JPS63169769A - pin型起光電力素子とその製造方法 - Google Patents
pin型起光電力素子とその製造方法Info
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- JPS63169769A JPS63169769A JP62001319A JP131987A JPS63169769A JP S63169769 A JPS63169769 A JP S63169769A JP 62001319 A JP62001319 A JP 62001319A JP 131987 A JP131987 A JP 131987A JP S63169769 A JPS63169769 A JP S63169769A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
工粟二Δ■且光狂
本発明は、太陽電池や光センサ等のpin型光起電力素
子に関する。
子に関する。
盗」聾礪l逝
以下、太陽電池を例にとって説明する。
太陽電池は、ベースとしてガラス基板を使用されること
が多く、ガラス基板の上にp層、iJW、nJWの各半
導体層をCVD等で積層して形成する。
が多く、ガラス基板の上にp層、iJW、nJWの各半
導体層をCVD等で積層して形成する。
が °し ゛と る。
ガラス基板を使用する太陽電池の厚さは、半導体層が非
常に薄いため、ガラス基板の厚さにほぼ等しくなる。
常に薄いため、ガラス基板の厚さにほぼ等しくなる。
従って、太陽電池を薄くするには、ガラス基板を薄くす
ることが考えられるが、薄いガラス基板を使用すると割
れやす(なる。
ることが考えられるが、薄いガラス基板を使用すると割
れやす(なる。
また、ガラス基板は高価なものであるため、太陽電池の
コストダウンの大きな阻害要因となっている。
コストダウンの大きな阻害要因となっている。
本発明は、上記事情に鑑みて創案されたもので、ガラス
基板を使用しないpin型光起電力素子を提供すること
を目的としている。
基板を使用しないpin型光起電力素子を提供すること
を目的としている。
い 占 ° るための 2
第1の発明に係るpin型光起電力素子は、ダイヤモン
ド薄膜の上に透明電極が形成され、当該透明電極の上に
9層、iJW及び1層が積層され、nJiの上に金属電
極が形成された構成とする。
ド薄膜の上に透明電極が形成され、当該透明電極の上に
9層、iJW及び1層が積層され、nJiの上に金属電
極が形成された構成とする。
第2の発明に係るpin型光起電力素子の製造方法は、
可溶性のベース上にダイヤモンド薄膜を形成する工程と
、ダイヤモンド薄膜上に透明電極を形成する工程と、透
明電極上にpH,1Fis 1層を積層して形成する工
程と、n層上に金属電極を形成する工程と、前記ベース
を溶解する工程とを有する。
可溶性のベース上にダイヤモンド薄膜を形成する工程と
、ダイヤモンド薄膜上に透明電極を形成する工程と、透
明電極上にpH,1Fis 1層を積層して形成する工
程と、n層上に金属電極を形成する工程と、前記ベース
を溶解する工程とを有する。
皿
ベース表面にダイヤモンド薄膜を形成し、そのダイヤモ
ンド薄膜上に順次、透明電極、pji、五層、nNを形
成し、1層の」二に金属電極を形成する。そして、ベー
スを有機溶剤で溶解させ、ダイヤモンド薄膜を露出させ
る。
ンド薄膜上に順次、透明電極、pji、五層、nNを形
成し、1層の」二に金属電極を形成する。そして、ベー
スを有機溶剤で溶解させ、ダイヤモンド薄膜を露出させ
る。
1思■
以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を説明する
。
。
第1図は本発明に係るpin型光起電力素子の断面を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
ダイヤモンド薄膜20の上には、SnO,等の透明電極
30が形成されている。
30が形成されている。
当該透明電極30の上には、アモルファスSi膜である
p#43.1層42及びnJtiii41の各半導体層
が積層されて、半導体層40が形成されている。
p#43.1層42及びnJtiii41の各半導体層
が積層されて、半導体層40が形成されている。
この半導体r!140のn屓41の上には、アルミニウ
ム等の金属電極50が形成されてIJl−る。
ム等の金属電極50が形成されてIJl−る。
第2図は本発明に係るpin型光起電力素子の製造方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
■可溶性かつ耐熱性のベース10の表面に、CH4ガス
を原料ガスとしてプラズマCVD法によって、ダイヤモ
ンド薄膜20を形成する(第2図fa)及び第2図(b
)参照)。
を原料ガスとしてプラズマCVD法によって、ダイヤモ
ンド薄膜20を形成する(第2図fa)及び第2図(b
)参照)。
■このダイヤモンド薄膜20の表面に、5n02の透明
電極30をプラズマCVD法で形成する(第2図(C)
参照)。
電極30をプラズマCVD法で形成する(第2図(C)
参照)。
■その後、透明電極30の表面に順次、アモルファスS
i膜である9層43.1jiii42及びnM41をプ
ラズマCVD法で積層形成する(第2図(dl参照)。
i膜である9層43.1jiii42及びnM41をプ
ラズマCVD法で積層形成する(第2図(dl参照)。
その際、0層41を形成するには、原料ガスとしてSi
H4+PH3を供給する。また、五層42を形成するに
は5iHnを、piii43を形成するにはSiH4+
CH4+B21(a 、または5iH1+Bx Haを
それぞれ供給する。なお、これらのプラズマCVD法を
使用する工程においては、成膜温度は200〜300℃
である。
H4+PH3を供給する。また、五層42を形成するに
