JP2830824B2 - バンプ付きワークの実装方法および実装構造 - Google Patents
バンプ付きワークの実装方法および実装構造Info
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- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップなどのワー
クのバンプを基板のパッド上に搭載するバンプ付きワー
クの実装方法および実装構造に関するものである。
クのバンプを基板のパッド上に搭載するバンプ付きワー
クの実装方法および実装構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】バンプ付きチップなどのバンプ付きワー
クは、基板にコンパクトに実装できることから、基板の
小型化・高集積化に有利であり、近年はワークの実装構
造として多用されるようになってきている。以下、従来
のバンプ付きワークの実装方法について説明する。
クは、基板にコンパクトに実装できることから、基板の
小型化・高集積化に有利であり、近年はワークの実装構
造として多用されるようになってきている。以下、従来
のバンプ付きワークの実装方法について説明する。
【０００３】図５は、従来のバンプ付きワークの実装構
造図である。基板１の上面には回路パターンのパッド２
が形成されている。ワークとしてのチップ３の下面には
バンプ（突出電極）４が突設されている。次に実装方法
を説明する。まず、パッド２上に低融点の半田５を塗布
し、半田５上にバンプ４を接地させてチップ３を基板１
上に搭載する。バンプ４は半田よりも高融点の半田で造
られている。次に基板１を加熱炉で加熱し、低融点の半
田５のみを溶融・固化させ、高融点のバンプ４は溶融・
固化させない。
造図である。基板１の上面には回路パターンのパッド２
が形成されている。ワークとしてのチップ３の下面には
バンプ（突出電極）４が突設されている。次に実装方法
を説明する。まず、パッド２上に低融点の半田５を塗布
し、半田５上にバンプ４を接地させてチップ３を基板１
上に搭載する。バンプ４は半田よりも高融点の半田で造
られている。次に基板１を加熱炉で加熱し、低融点の半
田５のみを溶融・固化させ、高融点のバンプ４は溶融・
固化させない。
【０００４】次に基板１とチップ３の間の空間にボンド
６を注入し、ボンド６を加熱するなどして硬化させれ
ば、チップ３は基板１にボンド６で固着され、チップ３
の基板１に対する実装は終了する。
６を注入し、ボンド６を加熱するなどして硬化させれ
ば、チップ３は基板１にボンド６で固着され、チップ３
の基板１に対する実装は終了する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
方法では、半田５を溶融させるためのフラックスをパッ
ド２上やバンプ４の表面に塗布せねばならず、また半田
５による半田付け後にフラックスを洗浄して除去せねば
ならないため、工程数が多く、また作業が面倒であると
いう問題点があった。特にこの場合、基板１とチップ３
のギャップＧはきわめて小さいため（一般には３０〜５
０ミクロン程度）、洗浄液を基板１とチップ３の間に通
しにくく、フラックスを完全に洗浄除去しにくいもので
あった。
方法では、半田５を溶融させるためのフラックスをパッ
ド２上やバンプ４の表面に塗布せねばならず、また半田
５による半田付け後にフラックスを洗浄して除去せねば
ならないため、工程数が多く、また作業が面倒であると
いう問題点があった。特にこの場合、基板１とチップ３
のギャップＧはきわめて小さいため（一般には３０〜５
０ミクロン程度）、洗浄液を基板１とチップ３の間に通
しにくく、フラックスを完全に洗浄除去しにくいもので
あった。
【０００６】また半田５による半田付けの後で、基板１
とチップ３の間にボンド６を注入するが、両者のギャッ
プＧはきわめて小さいため、ボンド６を完全に充てんす
るのは難しく、空隙Ｔを生じやすいという問題点があっ
た。この空隙Ｔは、チップ３と基板１の接着力を減殺
