JP2001237365A - 接続用端子の接合方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
接続用端子の接合方法、半導体装置の製造方法および半導体装置Info
- Publication number
- JP2001237365A JP2001237365A JP2000046385A JP2000046385A JP2001237365A JP 2001237365 A JP2001237365 A JP 2001237365A JP 2000046385 A JP2000046385 A JP 2000046385A JP 2000046385 A JP2000046385 A JP 2000046385A JP 2001237365 A JP2001237365 A JP 2001237365A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- connection terminal
- semiconductor chip
- connection terminals
- connection
- conductive particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29499—Shape or distribution of the fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
- H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
Landscapes
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 接続用端子の幅が狭くなっても確実に接続用
端子の導通を図ることのできる接続用端子の接合方法、
半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 【解決手段】 第１接続用端子１８が形成された第１半
導体チップ１２にイオン化された金属片２６を含む異方
性導電接着剤２４を塗布する。そして第２半導体チップ
１４を上方から接近させ第１半導体チップ１２と第２半
導体チップ１４との間に異方性導電接着剤２４を介在さ
せた後に、第１接続用端子１８と第２接続用端子２２と
の間に電圧を印加する。このように接続用端子の間に電
圧を印加すると第１接続用端子１８に金属片２６は引き
寄せられ、接続用端子付近の金属片２６の密度が高ま
る。その後、第１半導体チップと第２半導体チップとを
突き合わせれば、金属片２６を挟み込んだ確実な接合を
行うことができる。
端子の導通を図ることのできる接続用端子の接合方法、
半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 【解決手段】 第１接続用端子１８が形成された第１半
導体チップ１２にイオン化された金属片２６を含む異方
性導電接着剤２４を塗布する。そして第２半導体チップ
１４を上方から接近させ第１半導体チップ１２と第２半
導体チップ１４との間に異方性導電接着剤２４を介在さ
せた後に、第１接続用端子１８と第２接続用端子２２と
の間に電圧を印加する。このように接続用端子の間に電
圧を印加すると第１接続用端子１８に金属片２６は引き
寄せられ、接続用端子付近の金属片２６の密度が高ま
る。その後、第１半導体チップと第２半導体チップとを
突き合わせれば、金属片２６を挟み込んだ確実な接合を
行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、接続用端子の接合
方法、半導体装置の製造方法および半導体装置に係り、
特に付き合わされた端子間の電気的導通を図るようにし
た接続用端子の接合方法、半導体装置の製造方法および
半導体装置に関するものである。
方法、半導体装置の製造方法および半導体装置に係り、
特に付き合わされた端子間の電気的導通を図るようにし
た接続用端子の接合方法、半導体装置の製造方法および
半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の高性能化、小型化に伴
って１つのパッケージ内に複数の半導体チップを配置し
てマルチチップパッケージとすることにより、半導体装
置の高機能化と小型化とが図られている。そしてこのよ
うなマルチチップパッケージ（以下、ＭＣＰと称す）に
は、複数の半導体チップを厚み方向に積層したものが知
られており、この形態では広い実装面積を必要としない
ことから（小型化に有利であることから）、開発が盛ん
に行われている。
って１つのパッケージ内に複数の半導体チップを配置し
てマルチチップパッケージとすることにより、半導体装