は5iHnを、piii43を形成するにはSiH4+
CH4+B21(a 、または5iH1+Bx Haを
それぞれ供給する。なお、これらのプラズマCVD法を
使用する工程においては、成膜温度は200〜300℃
である。
09層43の表面にアルミニウムの金属電極50を蒸着
、スパッタリング等で形成する(第2図(Q)参照)。
、スパッタリング等で形成する(第2図(Q)参照)。
■この後、有機溶剤でベース10を溶解してダイヤモン
ド薄膜20を露出させる(第2図(f)参照)。
ド薄膜20を露出させる(第2図(f)参照)。
本発明に係るpin型光起電力素子は、ダイヤモンド薄
膜20側から光が照射されると、ir@42中に電子−
正孔対が形成され、電子はnl’Eiに、正孔はpHに
それぞれ流れ込んで電流を発生させるものである。
膜20側から光が照射されると、ir@42中に電子−
正孔対が形成され、電子はnl’Eiに、正孔はpHに
それぞれ流れ込んで電流を発生させるものである。
なお、上記実施例ではプラズマCVD法により半導体N
40を積層したが、本発明はこれに限定されることなく
、例えば、光CVD法を使用することも当然のことなが
ら可能である。
40を積層したが、本発明はこれに限定されることなく
、例えば、光CVD法を使用することも当然のことなが
ら可能である。
主肌度洟果
本発明に係るpin型光起電力素子はガラス基板を使用
せずとも薄いpin型光起電力素子をもたらすことがで
きる。
せずとも薄いpin型光起電力素子をもたらすことがで
きる。
また、薄いのでフレキシブル性に富み、例えば曲面に張
りつけて使用することが可能になる。
りつけて使用することが可能になる。
さらに、ガラス基板を使用しないので、従来のpin型
光起電力素子よりも安価に製造することが可能となる。
光起電力素子よりも安価に製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るPIN型光起電力素子の製造工程
を示す工程図、第2図は本発明に係るPIN型光起電力
素子の製造方法を示す工程図である。 10・・・ベース、20・・・ダイヤモンド薄膜、30
・・・透明電極、40・・・半導体層、41・・・nW
I、42・・・1Fi343・・・9層、50・・・金
属電極。
を示す工程図、第2図は本発明に係るPIN型光起電力
素子の製造方法を示す工程図である。 10・・・ベース、20・・・ダイヤモンド薄膜、30
・・・透明電極、40・・・半導体層、41・・・nW
I、42・・・1Fi343・・・9層、50・・・金
属電極。
Claims (2)
- (1)ダイヤモンド薄膜の上に透明電極が形成され、当
該透明電極の上にp層、i層及びn層が積層され、n層
の上に金属電極が形成されたことを特徴とするpin型
光起電力素子。 - (2)可溶性のベース上にダイヤモンド薄膜を形成する
工程と、ダイヤモンド薄膜上に透明電極を形成する工程
と、透明電極上にp層、i層、n層を積層して形成する
工程と、n層上に電極を形成する工程と、前記ベースを
溶解する工程とを有することを特徴とするpin型光起
電力素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62001319A JPS63169769A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | pin型起光電力素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62001319A JPS63169769A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | pin型起光電力素子とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63169769A true JPS63169769A (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=11498170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62001319A Pending JPS63169769A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | pin型起光電力素子とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63169769A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5284525A (en) * | 1990-12-13 | 1994-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
JP2006243270A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像表示装置の取付装置及びこれを備えた床頭台 |
-
1987
- 1987-01-07 JP JP62001319A patent/JPS63169769A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5284525A (en) * | 1990-12-13 | 1994-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
JP2006243270A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像表示装置の取付装置及びこれを備えた床頭台 |
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