JPS63169769A - ｐｉｎ型起光電力素子とその製造方法 - Google Patents
ｐｉｎ型起光電力素子とその製造方法Info
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- JPS63169769A JPS63169769A JP62001319A JP131987A JPS63169769A JP S63169769 A JPS63169769 A JP S63169769A JP 62001319 A JP62001319 A JP 62001319A JP 131987 A JP131987 A JP 131987A JP S63169769 A JPS63169769 A JP S63169769A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
工粟二Δ■且光狂
本発明は、太陽電池や光センサ等のｐｉｎ型光起電力素
子に関する。
子に関する。
盗」聾礪ｌ逝
以下、太陽電池を例にとって説明する。
太陽電池は、ベースとしてガラス基板を使用されること
が多く、ガラス基板の上にｐ層、ｉＪＷ、ｎＪＷの各半
導体層をＣＶＤ等で積層して形成する。
が多く、ガラス基板の上にｐ層、ｉＪＷ、ｎＪＷの各半
導体層をＣＶＤ等で積層して形成する。
が °し ゛と る。
ガラス基板を使用する太陽電池の厚さは、半導体層が非
常に薄いため、ガラス基板の厚さにほぼ等しくなる。
常に薄いため、ガラス基板の厚さにほぼ等しくなる。
従って、太陽電池を薄くするには、ガラス基板を薄くす
ることが考えられるが、薄いガラス基板を使用すると割
れやす（なる。
ることが考えられるが、薄いガラス基板を使用すると割
れやす（なる。
また、ガラス基板は高価なものであるため、太陽電池の
コストダウンの大きな阻害要因となっている。
コストダウンの大きな阻害要因となっている。
本発明は、上記事情に鑑みて創案されたもので、ガラス
基板を使用しないｐｉｎ型光起電力素子を提供すること
を目的としている。
基板を使用しないｐｉｎ型光起電力素子を提供すること
を目的としている。
い 占 ° るための ２
第１の発明に係るｐｉｎ型光起電力素子は、ダイヤモン
ド薄膜の上に透明電極が形成され、当該透明電極の上に
９層、ｉＪＷ及び１層が積層され、ｎＪｉの上に金属電
極が形成された構成とする。
ド薄膜の上に透明電極が形成され、当該透明電極の上に
９層、ｉＪＷ及び１層が積層され、ｎＪｉの上に金属電
極が形成された構成とする。
第２の発明に係るｐｉｎ型光起電力素子の製造方法は、
可溶性のベース上にダイヤモンド薄膜を形成する工程と
、ダイヤモンド薄膜上に透明電極を形成する工程と、透
明電極上にｐＨ，１Ｆｉｓ １層を積層して形成する工
程と、ｎ層上に金属電極を形成する工程と、前記ベース
を溶解する工程とを有する。
可溶性のベース上にダイヤモンド薄膜を形成する工程と
、ダイヤモンド薄膜上に透明電極を形成する工程と、透
明電極上にｐＨ，１Ｆｉｓ １層を積層して形成する工
程と、ｎ層上に金属電極を形成する工程と、前記ベース
を溶解する工程とを有する。
皿
ベース表面にダイヤモンド薄膜を形成し、そのダイヤモ
ンド薄膜上に順次、透明電極、ｐｊｉ、五層、ｎＮを形
成し、１層の」二に金属電極を形成する。そして、ベー
スを有機溶剤で溶解させ、ダイヤモンド薄膜を露出させ
る。
ンド薄膜上に順次、透明電極、ｐｊｉ、五層、ｎＮを形
成し、１層の」二に金属電極を形成する。そして、ベー
スを有機溶剤で溶解させ、ダイヤモンド薄膜を露出させ
る。
１思■
以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を説明する
。
。
第１図は本発明に係るｐｉｎ型光起電力素子の断面を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
ダイヤモンド薄膜２０の上には、ＳｎＯ，等の透明電極
３０が形成されている。
３０が形成されている。
当該透明電極３０の上には、アモルファスＳｉ膜である
ｐ＃４３．１層４２及びｎＪｔｉｉｉ４１の各半導体層
が積層されて、半導体層４０が形成されている。
ｐ＃４３．１層４２及びｎＪｔｉｉｉ４１の各半導体層
が積層されて、半導体層４０が形成されている。
この半導体ｒ！１４０のｎ屓４１の上には、アルミニウ
ム等の金属電極５０が形成されてＩＪｌ−る。
ム等の金属電極５０が形成されてＩＪｌ−る。
第２図は本発明に係るｐｉｎ型光起電力素子の製造方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
■可溶性かつ耐熱性のベース１０の表面に、ＣＨ４ガス
を原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法によって、ダイヤモ
ンド薄膜２０を形成する（第２図ｆａ）及び第２図（ｂ
）参照）。
を原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法によって、ダイヤモ
ンド薄膜２０を形成する（第２図ｆａ）及び第２図（ｂ
）参照）。
■このダイヤモンド薄膜２０の表面に、５ｎ０２の透明
電極３０をプラズマＣＶＤ法で形成する（第２図（Ｃ）
参照）。
電極３０をプラズマＣＶＤ法で形成する（第２図（Ｃ）
参照）。
■その後、透明電極３０の表面に順次、アモルファスＳ
ｉ膜である９層４３．１ｊｉｉｉ４２及びｎＭ４１をプ
ラズマＣＶＤ法で積層形成する（第２図（ｄｌ参照）。
ｉ膜である９層４３．１ｊｉｉｉ４２及びｎＭ４１をプ
ラズマＣＶＤ法で積層形成する（第２図（ｄｌ参照）。
その際、０層４１を形成するには、原料ガスとしてＳｉ
Ｈ４＋ＰＨ３を供給する。また、五層４２を形成するに
は５ｉＨｎを、ｐｉｉｉ４３を形成するにはＳｉＨ４＋
ＣＨ４＋Ｂ２１（ａ 、または５ｉＨ１＋Ｂｘ Ｈａを
それぞれ供給する。なお、これらのプラズマＣＶＤ法を
