JPH10209477A - 集積型薄膜光電変換装置の製造方法 - Google Patents
集積型薄膜光電変換装置の製造方法Info
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- JPH10209477A JPH10209477A JP9005378A JP537897A JPH10209477A JP H10209477 A JPH10209477 A JP H10209477A JP 9005378 A JP9005378 A JP 9005378A JP 537897 A JP537897 A JP 537897A JP H10209477 A JPH10209477 A JP H10209477A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 水洗工程によって絶縁特性が劣化されること
のない集積型薄膜光電変換装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 周縁分離溝を含む集積型薄膜光電変換装
置の製造方法であって、周縁溝（９，９ａ）は正極側セ
ルおよび負極側セルと周縁領域（１０）との間の微小短
絡領域（１０ａ）によって途切れており、その状態で水
洗されて乾燥された後に、その微小短絡領域（１０ａ）
が除去される。それらの微小短絡領域（１０ａ）の代わ
りに、リード（１０ｂ）を半田付けで設けてもよい。さ
らに、それらの短絡手段を設けることなく、光遮蔽ガー
ドを有する水洗装置（２０Ａ）内で水洗工程を行なって
もよい。さらにまた、光遮蔽ガードを有しない水洗装置
であって水洗チャンバの前段に集積型光電変換装置の全
面を瞬時に濡らす噴水スプレーを備えた水洗装置（２０
Ｂ）で水洗してもよい。
のない集積型薄膜光電変換装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 周縁分離溝を含む集積型薄膜光電変換装
置の製造方法であって、周縁溝（９，９ａ）は正極側セ
ルおよび負極側セルと周縁領域（１０）との間の微小短
絡領域（１０ａ）によって途切れており、その状態で水
洗されて乾燥された後に、その微小短絡領域（１０ａ）
が除去される。それらの微小短絡領域（１０ａ）の代わ
りに、リード（１０ｂ）を半田付けで設けてもよい。さ
らに、それらの短絡手段を設けることなく、光遮蔽ガー
ドを有する水洗装置（２０Ａ）内で水洗工程を行なって
もよい。さらにまた、光遮蔽ガードを有しない水洗装置
であって水洗チャンバの前段に集積型光電変換装置の全
面を瞬時に濡らす噴水スプレーを備えた水洗装置（２０
Ｂ）で水洗してもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は集積型薄膜光電変換
装置の製造方法に関し、特に、その光電変換装置が光起
電力を生じ得る状態になった後における水洗工程に関す
るものである。
装置の製造方法に関し、特に、その光電変換装置が光起
電力を生じ得る状態になった後における水洗工程に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】太陽光のエネルギを直接電気エネルギに
変換する光電変換装置である太陽電池の実用化は近年本
格的に進められており、単結晶シリコンや多結晶シリコ
ン等を利用した結晶系太陽電池は屋外の電力用太陽電池
として既に実用化されている。他方、非結晶シリコン系
の薄膜太陽電池は、その製造のための原材料が少なくて
済みかつ大面積の集積型太陽電池が絶縁基板上に直接作
製可能なことから、低コストの太陽電池として注目され
ている。しかし、非結晶系薄膜太陽電池は屋外用として
は未だ開発段階にあり、既に普及している電卓などの民
生機器の電源用途における実績をもとにして、屋外用途
に発展させるために研究開発が進められている。
変換する光電変換装置である太陽電池の実用化は近年本
格的に進められており、単結晶シリコンや多結晶シリコ
ン等を利用した結晶系太陽電池は屋外の電力用太陽電池
として既に実用化されている。他方、非結晶シリコン系
の薄膜太陽電池は、その製造のための原材料が少なくて
済みかつ大面積の集積型太陽電池が絶縁基板上に直接作
製可能なことから、低コストの太陽電池として注目され