し、また空隙Ｔ中の空気がバンプ４に接触することによ
りバンプ４は酸化されて導通性が低下するなどの問題を
生じる。特に、基板１やチップ３に電流を流してチップ
３を駆動する場合には、チップ３の回路パターンの内部
抵抗により発熱してパッド４や空隙Ｔ中の空気は高温度
となるため、パッド４はきわめて酸化されやすいもので
あった。
とチップ３の間にボンド６を注入するが、両者のギャッ
プＧはきわめて小さいため、ボンド６を完全に充てんす
るのは難しく、空隙Ｔを生じやすいという問題点があっ
た。この空隙Ｔは、チップ３と基板１の接着力を減殺
し、また空隙Ｔ中の空気がバンプ４に接触することによ
りバンプ４は酸化されて導通性が低下するなどの問題を
生じる。特に、基板１やチップ３に電流を流してチップ
３を駆動する場合には、チップ３の回路パターンの内部
抵抗により発熱してパッド４や空隙Ｔ中の空気は高温度
となるため、パッド４はきわめて酸化されやすいもので
あった。
【０００７】また半田５に替えて、パッド２上に導電性
のボンドを塗布し、このボンドでチップ３のバンプ４を
基板１のパッド２に接着する方法も知られているが、こ
の方法では導電性のボンドの電気抵抗は大きいため、高
周波信号のアクセスを行いにくく、また接着力は弱いた
め、バンプ４がパッド２から剥離しやすいという問題点
があった。
のボンドを塗布し、このボンドでチップ３のバンプ４を
基板１のパッド２に接着する方法も知られているが、こ
の方法では導電性のボンドの電気抵抗は大きいため、高
周波信号のアクセスを行いにくく、また接着力は弱いた
め、バンプ４がパッド２から剥離しやすいという問題点
があった。
【０００８】したがって本発明は、簡単確実にワークの
バンプを基板のパッドに接続できるバンプ付きワークの
実装方法および実装構造を提供することを目的とする。
バンプを基板のパッドに接続できるバンプ付きワークの
実装方法および実装構造を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、ボン
ドが塗布された一方のワークのパッド上に他方のワーク
に突設されたバンプを接地させて強く押し付けることに
より、バンプの表面の酸化膜を物理的に破壊し、また加
熱することによりパッドとバンプの合金層を生じさせ、
かつボンドを硬化させてワークを基板に固着するように
した。
ドが塗布された一方のワークのパッド上に他方のワーク
に突設されたバンプを接地させて強く押し付けることに
より、バンプの表面の酸化膜を物理的に破壊し、また加
熱することによりパッドとバンプの合金層を生じさせ、
かつボンドを硬化させてワークを基板に固着するように
した。
【００１０】請求項２の発明は、基板のパッド上に表面
に酸化膜が生じたワークのバンプを搭載するバンプ付き
ワークの実装構造であって、バンプとパッドの接合部に
加圧・加熱による酸化膜の破片を含む合金層が形成さ
れ、また基板とワークの間にワークを搭載する前に塗布
されたボンドが充てんされ、このボンドが硬化すること
によりワークを基板に固着するようにした。
に酸化膜が生じたワークのバンプを搭載するバンプ付き
ワークの実装構造であって、バンプとパッドの接合部に
加圧・加熱による酸化膜の破片を含む合金層が形成さ
れ、また基板とワークの間にワークを搭載する前に塗布
されたボンドが充てんされ、このボンドが硬化すること
によりワークを基板に固着するようにした。
【００１１】請求項３の発明は、ボンドが塗布された一
方のワークのパッド上の低融点金属から成るプリコート
部上に他方のワークに突設されたバンプを接地させて強
く押し付けることによりプリコート部の表面の酸化膜を
物理的に破壊し、また加熱することによりパッドとプリ
コート部の接合部に低融点金属とバンプの合金層を生じ
させ、かつボンドを硬化させてワークを基板に固着する
ようにした。
方のワークのパッド上の低融点金属から成るプリコート
部上に他方のワークに突設されたバンプを接地させて強
く押し付けることによりプリコート部の表面の酸化膜を
物理的に破壊し、また加熱することによりパッドとプリ
コート部の接合部に低融点金属とバンプの合金層を生じ
