JPH03185894A - 電極端子の相互接続方法 - Google Patents
電極端子の相互接続方法Info
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- JPH03185894A JPH03185894A JP1324983A JP32498389A JPH03185894A JP H03185894 A JPH03185894 A JP H03185894A JP 1324983 A JP1324983 A JP 1324983A JP 32498389 A JP32498389 A JP 32498389A JP H03185894 A JPH03185894 A JP H03185894A
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Landscapes
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、相対峙する電気回路基体の電極端子を互いに
電気的に接続するための、電極端子の相互接続方法に関
するものである。
電気的に接続するための、電極端子の相互接続方法に関
するものである。
[従来の技術]
従来、5pej2(5木/ m m )程度の、配線基
板の取り出し電極を相互に接続する方法としては、異方
性導電接着膜を用いて接続する方法が知られている。
板の取り出し電極を相互に接続する方法としては、異方
性導電接着膜を用いて接続する方法が知られている。
例えば、液晶表示素子に駆動用半導体素子を接続する方
法としては、TABフィルムに半導体素子を実装した後
、当該TABフィルムの取り出し電極と液晶表示素子の
取り出し電極とを異方性導電接着膜を用いて接続する方
法が行われている。
法としては、TABフィルムに半導体素子を実装した後
、当該TABフィルムの取り出し電極と液晶表示素子の
取り出し電極とを異方性導電接着膜を用いて接続する方
法が行われている。
また、液晶表示素子のガラス基板の取り出し電極に半導
体素子を接続する方法としては、当該半導体素子の電極
パッド上に半田バンプを形成して接続を行う方法や、半
導体素子の電極端子上に金バンブを形成して接着剤ある
いは圧着治具などにより接続を行う方法等が知られてい
る。
体素子を接続する方法としては、当該半導体素子の電極
パッド上に半田バンプを形成して接続を行う方法や、半
導体素子の電極端子上に金バンブを形成して接着剤ある
いは圧着治具などにより接続を行う方法等が知られてい
る。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、異方性導電接着膜を用いた接続においては、接
!!端子密度が10peft以上の場合には隣接する電
極間の絶縁が保たれなくなるおそれがあるという課題を
有していた。
!!端子密度が10peft以上の場合には隣接する電
極間の絶縁が保たれなくなるおそれがあるという課題を
有していた。
また、半導体素子を直接液晶表示素子などの配線基板上
に接続する場合には、半導体素子にバンブを形成しなけ
ればならないため実装コストが高くなり且つ歩留まりが
低下するという課題を有しており、さらには、バンプが
半導体素子と基板との応力を吸収しきれない場合がある
ため信頼性が悪いというX!題も有していた。
に接続する場合には、半導体素子にバンブを形成しなけ
ればならないため実装コストが高くなり且つ歩留まりが
低下するという課題を有しており、さらには、バンプが
半導体素子と基板との応力を吸収しきれない場合がある
ため信頼性が悪いというX!題も有していた。
本発明は、高密度配線を行なう場合でも信頼性が十分に
確保され、且つ、歩留りが高く安価に実施することが可
能な電極端子の相互接続方法を提供することを目的とす
る。
確保され、且つ、歩留りが高く安価に実施することが可
能な電極端子の相互接続方法を提供することを目的とす
る。
[課題を解決するための手段]
本発明の電極端子の相互接続方法は、
第1の電気回路基体に形成された電極端子と第2の電気
回路基体に形成された電極端子とを相互に電気的に接続
させて保持固定させるための電極端子の相互接続方法に
おいて、 前記第1の電気回路基体または前記第2の電気回路基体
の少なくとも一方について、当該電気回路基体に形成さ
れた電極端子に導電性微粒子を選択的に付着させ、その
後前記第1の電気回路基体に形成された電極端子と前記
第2の電気回路基体に形成された電極端子とを接合させ
ることを特徴とする。
回路基体に形成された電極端子とを相互に電気的に接続