置の高機能化と小型化とが図られている。そしてこのよ
うなマルチチップパッケージ（以下、ＭＣＰと称す）に
は、複数の半導体チップを厚み方向に積層したものが知
られており、この形態では広い実装面積を必要としない
ことから（小型化に有利であることから）、開発が盛ん
に行われている。
【０００３】ところで半導体装置の製造過程において
は、半導体チップ同士の接続を行う際には異方性導電接
着フィルムあるいは異方性導電接着剤を用いるのが一般
的になっている。
は、半導体チップ同士の接続を行う際には異方性導電接
着フィルムあるいは異方性導電接着剤を用いるのが一般
的になっている。
【０００４】図４は、従来の半導体チップ同士の接続方
法を示す要部拡大図である。同図（１）に示すように従
来半導体チップ同士を接続する際には、まず一対の半導
体チップ１の表面に形成された接続用端子２の間に、異
方性導電接着剤３を充填させる。ここで異方性導電接着
剤３は、接着剤中に導電粒子４を含んだ形態となってお
り、当該導電粒子４は、微細な金属片あるいは当該金属
片と同様な大きさを有したプラスチック部材の破片に金
属メッキを施したものが用いられている。
法を示す要部拡大図である。同図（１）に示すように従
来半導体チップ同士を接続する際には、まず一対の半導
体チップ１の表面に形成された接続用端子２の間に、異
方性導電接着剤３を充填させる。ここで異方性導電接着
剤３は、接着剤中に導電粒子４を含んだ形態となってお
り、当該導電粒子４は、微細な金属片あるいは当該金属
片と同様な大きさを有したプラスチック部材の破片に金
属メッキを施したものが用いられている。
【０００５】そして同図（２）に示すように一対の半導
体チップ１を突き合わせると、接続用端子２の間に導電
粒子４が挟み込まれた形態となり、この状態で接着剤を
硬化させると両接続用端子２は導電粒子４を介して接合
され、電気的導通が図られる。なお導電粒子４が金属片
からなる場合には、同図（２）に示すように導電粒子４
が接続用端子２に食い込んだ形態となり、一方導電粒子
４の母材がプラスチック部材からなる場合には、導電粒
子４が接続用端子２によって潰された形態となる。
体チップ１を突き合わせると、接続用端子２の間に導電
粒子４が挟み込まれた形態となり、この状態で接着剤を
硬化させると両接続用端子２は導電粒子４を介して接合
され、電気的導通が図られる。なお導電粒子４が金属片
からなる場合には、同図（２）に示すように導電粒子４
が接続用端子２に食い込んだ形態となり、一方導電粒子
４の母材がプラスチック部材からなる場合には、導電粒
子４が接続用端子２によって潰された形態となる。
【０００６】また上述した半導体チップの接合には、異
方性導電接着剤を用いることとしたが、一対の半導体チ
ップ１の間に異方性導電接着フィルムを挟み込み、当該
異方性導電接着フィルム上に点在する導電粒子にて両接
続用端子２の導通を図るようにしてもよい。
方性導電接着剤を用いることとしたが、一対の半導体チ
ップ１の間に異方性導電接着フィルムを挟み込み、当該
異方性導電接着フィルム上に点在する導電粒子にて両接
続用端子２の導通を図るようにしてもよい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし上述した半導体
チップの接続方法には、下記に示すような問題点があっ
た。
チップの接続方法には、下記に示すような問題点があっ
た。
【０００８】すなわち通常半導体チップの表面には接続
用端子が複数形成されているが、チップ本体の小型化に
伴い接続用端子の幅も狭くなってきている。このため接
続用端子の幅内に位置する導電粒子の数が減少する場合
があり、接合部における抵抗値の増大または導通不良な
どの不具合が生じるおそれがあった。
用端子が複数形成されているが、チップ本体の小型化に
伴い接続用端子の幅も狭くなってきている。このため接
続用端子の幅内に位置する導電粒子の数が減少する場合
があり、接合部における抵抗値の増大または導通不良な
どの不具合が生じるおそれがあった。
【０００９】そしてこの問題を解決するために異方性導
電性接着剤中の導電粒子の数を増やす手段も考えられる
が、前記導電粒子の増加によって接続用端子以外の場所
で短絡が生じるおそれがある。また接着剤中の導電粒子
の濃度は均一でないことから、導電粒子の数を増やして
も、確実に導通が図れるものではなかった。
電性接着剤中の導電粒子の数を増やす手段も考えられる
が、前記導電粒子の増加によって接続用端子以外の場所
で短絡が生じるおそれがある。また接着剤中の導電粒子
の濃度は均一でないことから、導電粒子の数を増やして
も、確実に導通が図れるものではなかった。
【００１０】本発明は上記従来の問題点に着目し、接続
用端子の幅が狭くなっても確実に接続用端子の導通を図
ることのできる接続用端子の接合方法、半導体装置の製
造方法および半導体装置を提供することを目的とする。
