用端子電極に対応し
て貫通孔が形成され、該貫通孔内に導電接続用材料が充
填された所定の樹脂シートを、前記電子部品と回路基板
との間に介在させ、前記電子部品の接続用端子電極と、
前記樹脂シートの導電接続用材料と、前記回路基板上の
接続電極との位置合わせを行った後、前記電子部品と前
記樹脂シートと前記回路基板とを密着し、前記樹脂シー
トを硬化することにより、前記導電接続材料により前記
電子部品の接続用端子と前記回路基板上の接続電極とを
導電接続するフェイスダウンボンディング方法を提案す
る。
【０００９】また、請求項２では、回路基板に電子部品
を導電接続するフェイスダウンボンディングに用いる接
続材料であって、前記電子部品の底面に形成された接続
用端子電極に対応して貫通孔が形成された樹脂シート
と、前記貫通孔内に充填された導電接続用材料とからな
るフェイスダウンボンディングに用いる接続材料を提案
する。
を導電接続するフェイスダウンボンディングに用いる接
続材料であって、前記電子部品の底面に形成された接続
用端子電極に対応して貫通孔が形成された樹脂シート
と、前記貫通孔内に充填された導電接続用材料とからな
るフェイスダウンボンディングに用いる接続材料を提案
する。
【００１０】また、請求項３では、請求項２記載のフェ
イスダウンボンディングに用いる接続材料において、前
記樹脂シートは熱硬化型樹脂からなるフェイスダウンボ
ンディングに用いる接続材料を提案する。
イスダウンボンディングに用いる接続材料において、前
記樹脂シートは熱硬化型樹脂からなるフェイスダウンボ
ンディングに用いる接続材料を提案する。
【００１１】また、請求項４では、請求項２記載のフェ
イスダウンボンディングに用いる接続材料において、前
記樹脂シートは紫外線硬化型樹脂からなるフェイスダウ
ンボンディングに用いる接続材料を提案する。
イスダウンボンディングに用いる接続材料において、前
記樹脂シートは紫外線硬化型樹脂からなるフェイスダウ
ンボンディングに用いる接続材料を提案する。
【００１２】また、請求項５では、請求項２記載のフェ
イスダウンボンディングに用いる接続材料において、前
記導電接続用材料は導電性樹脂であるフェイスダウンボ
ンディングに用いる接続材料を提案する。
イスダウンボンディングに用いる接続材料において、前
記導電接続用材料は導電性樹脂であるフェイスダウンボ
ンディングに用いる接続材料を提案する。
【００１３】また、請求項６では、請求項２記載のフェ
イスダウンボンディングに用いる接続材料において、前
記導電接続用材料は金（Ａｕ）メッキにより充填されて
いるフェイスダウンボンディングに用いる接続材料を提
案する。
イスダウンボンディングに用いる接続材料において、前
記導電接続用材料は金（Ａｕ）メッキにより充填されて
いるフェイスダウンボンディングに用いる接続材料を提
案する。
【００１４】また、請求項７では、請求項２記載のフェ
イスダウンボンディングに用いる接続材料において、前
記導電接続用材料は金属粒子であるフェイスダウンボン
ディングに用いる接続材料を提案する。
イスダウンボンディングに用いる接続材料において、前
記導電接続用材料は金属粒子であるフェイスダウンボン
ディングに用いる接続材料を提案する。
【００１５】
【作用】本発明の請求項１によれば、電子部品の底面に
形成された接続用端子電極に対応して貫通孔が形成さ
れ、該貫通孔内に導電接続用材料が充填された所定の樹
脂シートが、前記電子部品と回路基板との間に介在さ
れ、前記電子部品の接続用端子電極と、前記樹脂シート
の導電接続用材料と、前記回路基板上の接続電極との位
置合わせが行われた後、前記電子部品と前記樹脂シート
と前記回路基板とが密着され、前記樹脂シートが硬化さ
れる。これにより、前記樹脂シートによって前記電子部
品と前記回路基板とが接着されると共に、前記導電接続
材料により前記電子部品の接続用端子と前記回路基板上
の接続電極とが導電接続される。
形成された接続用端子電極に対応して貫通孔が形成さ
れ、該貫通孔内に導電接続用材料が充填された所定の樹
脂シートが、前記電子部品と回路基板との間に介在さ
れ、前記電子部品の接続用端子電極と、前記樹脂シート
の導電接続用材料と、前記回路基板上の接続電極との位
置合わせが行われた後、前記電子部品と前記樹脂シート
と前記回路基板とが密着され、前記樹脂シートが硬化さ
れる。これにより、前記樹脂シートによって前記電子部
品と前記回路基板とが接着されると共に、前記導電接続
材料により前記電子部品の接続用端子と前記回路基板上
の接続電極とが導電接続される。
【００１６】また、請求項２によれば、電子部品の底面
に形成された接続用端子電極に対応して貫通孔が形成さ
