JPH10321758A - 半導体装置 - Google Patents
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- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンプ電極を有する半導体ペレットとパッド
電極を有する配線基板とを導電性粒子を分散させた異方
性導電樹脂で、バンプ電極とパッド電極とを電気的に接
続すると同時に半導体ペレットと配線基板とを接着する
ようにした半導体装置では、バンプ電極とパッド電極の
間に安定的に導電性粒子を位置させることができないた
め、電気的接続不良となることがあった。 【解決手段】 バンプ電極１４を有する半導体ペレット
１１とパッド電極１７を有する配線基板１５とを対向さ
せ、この対向面間に導電性粒子１９を分散させた樹脂１
８を供給し、バンプ電極１４とパッド電極１７間に導電
性粒子１９を介在させて接着したフリップチップ構造の
半導体装置において、バンプ電極１４とパッド電極１７
間に位置する樹脂１８中の導電性粒子１９の分散密度を
他の部分の分散密度より大きく設定した半導体装置。
電極を有する配線基板とを導電性粒子を分散させた異方
性導電樹脂で、バンプ電極とパッド電極とを電気的に接
続すると同時に半導体ペレットと配線基板とを接着する
ようにした半導体装置では、バンプ電極とパッド電極の
間に安定的に導電性粒子を位置させることができないた
め、電気的接続不良となることがあった。 【解決手段】 バンプ電極１４を有する半導体ペレット
１１とパッド電極１７を有する配線基板１５とを対向さ
せ、この対向面間に導電性粒子１９を分散させた樹脂１
８を供給し、バンプ電極１４とパッド電極１７間に導電
性粒子１９を介在させて接着したフリップチップ構造の
半導体装置において、バンプ電極１４とパッド電極１７
間に位置する樹脂１８中の導電性粒子１９の分散密度を
他の部分の分散密度より大きく設定した半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ペレット
を、その電極を配線基板上のパッド電極に直接的に接続
して一体化した構造の半導体装置に関する。
を、その電極を配線基板上のパッド電極に直接的に接続
して一体化した構造の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】小型の電子機器を実現するために、電子
部品は高機能化、高集積化を図りつつ小型化されてい
る。電子部品の一種である半導体装置は一般的には樹脂
で外装したものが用いられるが、外装なしのベアチップ
を用い、これを直接配線基板に組み込むことにより一層
の小型化を図っている。この一例を図６から説明する。
図において、１は半導体ペレットで、内部に多数の半導
体素子（図示せず）が形成されて内部接続され電子回路
を構成した半導体基板１ａの一主面に絶縁膜（図示せ
ず）を形成し、この絶縁膜に窓明けしてこの窓明け部分
に内部素子と電気的に接続された下地電極１ｂを形成
し、この下地電極１ｂに金のバンプ電極１ｃを形成した
ものである。下地電極１ｂは一般的にチタン、ニッケル
の二層構造が用いられ、メッキ、蒸着等の手段により金
を積層してバンプ電極１ｃが形成される。２は樹脂やセ
ラミックスなどの絶縁材料からなる絶縁基板２ａ上に銅
箔などからなる導電パターン（図示せず）を形成した配
線基板で、導電パターン上の、半導体ペレット１のバン
プ電極１ｃと対応する位置にはパッド電極２ｂが形成さ
れている。このパッド電極２ｂには銅箔の防食のために
例えばニッケルメッキされ、さらに電気的接続を確実に
するため金メッキされている。この半導体ペレット１と
配線基板２とはバンプ電極１ｃとパッド電極２ｂとが重
合するように対向配置されている。３は樹脂３ａに導電
性粒子３ｂを分散した異方性導電樹脂で、半導体ペレッ
ト１と配線基板２の対向配置に先立って、対向面間に供
給され、両者を電気的、機械的に接続する接着剤として
作用する。この半導体装置４は、配線基板２上の半導体