用端子の幅が狭くなっても確実に接続用端子の導通を図
ることのできる接続用端子の接合方法、半導体装置の製
造方法および半導体装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、異方性導電接
着剤を接合対象物に塗布した後、前記異方性導電接着剤
中の導電粒子を接続用端子の近傍に寄せ集めれば、接続
用端子間の確実な導通を図ることが出来るという知見に
基づいてなされたものである。
着剤を接合対象物に塗布した後、前記異方性導電接着剤
中の導電粒子を接続用端子の近傍に寄せ集めれば、接続
用端子間の確実な導通を図ることが出来るという知見に
基づいてなされたものである。
【００１２】すなわち請求項１に係る接続用端子の接合
方法は、イオン化された導電粒子を含んだ接着剤を第１
接続用端子が形成された表面に塗布し、当該接着剤が介
在するよう前記第２接続用端子を前記第１接続用端子に
接近させた後、前記第１接続用端子と前記第２接続用端
子との間に電圧を印加することで前記導電粒子を接続用
端子付近に引き寄せ、当該接続用端子付近の前記導電粒
子の密度を高めた後、前記第１接続用端子と前記第２接
続用端子との突合せ接合を行うことを特徴としている。
請求項１に記載の接続用端子の接合方法によれば、接続
用端子の間に充填されるよう接着剤を塗布した後、両接
続用端子の間に電圧を印加すれば導電粒子と反対側の電
位を有する接続用端子側に導電粒子が接着剤中を移動す
る。そして接着剤中の導電粒子が接続用端子の周囲で
密、それ以外の範囲で疎になった後に接続用端子同士を
突き合わせれば、当該接続用端子電極の間に導電粒子は
介在することとなり、確実に電気的導通を図ることがで
きる。
方法は、イオン化された導電粒子を含んだ接着剤を第１
接続用端子が形成された表面に塗布し、当該接着剤が介
在するよう前記第２接続用端子を前記第１接続用端子に
接近させた後、前記第１接続用端子と前記第２接続用端
子との間に電圧を印加することで前記導電粒子を接続用
端子付近に引き寄せ、当該接続用端子付近の前記導電粒
子の密度を高めた後、前記第１接続用端子と前記第２接
続用端子との突合せ接合を行うことを特徴としている。
請求項１に記載の接続用端子の接合方法によれば、接続
用端子の間に充填されるよう接着剤を塗布した後、両接
続用端子の間に電圧を印加すれば導電粒子と反対側の電
位を有する接続用端子側に導電粒子が接着剤中を移動す
る。そして接着剤中の導電粒子が接続用端子の周囲で
密、それ以外の範囲で疎になった後に接続用端子同士を
突き合わせれば、当該接続用端子電極の間に導電粒子は
介在することとなり、確実に電気的導通を図ることがで
きる。
【００１３】また請求項２に記載の半導体装置の製造方
法は、第１接続用端子が形成された第１半導体チップに
イオン化された導電粒子を含む接着剤を塗布した後、第
２接続用端子が形成された第２半導体チップを接近させ
前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとの間に
前記接着剤を介在させた後に、前記第１接続用端子と前
記第２接続用端子との間に電圧を印加することで前記導
電粒子を接続用端子付近に引き寄せ、当該接続用端子付
近の前記導電粒子の密度を高めた後、前記第１半導体チ
ップと前記第２半導体チップとを突合せ、前記第１接続
用端子と前記第２接続用端子との接合を行うことを特徴
としている。請求項２に記載の半導体装置の製造方法に
よれば、第１半導体チップと第２半導体チップとの間に
充填されるよう接着剤を塗布した後、両接続用端子の間
に電圧を印加すれば導電粒子と反対側の電位を有する接
続用端子側に導電粒子が接着剤中を移動する。そして接
着剤中の導電粒子が接続用端子の周囲で密、それ以外の
範囲で疎になった後に接続用端子同士を突き合わせれ
ば、当該接続用端子の間に導電粒子が介在することとな
り、電気的導通が確実な半導体装置を製造することがで
きる。
法は、第１接続用端子が形成された第１半導体チップに
イオン化された導電粒子を含む接着剤を塗布した後、第
２接続用端子が形成された第２半導体チップを接近させ
前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとの間に
前記接着剤を介在させた後に、前記第１接続用端子と前
記第２接続用端子との間に電圧を印加することで前記導
電粒子を接続用端子付近に引き寄せ、当該接続用端子付
近の前記導電粒子の密度を高めた後、前記第１半導体チ
ップと前記第２半導体チップとを突合せ、前記第１接続
用端子と前記第２接続用端子との接合を行うことを特徴
としている。請求項２に記載の半導体装置の製造方法に
よれば、第１半導体チップと第２半導体チップとの間に
充填されるよう接着剤を塗布した後、両接続用端子の間