れた樹脂シートと、該貫通孔内に充填された導電接続用
材料とからフェイスダウンボンディングに用いる接続材
料が構成される。この接続材料を用いてフェイスダウン
ボンディングを行う際には、前記接続材料を電子部品と
回路基板との間に介在させ、前記電子部品の接続用端子
電極と、前記樹脂シートの導電接続用材料と、前記回路
基板上の接続電極との位置合わせを行った後、前記電子
部品と前記樹脂シートと前記回路基板とを密着し、前記
樹脂シートを硬化する。これにより、前記樹脂シートに
よって前記電子部品と前記回路基板とが接着されると共
に、前記導電接続材料により前記電子部品の接続用端子
と前記回路基板上の接続電極とが導電接続される。
に形成された接続用端子電極に対応して貫通孔が形成さ
れた樹脂シートと、該貫通孔内に充填された導電接続用
材料とからフェイスダウンボンディングに用いる接続材
料が構成される。この接続材料を用いてフェイスダウン
ボンディングを行う際には、前記接続材料を電子部品と
回路基板との間に介在させ、前記電子部品の接続用端子
電極と、前記樹脂シートの導電接続用材料と、前記回路
基板上の接続電極との位置合わせを行った後、前記電子
部品と前記樹脂シートと前記回路基板とを密着し、前記
樹脂シートを硬化する。これにより、前記樹脂シートに
よって前記電子部品と前記回路基板とが接着されると共
に、前記導電接続材料により前記電子部品の接続用端子
と前記回路基板上の接続電極とが導電接続される。
【００１７】また、請求項３によれば、前記樹脂シート
に熱を加えることによって、前記樹脂シートが硬化し、
前記電子部品と回路基板とが接着される。
に熱を加えることによって、前記樹脂シートが硬化し、
前記電子部品と回路基板とが接着される。
【００１８】また、請求項４によれば、前記樹脂シート
に紫外線を照射することによって、前記樹脂シートが硬
化し、前記電子部品と回路基板とが接着される。
に紫外線を照射することによって、前記樹脂シートが硬
化し、前記電子部品と回路基板とが接着される。
【００１９】また、請求項５によれば、貫通孔内に充填
された導電性樹脂により前記電子部品の接続用端子と前
記回路基板上の接続電極とが導電接続される。
された導電性樹脂により前記電子部品の接続用端子と前
記回路基板上の接続電極とが導電接続される。
【００２０】また、請求項６によれば、貫通孔内に充填
された金により前記電子部品の接続用端子と前記回路基
板上の接続電極とが導電接続される。
された金により前記電子部品の接続用端子と前記回路基
板上の接続電極とが導電接続される。
【００２１】また、請求項７によれば、貫通孔内に充填
された金属粒子が前記電子部品の接続端子と前記回路基
板の接続電極とに接触して、前記電子部品の接続用端子
と前記回路基板上の接続電極とが導電接続される。
された金属粒子が前記電子部品の接続端子と前記回路基
板の接続電極とに接触して、前記電子部品の接続用端子
と前記回路基板上の接続電極とが導電接続される。
【００２２】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。図１は、本発明の第１の実施例を説明する図、
図２は第１の実施例において接続された回路基板と電子
部品の要部を示す図である。図において、１は半導体集
積回路（ＩＣ）で、その底面には複数の接続用の端子電
極１ａが形成されている。２は回路基板で、積層基板か
らなり、その表面には半導体集積回路１の端子電極１ａ
に対応した位置に、基板内部の導体パターン２ａに接続
された表面電極２ｂが形成されている。
明する。図１は、本発明の第１の実施例を説明する図、
図２は第１の実施例において接続された回路基板と電子
部品の要部を示す図である。図において、１は半導体集
積回路（ＩＣ）で、その底面には複数の接続用の端子電
極１ａが形成されている。２は回路基板で、積層基板か
らなり、その表面には半導体集積回路１の端子電極１ａ
に対応した位置に、基板内部の導体パターン２ａに接続
された表面電極２ｂが形成されている。
【００２３】３はフェイスダウンボンディング用の接続
材料となる接続封止用シートで、所定の厚さを有する熱
硬化型の樹脂シート３ａと導電性樹脂３ｂとから構成さ
れ、導電性樹脂３ｂは、半導体集積回路１の端子電極１
ａに対応して樹脂シート３ａに形成された貫通孔３ｃ内
に充填されている。
材料となる接続封止用シートで、所定の厚さを有する熱
硬化型の樹脂シート３ａと導電性樹脂３ｂとから構成さ
れ、導電性樹脂３ｂは、半導体集積回路１の端子電極１
ａに対応して樹脂シート３ａに形成された貫通孔３ｃ内
に充填されている。
【００２４】本実施例における接続封止用シート３の製
