JPH03190238A - 半導体チップおよびそれを用いた実装構造体 - Google Patents
半導体チップおよびそれを用いた実装構造体Info
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- JPH03190238A JPH03190238A JP1330504A JP33050489A JPH03190238A JP H03190238 A JPH03190238 A JP H03190238A JP 1330504 A JP1330504 A JP 1330504A JP 33050489 A JP33050489 A JP 33050489A JP H03190238 A JPH03190238 A JP H03190238A
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-
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- H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロコンピュータ、ゲートアレイ、各種
のドライバIC等の半導体チップおよびそれを用いた実
装構造体に関する。
のドライバIC等の半導体チップおよびそれを用いた実
装構造体に関する。
従来の技術
近年、マイクロコンピュータ、ゲートアレイ。
サーマルヘッドドライバ、液晶ドライバ等の半導体チッ
プの電極は、狭ピッチ化、多電極化の傾向にあり、従来
の半導体チップの実装方式であるワイヤボンディング方
式やフリップチップ方式は、限界に致っている。これを
解決するための手段として、絶縁性光硬化型樹脂接着剤
を用いた半導体チップ実装技術が提案されている。
プの電極は、狭ピッチ化、多電極化の傾向にあり、従来
の半導体チップの実装方式であるワイヤボンディング方
式やフリップチップ方式は、限界に致っている。これを
解決するための手段として、絶縁性光硬化型樹脂接着剤
を用いた半導体チップ実装技術が提案されている。
以下に従来の半導体チップおよびそれを用いた実装構造
体について説明する。
体について説明する。
第3図(a)は従来の突起電極付半導体チップの平面図
、同図(b)はその正面図、第4図は同半導体チップを
用いた従来の実装構造体の製造工程を示す断面図である
。
、同図(b)はその正面図、第4図は同半導体チップを
用いた従来の実装構造体の製造工程を示す断面図である
。
従来の突起電極付半導体チップにおいては、突起電極2
が第3図(a)に示すように辺に沿って配置され、その
形状も同図(b)に示すように全ての突起電極又は同一
であった。
が第3図(a)に示すように辺に沿って配置され、その
形状も同図(b)に示すように全ての突起電極又は同一
であった。
次に第4図(a)〜ω)に示す工程断面図により従来の
突起電極付半導体チップ1を用いた実装構造体の製造方
法について説明する。
突起電極付半導体チップ1を用いた実装構造体の製造方
法について説明する。
まず、第4図(a)に示すように、セラミック、ガラス
等からなる配線基板3を基台4上に設置する。次に配線
基板3上の導体配線5が形成された面に少なくとも紫外
線硬化型樹脂を含む接着樹脂6を塗布する。一般に導体
配線5はクロム−金(Cr−Au)、アルミニウム(A
tり、アイティーオー(ITO)または厚膜Auペース
ト等で構成されている。次に半導体チップ1のAu等よ
りなる突起電極2と導体配線5とを第4図(b)のよう
に一致させて配線基板3の接着樹脂6が塗布された領域
に配置する。次に第4図(C)に示すように、ガラス、
金属等よりなる加圧ツール7で半導体デツプ1を加圧す
る。この時、突起電極2は圧縮変形し、導体配線5上の
接着樹脂6は周囲に押し出され、半導体チップ1の突起
電極2と導体配線5は接触する。この状態で配線基板3
および基台4の裏面または加圧ツール7側より紫外線8
を照射することにより、第4図(d)に示すように、半
導体チップ1が配線基板3へ固着され、突起電極2と導
体配線5とが電気的に接続された構造、すなわち実装構
造体9が得られる。
等からなる配線基板3を基台4上に設置する。次に配線
基板3上の導体配線5が形成された面に少なくとも紫外
線硬化型樹脂を含む接着樹脂6を塗布する。一般に導体
配線5はクロム−金(Cr−Au)、アルミニウム(A
tり、アイティーオー(ITO)または厚膜Auペース
ト等で構成されている。次に半導体チップ1のAu等よ
りなる突起電極2と導体配線5とを第4図(b)のよう
に一致させて配線基板3の接着樹脂6が塗布された領域
に配置する。次に第4図(C)に示すように、ガラス、
金属等よりなる加圧ツール7で半導体デツプ1を加圧す
る。この時、突起電極2は圧縮変形し、導体配線5上の
接着樹脂6は周囲に押し出され、半導体チップ1の突起
電極2と導体配線5は接触する。この状態で配線基板3
および基台4の裏面または加圧ツール7側より紫外線8
を照射することにより、第4図(d)に示すように、半
導体チップ1が配線基板3へ固着され、突起電極2と導
体配線5とが電気的に接続された構造、すなわち実装構
造体9が得られる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の構成では、半導体チップ1を
加圧ツール7で加圧する際、半導体チップ1に加わる応
力の分布は均等にならず、その角部稈強くなるため、突
起電極2が全て同一形状の場合もしくは同一形状に近い
場合には、半導体チップ1の角部に近い突起電極程、圧
縮変形量が大きくなる。したがって第4図(d)に示す
ように半導体チップ1は凸形状に変形して配線基板3に
固着されることになる。この状態では、半導体チップl
には常に復元力が働き、接着樹脂6の経時変化等による
接着力低下時に、半導体チップ1が復元し、突起電極2
と導体配線5との電気的接続が劣化するという信頼性上
の問題点があった。
加圧ツール7で加圧する際、半導体チップ1に加わる応
力の分布は均等にならず、その角部稈強くなるため、突
起電極2が全て同一形状の場合もしくは同一形状に近い
場合には、半導体チップ1の角部に近い突起電極程、圧
縮変形量が大きくなる。したがって第4図(d)に示す
ように半導体チップ1は凸形状に変形して配線基板3に