させて保持固定させるための電極端子の相互接続方法に
おいて、 前記第1の電気回路基体または前記第2の電気回路基体
の少なくとも一方について、当該電気回路基体に形成さ
れた電極端子に導電性微粒子を選択的に付着させ、その
後前記第1の電気回路基体に形成された電極端子と前記
第2の電気回路基体に形成された電極端子とを接合させ
ることを特徴とする。
上記特徴においては、前記導電性微粒子を帯電させ且つ
前記電極端子に電界が集中するような静電界中で散布を
行うことにより、当該電極端子に選択的に導電性微粒子
を散布・付着させることが望ましい。
前記電極端子に電界が集中するような静電界中で散布を
行うことにより、当該電極端子に選択的に導電性微粒子
を散布・付着させることが望ましい。
上記特徴においては、前記第1の電気回路基体または前
記第2の電気回路基体の内少なくとも一方の電極端子に
選択的に導電性微粒子を散布・付着させる電気回路基体
として、当該電極端子以外の部分を絶縁膜により覆った
電気回路基体を用いることが望ましい。
記第2の電気回路基体の内少なくとも一方の電極端子に
選択的に導電性微粒子を散布・付着させる電気回路基体
として、当該電極端子以外の部分を絶縁膜により覆った
電気回路基体を用いることが望ましい。
上記特徴においては、前記導電性微粒子として、樹脂微
粒子に導電性メッキを施したものを用いることが望まし
い。
粒子に導電性メッキを施したものを用いることが望まし
い。
上記特徴においては、少なくとも一方の電気回路基体が
半導体素子であることが望ましい。
半導体素子であることが望ましい。
上記特徴においては、少なくとも一方の電気回路基体が
半導体素子であり、他の電気回路基体の内前記半導体素
子のダイエッヂ部に対向する部分に絶縁膜を設けること
が望ましい。
半導体素子であり、他の電気回路基体の内前記半導体素
子のダイエッヂ部に対向する部分に絶縁膜を設けること
が望ましい。
上記特徴においては、半導体素子または他の電気回路基
体の内少なくとも一方に選択的に導電性粒子を散布・付
着させた後、電極端子を接合し、その後、半導体素子の
少なくとも一部分を第1の接着剤により配線基板に接続
固定し、さらに第2の接着剤により半導体素子と配線基
板の未接着部を接続固定することが望ましい。
体の内少なくとも一方に選択的に導電性粒子を散布・付
着させた後、電極端子を接合し、その後、半導体素子の
少なくとも一部分を第1の接着剤により配線基板に接続
固定し、さらに第2の接着剤により半導体素子と配線基
板の未接着部を接続固定することが望ましい。
[作 用]
本発明は、上述の方法により、高密度配線を行なう場合
でも信頼性が十分に確保され、且つ、歩留りが高く安価
に実施することが可能な電極端子の相互接続方法を実現
するものである。
でも信頼性が十分に確保され、且つ、歩留りが高く安価
に実施することが可能な電極端子の相互接続方法を実現
するものである。
以下、本発明について、詳細に説明する。
本発明によれば、相互接続される配線基板の電極端子に
導電性′微粒子を散布・付着させる場合に、電極端子上
に選択的に導電性微粒子を付着させるので、隣接する電
極端子間の絶縁を保ちながら高密度の配線基板の電極端
子を相互接続することが可能となる。
導電性′微粒子を散布・付着させる場合に、電極端子上
に選択的に導電性微粒子を付着させるので、隣接する電
極端子間の絶縁を保ちながら高密度の配線基板の電極端
子を相互接続することが可能となる。
また、電極端子上により多くの導電性微粒子を付着させ
る手段として、導電性微粒子を帯電させ、電極端子に電
界を集中させた静電界中で散布を行うことにより導電性
微粒子の位置を制御し、電極端子上により多くの導電性
微粒子を付着させることができる。導電性微粒子を帯電
させる方法としては、例えば、コロナ放電による帯電あ
るいは絶縁物または半導体との摩擦による摩擦帯電を用
いれば良い。
る手段として、導電性微粒子を帯電させ、電極端子に電
界を集中させた静電界中で散布を行うことにより導電性
微粒子の位置を制御し、電極端子上により多くの導電性
微粒子を付着させることができる。導電性微粒子を帯電
させる方法としては、例えば、コロナ放電による帯電あ
るいは絶縁物または半導体との摩擦による摩擦帯電を用
いれば良い。
また、このとき、電極端子の接続部以外を絶縁膜で覆う
ことにより、電極端子の接続部のみに電界を集中させ、
導電性微粒子を電極端子の接続部のみに付着させること
が可能となる。
ことにより、電極端子の接続部のみに電界を集中させ、
導電性微粒子を電極端子の接続部のみに付着させること
が可能となる。