造方法は次の通りである。即ち、図３に示すように、光
吸収率の悪いベースフィルム４上にエポキシ系樹脂を３
０μｍの厚さに塗布した後、溶剤を飛ばした樹脂シート
３ａと、光吸収率の良いフィルム６を順に重ねる。これ
にレーザー光７を照射し、樹脂シート３ａ及びフィルム
６を貫通する直径５０μｍの穴８をあける。
造方法は次の通りである。即ち、図３に示すように、光
吸収率の悪いベースフィルム４上にエポキシ系樹脂を３
０μｍの厚さに塗布した後、溶剤を飛ばした樹脂シート
３ａと、光吸収率の良いフィルム６を順に重ねる。これ
にレーザー光７を照射し、樹脂シート３ａ及びフィルム
６を貫通する直径５０μｍの穴８をあける。
【００２５】次に、この上に導電性樹脂ペースト９をの
せ、スキージ１０を用いて、Ａｇ−Ｐｄ又はＮｉとエポ
キシ系接着剤とを混合した導電性樹脂ペースト９を穴８
へ充填して電極１１を形成する。最後に、上下のフィル
ム４，６を剥して、接続封止用シート３ができあがる。
せ、スキージ１０を用いて、Ａｇ−Ｐｄ又はＮｉとエポ
キシ系接着剤とを混合した導電性樹脂ペースト９を穴８
へ充填して電極１１を形成する。最後に、上下のフィル
ム４，６を剥して、接続封止用シート３ができあがる。
【００２６】半導体集積回路１を回路基板２上にフェイ
スダウンボンディングによって実装する際には、半導体
集積回路１と回路基板２との間に接続封止用シート３を
挟み、半導体集積回路１の端子電極１ａと接続封止用シ
ート３の電極１１と回路基板２の表面電極２ｂとの位置
合わせをして、この接続封止用シート３を介して回路基
板２と半導体集積回路１とを仮接着する。
スダウンボンディングによって実装する際には、半導体
集積回路１と回路基板２との間に接続封止用シート３を
挟み、半導体集積回路１の端子電極１ａと接続封止用シ
ート３の電極１１と回路基板２の表面電極２ｂとの位置
合わせをして、この接続封止用シート３を介して回路基
板２と半導体集積回路１とを仮接着する。
【００２７】次に、１５０℃の温度で１時間の焼き付け
を行うことにより、半導体集積回路１と回路基板２との
接合封止が行われる。
を行うことにより、半導体集積回路１と回路基板２との
接合封止が行われる。
【００２８】この方法では、バンプを形成する必要がな
く、接続作業を簡略化することができ、また接続封止用
シート３の樹脂シート３ａが封止樹脂となるので、封止
樹脂も緻密でボイドの無い膜となり、高い信頼性を得る
ことができると共に、半導体集積回路１の端子電極１ａ
の狭ピッチ化を図ることが可能となる。
く、接続作業を簡略化することができ、また接続封止用
シート３の樹脂シート３ａが封止樹脂となるので、封止
樹脂も緻密でボイドの無い膜となり、高い信頼性を得る
ことができると共に、半導体集積回路１の端子電極１ａ
の狭ピッチ化を図ることが可能となる。
【００２９】また、仮接着状態で検査を行い、不良な半
導体集積回路１は接続封止用シート３ごと剥して交換す
ることも可能であり、リペア性に優れている。さらに、
樹脂シート３ａとして熱硬化型の樹脂を使用しているの
で、回路基板２が透明でなくても内部まで完全に硬化さ
せることができる。
導体集積回路１は接続封止用シート３ごと剥して交換す
ることも可能であり、リペア性に優れている。さらに、
樹脂シート３ａとして熱硬化型の樹脂を使用しているの
で、回路基板２が透明でなくても内部まで完全に硬化さ
せることができる。
【００３０】尚、第１の実施例では、接続封止用シート
３の樹脂シート３ａとして熱硬化性のものを使用した
が、紫外線硬化型のものであっても良い。樹脂シート３
ａを紫外線硬化型の樹脂、例えばアクリル系の樹脂によ
って形成したものは、熱を加えられない半導体集積回路
１、回路基板２を接続する際に用いることができ、樹脂
の硬化時間も熱硬化型に比べると短時間となる。
３の樹脂シート３ａとして熱硬化性のものを使用した
が、紫外線硬化型のものであっても良い。樹脂シート３
ａを紫外線硬化型の樹脂、例えばアクリル系の樹脂によ
って形成したものは、熱を加えられない半導体集積回路
１、回路基板２を接続する際に用いることができ、樹脂
の硬化時間も熱硬化型に比べると短時間となる。
【００３１】次に、本発明の第２の実施例を説明する。
第２の実施例では、図４に示すように、接続封止用シー
ト１２は、熱硬化型の樹脂シート３ａの穴８に、メッキ
によりＡｕ電極１３が形成されている。
第２の実施例では、図４に示すように、接続封止用シー
ト１２は、熱硬化型の樹脂シート３ａの穴８に、メッキ
によりＡｕ電極１３が形成されている。
【００３２】また、本実施例では、半導体集積回路１を