ペレット１が対向する領域に異方性導電樹脂３の層を形
成しておいて、配線基板２のパッド電極２ｂ上に反転し
た半導体ペレット１のバンプ電極１ｃを重ね合わせて加
熱圧着し、この状態を所定時間保持して樹脂３の硬化を
促進させ電気的機械的な接続作業を完了する。このと
き、異方性導電樹脂３中の導電性粒子３ｂはバンプ電極
１ｃとパッド電極２ｂ間に入り込んで両電極に食い込
み、樹脂のうすばりによる電気的な遮断を防止し電気的
接続をより確実にするとともに半導体ペレット１と配線
基板２を機械的に接続する。
部品は高機能化、高集積化を図りつつ小型化されてい
る。電子部品の一種である半導体装置は一般的には樹脂
で外装したものが用いられるが、外装なしのベアチップ
を用い、これを直接配線基板に組み込むことにより一層
の小型化を図っている。この一例を図６から説明する。
図において、１は半導体ペレットで、内部に多数の半導
体素子（図示せず）が形成されて内部接続され電子回路
を構成した半導体基板１ａの一主面に絶縁膜（図示せ
ず）を形成し、この絶縁膜に窓明けしてこの窓明け部分
に内部素子と電気的に接続された下地電極１ｂを形成
し、この下地電極１ｂに金のバンプ電極１ｃを形成した
ものである。下地電極１ｂは一般的にチタン、ニッケル
の二層構造が用いられ、メッキ、蒸着等の手段により金
を積層してバンプ電極１ｃが形成される。２は樹脂やセ
ラミックスなどの絶縁材料からなる絶縁基板２ａ上に銅
箔などからなる導電パターン（図示せず）を形成した配
線基板で、導電パターン上の、半導体ペレット１のバン
プ電極１ｃと対応する位置にはパッド電極２ｂが形成さ
れている。このパッド電極２ｂには銅箔の防食のために
例えばニッケルメッキされ、さらに電気的接続を確実に
するため金メッキされている。この半導体ペレット１と
配線基板２とはバンプ電極１ｃとパッド電極２ｂとが重
合するように対向配置されている。３は樹脂３ａに導電
性粒子３ｂを分散した異方性導電樹脂で、半導体ペレッ
ト１と配線基板２の対向配置に先立って、対向面間に供
給され、両者を電気的、機械的に接続する接着剤として
作用する。この半導体装置４は、配線基板２上の半導体
ペレット１が対向する領域に異方性導電樹脂３の層を形
成しておいて、配線基板２のパッド電極２ｂ上に反転し
た半導体ペレット１のバンプ電極１ｃを重ね合わせて加
熱圧着し、この状態を所定時間保持して樹脂３の硬化を
促進させ電気的機械的な接続作業を完了する。このと
き、異方性導電樹脂３中の導電性粒子３ｂはバンプ電極
１ｃとパッド電極２ｂ間に入り込んで両電極に食い込
み、樹脂のうすばりによる電気的な遮断を防止し電気的
接続をより確実にするとともに半導体ペレット１と配線
基板２を機械的に接続する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ペレット１の下面が樹脂３に接触すると樹脂３全体が押
し拡げられ、この樹脂３の移動とともに導電性粒子３ｂ
も移動する。一方、バンプ電極１ｃの下端がパッド電極
２ｂに近接して間隔が狭くなると異方性導電樹脂３は通
過断面積の広いバンプ電極１ｃ、１ｃ間に集中し、この
異方性導電樹脂３の流れによってバンプ電極１ｃ下面に
位置していた導電性粒子３ｂが樹脂３ａとともに引き込
まれるため、バンプ電極１ｃとパッド電極２ｂ間に滞留
する導電性粒子３ｂの量は不安定で、バンプ電極１ｃと
パッド電極２ｂ間に導電性粒子が無いと樹脂ばりにより
各電極１ｃ、２ｂは電気的に完全に遮断され、これを改
善するために導電性粒子３ｂの分散量を増加させるとバ
ンプ電極１ｃ間及びパッド電極２ｂ間に短絡が生じ易く
なるという虞もあった。
ペレット１の下面が樹脂３に接触すると樹脂３全体が押
し拡げられ、この樹脂３の移動とともに導電性粒子３ｂ
も移動する。一方、バンプ電極１ｃの下端がパッド電極
２ｂに近接して間隔が狭くなると異方性導電樹脂３は通
過断面積の広いバンプ電極１ｃ、１ｃ間に集中し、この
異方性導電樹脂３の流れによってバンプ電極１ｃ下面に
位置していた導電性粒子３ｂが樹脂３ａとともに引き込
まれるため、バンプ電極１ｃとパッド電極２ｂ間に滞留