に電圧を印加すれば導電粒子と反対側の電位を有する接
続用端子側に導電粒子が接着剤中を移動する。そして接
着剤中の導電粒子が接続用端子の周囲で密、それ以外の
範囲で疎になった後に接続用端子同士を突き合わせれ
ば、当該接続用端子の間に導電粒子が介在することとな
り、電気的導通が確実な半導体装置を製造することがで
きる。
【００１４】そして請求項３に記載の半導体装置は、請
求項２に記載の接続用端子の接合方法によって製造され
たことを特徴としている。請求項３に記載の半導体装置
によれば、接続用端子の間には多量の導電粒子が存在し
ているため、導通の確実性と配線抵抗値の低減を図るこ
とができる。
求項２に記載の接続用端子の接合方法によって製造され
たことを特徴としている。請求項３に記載の半導体装置
によれば、接続用端子の間には多量の導電粒子が存在し
ているため、導通の確実性と配線抵抗値の低減を図るこ
とができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係る接続用端子の
接合方法、半導体装置の製造方法および半導体装置の具
体的実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
接合方法、半導体装置の製造方法および半導体装置の具
体的実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】図１は、本実施の形態に係る半導体装置の
構造を示す説明図である。同図に示すように本実施の形
態に係る半導体装置１０は、第１半導体チップ１２と第
２半導体チップ１４とから構成されており、これら半導
体チップの表面に形成された接続用端子同士を突き合わ
せることで電気的導通を図るようにしている。
構造を示す説明図である。同図に示すように本実施の形
態に係る半導体装置１０は、第１半導体チップ１２と第
２半導体チップ１４とから構成されており、これら半導
体チップの表面に形成された接続用端子同士を突き合わ
せることで電気的導通を図るようにしている。
【００１７】すなわち第１半導体チップ１２の表面１６
には複数（同図においては２つ）の第１接続用端子１８
が形成されており、また第２半導体チップ１４において
は、第１半導体チップ１２と同様、その表面２０に第２
接続用端子２２が第１接続用端子１８と突き合わせ可能
なように前記第１接続用端子１８と等しいピッチで形成
されている。
には複数（同図においては２つ）の第１接続用端子１８
が形成されており、また第２半導体チップ１４において
は、第１半導体チップ１２と同様、その表面２０に第２
接続用端子２２が第１接続用端子１８と突き合わせ可能
なように前記第１接続用端子１８と等しいピッチで形成
されている。
【００１８】また第１半導体チップ１２と第２半導体チ
ップ１４との接合には、接着剤となる異方性導電接着剤
２４が用いられている。ここで異方性導電接着剤２４と
は、接着剤中に導電粒子となる微細な金属片２６を多数
含ませた形態のものであり、この金属片２６を第１接続
用端子１８と第２接続用端子２２とで挟み込むことで両
端子間の導通を図るとともに、接着剤の硬化により両チ
ップの接合を行えるようにしている。そして本実施の形
態では、これら接続用端子の付近に金属片２６が多く存
在しており、第１接続用端子１８と第２接続用端子２２
とに挟まれる金属片２６も多い。一方前記接続用端子の
付近以外においては前記金属片２６は少ない形態となっ
ている。このように接続用端子の近傍とその範囲外のと
ころで金属片２６の密度に差を持たせるようにすれば、
接続用端子の突き合わせの際に当該接続用端子の間に多
くの金属片２６が挟まれることになり、第１接続用端子
１８と第２接続用端子２２との電気的導通を確実にする
ことができるとともに、第１接続用端子１８と第２接続
用端子２２との間の抵抗値を下げることができるので半
導体装置１０の発熱および消費電力の低減などを達成す
ることができる。
ップ１４との接合には、接着剤となる異方性導電接着剤
２４が用いられている。ここで異方性導電接着剤２４と
は、接着剤中に導電粒子となる微細な金属片２６を多数
含ませた形態のものであり、この金属片２６を第１接続
用端子１８と第２接続用端子２２とで挟み込むことで両
端子間の導通を図るとともに、接着剤の硬化により両チ
ップの接合を行えるようにしている。そして本実施の形
態では、これら接続用端子の付近に金属片２６が多く存
在しており、第１接続用端子１８と第２接続用端子２２
とに挟まれる金属片２６も多い。一方前記接続用端子の
付近以外においては前記金属片２６は少ない形態となっ
ている。このように接続用端子の近傍とその範囲外のと
ころで金属片２６の密度に差を持たせるようにすれば、
接続用端子の突き合わせの際に当該接続用端子の間に多
くの金属片２６が挟まれることになり、第１接続用端子