回路基板２上にフェイスダウンボンディングによって実
装する際に、この接続封止用シート１２を予め半導体集
積回路１側に接着した状態で、回路基板２に実装した。
この後、１５０℃の温度で１時間の焼き付けを行うこと
により、半導体集積回路１と回路基板２との接合封止が
行われる。このとき、Ａｕ電極１３と端子電極１ａ及び
表面電極２ｂとは、樹脂シート３ａの硬化収縮による応
力によって機械的に押しつけられて導電接続される。
回路基板２上にフェイスダウンボンディングによって実
装する際に、この接続封止用シート１２を予め半導体集
積回路１側に接着した状態で、回路基板２に実装した。
この後、１５０℃の温度で１時間の焼き付けを行うこと
により、半導体集積回路１と回路基板２との接合封止が
行われる。このとき、Ａｕ電極１３と端子電極１ａ及び
表面電極２ｂとは、樹脂シート３ａの硬化収縮による応
力によって機械的に押しつけられて導電接続される。
【００３３】前述した第２の実施例によれば、接続封止
用シート１２の電極はＡｕメッキによって形成されてい
るので、金属成分だけであり、第１の実施例に比べると
接続抵抗が非常に低くなると共に、マイグレーションの
心配がないため端子電極１ａの狭ピッチ化が可能であ
り、さらに高信頼性を確保できるという利点を有する。
用シート１２の電極はＡｕメッキによって形成されてい
るので、金属成分だけであり、第１の実施例に比べると
接続抵抗が非常に低くなると共に、マイグレーションの
心配がないため端子電極１ａの狭ピッチ化が可能であ
り、さらに高信頼性を確保できるという利点を有する。
【００３４】次に、本発明の第３の実施例を説明する。
第３の実施例では、図５に示すように、接続封止用シー
ト１４は、熱硬化型の樹脂シート３ａの穴８に、金属粒
子１５が充填されている。穴８への金属粒子１５の充填
は、穴８をあけた樹脂シート３ａに多数の金属粒子１５
を乗せ、振動させて穴８に金属粒子１５を入れ、この
後、樹脂シート３ａを傾けて余分な金属粒子を取り除く
ことにより行われる。
第３の実施例では、図５に示すように、接続封止用シー
ト１４は、熱硬化型の樹脂シート３ａの穴８に、金属粒
子１５が充填されている。穴８への金属粒子１５の充填
は、穴８をあけた樹脂シート３ａに多数の金属粒子１５
を乗せ、振動させて穴８に金属粒子１５を入れ、この
後、樹脂シート３ａを傾けて余分な金属粒子を取り除く
ことにより行われる。
【００３５】本実施例では、半導体集積回路１を回路基
板２上にフェイスダウンボンディングによって実装する
際に、この接続封止用シート１４を予め回路基板２側に
接着した状態で、回路基板２上に半導体集積回路１を実
装した。この後、１５０℃の温度で１時間の焼き付けを
行うことにより、半導体集積回路１と回路基板２との接
合封止が行われる。このとき、金属粒子１５と端子電極
１ａ及び表面電極２ｂとは、樹脂シート３ａの硬化収縮
による応力によって機械的に押しつけられて導電接続さ
れる。
板２上にフェイスダウンボンディングによって実装する
際に、この接続封止用シート１４を予め回路基板２側に
接着した状態で、回路基板２上に半導体集積回路１を実
装した。この後、１５０℃の温度で１時間の焼き付けを
行うことにより、半導体集積回路１と回路基板２との接
合封止が行われる。このとき、金属粒子１５と端子電極
１ａ及び表面電極２ｂとは、樹脂シート３ａの硬化収縮
による応力によって機械的に押しつけられて導電接続さ
れる。
【００３６】前述した第３の実施例によれば、接続封止
用シート１２の電極は金属粒子１５によって形成されて
いるので、金属成分だけであり、第１の実施例に比べる
と接続抵抗が非常に低くなるという利点を有する。
用シート１２の電極は金属粒子１５によって形成されて
いるので、金属成分だけであり、第１の実施例に比べる
と接続抵抗が非常に低くなるという利点を有する。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１に
よれば、樹脂シートによって電子部品と回路基板とが接
着されると共に、導電接続材料により前記電子部品の接
続用端子と前記回路基板上の接続電極とが導電接続され
るので、従来のようにバンプを形成する必要がなく、接
続作業を簡略化することができ、また樹脂シートが封止
樹脂となるので、封止樹脂も緻密でボイドの無い膜とな
り、高い信頼性を得ることができると共に、前記電子部
品の接続用端子の狭ピッチ化を図ることが可能となる。
よれば、樹脂シートによって電子部品と回路基板とが接
着されると共に、導電接続材料により前記電子部品の接
続用端子と前記回路基板上の接続電極とが導電接続され
るので、従来のようにバンプを形成する必要がなく、接