ている。しかし、非結晶系薄膜太陽電池は屋外用として
は未だ開発段階にあり、既に普及している電卓などの民
生機器の電源用途における実績をもとにして、屋外用途
に発展させるために研究開発が進められている。
【０００３】薄膜太陽電池の製造においては、ＣＶＤ法
やスパッタリング法などによる薄膜の堆積ステップとレ
ーザスクライブ法などによるパターニングステップの適
宜の繰返しや組合せを含む製造プロセスによって、所望
の構造が形成される。通常は１枚の絶縁基板上に複数の
光電変換セルが電気的に直列接続された集積型構造が採
用され、屋外用途のための電力用太陽電池では、たとえ
ば０．４ｍ×０．４ｍを超える大面積の基板が用いられ
る。
やスパッタリング法などによる薄膜の堆積ステップとレ
ーザスクライブ法などによるパターニングステップの適
宜の繰返しや組合せを含む製造プロセスによって、所望
の構造が形成される。通常は１枚の絶縁基板上に複数の
光電変換セルが電気的に直列接続された集積型構造が採
用され、屋外用途のための電力用太陽電池では、たとえ
ば０．４ｍ×０．４ｍを超える大面積の基板が用いられ
る。
【０００４】図５は、このような集積型薄膜太陽電池の
構造を模式的な断面図で示している。なお、本願の各図
において、図面の明瞭化のために寸法関係は適宜に変更
されていて実際の寸法関係を反映しておらず、他方、同
一の参照符号は同一部分を表わしている。図５の集積型
薄膜太陽電池１においては、絶縁基板２上に第１電極層
３，アモルファスシリコンなどからなる半導体光電変換
層５，および第２電極層７が順次積層されており、パタ
ーニングによって半導体層５に設けられた接続用開口溝
６を介して、互いに左右に隣接し合う光電変換セルが電
気的に直列に接続されている。第１電極層３としては、
一般に酸化錫（ＳｎＯ2 ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化
インジウム錫（ＩＴＯ）等の透明導電膜が用いられ、ま
た、第２電極層７としては銀（Ａｇ），アルミニウム
（Ａｌ），クロム（Ｃｒ）等の金属膜が用いられる。
構造を模式的な断面図で示している。なお、本願の各図
において、図面の明瞭化のために寸法関係は適宜に変更
されていて実際の寸法関係を反映しておらず、他方、同
一の参照符号は同一部分を表わしている。図５の集積型
薄膜太陽電池１においては、絶縁基板２上に第１電極層
３，アモルファスシリコンなどからなる半導体光電変換
層５，および第２電極層７が順次積層されており、パタ
ーニングによって半導体層５に設けられた接続用開口溝
６を介して、互いに左右に隣接し合う光電変換セルが電
気的に直列に接続されている。第１電極層３としては、
一般に酸化錫（ＳｎＯ2 ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化
インジウム錫（ＩＴＯ）等の透明導電膜が用いられ、ま
た、第２電極層７としては銀（Ａｇ），アルミニウム
（Ａｌ），クロム（Ｃｒ）等の金属膜が用いられる。
【０００５】図５に示されているような構造を有する集
積型薄膜太陽電池１は、一般に次のような方法によって
作製される。まず、ガラス基板２上にＳｎＯ2 ，Ｚｎ
Ｏ，ＩＴＯ等の透明導電膜が第１電極層３として堆積さ
れ、その第１電極層３を複数の光電変換セルに対応する
複数の領域に分離するために、レーザスクライブ法によ
って下部電極分離溝４が形成される。すなわち、これら
の下部電極分離溝４は、図５の紙面に直交する方向に直
線状に延びている。そして、複数の領域に分離された第
１電極層３を覆うように、プラズマＣＶＤ法を用いて、
ｐｉｎ接合を含む非晶質シリコンの半導体光電変換層５
が堆積される。この半導体層５には、左右に隣接する光
電変換セルを電気的に直列接続するための接続用開口溝
６がレーザスクライブ法によって形成される。これらの
接続用開口溝６も、図５の紙面に垂直な方向に直線状に
延びている。続いて、これらの接続用溝６を埋めかつ半
導体層５を覆うように、Ａｇ，Ａｌ，Ｃｒ等の金属膜の
単層または複層が第２電極層７として堆積される。第１
電極層３の場合と同様に、第２電極層７を複数の光電変
換セルに対応する複数の領域に分離するように、上部電
極分離溝８がレーザスクライブ法によって形成される。