固着されることになる。この状態では、半導体チップl
には常に復元力が働き、接着樹脂6の経時変化等による
接着力低下時に、半導体チップ1が復元し、突起電極2
と導体配線5との電気的接続が劣化するという信頼性上
の問題点があった。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、半導体チ
ップの主面が配線基板面に平行の状態で接着される半導
体チップおよびそれを用いた実装構造体を提供するもの
である。
ップの主面が配線基板面に平行の状態で接着される半導
体チップおよびそれを用いた実装構造体を提供するもの
である。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の半導体チップおよび
それを用いた実装構造体は半導体チップ上の複数個の突
起電極の面積を前記半導体チップの辺の中央部に近くな
る程または前記半導体チップの中央に近くなる程小さく
したものである。
それを用いた実装構造体は半導体チップ上の複数個の突
起電極の面積を前記半導体チップの辺の中央部に近くな
る程または前記半導体チップの中央に近くなる程小さく
したものである。
作用
この構成によって、実装時の突起電極にががる応力分布
の不均一性をなくし、半導体チップの凸変形を防止する
ことができる。
の不均一性をなくし、半導体チップの凸変形を防止する
ことができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。第1図(a)および(b)は本発明の一実施例
による半導体チップの平面図および正面図、第2図(a
)〜(d)は本発明の一実施例による実装構造体の製造
方法を説明するための図である。なお、第1図、第2図
において、第3図、第4図の箇所と同一箇所には同一番
号を付した。本発明では、半導体チップ1の周辺に配設
する突起電極2の形状を辺の中央部程小さくしている。
明する。第1図(a)および(b)は本発明の一実施例
による半導体チップの平面図および正面図、第2図(a
)〜(d)は本発明の一実施例による実装構造体の製造
方法を説明するための図である。なお、第1図、第2図
において、第3図、第4図の箇所と同一箇所には同一番
号を付した。本発明では、半導体チップ1の周辺に配設
する突起電極2の形状を辺の中央部程小さくしている。
同様に半導体チップ1上で突起電極2が全面に分散して
形成される場合には、その半導体チップ1の中心部程小
さくすることで実装時に突起電極2にががる応力を均一
化できる。
形成される場合には、その半導体チップ1の中心部程小
さくすることで実装時に突起電極2にががる応力を均一
化できる。
以下、第2図に沿って本発明の実装構造体の製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
まず、第2図(a)に示すように、セラミック、ガラス
等よりなる配線基板3を基台4上に設置する。次に配線
基板3の導体配線5が形成された面に、少な(とも紫外
線硬化型樹脂を含む絶縁性接着樹脂6を塗布する。導体
配線5はCu−A u 。
等よりなる配線基板3を基台4上に設置する。次に配線
基板3の導体配線5が形成された面に、少な(とも紫外
線硬化型樹脂を含む絶縁性接着樹脂6を塗布する。導体
配線5はCu−A u 。
A[、ITO1厚膜Auペースト等で構成されている。
次に第2図(a) 、 (b)に示すようにAu等より
なり、その辺の中央部に向かう程面積の小さい突起電極
2を周辺部に有する半導体チップ1を、第2図(b)に
示すように突起電極2と導体配線5が一致するように配
線基板3の接着樹脂6が塗布された領域に設置する。次
に第2図(C)に示すように、ガラス、金属等よりなる
加圧ツール7で半導体チップ1を加圧する。本発明の半
導体チップ1では、突起電極2の面積を応力に応じてす
なわち辺の中央部に行く程小さく変えであるため、従来
のような応力の不均一性がなくなり、全ての突起電極2
の圧縮変形量は等しくなり、半導体チップ1が変形する
ことはない。以降の手順は従来の技術と全く同一である
ので省略するが、第2図(d)は実装構造体としての完
成状態を示す断面図である。
なり、その辺の中央部に向かう程面積の小さい突起電極
2を周辺部に有する半導体チップ1を、第2図(b)に
示すように突起電極2と導体配線5が一致するように配
線基板3の接着樹脂6が塗布された領域に設置する。次
に第2図(C)に示すように、ガラス、金属等よりなる
加圧ツール7で半導体チップ1を加圧する。本発明の半
導体チップ1では、突起電極2の面積を応力に応じてす
なわち辺の中央部に行く程小さく変えであるため、従来
のような応力の不均一性がなくなり、全ての突起電極2
の圧縮変形量は等しくなり、半導体チップ1が変形する
ことはない。以降の手順は従来の技術と全く同一である
ので省略するが、第2図(d)は実装構造体としての完
成状態を示す断面図である。
なお、半導体チップ1の突起電極2の大きさを変えるだ
けでなく、端部の突起電極2の表面に凹部を設け、接着
樹脂6のとじ込めによる圧縮抵抗増大を利用すればさら
に効果がある。
けでなく、端部の突起電極2の表面に凹部を設け、接着
樹脂6のとじ込めによる圧縮抵抗増大を利用すればさら
に効果がある。
発明の効果
以上のように本発明は、半導体チップ上の突起電極の大
きさを場所により変えることで、加圧ツールで加圧した
際の応力の場所による不均一性をな(し、半導体チップ
の変形を防ぐことができる。このことにより、接着樹脂
の経時変化等による接着力低下による半導体チップの突
起電極と導体配線との接続不良の発生を防止し、信頼性
の高い半導体装を可能とすることができる。
きさを場所により変えることで、加圧ツールで加圧した
際の応力の場所による不均一性をな(し、半導体チップ
の変形を防ぐことができる。このことにより、接着樹脂
の経時変化等による接着力低下による半導体チップの突
起電極と導体配線との接続不良の発生を防止し、信頼性
の高い半導体装を可能とすることができる。
第1図(a) 、 (b)は本発明の一実施例による半
導体チップの平面図と正面図、第2図(a)〜(d)は
本発明による実装構造体の製造方法を説明するための工
程断面図、第3図(a) 、 (b)は従来の半導体チ
ップの平面図と正面図、第4図(a)〜(d)は従来の