続作業を簡略化することができ、また樹脂シートが封止
樹脂となるので、封止樹脂も緻密でボイドの無い膜とな
り、高い信頼性を得ることができると共に、前記電子部
品の接続用端子の狭ピッチ化を図ることが可能となる。
【００３８】また、請求項２によれば、電子部品と回路
基板との間に接続材料を介在させるだけで、前記接続材
料の樹脂シートによって前記電子部品と回路基板とが接
着されると共に、導電接続材料により前記電子部品の接
続用端子と前記回路基板上の接続電極とが導電接続され
るので、従来のようにバンプを形成する必要がなく、接
続作業を簡略化することができ、また樹脂シートが封止
樹脂となるので、封止樹脂も緻密でボイドの無い膜とな
り、高い信頼性を得ることができると共に、前記電子部
品の接続用端子の狭ピッチ化を図ることが可能となる。
基板との間に接続材料を介在させるだけで、前記接続材
料の樹脂シートによって前記電子部品と回路基板とが接
着されると共に、導電接続材料により前記電子部品の接
続用端子と前記回路基板上の接続電極とが導電接続され
るので、従来のようにバンプを形成する必要がなく、接
続作業を簡略化することができ、また樹脂シートが封止
樹脂となるので、封止樹脂も緻密でボイドの無い膜とな
り、高い信頼性を得ることができると共に、前記電子部
品の接続用端子の狭ピッチ化を図ることが可能となる。
【００３９】また、請求項３によれば、上記の効果に加
えて、前記樹脂シートに熱を加えることによって、前記
樹脂シートが硬化し、前記電子部品と回路基板とが接着
されるので、回路基板が透明でなくても内部まで完全に
硬化させることができる。
えて、前記樹脂シートに熱を加えることによって、前記
樹脂シートが硬化し、前記電子部品と回路基板とが接着
されるので、回路基板が透明でなくても内部まで完全に
硬化させることができる。
【００４０】また、請求項４によれば、上記の効果に加
えて、前記樹脂シートに紫外線を照射することによっ
て、前記樹脂シートが硬化し、前記電子部品と回路基板
とが接着されるので、熱を加えられない電子部品や回路
基板を接続する際に用いることができ、樹脂の硬化時間
も熱硬化型に比べると短時間となる。
えて、前記樹脂シートに紫外線を照射することによっ
て、前記樹脂シートが硬化し、前記電子部品と回路基板
とが接着されるので、熱を加えられない電子部品や回路
基板を接続する際に用いることができ、樹脂の硬化時間
も熱硬化型に比べると短時間となる。
【００４１】また、請求項５によれば、上記の効果に加
えて、貫通孔内に充填された導電性樹脂により前記電子
部品の接続用端子と前記回路基板上の接続電極とが導電
接続されるので、前記電子部品の接続用端子の狭ピッチ
化を容易に図ることが可能であり、さらに高信頼性を確
保できるという利点を有する。
えて、貫通孔内に充填された導電性樹脂により前記電子
部品の接続用端子と前記回路基板上の接続電極とが導電
接続されるので、前記電子部品の接続用端子の狭ピッチ
化を容易に図ることが可能であり、さらに高信頼性を確
保できるという利点を有する。
【００４２】また、請求項６によれば、上記の効果に加
えて、貫通孔内に充填された金により前記電子部品の接
続用端子と前記回路基板上の接続電極とが導電接続され
るので、この接続に用いられるのは金属成分だけであ
り、接続抵抗が非常に低くなると共に、マイグレーショ
ンの心配がないため前記電子部品の接続用端子の狭ピッ
チ化が可能であり、さらに高信頼性を確保できるという
利点を有する。
えて、貫通孔内に充填された金により前記電子部品の接
続用端子と前記回路基板上の接続電極とが導電接続され
るので、この接続に用いられるのは金属成分だけであ
り、接続抵抗が非常に低くなると共に、マイグレーショ
ンの心配がないため前記電子部品の接続用端子の狭ピッ
チ化が可能であり、さらに高信頼性を確保できるという
利点を有する。
【００４３】また、請求項７によれば、上記の効果に加
えて、貫通孔内に充填された金属粒子が前記電子部品の
接続端子と前記回路基板の接続電極とに接触して、前記
電子部品の接続用端子と前記回路基板上の接続電極とが
導電接続されるので、この接続に用いられるのは金属成
分だけであり、接続抵抗が非常に低くなるという利点を
有する。
えて、貫通孔内に充填された金属粒子が前記電子部品の
接続端子と前記回路基板の接続電極とに接触して、前記
電子部品の接続用端子と前記回路基板上の接続電極とが
導電接続されるので、この接続に用いられるのは金属成
分だけであり、接続抵抗が非常に低くなるという利点を
有する。
【図１】本発明の第１の実施例を説明する図
【図２】第１の実施例における接続の要部を示す図