これらの上部電極分離溝８も図５の紙面に直交する方向
に直線状に延びており、かつ好ましくは第１電極層５に
至る深さを有している。このようにして、図５に示され
ているような集積型薄膜太陽電池が完成する。
積型薄膜太陽電池１は、一般に次のような方法によって
作製される。まず、ガラス基板２上にＳｎＯ2 ，Ｚｎ
Ｏ，ＩＴＯ等の透明導電膜が第１電極層３として堆積さ
れ、その第１電極層３を複数の光電変換セルに対応する
複数の領域に分離するために、レーザスクライブ法によ
って下部電極分離溝４が形成される。すなわち、これら
の下部電極分離溝４は、図５の紙面に直交する方向に直
線状に延びている。そして、複数の領域に分離された第
１電極層３を覆うように、プラズマＣＶＤ法を用いて、
ｐｉｎ接合を含む非晶質シリコンの半導体光電変換層５
が堆積される。この半導体層５には、左右に隣接する光
電変換セルを電気的に直列接続するための接続用開口溝
６がレーザスクライブ法によって形成される。これらの
接続用開口溝６も、図５の紙面に垂直な方向に直線状に
延びている。続いて、これらの接続用溝６を埋めかつ半
導体層５を覆うように、Ａｇ，Ａｌ，Ｃｒ等の金属膜の
単層または複層が第２電極層７として堆積される。第１
電極層３の場合と同様に、第２電極層７を複数の光電変
換セルに対応する複数の領域に分離するように、上部電
極分離溝８がレーザスクライブ法によって形成される。
これらの上部電極分離溝８も図５の紙面に直交する方向
に直線状に延びており、かつ好ましくは第１電極層５に
至る深さを有している。このようにして、図５に示され
ているような集積型薄膜太陽電池が完成する。
【０００６】一般に、図５に示されているような集積型
薄膜太陽電池の製造においては、光入射側の透明電極３
やその反対側の裏面金属電極７を形成するときに、絶縁
基板２の端面や下面に透明導電材料や金属材料がまわり
込んで付着する。このため、集積化される個々の光電変
換セルが基板上面で互いに分離されていても、基板端面
や基板下面に付着した透明導電材料や金属材料を介して
互いに導通し、その集積型薄膜太陽電池の出力特性が低
下させられる。
薄膜太陽電池の製造においては、光入射側の透明電極３
やその反対側の裏面金属電極７を形成するときに、絶縁
基板２の端面や下面に透明導電材料や金属材料がまわり
込んで付着する。このため、集積化される個々の光電変
換セルが基板上面で互いに分離されていても、基板端面
や基板下面に付着した透明導電材料や金属材料を介して
互いに導通し、その集積型薄膜太陽電池の出力特性が低
下させられる。
【０００７】この問題を改善するために、図６の平面図
に示されているように、集積型薄膜太陽電池の裏面金属
電極７および上部分離溝８を含むセル集積領域とその周
縁に沿った周縁領域１０とを互いに電気的に分離する絶
縁ラインとしての周縁分離溝９がフォトリソグラフィ法
等によって作製される。すなわち、周縁分離溝９を形成
することによって、基板端面や基板下面に付着した透明
導電材料や金属材料による光電変換セル相互間の短絡が
防止され、集積型太陽電池の出力特性，絶縁特性，およ
び耐電圧特性が改善される。フォトリソグラフィ法によ
って形成される周縁分離溝は、一般に０．１ｍｍ〜１．
０ｍｍの範囲内の幅を有し、このスクライブラインによ
ってセル集積領域と周縁領域１０とが電気的に分離され
る。なお、図６においては図面の明瞭化のために１２段
の直列接続されたセルが例示されているが、実際にはさ
らに多くの段数のセルが形成され得る。
に示されているように、集積型薄膜太陽電池の裏面金属
電極７および上部分離溝８を含むセル集積領域とその周
縁に沿った周縁領域１０とを互いに電気的に分離する絶
縁ラインとしての周縁分離溝９がフォトリソグラフィ法
等によって作製される。すなわち、周縁分離溝９を形成
することによって、基板端面や基板下面に付着した透明
導電材料や金属材料による光電変換セル相互間の短絡が
防止され、集積型太陽電池の出力特性，絶縁特性，およ
び耐電圧特性が改善される。フォトリソグラフィ法によ
って形成される周縁分離溝は、一般に０．１ｍｍ〜１．
０ｍｍの範囲内の幅を有し、このスクライブラインによ
ってセル集積領域と周縁領域１０とが電気的に分離され
る。なお、図６においては図面の明瞭化のために１２段
の直列接続されたセルが例示されているが、実際にはさ