させ、かつボンドを硬化させてワークを基板に固着する
ようにした。
【００１２】請求項４の発明は、基板のパッド上の表面
に酸化膜が生じた低融点金属から成るプリコート部上に
ワークのバンプを搭載するバンプ付きワークの実装構造
であって、バンプとプリコート部の接合部に加圧・加熱
による酸化膜の破片を含む合金層が形成され、また基板
とワークの間にワークを搭載する前に塗布されたボンド
が介在し、このボンドが硬化することによりワークを基
板に固着するようにした。
に酸化膜が生じた低融点金属から成るプリコート部上に
ワークのバンプを搭載するバンプ付きワークの実装構造
であって、バンプとプリコート部の接合部に加圧・加熱
による酸化膜の破片を含む合金層が形成され、また基板
とワークの間にワークを搭載する前に塗布されたボンド
が介在し、このボンドが硬化することによりワークを基
板に固着するようにした。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明によれば、バンプをパッド
や低融点金属から成るプリコート部の表面に押し付ける
ことにより、バンプの表面やプリコート部の表面に生じ
た酸化膜を破壊して接合部の導通性を確保し、かつ接合
部に合金層を生じさせることによりより一層の導通性と
固着力を確保して、ワークを基板にしっかり実装でき
る。
や低融点金属から成るプリコート部の表面に押し付ける
ことにより、バンプの表面やプリコート部の表面に生じ
た酸化膜を破壊して接合部の導通性を確保し、かつ接合
部に合金層を生じさせることによりより一層の導通性と
固着力を確保して、ワークを基板にしっかり実装でき
る。
【００１４】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１のバンプ付きワークの実装工程図、図２は同バン
プ付きワークの実装構造図である。図１（ａ）におい
て、基板１１の上面にはパッド１２が形成されている。
パッド１２は金や銅などの良導体から成っている。１３
はチップであり、その下面にはバンプ１４が突設されて
いる。バンプ１４の表面は、空気に触れることにより酸
化膜１５が生じている。酸化膜１５は、パッド１２とバ
ンプ１４の間の導通性を阻害する。バンプ１４は半田か
ら成っている。なお図１において、基板１１とチップ１
３はそれぞれ部分断面を示しているが、パッド１２は基
板１１の上面に多数個形成されており、またチップ１３
の下面にはパッド１２に対応してバンプ１４は多数個形
成されている。
形態１のバンプ付きワークの実装工程図、図２は同バン
プ付きワークの実装構造図である。図１（ａ）におい
て、基板１１の上面にはパッド１２が形成されている。
パッド１２は金や銅などの良導体から成っている。１３
はチップであり、その下面にはバンプ１４が突設されて
いる。バンプ１４の表面は、空気に触れることにより酸
化膜１５が生じている。酸化膜１５は、パッド１２とバ
ンプ１４の間の導通性を阻害する。バンプ１４は半田か
ら成っている。なお図１において、基板１１とチップ１
３はそれぞれ部分断面を示しているが、パッド１２は基
板１１の上面に多数個形成されており、またチップ１３
の下面にはパッド１２に対応してバンプ１４は多数個形
成されている。
【００１５】基板１１にチップ１３を搭載する前に、基
板１１の上面にはボンド１６が均一な厚さで塗布され
る。この塗布は、スクリーン印刷、ディスペンサ、スタ
ンピングなどにより行われる。ボンド１６の厚さｄは、
バンプ１４の突出長Ｄとほぼ同じか、若しくはこれより
もやや厚くしてある。
板１１の上面にはボンド１６が均一な厚さで塗布され
る。この塗布は、スクリーン印刷、ディスペンサ、スタ
ンピングなどにより行われる。ボンド１６の厚さｄは、
バンプ１４の突出長Ｄとほぼ同じか、若しくはこれより
もやや厚くしてある。
【００１６】次に図１（ｂ）に示すように、バンプ１４
をパッド１２に位置合わせして、バンプ１４をパッド１
２上に接地させ、チップ１３を基板１１に押圧力Ｆで強
く押し付ける。するとこの押圧力Ｆのためにバンプ１４
は変形してその表面の酸化膜１５は物理的に破壊され、