また、導電性微粒子として導電性メッキを施した樹脂微
粒子を用いることによって該導電性微粒子の比重を小さ
くすることができ、電極端子上に導電性微粒子を導き易
くし、さらに、配線基板の相互接続後に電極端子の接続
部に生じる応力を緩和することができる。
粒子を用いることによって該導電性微粒子の比重を小さ
くすることができ、電極端子上に導電性微粒子を導き易
くし、さらに、配線基板の相互接続後に電極端子の接続
部に生じる応力を緩和することができる。
さらに、半導体素子を配線基板に実装する場合、配線基
板の電極端子に選択的に導電性微粒子を散布付着させ、
半導体素子の電極パッドを位置合わせし、接着剤により
接続を行うことにより、半導体素子にバンブをつけずに
接続を行うことを可能にする。
板の電極端子に選択的に導電性微粒子を散布付着させ、
半導体素子の電極パッドを位置合わせし、接着剤により
接続を行うことにより、半導体素子にバンブをつけずに
接続を行うことを可能にする。
また、半導体素子を配線基板に実装する場合に配線基板
上の半導体素子のダイエッヂ部は対峙する部分に絶縁膜
を設けることにより、導電性微粒子を該ダイエッヂ部に
対向する部分に付着させずに実装を行うことができるの
で、半導体素子と配線基板とのエッチ・ショートを防止
することができる。
上の半導体素子のダイエッヂ部は対峙する部分に絶縁膜
を設けることにより、導電性微粒子を該ダイエッヂ部に
対向する部分に付着させずに実装を行うことができるの
で、半導体素子と配線基板とのエッチ・ショートを防止
することができる。
[実施例]
以下、本発明の実施例について説明する。
(実施例1)
本発明の第1の実施例として、液晶素子を設けたガラス
基板の取り出し電極上に、当該液晶素子を駆動するため
の半導体素子をフェースダウンで接続する場合について
説明する。
基板の取り出し電極上に、当該液晶素子を駆動するため
の半導体素子をフェースダウンで接続する場合について
説明する。
■まず、第1図(a)に示したように、電極端子8以外
の部分を絶縁膜10で覆ったガラス基板11を第1図に
示したような散布装置にセットする。
の部分を絶縁膜10で覆ったガラス基板11を第1図に
示したような散布装置にセットする。
■次に、第1図(b)に示したように、導電性微粒子分
散液1を加圧窒素2によって吹出ノズル3からスプレー
散布する。
散液1を加圧窒素2によって吹出ノズル3からスプレー
散布する。
このとき、導電性微粒子4を放電電極5によって作られ
るコロナ電界中を通過させることにより、当該電性微粒
子4を帯電させる。帯電した導電性微粒子7は、放電電
極5と配線基板の接地された取り出し電極8との間に生
じている静電界中で電気力線上沿って導かれ、配線基板
上の取り出し電極の接続部に付着する。
るコロナ電界中を通過させることにより、当該電性微粒
子4を帯電させる。帯電した導電性微粒子7は、放電電
極5と配線基板の接地された取り出し電極8との間に生
じている静電界中で電気力線上沿って導かれ、配線基板
上の取り出し電極の接続部に付着する。
第2図は、第1図の断面x−x’の断面図であり、電極
端子8に導電性微粒子が付着した状態を示している。第
2図に示したように、本実施例によれば、電極端子8に
のみ集中的に、導電性微粒子を選択的に散布、付着させ
ることができる。このため、隣接電極間の絶縁性の高い
接続を行うことができる。
端子8に導電性微粒子が付着した状態を示している。第
2図に示したように、本実施例によれば、電極端子8に
のみ集中的に、導電性微粒子を選択的に散布、付着させ
ることができる。このため、隣接電極間の絶縁性の高い
接続を行うことができる。
■次に、第3図に示したように、半導体素子15の電極
パッド16とガラス基板とを位置合わせし、加圧しなが
ら接続端子部以外の場所に塗布された接着剤17を硬化
させ、液晶素子の電極端子と半導体素子の電極パッドを
電気的に接続する。
パッド16とガラス基板とを位置合わせし、加圧しなが
ら接続端子部以外の場所に塗布された接着剤17を硬化
させ、液晶素子の電極端子と半導体素子の電極パッドを
電気的に接続する。
接着剤17が硬化した後は、圧力を解放しても電気的接
続は保持されている。なお、接着剤17としては、加熱
、冷却、超音波、溶剤により剥離可能なものを用いれば
、この時点で半導体素子の動作試験を行い、半導体素子
の不良が発見された場合はこの半導体素子を取り出して
別の半導体素子を接続することが可能であり、製造コス
トの低減に有効である。
続は保持されている。なお、接着剤17としては、加熱
、冷却、超音波、溶剤により剥離可能なものを用いれば