らに多くの段数のセルが形成され得る。
【０００８】このような周縁分離溝９が形成された後
に、集積型太陽電池の裏面金属電極７上を封止する前
に、その集積型太陽電池を清浄にすることを目的として
水洗浄が行なわれる。このような水洗浄の間に、その集
積型太陽電池は製造工程室内の光を受けて発電し、起電
力を発生する。ここで、実用向けの集積型太陽電池はた
とえば６３段のセル集積段数を有し、その１段当りに約
０．８５Ｖの開放電圧を有している。すなわち、このよ
うな集積型太陽電池の正極側と負極側では、電位差が約
５３Ｖにもなる。
に、集積型太陽電池の裏面金属電極７上を封止する前
に、その集積型太陽電池を清浄にすることを目的として
水洗浄が行なわれる。このような水洗浄の間に、その集
積型太陽電池は製造工程室内の光を受けて発電し、起電
力を発生する。ここで、実用向けの集積型太陽電池はた
とえば６３段のセル集積段数を有し、その１段当りに約
０．８５Ｖの開放電圧を有している。すなわち、このよ
うな集積型太陽電池の正極側と負極側では、電位差が約
５３Ｖにもなる。
【０００９】このように正負両極間で約５３Ｖの電位差
がある状態で、図７に示されているように、洗浄工程に
おいて絶縁ライン９ａの一部を覆うように水滴１１がい
ずれかのセルに付着すれば、周縁領域１０はその水滴１
１の付着した段のセルと短絡し、その段のセルの電位に
等しくなる（なお、図７において、図面の明瞭化のため
に周縁分離溝９ａはその幅が拡大されて示されてい
る）。その結果、水滴１１より正極側の段のセルと周縁
領域１０との間では、セルが周縁領域１０に対して高電
位になる。他方、水滴１１より負極側の段のセルと周縁
領域１０との間では、セルに対して周縁領域１０の方が
高電位になる。
がある状態で、図７に示されているように、洗浄工程に
おいて絶縁ライン９ａの一部を覆うように水滴１１がい
ずれかのセルに付着すれば、周縁領域１０はその水滴１
１の付着した段のセルと短絡し、その段のセルの電位に
等しくなる（なお、図７において、図面の明瞭化のため
に周縁分離溝９ａはその幅が拡大されて示されてい
る）。その結果、水滴１１より正極側の段のセルと周縁
領域１０との間では、セルが周縁領域１０に対して高電
位になる。他方、水滴１１より負極側の段のセルと周縁
領域１０との間では、セルに対して周縁領域１０の方が
高電位になる。
【００１０】続いて、このような電位差がある状態で図
８に示されているように別の新たな水滴１２，１３が絶
縁ライン９ａを覆うように付着すれば、それらの水滴１
２，１３中には電位差が存在するので、周縁領域１０と
セルとの間で低電位側から高電位側に向かってたとえば
銀の金属電極層から銀のマイグレーションが発生し、樹
枝状の銀結晶１４，１５が成長する。このような銀のマ
イグレーションが起こる速度は、水滴のようなイオンパ
スが形成された場合には、電界強度が数百Ｖ／ｍｍであ
れば、その成長速度が０．１ｍｍ／秒に近い大きな値と
なる。このようにして、洗浄工程において金属電極層か
ら金属マイグレーションが発生し、セル集積領域と周縁
領域１０との間に絶縁不良が生じる。
８に示されているように別の新たな水滴１２，１３が絶
縁ライン９ａを覆うように付着すれば、それらの水滴１
２，１３中には電位差が存在するので、周縁領域１０と
セルとの間で低電位側から高電位側に向かってたとえば
銀の金属電極層から銀のマイグレーションが発生し、樹
枝状の銀結晶１４，１５が成長する。このような銀のマ
イグレーションが起こる速度は、水滴のようなイオンパ
スが形成された場合には、電界強度が数百Ｖ／ｍｍであ
れば、その成長速度が０．１ｍｍ／秒に近い大きな値と
なる。このようにして、洗浄工程において金属電極層か
ら金属マイグレーションが発生し、セル集積領域と周縁
領域１０との間に絶縁不良が生じる。
【００１１】実際の水洗工程では集積型太陽電池１がコ
ンベアで洗浄チャンバ内へ搬送されるので、水洗が開始
される際には、前方からの水の飛沫が集積型太陽電池セ
ル上に付着する。そして、そのような飛沫による水滴
が、図８を参照して説明されたように、周縁分離溝９ａ
内で金属イオンマイグレーションを生じさせる。しか
も、このマイグレーションによる樹枝状金属結晶の成長
速度が十分に速いので、集積型太陽電池全体を水が覆っ