１８と第２接続用端子２２との電気的導通を確実にする
ことができるとともに、第１接続用端子１８と第２接続
用端子２２との間の抵抗値を下げることができるので半
導体装置１０の発熱および消費電力の低減などを達成す
ることができる。
【００１９】このように構成された半導体装置１０の製
造手順を以下に説明する。
造手順を以下に説明する。
【００２０】図２および図３は、図１における要部Ａの
工程経緯を示した工程説明図である。図２（１）に示す
ように、まず第１半導体チップ１２を台座（図示せず）
に設置し、第１半導体チップ１２の表面１６および第１
接続用端子１８を上面側にする。次いで同図（２）に示
すように第１半導体チップ１２の上方からディスペンサ
２８を降下させ、当該ディスペンサ２８によって第１半
導体チップ１２の表面１６に異方性導電接着剤２４を塗
布する。なお塗布直後の異方性導電接着剤２４中には金
属片２６がほぼ均一に分散された状態となっているとと
もに、前記金属片２６にはあらかじめイオン化処理が施
されている。
工程経緯を示した工程説明図である。図２（１）に示す
ように、まず第１半導体チップ１２を台座（図示せず）
に設置し、第１半導体チップ１２の表面１６および第１
接続用端子１８を上面側にする。次いで同図（２）に示
すように第１半導体チップ１２の上方からディスペンサ
２８を降下させ、当該ディスペンサ２８によって第１半
導体チップ１２の表面１６に異方性導電接着剤２４を塗
布する。なお塗布直後の異方性導電接着剤２４中には金
属片２６がほぼ均一に分散された状態となっているとと
もに、前記金属片２６にはあらかじめイオン化処理が施
されている。
【００２１】このように異方性導電接着剤２４を第１半
導体チップ１２の表面１６に塗布した後は、前記第１半
導体チップ１２の上方から第１接続用端子１８と第２接
続用端子２２とを対面させるように第２接続用端子１４
を降下させる。そして第２半導体チップ１４の表面２０
に異方性導電接着剤２４を密着させ、第１半導体チップ
１２と第２半導体チップ１４との間に異方性導電接着剤
２４だけを介在させるようにする。この状態を同図
（３）に示す。なおこの状態においても金属片２６は異
方性導電接着剤２４中でほぼ均一に分散されている。
導体チップ１２の表面１６に塗布した後は、前記第１半
導体チップ１２の上方から第１接続用端子１８と第２接
続用端子２２とを対面させるように第２接続用端子１４
を降下させる。そして第２半導体チップ１４の表面２０
に異方性導電接着剤２４を密着させ、第１半導体チップ
１２と第２半導体チップ１４との間に異方性導電接着剤
２４だけを介在させるようにする。この状態を同図
（３）に示す。なおこの状態においても金属片２６は異
方性導電接着剤２４中でほぼ均一に分散されている。
【００２２】そして図３（１）に示すように第１半導体
チップ１２と第２半導体チップ１４との間に異方性導電
接着剤２４だけを介在させた後は、第１接続用端子１８
と第２接続用端子２２との間に電圧を印加可能にする。
なお同図（１）における配線３０は、電気メッキ用のリ
ード配線（図示せず）を用いるようにしてもよく、この
場合では配線３０とリード配線だけとの接続だけで複数
の接続用端子に電圧を印加させることが可能になる。ま
た配線３０を半導体チップの個々の接続用端子に直に接
続してもよく、この場合には個々の接続用端子毎に電圧
を印加することが可能になり、電気的接続を要しない接
続用端子などには本処理を適用しないなどの選択的運用
が可能になる。
チップ１２と第２半導体チップ１４との間に異方性導電
接着剤２４だけを介在させた後は、第１接続用端子１８
と第２接続用端子２２との間に電圧を印加可能にする。
なお同図（１）における配線３０は、電気メッキ用のリ
ード配線（図示せず）を用いるようにしてもよく、この
場合では配線３０とリード配線だけとの接続だけで複数
の接続用端子に電圧を印加させることが可能になる。ま
た配線３０を半導体チップの個々の接続用端子に直に接
続してもよく、この場合には個々の接続用端子毎に電圧
を印加することが可能になり、電気的接続を要しない接
続用端子などには本処理を適用しないなどの選択的運用
が可能になる。
【００２３】このように第１半導体チップ１２と第２半
導体チップ１４との間に電圧を印加し始めると、同図
（２）に示すようにイオン化がなされた金属片２６は、
当該金属片２６と逆の電位を有した接続用端子側に引き
寄せられる（同図（２）においては第１接続用端子１
８）。なお第１半導体チップ１２と第２半導体チップ１
４との間に印加する電圧および印加時間は、金属片２６
の大きさや数量、あるいは異方性接着剤２４の粘度等を
考慮してあらかじめ設定しておけばよい。
導体チップ１４との間に電圧を印加し始めると、同図
（２）に示すようにイオン化がなされた金属片２６は、
当該金属片２６と逆の電位を有した接続用端子側に引き