、この時点で半導体素子の動作試験を行い、半導体素子
の不良が発見された場合はこの半導体素子を取り出して
別の半導体素子を接続することが可能であり、製造コス
トの低減に有効である。
■半導体素子の動作試験が終えた後、熱硬化性樹脂を主
材とする接着剤18により半導体素子と液晶素子のガラ
ス基板との未接着部分を接着・封止し、接続を完成する
。この状態を第4図に示す。
材とする接着剤18により半導体素子と液晶素子のガラ
ス基板との未接着部分を接着・封止し、接続を完成する
。この状態を第4図に示す。
以上、本実施例に係わる電極端子の接続方法について説
明した。
明した。
なお、本実施例では、半導体素子のダイエッヂ部14に
対向する液晶基板の端子電極上を絶縁膜10で覆いて導
電性微粒子を第1図に示す方法で散布することにより、
半導体素子のダイエッヂ部に対向する部分に導電性微粒
子が付着しないようにしたので、半導体素子のダイエッ
ヂ部14と液晶基板の端子電極13とのエッヂショート
を防止することができる。
対向する液晶基板の端子電極上を絶縁膜10で覆いて導
電性微粒子を第1図に示す方法で散布することにより、
半導体素子のダイエッヂ部に対向する部分に導電性微粒
子が付着しないようにしたので、半導体素子のダイエッ
ヂ部14と液晶基板の端子電極13とのエッヂショート
を防止することができる。
第5図は、電極13のうち半導体素子のダイエッヂ部に
対向する部分を絶縁膜により覆わなかった場合の工程■
終了後の状態を示す図である。第5図に示したように、
電極13のうち半導体素子のダイエッヂ部に対向する部
分を絶a膜により覆わなかった場合、導電性微粒子9a
により半導体素子のダイエッヂ部と液晶基板の端子電極
とがショートしてしまう。
対向する部分を絶縁膜により覆わなかった場合の工程■
終了後の状態を示す図である。第5図に示したように、
電極13のうち半導体素子のダイエッヂ部に対向する部
分を絶a膜により覆わなかった場合、導電性微粒子9a
により半導体素子のダイエッヂ部と液晶基板の端子電極
とがショートしてしまう。
本実施例において使用する導電性微粒子は、金属微粒子
であってもよいが、樹脂微粒子に導電性メッキを施した
ものを用いて金属微粒子に比して比重を小さくすること
により静電界中に散布された帯電した導電性微粒子を電
気力線に沿って電極端子に導き易くすることができる。
であってもよいが、樹脂微粒子に導電性メッキを施した
ものを用いて金属微粒子に比して比重を小さくすること
により静電界中に散布された帯電した導電性微粒子を電
気力線に沿って電極端子に導き易くすることができる。
また、樹脂微粒子を用いることで、接続部に生じる応力
を緩和し、信頼性を高めることができる。
を緩和し、信頼性を高めることができる。
(実施例2)
本発明の第2の実施例について、第6図を用いて説明す
る。
る。
液晶素子を有するガラス基板11の電極端子8に第1図
に示す方法で導電性微粒子9を付着させ、フレキシブル
配線基板21の電極端子8゛ とガラス基板11の電極
端子8を位置合わせし、加圧しながら接着剤23を硬化
させ接続を行う。
に示す方法で導電性微粒子9を付着させ、フレキシブル
配線基板21の電極端子8゛ とガラス基板11の電極
端子8を位置合わせし、加圧しながら接着剤23を硬化
させ接続を行う。
接着剤23としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性
樹脂あるいは熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を添加したも
のが使用可能である。
樹脂あるいは熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を添加したも
のが使用可能である。
接着剤23を供給する手段としては、加圧しながらフレ
キシブル配線基板21の周辺から液状の接着剤を塗布し
浸透させる方法、接着剤をフレキシブル配線基板21と
液晶基板11の一方か両方に塗布またはスクリーン印刷
あるいは転写する方法、シート状の接着剤をフレキシブ
ル配線基板21と液晶基板11との間にはさみ込む方法
、あるいは、シート状の接着剤をフレキシブル配線基板
21と液晶基板11′の一方か両方に貼り付ける方法等
がある。
キシブル配線基板21の周辺から液状の接着剤を塗布し
浸透させる方法、接着剤をフレキシブル配線基板21と
液晶基板11の一方か両方に塗布またはスクリーン印刷
あるいは転写する方法、シート状の接着剤をフレキシブ
ル配線基板21と液晶基板11との間にはさみ込む方法
、あるいは、シート状の接着剤をフレキシブル配線基板