する導電性粒子３ｂの量は不安定で、バンプ電極１ｃと
パッド電極２ｂ間に導電性粒子が無いと樹脂ばりにより
各電極１ｃ、２ｂは電気的に完全に遮断され、これを改
善するために導電性粒子３ｂの分散量を増加させるとバ
ンプ電極１ｃ間及びパッド電極２ｂ間に短絡が生じ易く
なるという虞もあった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題の解決
を目的として提案されたもので、一主面上に多数のバン
プ電極を形成した半導体ペレットとバンプ電極に対応し
てパッド電極を形成した配線基板とを対向させ、この対
向面間に導電性粒子を分散させた樹脂を供給し、バンプ
電極とパッド電極間に導電性粒子を介在させて加圧接着
したフリップチップ構造の半導体装置において、バンプ
電極とパッド電極間に位置する樹脂中の導電性粒子の分
散密度を他の部分の分散密度より大きく設定したことを
特徴とする。
を目的として提案されたもので、一主面上に多数のバン
プ電極を形成した半導体ペレットとバンプ電極に対応し
てパッド電極を形成した配線基板とを対向させ、この対
向面間に導電性粒子を分散させた樹脂を供給し、バンプ
電極とパッド電極間に導電性粒子を介在させて加圧接着
したフリップチップ構造の半導体装置において、バンプ
電極とパッド電極間に位置する樹脂中の導電性粒子の分
散密度を他の部分の分散密度より大きく設定したことを
特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明によるフリップチップ構造
の半導体装置は、バンプ電極とパッド電極間に位置する
樹脂中の導電性粒子の分散密度を他の部分の分散密度よ
り大きく設定したことを特徴とするが、前記バンプ電極
とパッド電極の少なくとも一方に導電性粒子を拘持する
拘持部を形成し、拘持部に導電性粒子を確保して接続を
確実にすることができる。この拘持部は粗面に形成し
て、この粗面部分に拘持された導電粒子をバンプ電極及
びパッド電極に食い込ませることによって各電極間を電
気的に接続することができる。また一直線上に沿って配
列されたパッド電極の内側でかつパッド電極間に導電性
粒子を分散させた樹脂をパッド電極上にガイドする凸部
を形成し、導電性粒子が必要とされる部分に導電性粒子
を集中させることもできる。
の半導体装置は、バンプ電極とパッド電極間に位置する
樹脂中の導電性粒子の分散密度を他の部分の分散密度よ
り大きく設定したことを特徴とするが、前記バンプ電極
とパッド電極の少なくとも一方に導電性粒子を拘持する
拘持部を形成し、拘持部に導電性粒子を確保して接続を
確実にすることができる。この拘持部は粗面に形成し
て、この粗面部分に拘持された導電粒子をバンプ電極及
びパッド電極に食い込ませることによって各電極間を電
気的に接続することができる。また一直線上に沿って配
列されたパッド電極の内側でかつパッド電極間に導電性
粒子を分散させた樹脂をパッド電極上にガイドする凸部
を形成し、導電性粒子が必要とされる部分に導電性粒子
を集中させることもできる。
【０００６】
【実施例】以下に本発明の実施例を図１に示す半導体装
置から説明する。図において、１１は半導体ペレット
で、内部に多数の半導体素子が形成されて内部接続され
電子回路を構成した半導体基板１２の一主面１２ａに絶
縁膜（図示せず）を形成し、この絶縁膜の要部に窓明け
し、この窓明け部分に内部素子と電気的に接続された下
地電極１３を形成し、この下地電極１３上に通常のメッ
キ方法でバンプ電極１４を形成している。このバンプ電
極１４の端面にはメッキ操作により粗面１４ａが形成さ
れている。１５は配線基板で、例えばエポキシ樹脂から
なる絶縁基板１６に銅箔を積層し、この銅箔を所定のパ
ターンにエッチングして導電パターンを形成し、この導
電パターン上で半導体ペレット１１のバンプ電極１４と
対応する位置にパッド電極１７を形成している。この半
導体ペレット１１と配線基板１５とは対向配置され、バ
ンプ電極１４とパッド電極１７とが重合され、加熱加圧
されて接続される。１８は樹脂１８ａ中に導電性粒子１
９を分散した異方性導電樹脂で、バンプ電極１４とパッ
