JPH01152768A - 非晶質太陽電池の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、太陽光およびその他を光源とし、起電力を
発生する非晶質太陽電池の製造法において、特に、透明
導電膜と非晶質珪素層との配置の改良に関するものであ
る。

従来の技術 従来、透光性絶縁基板を用いた非晶質太陽電池は、第２
図に示すような作シ方をしていた。

すなわち、第２図Ａ−Ｂに示すように透光性絶縁基板２
１上に、透明導電膜２２を前記基板２１の外周２３の内
側に、１つもしくは複数の有効発電領域となる部分２４
．それらを接続するための部分２５．および外部出力端
子となる部分２６のみに堆積させるか、残し、その後、
ｐ形非晶質珪素層２７．ｉ形非晶質珪素層２８．ｎ形非
晶質珪素層２９を前記基板２１の外周２３の内側で、か
つ前記有効発電領域となる部分の外側までメタルマスク
等を用いて順次堆積させた後に、透過光面側電極３０を
形成していた。

また、前述の如く工程の後に、第２図Ａに示すように周
辺の不要部分３１を切り離したり、第３図Ｂに示すよう
に隣シ合う非晶質太陽電池３２を切シ離したシする際に
は、前記透明導電膜２２あるいは、前記非晶質珪素各層
２７，２８．２９よシ外側で、前記透光性絶縁基板２１
が露出している箇所３３で切断していた。

発明が解決しようとする問題点 しかし非晶質珪素膜とガラス等の透光性絶縁基板との密
着性はあまシ良くないので、前記基板の外周や、非晶質
太陽電池を切シ出す際の切断部分に非晶質珪素膜を残す
と、非晶質太陽電池の信頼性を低下させてしまうので、
メタルマスク等を用いて、前述の部分には、非晶質珪素
膜を堆積させ々いようにする必要がある。

しかしメタルマスクを用いるために、メタルマスクの厚
みや前記基板との密着性不良によシ、メタルマスク開口
部周辺での膜厚が不均一となり、特性不良や干渉縞によ
る外観不良を引き起こしていた。また、メタルマスクの
位置ずれや、メタルシマヌクの消耗も重大な問題であっ
た。

本発明はこのような問題点を解決するもので、上記した
透明導電膜と非晶質珪素膜の配置を工夫することで、前
記基板周辺部の非晶質珪素膜の密着性を向上させるとと
もに、上記問題点を有するメタルマスクを使用しないで
、高歩留シの美麗な非晶質太陽電池を実現することを目
的とするものである。

問題点を解決するための手段 この目的を達成するために、本発明は透光性絶縁基板の
外周の内側に、さらにその内部に形成する有効発電領域
と絶縁して透明導電膜を堆積させ、メタルマスクを使用
しないで、非晶質珪素層を堆積させるものである。

作　　用 前記基板の周辺部に透明導電膜をつけないで、その部分
に非晶質珪素膜を堆積した非晶質太陽電池はプレッシャ
ークツカー試験（２気圧、１２０℃。

４時間）を実施すると、前記周辺部で、非晶質珪素膜が
剥離してしまう。しかるに、前記基板の周辺部に透明導
電膜をつけた非晶質太陽電池を上記プレッシャークツカ
ー試験を実施しても、非晶質珪素膜の剥離は全く起こら
なかった。以上のように前記基板周辺の非晶質珪素層と
前記基板の間に、透明導電膜を形成することによって、
前記基板周辺の非晶質珪素層の密着性を向上させる作用
をすることが判明した。

実施例 以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。

ガラス等の透光性絶縁基板１の上に、電力を出力するの
に必要な部分２と、その周囲に絶縁させて透明導電膜４
を真空蒸着によシ堆積し、その後、ｐ形非晶質珪素層５
．　　ｉ形非晶質珪素層６．　　ｎ形弁晶質層７をメタ
ルマスク無しで全面に渡って、グロー放電により順次堆
積し、直列接続部８の前記非晶質珪素各層５，６．７を
金属片によるスクライプによシ除去した後、透過光面側
室Ｗｉ９としてアルミニウムを真空蒸着法によシ形成し
、前記周囲部分の前記基板１上の前記透明導電膜４と前
記非晶質珪素各層５，６．７を同時にガラス切りでスク
ライプ後切断することによって、Ｂに示す個々の非晶質
太陽電池１０を切シ出した。この太陽電池１ｏを前述の
プレッシャークツカー試験にかけたところ、全く剥離と
いう問題は起らなかった。

発明の効果 本発明により、太陽電池外周の非晶質珪素層の密着性が
向上したことによシ、メタルマスクを使用しないで、基
板全面に渡って非晶質珪素膜を堆積させることができる
ようになったので、メタルマスクの厚みや、メタルマス
クと基板との密着性不良による、非晶質珪素膜の膜厚が
不均一となって、特性不良や干渉縞による外観不良が皆
無となった。さらには、メタルマスクの位置ずれによる
特性不良も無くなり、メタルマスクの消耗も考えなくて
よくなったので、歩留シの良い、安価で、美麗かつ信頼
性の高い非晶質太陽電池が容易に作製できるようになっ
た。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａは本発明の一実施例の非晶質太陽電池の製造法
を説明するための非晶質太陽電池の平面図、Ｂは切断後
の電池の平面図、第２図Ａは従来法により透光性絶縁基
板上に透明導電膜を堆積させたものの平面図、第２図Ｂ
は従来法により作製された非晶質太陽電池の断面図、第
３図Ａは従来法により作製された非晶質太陽電池の平面
図、第３図Ｂはその切断前の平面図である。 ４・・・・・・電力を出力するのに必要な透明導電膜の
周囲に配置した透明導電膜。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第２
図 ハ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）透光性絶縁基板上に、透明導電膜を堆積し、Ｐ形
   非晶質珪素層、ｉ形非晶質珪素層、ｎ形非晶質珪素層を
   順次堆積させた後に、透過光面側電極を形成して太陽電
   池を作製する際に、透明導電膜で入射光面側電極となる
   部分を形成し、さらに前記基板の外周と、前記入射光面
   側電極との間に、前記入射光面側電極および前記透過光
   面側電極と絶縁させて、前記基板外周に沿って前記透明
   電電膜を堆積させ、前記外周に沿って透明導電膜を堆積
   させた部分まで、前記基板全面に渡って、堆積させたの
   ち前記非晶質珪素各層を前記入射光面側電極と前記透過
   光面側電極との接続部の前記非晶質珪素各層を除去した
   ことを特徴とする非晶質珪素各層を除去したことを特徴
   とする非晶質太陽電池の製造法。
2. （２）前記透明導電膜、前記非晶質珪素各層、および前
   記透過光面側電極を堆積した後に前記基板を切断して、
   非晶質太陽電池を作製する際、前記入射光面側電極の外
   側に堆積させた透明導電膜および、前記非晶質珪素各層
   を切断箇所を超えて堆積させ、前記基板、前記透明導電
   膜、および前記非晶質珪素各層を同時に切断することを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の非晶質太陽電池
   の製造法。