寄せられる（同図（２）においては第１接続用端子１
８）。なお第１半導体チップ１２と第２半導体チップ１
４との間に印加する電圧および印加時間は、金属片２６
の大きさや数量、あるいは異方性接着剤２４の粘度等を
考慮してあらかじめ設定しておけばよい。
【００２４】そして接続用端子間に電圧を印加させ、あ
らかじめ設定した時間が経過した後は、第１接続用端子
１８に金属片２６が付着したり、前記第１接続用端子１
８の近傍における金属片２６の密度が高くなっているの
で、その時点で電圧を印加するのを停止させ、その後、
同図（３）に示すように、第２半導体チップ１４を降下
させ、第１接続用端子１８と第２接続用端子２２とを突
き合わせる。このように両接続用端子を突き合わせれ
ば、前記第１接続用端子１８には金属片２６が付着して
いるので、多量の金属片２６を両接続用端子で挟み込み
ことになり、第１半導体チップ１２と第２半導体チップ
１４との電気的接続を確実に行うことができる。
らかじめ設定した時間が経過した後は、第１接続用端子
１８に金属片２６が付着したり、前記第１接続用端子１
８の近傍における金属片２６の密度が高くなっているの
で、その時点で電圧を印加するのを停止させ、その後、
同図（３）に示すように、第２半導体チップ１４を降下
させ、第１接続用端子１８と第２接続用端子２２とを突
き合わせる。このように両接続用端子を突き合わせれ
ば、前記第１接続用端子１８には金属片２６が付着して
いるので、多量の金属片２６を両接続用端子で挟み込み
ことになり、第１半導体チップ１２と第２半導体チップ
１４との電気的接続を確実に行うことができる。
【００２５】なお本実施の形態では、接続用端子に直に
配線３０を接続し、接続用端子自体に電圧を印加するこ
ととしたが、この形態に限定されることもなく、例えば
半導体チップの裏面（接続用端子が形成される反対面
側）に配線３０を接続するようにしてもよい。また本実
施の形態では、接合対象を半導体チップとしたが、その
ほかにも上記手段を用いることのできるものであれば、
接続用端子の接合方法として適用できることはいうまで
もない。
配線３０を接続し、接続用端子自体に電圧を印加するこ
ととしたが、この形態に限定されることもなく、例えば
半導体チップの裏面（接続用端子が形成される反対面
側）に配線３０を接続するようにしてもよい。また本実
施の形態では、接合対象を半導体チップとしたが、その
ほかにも上記手段を用いることのできるものであれば、
接続用端子の接合方法として適用できることはいうまで
もない。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、イ
オン化された導電粒子を含んだ接着剤を第１接続用端子
が形成された表面に塗布し、当該接着剤が介在するよう
前記第２接続用端子を前記第１接続用端子に接近させた
後、前記第１接続用端子と前記第２接続用端子との間に
電圧を印加することで前記導電粒子を接続用端子付近に
引き寄せ、当該接続用端子付近の前記導電粒子の密度を
高めた後、前記第１接続用端子と前記第２接続用端子と
の突合せ接合を行うこととしたり、あるいは第１接続用
端子が形成された第１半導体チップにイオン化された導
電粒子を含む接着剤を塗布した後、第２接続用端子が形
成された第２半導体チップを接近させ前記第１半導体チ
ップと前記第２半導体チップとの間に前記接着剤を介在
させた後に、前記第１接続用端子と前記第２接続用端子
との間に電圧を印加することで前記導電粒子を接続用端
子付近に引き寄せ、当該接続用端子付近の前記導電粒子
の密度を高めた後、前記第１半導体チップと前記第２半
導体チップとを突合せ、前記第１接続用端子と前記第２
接続用端子との接合を行うこととしたので、接続用端子
の幅が狭くなっても確実に接続用端子の導通を図ること
ができる。
オン化された導電粒子を含んだ接着剤を第１接続用端子
が形成された表面に塗布し、当該接着剤が介在するよう
前記第２接続用端子を前記第１接続用端子に接近させた
後、前記第１接続用端子と前記第２接続用端子との間に
電圧を印加することで前記導電粒子を接続用端子付近に
引き寄せ、当該接続用端子付近の前記導電粒子の密度を
高めた後、前記第１接続用端子と前記第２接続用端子と
の突合せ接合を行うこととしたり、あるいは第１接続用
端子が形成された第１半導体チップにイオン化された導
電粒子を含む接着剤を塗布した後、第２接続用端子が形
成された第２半導体チップを接近させ前記第１半導体チ
ップと前記第２半導体チップとの間に前記接着剤を介在
させた後に、前記第１接続用端子と前記第２接続用端子
との間に電圧を印加することで前記導電粒子を接続用端
子付近に引き寄せ、当該接続用端子付近の前記導電粒子
の密度を高めた後、前記第１半導体チップと前記第２半
導体チップとを突合せ、前記第１接続用端子と前記第２
接続用端子との接合を行うこととしたので、接続用端子