ド電極１７の接続に先立って、配線基板１５上に供給さ
れ、導電性粒子１９を介してバンプ電極１４とパッド電
極１７とを電気的に接続し、半導体ペレット１１と配線
基板１５の対向面間を接着する。この半導体装置の製造
方法を以下に説明する。先ず、パッド電極１７が位置決
めされて載置された配線基板１５上の半導体ペレット１
１が対向する領域にスクリーン印刷法などにより所定厚
さの異方性導電樹脂１８の層を形成する。次に図２に示
すように吸着装置（図示せず）により半導体ペレット１
１を表裏反転しバンプ電極１４を下にして移動させ、移
動経路中間でバンプ電極１４の位置を画像認識してその
位置を検出し、配線基板１５のパッド電極１７と位置合
わせして各電極１４、１７を重合させる。この重合作業
時にバンプ電極１４下端の粗面１４ａ部分が先行して異
方性導電樹脂１８に挿入され、この領域の導電性粒子１
９を粗面１４ａの凹凸部分に拘持する。このバンプ電極
１４の体積は異方性導電樹脂１８の体積に比して十分小
さいため、バンプ電極１４が異方性導電樹脂１８内に挿
入されても、樹脂１８ａはほとんど移動せず、バンプ電
極１４直下の導電性粒子１９もほとんど動かず、粗面１
４ａに拘持されそのまま押し下げられる。そして、半導
体ペレット１１の下面が異方性導電樹脂１８に接触して
これを押し拡げると樹脂１８ａは外方に移動し通過断面
積の広いバンプ電極１４、１４間に集中し間隔が狭いバ
ンプ電極１４とパッド電極１７の樹脂を引き込もうとす
るが、導電性粒子１９は粗面１４ａの凹部に収容され、
拘持されたまま各電極１４、１７によって挟持され確実
に電気的接続を行うことができる。上記導電性粒子１９
は粒径が３〜７μｍが適当で、これより粒径が小さい
と、重合作業の最終段階で導電性粒子１９のバンプ電極
１４での拘持が困難になり、逆に粒径が大きすぎると、
バンプ電極１４間及びパッド電極１７間の耐電圧低下、
短絡などの問題を生じる。また、粗面１４ａは深さは加
圧状態で導電性粒子１９の粒径の１／３〜１／２で、凹
部面積が１個乃至数個の導電性粒子を拘持できるように
形成することが望ましい。上記凹部は粗面１４ａで形成
したが、図３に示すようにバンプ電極１４の端面に内方
から外方に向かって縮径する凹部１４ｂを形成したもの
でもよい。このとき、凹部の底１４ｃを粗面にすること
が望ましい。この凹部１４ｂは図２で説明した粗面１４
ａと同様に、樹脂１８中に挿入されると凹部１４ｂ内に
導電性粒子１９が位置するが、さらに半導体ペレット１
１によって押圧され外方に移動する樹脂１８中の導電性
粒子１９は径大部から取り込まれ径小部側へ向かって移
動する間に密になり、バンプ電極１４がパッド電極１７
に近接すると移動が停止され、高密度状態で各電極１
４、１７を電気的に接続することができる。図４、図５
は本発明の他の実施例を示す。図において図１と同一物
には同一符号を付し重複する説明を省略する。図中相異
するのは、図に示すように配線基板１５上で環状に配列
されたパッド電極１７の内側領域に導電性粒子１９を分
散させた樹脂１８をパッド電極１７上にガイドする凸部
２０、２１を形成した点にある。凸部２０、２１２２
は、例えばエポキシ樹脂をスクリーン印刷法により平面
形状が三角形状に形成されている。この凸部２０、２１
は底辺が隣り合うパッド電極１７、１７間を閉塞し、隣
り合う凸部２０、２０間および２０、２１間にパッド電
極１７が臨むように配置され、半導体ペレット１１と配
線基板１５の対向間隔よりやや低く形成されている。こ
の半導体装置の製造方法は図１半導体装置と同様である
が、バンプ電極１４とパッド電極１７を重合するため
に、半導体ペレット１１を配線基板１５に近接させる
と、半導体ペレット１１が樹脂１８を押圧し外方に押し
拡げると、この樹脂１８は凸部２０、２１によってガイ
ドされ、バンプ電極１４とパッド電極１７間に集中して
流れる。バンプ電極１４はパッド電極１７に近接し対向
間隔が狭められると、電極１４、１７間の異方性導電樹
脂１８の流動性が急激に低下し、多数の導電性粒子１９
は電極１４、１７間に取り残され、余剰の樹脂１８ａは