21と液晶基板11′の一方か両方に貼り付ける方法等
がある。
このような方法によっても、信頼性が十分に確保され、
且つ、歩留りが高く安価に接続を実現することが可能で
あった。
且つ、歩留りが高く安価に接続を実現することが可能で
あった。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の電極端子の相互接続方法
によれば、以下のような効果を得ることができる。
によれば、以下のような効果を得ることができる。
導電性微粒子を配線基板上に散布方法により付着させる
ことにより、配線基板の接続電極の形状や配置等にとら
れれずに正確に導電性微粒子を付着することができる。
ことにより、配線基板の接続電極の形状や配置等にとら
れれずに正確に導電性微粒子を付着することができる。
また、導電性微粒子を帯電させて配線基板上の露出電極
との間に生じる静電界中で散布を行うことにより、当該
導電性微粒子を電極端子上に選択的に付着させることに
より、隣接電極間の絶縁性を向上させることができる。
との間に生じる静電界中で散布を行うことにより、当該
導電性微粒子を電極端子上に選択的に付着させることに
より、隣接電極間の絶縁性を向上させることができる。
さらに、導電性微粒子として樹脂微粒子に導電性メッキ
を施したものを用いることにより、金属粒子よりも比重
を軽くし、導電性微粒子を電極端子上に導き易くするこ
とができる。さらに、導電性微粒子の芯核が樹脂である
ことにより、配線基板の相互接続電極部に生じる応力を
緩和することができる。ここで、導電性微粒子として金
属粒子を用いた場合でも、散布は可能であり、電気的接
続も可能であることを付記しておく。
を施したものを用いることにより、金属粒子よりも比重
を軽くし、導電性微粒子を電極端子上に導き易くするこ
とができる。さらに、導電性微粒子の芯核が樹脂である
ことにより、配線基板の相互接続電極部に生じる応力を
緩和することができる。ここで、導電性微粒子として金
属粒子を用いた場合でも、散布は可能であり、電気的接
続も可能であることを付記しておく。
そのうえ、半導体素子を配線基板にフェースダウンで接
続する場合、半導体素子にバンブを付ける必要がなく、
歩留まりの向上とコストダウンを行うことができる。
続する場合、半導体素子にバンブを付ける必要がなく、
歩留まりの向上とコストダウンを行うことができる。
加えて、半導体素子と配線基板とを位置合わせした後、
半導体素子の一部を剥離可能な接着剤により接続固定し
、半導体素子の動作試験の後に半導体素子の未接着部分
を接着するという方法を採った場合には、動作試験で不
良が発見された半導体素子の取り外しを容易にすること
ができる。
半導体素子の一部を剥離可能な接着剤により接続固定し
、半導体素子の動作試験の後に半導体素子の未接着部分
を接着するという方法を採った場合には、動作試験で不
良が発見された半導体素子の取り外しを容易にすること
ができる。
なおかつ、配線基板上において半導体素子のダイエッヂ
部に対向する部分に、絶縁膜を設けることにより、導電
性微粒子をダイエッヂ部に対向する部分に付着させない
よう社することができ、従って、半導体素子と配線基板
とのエッヂショートを防止することができる。
部に対向する部分に、絶縁膜を設けることにより、導電
性微粒子をダイエッヂ部に対向する部分に付着させない
よう社することができ、従って、半導体素子と配線基板
とのエッヂショートを防止することができる。
第1図(a)および(b)は本発明の1実施例に係わる
導電性微粒子の相互接続方法を示す概念図、 第2図は第1図のx−x’断面図で導電性微粒子が電極
端子上に選択的に付着している状態を示す概略的断面図
、 第3図は導電性微粒子を付着させた液晶基板と半導体素
子と接続した状態を示す図、 第4図は第3図に示された状態の半導体素子と液晶基板
の未接着部分を接着剤により接着封止した状態を示す図
、 第5図は半導体素子と液晶基板の電極端子とがエッヂシ
ョートした状態を示す図、 第6図は本発明の第2の実施例の液晶基板の電極端子と
フレキシブル配線基板を接続した状態を示す図である。 (符号の説明) 1・・・導電性微粒子分散液、2・・・加圧窒素、3・
・・吹出ノズル、4・・・散布された導電性微粒子、5
・・・放電電極、6・・・高圧電源、7・・・帯電した
導電性微粒子、8.8′・・・配線基板の電極端子、9
・・・電極端子に付着した導電性微粒子、10・・・絶
縁膜、11・・・電気回路基体の基板、12・・・アー
ス線、13・・・液晶素子の電極端子、14・・・半導
体素子のダイエッヂ部、15・・・半導体素子、16・