の幅が狭くなっても確実に接続用端子の導通を図ること
ができる。
【図１】本実施の形態に係る半導体装置の構造を示す説
明図である。
明図である。
【図２】図１における要部Ａの工程経緯を示した工程説
明図である。
明図である。
【図３】図１における要部Ａの工程経緯を示した工程説
明図である。
明図である。
【図４】従来の半導体チップ同士の接続方法を示す要部
拡大図である。
拡大図である。
１………半導体チップ ２………接続用端子 ３………異方性導電接着剤 ４………導電粒子 １０………半導体装置 １２………第１半導体チップ １４………第２半導体チップ １６………表面 １８………第１接続用端子 ２０………表面 ２２………第２接続用端子 ２４………異方性導電接着剤 ２６………金属片 ２８………ディスペンサ ３０………配線
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｒ 43/00 Ｈ０５Ｋ 3/32
Claims (3)
- 【請求項１】 イオン化された導電粒子を含んだ接着剤
を第１接続用端子が形成された表面に塗布し、当該接着
剤が介在するよう前記第２接続用端子を前記第１接続用
端子に接近させた後、前記第１接続用端子と前記第２接
続用端子との間に電圧を印加することで前記導電粒子を
接続用端子付近に引き寄せ、当該接続用端子付近の前記
導電粒子の密度を高めた後、前記第１接続用端子と前記
第２接続用端子との突合せ接合を行うことを特徴とする
接続用端子の接合方法。 - 【請求項２】 第１接続用端子が形成された第１半導体
チップにイオン化された導電粒子を含む接着剤を塗布し
た後、第２接続用端子が形成された第２半導体チップを
接近させ前記第１半導体チップと前記第２半導体チップ
との間に前記接着剤を介在させた後に、前記第１接続用
端子と前記第２接続用端子との間に電圧を印加すること
で前記導電粒子を接続用端子付近に引き寄せ、当該接続
用端子付近の前記導電粒子の密度を高めた後、前記第１
半導体チップと前記第２半導体チップとを突合せ、前記
第１接続用端子と前記第２接続用端子との接合を行うこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の半導体装置の製造方法
によって製造されたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000046385A JP2001237365A (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | 接続用端子の接合方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000046385A JP2001237365A (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | 接続用端子の接合方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001237365A true JP2001237365A (ja) | 2001-08-31 |
Family
ID=18568804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000046385A Withdrawn JP2001237365A (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | 接続用端子の接合方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001237365A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7199511B2 (en) | 2003-07-30 | 2007-04-03 | Denso Corporation | Spark plug with noble metal chip joined by unique laser welding and fabrication method thereof |
| JP2010258030A (ja) * | 2009-04-21 | 2010-11-11 | Nec Corp | 半導体装置製造方法 |
| WO2016114318A1 (ja) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | デクセリアルズ株式会社 | 多層基板 |
| WO2016114320A1 (ja) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | デクセリアルズ株式会社 | 多層基板 |
-
2000