隣り合うバンプ電極１４、１４間からバンプ電極１４の
外方に流出し、各電極１４、１７は導電性粒子１９を介
して電気的に接続される。尚、この実施例では矩形状に
配列されたパッド電極１７の図示点線で示すコーナ部２
２にも突起を形成することができる。この凸部２０、２
１はパッド電極１７の配列位置、形状に応じて適宜その
形状、寸法を変更できる。また、バンプ電極１４の下端
面は図１実施例と同様に粗面にすることもできる。
置から説明する。図において、１１は半導体ペレット
で、内部に多数の半導体素子が形成されて内部接続され
電子回路を構成した半導体基板１２の一主面１２ａに絶
縁膜（図示せず）を形成し、この絶縁膜の要部に窓明け
し、この窓明け部分に内部素子と電気的に接続された下
地電極１３を形成し、この下地電極１３上に通常のメッ
キ方法でバンプ電極１４を形成している。このバンプ電
極１４の端面にはメッキ操作により粗面１４ａが形成さ
れている。１５は配線基板で、例えばエポキシ樹脂から
なる絶縁基板１６に銅箔を積層し、この銅箔を所定のパ
ターンにエッチングして導電パターンを形成し、この導
電パターン上で半導体ペレット１１のバンプ電極１４と
対応する位置にパッド電極１７を形成している。この半
導体ペレット１１と配線基板１５とは対向配置され、バ
ンプ電極１４とパッド電極１７とが重合され、加熱加圧
されて接続される。１８は樹脂１８ａ中に導電性粒子１
９を分散した異方性導電樹脂で、バンプ電極１４とパッ
ド電極１７の接続に先立って、配線基板１５上に供給さ
れ、導電性粒子１９を介してバンプ電極１４とパッド電
極１７とを電気的に接続し、半導体ペレット１１と配線
基板１５の対向面間を接着する。この半導体装置の製造
方法を以下に説明する。先ず、パッド電極１７が位置決
めされて載置された配線基板１５上の半導体ペレット１
１が対向する領域にスクリーン印刷法などにより所定厚
さの異方性導電樹脂１８の層を形成する。次に図２に示
すように吸着装置（図示せず）により半導体ペレット１
１を表裏反転しバンプ電極１４を下にして移動させ、移
動経路中間でバンプ電極１４の位置を画像認識してその
位置を検出し、配線基板１５のパッド電極１７と位置合
わせして各電極１４、１７を重合させる。この重合作業
時にバンプ電極１４下端の粗面１４ａ部分が先行して異
方性導電樹脂１８に挿入され、この領域の導電性粒子１
９を粗面１４ａの凹凸部分に拘持する。このバンプ電極
１４の体積は異方性導電樹脂１８の体積に比して十分小
さいため、バンプ電極１４が異方性導電樹脂１８内に挿
入されても、樹脂１８ａはほとんど移動せず、バンプ電
極１４直下の導電性粒子１９もほとんど動かず、粗面１
４ａに拘持されそのまま押し下げられる。そして、半導
体ペレット１１の下面が異方性導電樹脂１８に接触して
これを押し拡げると樹脂１８ａは外方に移動し通過断面
積の広いバンプ電極１４、１４間に集中し間隔が狭いバ
ンプ電極１４とパッド電極１７の樹脂を引き込もうとす
るが、導電性粒子１９は粗面１４ａの凹部に収容され、
拘持されたまま各電極１４、１７によって挟持され確実
に電気的接続を行うことができる。上記導電性粒子１９
は粒径が３〜７μｍが適当で、これより粒径が小さい
と、重合作業の最終段階で導電性粒子１９のバンプ電極
１４での拘持が困難になり、逆に粒径が大きすぎると、
バンプ電極１４間及びパッド電極１７間の耐電圧低下、
短絡などの問題を生じる。また、粗面１４ａは深さは加
圧状態で導電性粒子１９の粒径の１／３〜１／２で、凹
部面積が１個乃至数個の導電性粒子を拘持できるように
形成することが望ましい。上記凹部は粗面１４ａで形成
したが、図３に示すようにバンプ電極１４の端面に内方
から外方に向かって縮径する凹部１４ｂを形成したもの
でもよい。このとき、凹部の底１４ｃを粗面にすること
が望ましい。この凹部１４ｂは図２で説明した粗面１４
ａと同様に、樹脂１８中に挿入されると凹部１４ｂ内に
導電性粒子１９が位置するが、さらに半導体ペレット１
１によって押圧され外方に移動する樹脂１８中の導電性
粒子１９は径大部から取り込まれ径小部側へ向かって移