バンプ１４の新鮮面が露出してこの新鮮面がパッド１２
にしっかり接地する。この場合、望ましくはチップ１３
を基板１１に対して水平方向へ相対的にスクラブ動作さ
せれば、より確実に酸化膜１５を破壊して新鮮面をパッ
ド１２に押し付けることができる。スクラブ動作の手段
としては、たとえば機械的往復動手段や超音波振動手段
などが適用できる。またボンド１６の厚さｄは上述のよ
うに設定しているので、基板１１とチップ１３の間には
ボンド１６が十分に充てんされ、基板１１とチップ１３
の間に空隙を生じない。
をパッド１２に位置合わせして、バンプ１４をパッド１
２上に接地させ、チップ１３を基板１１に押圧力Ｆで強
く押し付ける。するとこの押圧力Ｆのためにバンプ１４
は変形してその表面の酸化膜１５は物理的に破壊され、
バンプ１４の新鮮面が露出してこの新鮮面がパッド１２
にしっかり接地する。この場合、望ましくはチップ１３
を基板１１に対して水平方向へ相対的にスクラブ動作さ
せれば、より確実に酸化膜１５を破壊して新鮮面をパッ
ド１２に押し付けることができる。スクラブ動作の手段
としては、たとえば機械的往復動手段や超音波振動手段
などが適用できる。またボンド１６の厚さｄは上述のよ
うに設定しているので、基板１１とチップ１３の間には
ボンド１６が十分に充てんされ、基板１１とチップ１３
の間に空隙を生じない。
【００１７】次に図１（ｃ）に示すように、押圧力Ｆを
加えながら、熱Ｈを加えて加熱する。するとバンプ１４
とパッド１２の接合部には、バンプ１４の材料である半
田とパッド１２の材料である金や銅などとの合金層１７
が生じる。次に図１（ｄ）に示すように押圧と加熱を中
止したうえで、ボンド１６を硬化させれば、チップ１３
は基板１１にしっかり固着され、チップ１３の基板１１
への実装は終了する。なお図１（ｄ）の状態で、加熱は
いましばらく継続してもよい。また、ボンド１６の種類
は種々あるが、たとえば熱硬化性ボンドの場合は硬化温
度まで加熱することにより硬化させ、また光硬化ボンド
の場合は紫外線などの光を照射することにより硬化され
る。
加えながら、熱Ｈを加えて加熱する。するとバンプ１４
とパッド１２の接合部には、バンプ１４の材料である半
田とパッド１２の材料である金や銅などとの合金層１７
が生じる。次に図１（ｄ）に示すように押圧と加熱を中
止したうえで、ボンド１６を硬化させれば、チップ１３
は基板１１にしっかり固着され、チップ１３の基板１１
への実装は終了する。なお図１（ｄ）の状態で、加熱は
いましばらく継続してもよい。また、ボンド１６の種類
は種々あるが、たとえば熱硬化性ボンドの場合は硬化温
度まで加熱することにより硬化させ、また光硬化ボンド
の場合は紫外線などの光を照射することにより硬化され
る。
【００１８】図２は、図１（ｄ）の部分拡大図を示して
いる。図示するようにパッド１２とバンプ１４の接合部
には合金層１７が生成されており、これによりバンプ１
４はパッド１２にしっかり固着されている。また合金層
１７の内部には破壊されて粉々になった酸化膜１５の破
片１５ａが含まれている。このように酸化膜１５を破壊
したことにより、パッド１２とバンプ１４の間の導通性
は十分に確保される。またチップ１３と基板１１の間に
はボンド１６が空隙なく十分に充てんされているので、
ボンド１６による十分な接着力を確保でき、またボンド
１６の内部に空隙が生じることによるバンプ１４の酸化
を防止できる。
いる。図示するようにパッド１２とバンプ１４の接合部
には合金層１７が生成されており、これによりバンプ１
４はパッド１２にしっかり固着されている。また合金層
１７の内部には破壊されて粉々になった酸化膜１５の破
片１５ａが含まれている。このように酸化膜１５を破壊
したことにより、パッド１２とバンプ１４の間の導通性
は十分に確保される。またチップ１３と基板１１の間に
はボンド１６が空隙なく十分に充てんされているので、
ボンド１６による十分な接着力を確保でき、またボンド
１６の内部に空隙が生じることによるバンプ１４の酸化
を防止できる。
【００１９】（実施の形態２）図３は、本発明の実施の