てすべてのセルが同電位になる前に、セルと周縁部１０
との間の電位差に起因して、金属マイグレーションによ
る金属樹枝状晶の短絡通路が形成されてしまう。すなわ
ち、金属電極層からのイオンマイグレーションによって
セル集積領域と周縁領域とが導通させられ、集積型太陽
電池の出力特性，絶縁特性，および耐電圧特性が低下さ
せられる原因となっている。
ンベアで洗浄チャンバ内へ搬送されるので、水洗が開始
される際には、前方からの水の飛沫が集積型太陽電池セ
ル上に付着する。そして、そのような飛沫による水滴
が、図８を参照して説明されたように、周縁分離溝９ａ
内で金属イオンマイグレーションを生じさせる。しか
も、このマイグレーションによる樹枝状金属結晶の成長
速度が十分に速いので、集積型太陽電池全体を水が覆っ
てすべてのセルが同電位になる前に、セルと周縁部１０
との間の電位差に起因して、金属マイグレーションによ
る金属樹枝状晶の短絡通路が形成されてしまう。すなわ
ち、金属電極層からのイオンマイグレーションによって
セル集積領域と周縁領域とが導通させられ、集積型太陽
電池の出力特性，絶縁特性，および耐電圧特性が低下さ
せられる原因となっている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】以上のような先行技術
の課題に鑑み、本発明は、集積型薄膜光電変換装置の周
縁分離溝中にイオンマイグレーションによる短絡を生じ
させることのない洗浄工程を可能にし、それによって、
出力特性，絶縁特性，および耐電圧特性の優れた集積型
薄膜光電変換装置の製造方法を提供することを目的とし
ている。
の課題に鑑み、本発明は、集積型薄膜光電変換装置の周
縁分離溝中にイオンマイグレーションによる短絡を生じ
させることのない洗浄工程を可能にし、それによって、
出力特性，絶縁特性，および耐電圧特性の優れた集積型
薄膜光電変換装置の製造方法を提供することを目的とし
ている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの態様によ
る集積型薄膜光電変換装置の製造方法は、絶縁性基板上
に順次積層された第１電極層，半導体光電変換層，およ
び第２電極層を含む積層体を備え、第１と第２の電極層
の少なくとも一方は金属層を含み、積層体は周縁分離溝
によって光電変換セル集積領域と周縁領域とに分離され
ており、セル集積領域は複数の光電変換セルを形成する
ように分割されかつそれらの複数のセルの少なくとも一
部は電気的に直列接続されている集積型薄膜光電変換装
置の製造方法であって、その光電変換装置の水洗工程に
おいては直列接続された複数のセルのうちの正極および
負極のセルまたはそれらに近いセルと周縁領域との間は
周縁分離溝によって完全には分離されずに電気的にショ
ートさせられており、その水洗工程の完了後に正極と負
極のセルまたはそれらに近いセルと周縁領域との間にも
完全な周縁分離溝を形成することによってその電気的シ
ョートを除去することを特徴としている。
る集積型薄膜光電変換装置の製造方法は、絶縁性基板上
に順次積層された第１電極層，半導体光電変換層，およ
び第２電極層を含む積層体を備え、第１と第２の電極層
の少なくとも一方は金属層を含み、積層体は周縁分離溝
によって光電変換セル集積領域と周縁領域とに分離され
ており、セル集積領域は複数の光電変換セルを形成する
ように分割されかつそれらの複数のセルの少なくとも一
部は電気的に直列接続されている集積型薄膜光電変換装
置の製造方法であって、その光電変換装置の水洗工程に
おいては直列接続された複数のセルのうちの正極および
負極のセルまたはそれらに近いセルと周縁領域との間は
周縁分離溝によって完全には分離されずに電気的にショ
ートさせられており、その水洗工程の完了後に正極と負
極のセルまたはそれらに近いセルと周縁領域との間にも
完全な周縁分離溝を形成することによってその電気的シ
ョートを除去することを特徴としている。
【００１４】本発明のもう１つの態様による集積型薄膜
光電変換装置の製造方法は、その光電変換装置の水洗工
程において、直列接続された複数のセルのうちの正極お
よび負極のセルまたはそれらに近いセルと周縁領域との
間は導電体によって電気的にショートさせられており、
その水洗工程の完了後にその電気的にショートさせる導