【図３】第１の実施例における接続封止用シートの製造
手順を説明する図
手順を説明する図
【図４】本発明の第２の実施例を説明する図
【図５】本発明の第３の実施例を説明する図
１…半導体集積回路、１ａ…端子電極、２…回路基板、
２ａ…導体パターン、２ｂ…表面電極、３…接続封止用
シート、３ａ…樹脂シート、３ｂ…導電性樹脂、４…ベ
ースフィルム、６…フィルム、７…レーザ光、８…穴、
９…導電性樹脂ペースト、１０…スキージ、１１…電
極、１２…接続封止用シート、１３…Ａｕ電極、１４…
接続封止用シート、１５…金属粒子。
２ａ…導体パターン、２ｂ…表面電極、３…接続封止用
シート、３ａ…樹脂シート、３ｂ…導電性樹脂、４…ベ
ースフィルム、６…フィルム、７…レーザ光、８…穴、
９…導電性樹脂ペースト、１０…スキージ、１１…電
極、１２…接続封止用シート、１３…Ａｕ電極、１４…
接続封止用シート、１５…金属粒子。
Claims (7)
- 【請求項１】 回路基板に電子部品を導電接続するフェ
イスダウンボンディング方法において、 前記電子部品の底面に形成された接続用端子電極に対応
して貫通孔が形成され、該貫通孔内に導電接続用材料が
充填された所定の樹脂シートを、 前記電子部品と回路基板との間に介在させ、 前記電子部品の接続用端子電極と、前記樹脂シートの導
電接続用材料と、前記回路基板上の接続電極との位置合
わせを行った後、 前記電子部品と前記樹脂シートと前記回路基板とを密着
し、 前記樹脂シートを硬化することにより、前記導電接続材
料により前記電子部品の接続用端子と前記回路基板上の
接続電極とを導電接続することを特徴とするフェイスダ
ウンボンディング方法。 - 【請求項２】 回路基板に電子部品を導電接続するフェ
イスダウンボンディングに用いる接続材料であって、 前記電子部品の底面に形成された接続用端子電極に対応
して貫通孔が形成された樹脂シートと、 前記貫通孔内に充填された導電接続用材料とからなるこ
とを特徴とするフェイスダウンボンディングに用いる接
続材料。 - 【請求項３】 前記樹脂シートは熱硬化型樹脂からなる
ことを特徴とする請求項２記載のフェイスダウンボンデ
ィングに用いる接続材料。 - 【請求項４】 前記樹脂シートは紫外線硬化型樹脂から
なることを特徴とする請求項２記載のフェイスダウンボ
ンディングに用いる接続材料。 - 【請求項５】 前記導電接続用材料は導電性樹脂である
ことを特徴とする請求項２記載のフェイスダウンボンデ
ィングに用いる接続材料。 - 【請求項６】 前記導電接続用材料は金（Ａｕ）メッキ
により充填されていることを特徴とする請求項２記載の
フェイスダウンボンディングに用いる接続材料。 - 【請求項７】 前記導電接続用材料は金属粒子であるこ
とを特徴とする請求項２記載のフェイスダウンボンディ
ングに用いる接続材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6222185A JPH0888248A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | フェイスダウンボンディング方法及びそれに用いる接続材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6222185A JPH0888248A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | フェイスダウンボンディング方法及びそれに用いる接続材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888248A true JPH0888248A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=16778496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6222185A Withdrawn JPH0888248A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | フェイスダウンボンディング方法及びそれに用いる接続材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0888248A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6372547B2 (en) * | 1995-02-23 | 2002-04-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing electronic device with resin layer between chip carrier and circuit wiring board |