形態２のバンプ付きワークの実装工程図、図４は同バン
プ付きワークの実装構造図である。なお実施の形態１と
同一要素には同一符号を付している。以下、チップ１３
の実装方法を説明する。
形態２のバンプ付きワークの実装工程図、図４は同バン
プ付きワークの実装構造図である。なお実施の形態１と
同一要素には同一符号を付している。以下、チップ１３
の実装方法を説明する。
【００２０】図３（ａ）において、パッド１２の上面に
は半田やスズ、インジウムなどから成る低融点金属のプ
リコート部１８が予め形成されている。またパッド１２
は銅で造られており、バンプ２１は金で造られている。
バンプ２１の素材は無錆性の金であるから酸化膜は生じ
ない。基板１１の上面に厚さｄでボンド１６を塗布した
後、図３（ｂ）に示すようにバンプ２１をプリコート部
１８上に搭載し、押圧力Ｆで押し付けて、プリコート部
１８の表面の酸化膜１９を破壊する。勿論この場合も、
望ましくはスクラブ動作を行う。
は半田やスズ、インジウムなどから成る低融点金属のプ
リコート部１８が予め形成されている。またパッド１２
は銅で造られており、バンプ２１は金で造られている。
バンプ２１の素材は無錆性の金であるから酸化膜は生じ
ない。基板１１の上面に厚さｄでボンド１６を塗布した
後、図３（ｂ）に示すようにバンプ２１をプリコート部
１８上に搭載し、押圧力Ｆで押し付けて、プリコート部
１８の表面の酸化膜１９を破壊する。勿論この場合も、
望ましくはスクラブ動作を行う。
【００２１】次に図３（ｃ）に示すように押圧力Ｆを加
えながら熱Ｈで加熱すれば、バンプ２１とプリコート部
１８の合金層２０が形成される。なおこの場合、プリコ
ート部１８が溶融するまで加熱してもよいが、加熱しす
ぎるとチップ１３に熱ダメージを与えるおそれがある。
したがってプリコート部１８はバンプ２１と融合して合
金層２０が形成される程度の比較的低温度で加熱するこ
とが望ましい。次に図３（ｃ）に示すように押圧と加熱
を解除したうえで、ボンド１６を硬化させる。なおこの
場合、押圧を解除した後も、加熱はいましばらく継続し
てもよい。
えながら熱Ｈで加熱すれば、バンプ２１とプリコート部
１８の合金層２０が形成される。なおこの場合、プリコ
ート部１８が溶融するまで加熱してもよいが、加熱しす
ぎるとチップ１３に熱ダメージを与えるおそれがある。
したがってプリコート部１８はバンプ２１と融合して合
金層２０が形成される程度の比較的低温度で加熱するこ
とが望ましい。次に図３（ｃ）に示すように押圧と加熱
を解除したうえで、ボンド１６を硬化させる。なおこの
場合、押圧を解除した後も、加熱はいましばらく継続し
てもよい。
【００２２】図４は、図３（ｄ）の部分拡大図を示して
いる。図示するように、バンプ２１と硬化した半田プリ
コート部１８’の接合部には合金層２０が形成されてお
り、また合金層２０の内部には粉々に破壊された酸化膜
１５、１９の酸化膜片１５ａ、１９ａが含まれている。
したがって実施の形態１と同様の作用効果が得られる。
いる。図示するように、バンプ２１と硬化した半田プリ
コート部１８’の接合部には合金層２０が形成されてお
り、また合金層２０の内部には粉々に破壊された酸化膜
１５、１９の酸化膜片１５ａ、１９ａが含まれている。
したがって実施の形態１と同様の作用効果が得られる。
【００２３】なお上記実施の形態では、ワークとしてチ
ップを例にとって説明したが、ワークとしては、チップ
以外のパッケージなどの電子部品でもよい。
ップを例にとって説明したが、ワークとしては、チップ
以外のパッケージなどの電子部品でもよい。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、バンプをパッドや半田
プリコート部の表面に押し付けることにより、バンプの
表面や半田プリコート部の表面に生じた酸化膜を破壊し
て接合部の導通性を確保し、かつ接合部に合金層を生じ
させることによりより一層の導通性と固着力を確保し
て、ワークを基板にしっかり実装できる。またボンドは
ワークを基板に搭載する前に基板に塗布するので、ボン