電体を除去することを特徴としている。
光電変換装置の製造方法は、その光電変換装置の水洗工
程において、直列接続された複数のセルのうちの正極お
よび負極のセルまたはそれらに近いセルと周縁領域との
間は導電体によって電気的にショートさせられており、
その水洗工程の完了後にその電気的にショートさせる導
電体を除去することを特徴としている。
【００１５】本発明のさらに他の態様による集積型薄膜
光電変換装置の製造方法は、その光電変換装置の水洗工
程において、光から遮蔽された水洗チャンバ内で水洗が
行なわれることを特徴としている。
光電変換装置の製造方法は、その光電変換装置の水洗工
程において、光から遮蔽された水洗チャンバ内で水洗が
行なわれることを特徴としている。
【００１６】本発明のさらに他の態様による集積型薄膜
光電変換装置の製造方法は、その光電変換装置の水洗工
程において、光電変換装置が水洗チャンバ内に導入され
る前に周縁分離溝全体が実質的に同時に水によって濡ら
されることを特徴としている。
光電変換装置の製造方法は、その光電変換装置の水洗工
程において、光電変換装置が水洗チャンバ内に導入され
る前に周縁分離溝全体が実質的に同時に水によって濡ら
されることを特徴としている。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下において、本発明の種々の実
施の形態に対応した種々の実施例を説明する。
施の形態に対応した種々の実施例を説明する。
【００１８】（実施例１）まず、図５の場合と同様に、
基板２上に透明電極層３，半導体光電変換層５，および
裏面金属電極層７が形成された。このとき、基板２とし
て、９１０ｍｍ×４５５ｍｍの面積と４ｍｍの厚さを有
するガラス基板が用いられた。ガラス基板２上には、熱
ＣＶＤ法によって透明導電膜層３が形成された。そし
て、波長０．５３μｍのＹＡＧレーザの第２高調波を上
方から照射してスクライブライン４を形成することによ
って、透明導電膜層３は複数の短冊状の領域に分割され
た。
基板２上に透明電極層３，半導体光電変換層５，および
裏面金属電極層７が形成された。このとき、基板２とし
て、９１０ｍｍ×４５５ｍｍの面積と４ｍｍの厚さを有
するガラス基板が用いられた。ガラス基板２上には、熱
ＣＶＤ法によって透明導電膜層３が形成された。そし
て、波長０．５３μｍのＹＡＧレーザの第２高調波を上
方から照射してスクライブライン４を形成することによ
って、透明導電膜層３は複数の短冊状の領域に分割され
た。
【００１９】次に、透明電極層３を覆うように、２００
℃の基板温度と０．５〜１．０Ｔｏｒｒの反応圧力の下
に、モノシラン，メタンおよびジボランを含む第１の混
合ガス、モノシランおよび水素を含む第２の混合ガス、
さらにモノシラン，水素およびホスフィンを含む第３の
混合ガスをこの順序で容量結合型グロー放電分解装置内
で分解することにより、ｐ型，ｉ型およびｎ型の非晶質
半導体層が積層された。このｐｉｎ半導体層５には、ガ
ラス基板２を介して、透明電極３にダメージを与えない
ように前述のレーザ光を照射することによって接続用溝
６が形成された。
℃の基板温度と０．５〜１．０Ｔｏｒｒの反応圧力の下
に、モノシラン，メタンおよびジボランを含む第１の混
合ガス、モノシランおよび水素を含む第２の混合ガス、
さらにモノシラン，水素およびホスフィンを含む第３の
混合ガスをこの順序で容量結合型グロー放電分解装置内
で分解することにより、ｐ型，ｉ型およびｎ型の非晶質
半導体層が積層された。このｐｉｎ半導体層５には、ガ
ラス基板２を介して、透明電極３にダメージを与えない
ように前述のレーザ光を照射することによって接続用溝
６が形成された。
【００２０】これに続いて、金属層７として、スパッタ
リング法によって３００ｎｍ厚さの銀層が形成された。
この銀層７と半導体光電変換層５には、フォトリソグラ
フィ法を用いて、上部電極分離溝８が形成された。これ
によって、基板２上で複数の光電変換セルが直列接続さ
れた集積型非晶質シリコン太陽電池が形成された。
リング法によって３００ｎｍ厚さの銀層が形成された。
この銀層７と半導体光電変換層５には、フォトリソグラ
フィ法を用いて、上部電極分離溝８が形成された。これ
によって、基板２上で複数の光電変換セルが直列接続さ