・・半導体素子の電極パッド、17および18・・・接
着剤、19・・・半導体素子のパシベーション膜、9a
・・・エッヂショートを引き起こしている導電性微粒子
、21・・・フレキシブル配線基板、22・・・フレキ
シブル配線基板の電極端子、23・・・接着剤。 第 図(a) 第 図 (b) 第 3 図 第 図
導電性微粒子の相互接続方法を示す概念図、 第2図は第1図のx−x’断面図で導電性微粒子が電極
端子上に選択的に付着している状態を示す概略的断面図
、 第3図は導電性微粒子を付着させた液晶基板と半導体素
子と接続した状態を示す図、 第4図は第3図に示された状態の半導体素子と液晶基板
の未接着部分を接着剤により接着封止した状態を示す図
、 第5図は半導体素子と液晶基板の電極端子とがエッヂシ
ョートした状態を示す図、 第6図は本発明の第2の実施例の液晶基板の電極端子と
フレキシブル配線基板を接続した状態を示す図である。 (符号の説明) 1・・・導電性微粒子分散液、2・・・加圧窒素、3・
・・吹出ノズル、4・・・散布された導電性微粒子、5
・・・放電電極、6・・・高圧電源、7・・・帯電した
導電性微粒子、8.8′・・・配線基板の電極端子、9
・・・電極端子に付着した導電性微粒子、10・・・絶
縁膜、11・・・電気回路基体の基板、12・・・アー
ス線、13・・・液晶素子の電極端子、14・・・半導
体素子のダイエッヂ部、15・・・半導体素子、16・
・・半導体素子の電極パッド、17および18・・・接
着剤、19・・・半導体素子のパシベーション膜、9a
・・・エッヂショートを引き起こしている導電性微粒子
、21・・・フレキシブル配線基板、22・・・フレキ
シブル配線基板の電極端子、23・・・接着剤。 第 図(a) 第 図 (b) 第 3 図 第 図
Claims (7)
- (1)第1の電気回路基体に形成された電極端子と第2
の電気回路基体に形成された電極端子とを相互に電気的
に接続させて保持固定させるための電極端子の相互接続
方法において、 前記第1の電気回路基体または前記第2の電気回路基体
の少なくとも一方について、当該電気回路基体に形成さ
れた電極端子に導電性微粒子を選択的に散布・付着させ
、その後前記第1の電気回路基体に形成された電極端子
と前記第2の電気回路基体に形成された電極端子とを接
合させることを特徴とするの電極端子の相互接続方法 - (2)前記導電性微粒子を帯電させ且つ前記電極端子に
電界が集中するような静電界中で散布を行うことにより
、当該電極端子に選択的に導電性微粒子を付着させるこ
とを特徴とする請求項1記載の電極端子の相互接続方法 - (3)前記第1の電気回路基体または前記第2の電気回
路基体の内少なくとも一方の電極端子に選択的に導電性
微粒子を散布・付着させる電気回路基体として、当該電
極端子以外の部分を絶縁膜により覆った電気回路基体を
用いることを特徴とする請求項2記載の電極端子の相互
接続方法 - (4)前記導電性微粒子として、樹脂微粒子に導電性メ
ッキを施したものを用いることを特徴とする請求項1ま
たは2に記載の電極端子の相互接続方法 - (5)少なくとも一方の電気回路基体が半導体素子であ
ることを特徴とする特許請求項1〜4に記載の電極端子
の相互接続方法。 - (6)少なくとも一方の電気回路基体が半導体素子であ
り、他の電気回路基体の内前記半導体素子のダイエッヂ
部に対向する部分に絶縁膜を設けたことを特徴とする請
求項3記載の電極端子の相互接続方法 - (7)半導体素子または他の電気回路基体の内少なくと
も一方に選択的に導電性粒子を散布・付着させた後、電
極端子を接合し、その後、半導体素子の少なくとも一部
分を第1の接着剤により配線基板に接続固定し、さらに
第2の接着剤により半導体素子と配線基板の未接着部を
接続固定することを特徴とする請求項5または6に記載
の電極端子の相互接続方法
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1324983A JPH03185894A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 電極端子の相互接続方法 |
DE69026992T DE69026992T2 (de) | 1989-08-17 | 1990-08-16 | Prozess zur gegenseitigen Konnektion von Elektrodenanschlüssen |
EP19900115707 EP0413335B1 (en) | 1989-08-17 | 1990-08-16 | Method of mutually connecting electrode terminals |