| US7459340B2 (en) | 2004-12-14 | 2008-12-02 | Casio Computer Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2010226009A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 半導体チップ実装体、半導体チップ実装体の製造方法および電子機器 |
| WO2015083738A1 (ja) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | 積水化学工業株式会社 | 封止機能付導通材、電気モジュール、電気モジュールの製造方法 |
| WO2016094721A1 (en) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | Qualcomm Incorporated | Integrated device package comprising photo sensitive fill between a substrate and a die |
-
1994
- 1994-09-16 JP JP6222185A patent/JPH0888248A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6372547B2 (en) * | 1995-02-23 | 2002-04-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing electronic device with resin layer between chip carrier and circuit wiring board |
| US7459340B2 (en) | 2004-12-14 | 2008-12-02 | Casio Computer Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2010226009A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 半導体チップ実装体、半導体チップ実装体の製造方法および電子機器 |
| JP4581016B2 (ja) * | 2009-03-25 | 2010-11-17 | 株式会社東芝 | 半導体チップ実装体、半導体チップ実装体の製造方法および電子機器 |
| US8035212B2 (en) | 2009-03-25 | 2011-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor chip mounting body, method of manufacturing semiconductor chip mounting body and electronic device |
| WO2015083738A1 (ja) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | 積水化学工業株式会社 | 封止機能付導通材、電気モジュール、電気モジュールの製造方法 |
| JPWO2015083738A1 (ja) * | 2013-12-03 | 2017-03-16 | 積水化学工業株式会社 | 封止機能付導通材、電気モジュール、電気モジュールの製造方法 |
| WO2016094721A1 (en) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | Qualcomm Incorporated | Integrated device package comprising photo sensitive fill between a substrate and a die |
| US10037941B2 (en) | 2014-12-12 | 2018-07-31 | Qualcomm Incorporated | Integrated device package comprising photo sensitive fill between a substrate and a die |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011120 |