れた集積型非晶質シリコン太陽電池が形成された。
【００２１】その後、図１に示されているように、セル
集積領域と周縁領域１０とを分離するために、周縁分離
溝９，９ａがフォトリソグラフィ法によって形成され
た。ただし、正極端側のセルおよび負極端側セルと周縁
領域１０とが同電位になるように、周縁分離溝９ａは部
分的に途切れている。すなわち、正極端側および負極端
側のセルは、周縁分離溝９ａが途切れた微小領域１０ａ
によって周縁領域１０と連続している。
集積領域と周縁領域１０とを分離するために、周縁分離
溝９，９ａがフォトリソグラフィ法によって形成され
た。ただし、正極端側のセルおよび負極端側セルと周縁
領域１０とが同電位になるように、周縁分離溝９ａは部
分的に途切れている。すなわち、正極端側および負極端
側のセルは、周縁分離溝９ａが途切れた微小領域１０ａ
によって周縁領域１０と連続している。
【００２２】この結果、セル集積領域と周縁領域１０と
が電気的に接続されており、２つの短絡領域１０ａの間
にある各段のセルと周縁領域１０とが同電位になる。こ
の後に、集積型太陽電池の両端には正極と負極の出力取
出し電極が設けられた。これらの取出し電極として、半
田めっきされた銅箔が用いられ、ガラス基板との接着は
超音波半田付け法によって行なわれた。
が電気的に接続されており、２つの短絡領域１０ａの間
にある各段のセルと周縁領域１０とが同電位になる。こ
の後に、集積型太陽電池の両端には正極と負極の出力取
出し電極が設けられた。これらの取出し電極として、半
田めっきされた銅箔が用いられ、ガラス基板との接着は
超音波半田付け法によって行なわれた。
【００２３】このように、微小短絡領域１０ａを残した
状態で、裏面金属電極７の表面を清浄にする目的で水洗
浄が行なわれた。水洗浄後に乾燥を行ない、周縁領域１
０とセル集積領域の正負極とを導通させていた微小短絡
領域１０ａを新たにフォトリソグラフィまたはレーザを
用いてカットし、その後にこの集積型薄膜太陽電池の出
力特性および絶縁特性が測定された。
状態で、裏面金属電極７の表面を清浄にする目的で水洗
浄が行なわれた。水洗浄後に乾燥を行ない、周縁領域１
０とセル集積領域の正負極とを導通させていた微小短絡
領域１０ａを新たにフォトリソグラフィまたはレーザを
用いてカットし、その後にこの集積型薄膜太陽電池の出
力特性および絶縁特性が測定された。
【００２４】以上の実施例１の水洗工程を含む方法を用
いて２８枚の集積型薄膜太陽電池のサンプルが作製され
た。他方、比較例として、図１に示されているような微
小な短絡領域１０ａが残されていないことを除けば実施
例１と同じ条件で水洗工程を経て製造されたサンプル５
４枚が作製さた。これらの実施例１と比較例による集積
型薄膜太陽電池において出力特性と絶縁特性を比較した
ところ、出力特性に関しては大きな相違は見られなかっ
た。しかしながら、絶縁特性に関しては、実施例１によ
るサンプルではセル集積領域と周縁領域との間で１ＭΩ
以上の抵抗を有していて絶縁不良は見られなかったが、
比較例によるサンプルでは５４枚中の４３枚が１ＭΩ未
満の低い抵抗を有し、絶縁不良が見られた。また、その
絶縁不良が見られた比較例のサンプルのいずれにおいて
も、マイグレーションによる銀結晶のパスができたこと
による絶縁不良であった。
いて２８枚の集積型薄膜太陽電池のサンプルが作製され
た。他方、比較例として、図１に示されているような微
小な短絡領域１０ａが残されていないことを除けば実施
例１と同じ条件で水洗工程を経て製造されたサンプル５
４枚が作製さた。これらの実施例１と比較例による集積
型薄膜太陽電池において出力特性と絶縁特性を比較した
ところ、出力特性に関しては大きな相違は見られなかっ
た。しかしながら、絶縁特性に関しては、実施例１によ
るサンプルではセル集積領域と周縁領域との間で１ＭΩ
以上の抵抗を有していて絶縁不良は見られなかったが、
比較例によるサンプルでは５４枚中の４３枚が１ＭΩ未
満の低い抵抗を有し、絶縁不良が見られた。また、その
絶縁不良が見られた比較例のサンプルのいずれにおいて
も、マイグレーションによる銀結晶のパスができたこと
による絶縁不良であった。
【００２５】（実施例２）実施例２における集積型薄膜
太陽電池も、基本的には実施例１の場合と同様に作製さ
れた。ただし実施例２における集積型太陽電池では、実