実装構造体の製造方法を説明するための工程断面図であ
る。 1・・・・・・半導体チップ、2・・・・・・突起電極
、3・・・・・・配線基板、5・・・・・・導体配線、
6・・・・・・絶縁性接着樹脂、9・・・・・・実装構
造体。
導体チップの平面図と正面図、第2図(a)〜(d)は
本発明による実装構造体の製造方法を説明するための工
程断面図、第3図(a) 、 (b)は従来の半導体チ
ップの平面図と正面図、第4図(a)〜(d)は従来の
実装構造体の製造方法を説明するための工程断面図であ
る。 1・・・・・・半導体チップ、2・・・・・・突起電極
、3・・・・・・配線基板、5・・・・・・導体配線、
6・・・・・・絶縁性接着樹脂、9・・・・・・実装構
造体。
Claims (3)
- (1)複数個の突起電極が主面の辺に沿って形成され、
かつ前記突起電極の面積が前記辺の中央部になる程小さ
くなるように構成してなる半導体チップ。 - (2)複数個の突起電極が主面上に分散して形成されて
おり、かつ前記突起電極の面積が前記主面の中央部にな
る程小さくなるように構成してなる半導体チップ。 - (3)請求項1または2記載の半導体チップの突起電極
を配線基板の導体配線に一致させ、前記突起電極と導体
配線の接合部を除いて前記半導体チップを前記配線基板
に接着してなる半導体チップを用いた実装構造体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1330504A JPH03190238A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 半導体チップおよびそれを用いた実装構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1330504A JPH03190238A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 半導体チップおよびそれを用いた実装構造体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03190238A true JPH03190238A (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=18233366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1330504A Pending JPH03190238A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 半導体チップおよびそれを用いた実装構造体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03190238A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994008440A1 (en) * | 1992-09-29 | 1994-04-14 | Mcnc | Variable size capture pads for multilayer ceramic substrates and connectors therefor |
JPH08298264A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Hitachi Ltd | 電子回路装置 |
JPH098081A (ja) * | 1995-06-20 | 1997-01-10 | Fujitsu General Ltd | Bga型パッケージの実装構造 |
JP2005079435A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
EP2153460A1 (en) * | 2007-06-07 | 2010-02-17 | Silicon Works Co., Ltd. | Pad layout structure of semiconductor chip |
JP2012199314A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、印刷装置、及び製造方法 |
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JP2018107371A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-20 JP JP1330504A patent/JPH03190238A/ja active Pending
Cited By (14)
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---|---|---|---|---|
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EP2153460A4 (en) * | 2007-06-07 | 2014-05-07 | Silicon Works Co Ltd | PAD LAYOUT STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR CHIP |
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CN103748679A (zh) * | 2011-07-21 | 2014-04-23 | 高通股份有限公司 | 具有取决于在裸片上的位置的定向或几何形状或在支柱与裸片垫片之间形成有图案化结构以用于减少热应力的顺应互连支柱 |
US9184144B2 (en) | 2011-07-21 | 2015-11-10 | Qualcomm Incorporated | Interconnect pillars with directed compliance geometry |
JP2018107371A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
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