- 2000-02-23 JP JP2000046385A patent/JP2001237365A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7199511B2 (en) | 2003-07-30 | 2007-04-03 | Denso Corporation | Spark plug with noble metal chip joined by unique laser welding and fabrication method thereof |
| JP2010258030A (ja) * | 2009-04-21 | 2010-11-11 | Nec Corp | 半導体装置製造方法 |
| WO2016114318A1 (ja) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | デクセリアルズ株式会社 | 多層基板 |
| WO2016114320A1 (ja) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | デクセリアルズ株式会社 | 多層基板 |
| US10199358B2 (en) | 2015-01-13 | 2019-02-05 | Dexerials Corporation | Multilayer substrate |
| US11901325B2 (en) | 2015-01-13 | 2024-02-13 | Dexerials Corporation | Multilayer substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2769491B2 (ja) | 電気的装置 | |
| TWI305038B (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2641869B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001267359A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| JPWO2017187998A1 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000286299A (ja) | 半導体装置の接続方法 | |
| JPH1116949A (ja) | Ａｃｆ接合構造 | |
| JP2000277649A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH1126922A (ja) | チップ実装方法 | |
| JP2001237365A (ja) | 接続用端子の接合方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JPH09162230A (ja) | 電子回路装置及びその製造方法 | |
| JP3981817B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5821350A (ja) | 半導体集積回路の実装構造 | |
| JP2002026071A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| KR20090037819A (ko) | 웨이퍼 또는 회로 보드 및 웨이퍼 또는 회로 보드의 접합 구조 | |
| JPH05174890A (ja) | 接合構造 | |
| JP2000091380A (ja) | フリップチップの実装構造 | |
| JP2004253598A (ja) | 電子部品の実装方法 | |
| JPH09232385A (ja) | 電子部品接合方法 | |
| JPH11224918A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2000150577A (ja) | 配線基板とその製造方法、半導体装置、これらを用いた電気部品とその製造方法 | |
| JPH10321758A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4090906B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3454223B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0636613A (ja) | 電子部品用接合材料およびそれを用いた電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070501 |