AT90115707T ATE138225T1 (de) | 1989-08-17 | 1990-08-16 | Prozess zur gegenseitigen konnektion von elektrodenanschlüssen |
KR1019900012676A KR940008554B1 (ko) | 1989-08-17 | 1990-08-17 | 전극단자 상호 접속방법 |
US08/012,805 US5352318A (en) | 1989-08-17 | 1993-02-02 | Method of mutually connecting electrode terminals |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1324983A JPH03185894A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 電極端子の相互接続方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03185894A true JPH03185894A (ja) | 1991-08-13 |
Family
ID=18171818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1324983A Pending JPH03185894A (ja) | 1989-08-17 | 1989-12-15 | 電極端子の相互接続方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03185894A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7109058B2 (en) | 2001-02-19 | 2006-09-19 | Sony Chemicals Corp. | Bumpless semiconductor device |
JP2010258030A (ja) * | 2009-04-21 | 2010-11-11 | Nec Corp | 半導体装置製造方法 |
JP2012134155A (ja) * | 2011-12-27 | 2012-07-12 | Sony Chemical & Information Device Corp | 異方性導電膜及びこれを用いた接合体 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06103702A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-15 | Toshiba Corp | 情報記録再生装置 |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP1324983A patent/JPH03185894A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06103702A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-15 | Toshiba Corp | 情報記録再生装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7109058B2 (en) | 2001-02-19 | 2006-09-19 | Sony Chemicals Corp. | Bumpless semiconductor device |
US7638876B2 (en) | 2001-02-19 | 2009-12-29 | Sony Chemical & Information Device Corporation | Bumpless semiconductor device |
JP2010258030A (ja) * | 2009-04-21 | 2010-11-11 | Nec Corp | 半導体装置製造方法 |
JP2012134155A (ja) * | 2011-12-27 | 2012-07-12 | Sony Chemical & Information Device Corp | 異方性導電膜及びこれを用いた接合体 |
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