動する間に密になり、バンプ電極１４がパッド電極１７
に近接すると移動が停止され、高密度状態で各電極１
４、１７を電気的に接続することができる。図４、図５
は本発明の他の実施例を示す。図において図１と同一物
には同一符号を付し重複する説明を省略する。図中相異
するのは、図に示すように配線基板１５上で環状に配列
されたパッド電極１７の内側領域に導電性粒子１９を分
散させた樹脂１８をパッド電極１７上にガイドする凸部
２０、２１を形成した点にある。凸部２０、２１２２
は、例えばエポキシ樹脂をスクリーン印刷法により平面
形状が三角形状に形成されている。この凸部２０、２１
は底辺が隣り合うパッド電極１７、１７間を閉塞し、隣
り合う凸部２０、２０間および２０、２１間にパッド電
極１７が臨むように配置され、半導体ペレット１１と配
線基板１５の対向間隔よりやや低く形成されている。こ
の半導体装置の製造方法は図１半導体装置と同様である
が、バンプ電極１４とパッド電極１７を重合するため
に、半導体ペレット１１を配線基板１５に近接させる
と、半導体ペレット１１が樹脂１８を押圧し外方に押し
拡げると、この樹脂１８は凸部２０、２１によってガイ
ドされ、バンプ電極１４とパッド電極１７間に集中して
流れる。バンプ電極１４はパッド電極１７に近接し対向
間隔が狭められると、電極１４、１７間の異方性導電樹
脂１８の流動性が急激に低下し、多数の導電性粒子１９
は電極１４、１７間に取り残され、余剰の樹脂１８ａは
隣り合うバンプ電極１４、１４間からバンプ電極１４の
外方に流出し、各電極１４、１７は導電性粒子１９を介
して電気的に接続される。尚、この実施例では矩形状に
配列されたパッド電極１７の図示点線で示すコーナ部２
２にも突起を形成することができる。この凸部２０、２
１はパッド電極１７の配列位置、形状に応じて適宜その
形状、寸法を変更できる。また、バンプ電極１４の下端
面は図１実施例と同様に粗面にすることもできる。
【０００７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば導電性粒
子を分散させた樹脂のバンプ電極とパッド電極の重合部
における分散密度を高めることができるから半導体ペレ
ットと配線基板の接着と同時に電気的な接続も確実にで
きる。
子を分散させた樹脂のバンプ電極とパッド電極の重合部
における分散密度を高めることができるから半導体ペレ
ットと配線基板の接着と同時に電気的な接続も確実にで
きる。
【図１】 本発明の実施例を示す半導体装置の側断面図
【図２】 図１半導体装置の製造方法を説明する側断面
図
図
【図３】 図１半導体装置のバンプ電極の変形例を示す
要部拡大平面図
要部拡大平面図
【図４】 本発明の他の実施例を示す配線基板の要部平
面図
面図
【図４】 図４の配線基板のＡ−Ａ部での半導体装置の
側断面図
側断面図
【図６】 従来の半導体装置を示す側断面図
１１ 半導体ペレット １２ 半導体基板 １４ バンプ電極 １４ａ 粗面 １５ 配線基板 １７ パッド電極 １８ 異方性導電樹脂 １８ａ 樹脂 １９ 導電性粒子
【手続補正書】
【提出日】平成９年７月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例を示す半導体装置の側断面図
【図２】 図１半導体装置の製造方法を説明する側断面
図
図
【図３】 図１半導体装置のバンプ電極の変形例を示す
要部拡大平面図
要部拡大平面図
【図４】 本発明の他の実施例を示す配線基板の要部平
面図
面図
【図５】 図４の配線基板のＡ−Ａ部での半導体装置の
側断面図
側断面図
【図６】 従来の半導体装置を示す側断面図
【符号の説明】 １１ 半導体ペレット １２ 半導体基板 １４ バンプ電極 １４ａ 粗面 １５ 配線基板 １７ パッド電極 １８ 異方性導電樹脂 １８ａ 樹脂 １９ 導電性粒子
Claims (4)
- 【請求項１】一主面上に多数のバンプ電極を形成した半
導体ペレットと前記バンプ電極に対応してパッド電極を
形成した配線基板とを対向させ、この対向面間に導電性
粒子を分散させた樹脂を供給し、バンプ電極とパッド電