ドの内部に空隙を生じにくく、またチップと基板の間に
ボンドを十分に充てんして、ワークの固着力と空隙が生
じることによるバンプの酸化を確実に防止できる。
プリコート部の表面に押し付けることにより、バンプの
表面や半田プリコート部の表面に生じた酸化膜を破壊し
て接合部の導通性を確保し、かつ接合部に合金層を生じ
させることによりより一層の導通性と固着力を確保し
て、ワークを基板にしっかり実装できる。またボンドは
ワークを基板に搭載する前に基板に塗布するので、ボン
ドの内部に空隙を生じにくく、またチップと基板の間に
ボンドを十分に充てんして、ワークの固着力と空隙が生
じることによるバンプの酸化を確実に防止できる。
【図１】本発明の実施の形態１のバンプ付きワークの実
装工程図
装工程図
【図２】本発明の実施の形態１のバンプ付きワークの実
装構造図
装構造図
【図３】本発明の実施の形態２のバンプ付きワークの実
装工程図
装工程図
【図４】本発明の実施の形態２のバンプ付きワークの実
装構造図
装構造図
【図５】従来のバンプ付きワークの実装構造図
１１ 基板 １２ パッド １３ チップ １４ バンプ １５ 酸化膜 １６ ボンド １７ 合金層 １８ プリコート部 １９ 酸化膜 ２０ 合金層 ２１ バンプ
Claims (4)
- 【請求項１】ボンドが塗布された一方のワークのパッド
上に他方のワークに突設されたバンプを接地させて強く
押し付けることにより、バンプの表面の酸化膜を物理的
に破壊し、また加熱することによりパッドとバンプの合
金層を生じさせ、かつボンドを硬化させてワークを基板
に固着することを特徴とするバンプ付きワークの実装方
法。 - 【請求項２】基板のパッド上に表面に酸化膜が生じたワ
ークのバンプを搭載するバンプ付きワークの実装構造で
あって、バンプとパッドの接合部に加圧・加熱による酸
化膜の破片を含む合金層が形成され、また基板とワーク
の間にワークを搭載する前に塗布されたボンドが充てん
され、このボンドが硬化することによりワークを基板に
固着することを特徴とするバンプ付きワークの実装構
造。 - 【請求項３】ボンドが塗布された一方のワークのパッド
上の低融点金属から成るプリコート部上に他方のワーク
に突設されたバンプを接地させて強く押し付けることに
よりプリコート部の表面の酸化膜を物理的に破壊し、ま
た加熱することによりパッドとプリコート部の接合部に
低融点金属とバンプの合金層を生じさせ、かつボンドを
硬化させてワークを基板に固着することを特徴とするバ
ンプ付きワークの実装方法。 - 【請求項４】基板のパッド上の表面に酸化膜が生じた低
融点金属から成るプリコート部上にワークのバンプを搭
載するバンプ付きワークの実装構造であって、バンプと
プリコート部の接合部に加圧・加熱による酸化膜の破片
を含む合金層が形成され、また基板とワークの間にワー
クを搭載する前に塗布されたボンドが介在し、このボン
ドが硬化することによりワークを基板に固着することを
特徴とするバンプ付きワークの実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6234896A JP2830824B2 (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | バンプ付きワークの実装方法および実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6234896A JP2830824B2 (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | バンプ付きワークの実装方法および実装構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260421A JPH09260421A (ja) | 1997-10-03 |
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1996
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