使用する工程においては、成膜温度は２００〜３００℃
である。
Ｈ４＋ＰＨ３を供給する。また、五層４２を形成するに
は５ｉＨｎを、ｐｉｉｉ４３を形成するにはＳｉＨ４＋
ＣＨ４＋Ｂ２１（ａ 、または５ｉＨ１＋Ｂｘ Ｈａを
それぞれ供給する。なお、これらのプラズマＣＶＤ法を
使用する工程においては、成膜温度は２００〜３００℃
である。
０９層４３の表面にアルミニウムの金属電極５０を蒸着
、スパッタリング等で形成する（第２図（Ｑ）参照）。
、スパッタリング等で形成する（第２図（Ｑ）参照）。
■この後、有機溶剤でベース１０を溶解してダイヤモン
ド薄膜２０を露出させる（第２図（ｆ）参照）。
ド薄膜２０を露出させる（第２図（ｆ）参照）。
本発明に係るｐｉｎ型光起電力素子は、ダイヤモンド薄
膜２０側から光が照射されると、ｉｒ＠４２中に電子−
正孔対が形成され、電子はｎｌ’Ｅｉに、正孔はｐＨに
それぞれ流れ込んで電流を発生させるものである。
膜２０側から光が照射されると、ｉｒ＠４２中に電子−
正孔対が形成され、電子はｎｌ’Ｅｉに、正孔はｐＨに
それぞれ流れ込んで電流を発生させるものである。
なお、上記実施例ではプラズマＣＶＤ法により半導体Ｎ
４０を積層したが、本発明はこれに限定されることなく
、例えば、光ＣＶＤ法を使用することも当然のことなが
ら可能である。
４０を積層したが、本発明はこれに限定されることなく
、例えば、光ＣＶＤ法を使用することも当然のことなが
ら可能である。
主肌度洟果
本発明に係るｐｉｎ型光起電力素子はガラス基板を使用
せずとも薄いｐｉｎ型光起電力素子をもたらすことがで
きる。
せずとも薄いｐｉｎ型光起電力素子をもたらすことがで
きる。
また、薄いのでフレキシブル性に富み、例えば曲面に張
りつけて使用することが可能になる。
りつけて使用することが可能になる。
さらに、ガラス基板を使用しないので、従来のｐｉｎ型
光起電力素子よりも安価に製造することが可能となる。
光起電力素子よりも安価に製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るＰＩＮ型光起電力素子の製造工程
を示す工程図、第２図は本発明に係るＰＩＮ型光起電力
素子の製造方法を示す工程図である。 １０・・・ベース、２０・・・ダイヤモンド薄膜、３０
・・・透明電極、４０・・・半導体層、４１・・・ｎＷ
Ｉ、４２・・・１Ｆｉ３４３・・・９層、５０・・・金
属電極。
を示す工程図、第２図は本発明に係るＰＩＮ型光起電力
素子の製造方法を示す工程図である。 １０・・・ベース、２０・・・ダイヤモンド薄膜、３０
・・・透明電極、４０・・・半導体層、４１・・・ｎＷ
Ｉ、４２・・・１Ｆｉ３４３・・・９層、５０・・・金
属電極。
Claims (2)
- （１）ダイヤモンド薄膜の上に透明電極が形成され、当
該透明電極の上にｐ層、ｉ層及びｎ層が積層され、ｎ層
の上に金属電極が形成されたことを特徴とするｐｉｎ型
光起電力素子。 - （２）可溶性のベース上にダイヤモンド薄膜を形成する
工程と、ダイヤモンド薄膜上に透明電極を形成する工程
と、透明電極上にｐ層、ｉ層、ｎ層を積層して形成する
工程と、ｎ層上に電極を形成する工程と、前記ベースを
溶解する工程とを有することを特徴とするｐｉｎ型光起
電力素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62001319A JPS63169769A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | ｐｉｎ型起光電力素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62001319A JPS63169769A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | ｐｉｎ型起光電力素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63169769A true JPS63169769A (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=11498170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62001319A Pending JPS63169769A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | ｐｉｎ型起光電力素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63169769A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5284525A (en) * | 1990-12-13 | 1994-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
| JP2006243270A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像表示装置の取付装置及びこれを備えた床頭台 |
-
1987
- 1987-01-07 JP JP62001319A patent/JPS63169769A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5284525A (en) * | 1990-12-13 | 1994-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
| JP2006243270A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像表示装置の取付装置及びこれを備えた床頭台 |
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