極間に導電性粒子を介在させて加圧接着したフリップチ
ップ構造の半導体装置において、 前記バンプ電極とパッド電極間に位置する樹脂中の導電
性粒子の分散密度を他の部分の分散密度より大きく設定
したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】前記バンプ電極とパッド電極の少なくとも
一方に前記導電性粒子の拘持部を形成したことを特徴と
する請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】前記拘持部が粗面で、この拘持された導電
粒子がバンプ電極及びパッド電極に食い込み各電極間を
電気的に接続することを特徴とする請求項２に記載の半
導体装置。 - 【請求項４】一直線上に沿って配列されたパッド電極の
内側に導電性粒子を分散させた樹脂をパッド電極上にガ
イドする凸部を形成したことを特徴とする請求項１に記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9132696A JPH10321758A (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9132696A JPH10321758A (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321758A true JPH10321758A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=15087416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9132696A Pending JPH10321758A (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10321758A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100416343C (zh) * | 2004-01-21 | 2008-09-03 | 友达光电股份有限公司 | 增加金属连线可靠度的结构 |
| CN100458508C (zh) * | 2006-06-12 | 2009-02-04 | 友达光电股份有限公司 | 信号传输组件及应用其的显示装置 |
| JP2009295857A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Optrex Corp | Ｉｃチップと外部配線との接続構造およびｉｃチップ |
| CN109799660A (zh) * | 2019-03-20 | 2019-05-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 液晶显示装置 |
-
1997
- 1997-05-23 JP JP9132696A patent/JPH10321758A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100416343C (zh) * | 2004-01-21 | 2008-09-03 | 友达光电股份有限公司 | 增加金属连线可靠度的结构 |
| CN100458508C (zh) * | 2006-06-12 | 2009-02-04 | 友达光电股份有限公司 | 信号传输组件及应用其的显示装置 |
| JP2009295857A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Optrex Corp | Ｉｃチップと外部配線との接続構造およびｉｃチップ |
| CN109799660A (zh) * | 2019-03-20 | 2019-05-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 液晶显示装置 |
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