施例１における場合のように残存させられた微小短絡領
域１０ａを含んでおらず、周縁分離溝９はセル集積領域
を周縁領域１０から完全に分離している。他方、この実
施例２においては、正極側セルおよび負極側セルと周縁
領域とが同一電位になるように、図２に示されているよ
うなリード線１０ｂが半田付けされた。この状態で実施
例１の場合と同様に水洗工程を行なって乾燥させた後
に、これらのリード線１０ｂを取外し、積層型薄膜太陽
電池の出力特性および絶縁特性が測定された。このよう
な実施例２による水洗工程を経た５０枚の集積型薄膜太
陽電池について調べた結果、出力特性に関しては前述の
比較例のものと大きな相違は見られなかったが、実施例
２によるいずれの太陽電池もセル集積領域と周縁領域と
の間で１ＭΩ以上の十分な抵抗を有しており、絶縁不良
は見出されなかった。
太陽電池も、基本的には実施例１の場合と同様に作製さ
れた。ただし実施例２における集積型太陽電池では、実
施例１における場合のように残存させられた微小短絡領
域１０ａを含んでおらず、周縁分離溝９はセル集積領域
を周縁領域１０から完全に分離している。他方、この実
施例２においては、正極側セルおよび負極側セルと周縁
領域とが同一電位になるように、図２に示されているよ
うなリード線１０ｂが半田付けされた。この状態で実施
例１の場合と同様に水洗工程を行なって乾燥させた後
に、これらのリード線１０ｂを取外し、積層型薄膜太陽
電池の出力特性および絶縁特性が測定された。このよう
な実施例２による水洗工程を経た５０枚の集積型薄膜太
陽電池について調べた結果、出力特性に関しては前述の
比較例のものと大きな相違は見られなかったが、実施例
２によるいずれの太陽電池もセル集積領域と周縁領域と
の間で１ＭΩ以上の十分な抵抗を有しており、絶縁不良
は見出されなかった。
【００２６】（実施例３）図３は、実施例３による集積
型薄膜太陽電池の水洗工程を説明するための模式的な断
面図である。
型薄膜太陽電池の水洗工程を説明するための模式的な断
面図である。
【００２７】この実施例３による水洗工程は、実施例１
の図１に示された状態の太陽電池や実施例２の図２に示
された状態の太陽電池のみならず、先行技術の図６に示
された状態の太陽電池の水洗のためにも好ましく用いら
れ得る。
の図１に示された状態の太陽電池や実施例２の図２に示
された状態の太陽電池のみならず、先行技術の図６に示
された状態の太陽電池の水洗のためにも好ましく用いら
れ得る。
【００２８】図３に示された水洗装置２０Ａは、複数の
水洗チャンバ２１を含んでいる。それらの複数の水洗チ
ャンバ２１に続いて乾燥チャンバ２２が設けられてい
る。乾燥チャンバ２２は、たとえば矢印２２ａで表され
ているような温風乾燥機を設けることができる。集積型
薄膜太陽電池１はコンベア２３によって搬送され、複数
の水洗チャンバ２１を通過した後に乾燥チャンバ２２に
おいて乾燥させられる。水洗チャンバ２１内において
は、上方からの水洗スプレー（図示せず）を設けてもよ
く、さらにそれに加えて下方からの水洗スプレー（図示
せず）を設けてもよい。また、コンベア２３はメッシュ
状または梯子状のものを用いてもよい。各水洗チャンバ
２１や乾燥チャンバ２２の境界には、好ましくは、たと
えば短冊状に切断されたゴムまたはポリマーのシートか
らなるカーテン２４が設けられてもよい。
水洗チャンバ２１を含んでいる。それらの複数の水洗チ
ャンバ２１に続いて乾燥チャンバ２２が設けられてい
る。乾燥チャンバ２２は、たとえば矢印２２ａで表され
ているような温風乾燥機を設けることができる。集積型
薄膜太陽電池１はコンベア２３によって搬送され、複数
の水洗チャンバ２１を通過した後に乾燥チャンバ２２に
おいて乾燥させられる。水洗チャンバ２１内において
は、上方からの水洗スプレー（図示せず）を設けてもよ
く、さらにそれに加えて下方からの水洗スプレー（図示
せず）を設けてもよい。また、コンベア２３はメッシュ
状または梯子状のものを用いてもよい。各水洗チャンバ
２１や乾燥チャンバ２２の境界には、好ましくは、たと
えば短冊状に切断されたゴムまたはポリマーのシートか
らなるカーテン２４が設けられてもよい。
【００２９】これらの水洗チャンバ２１や乾燥チャンバ
２２は、光を遮断する光遮蔽ガード２５によって包囲さ
れている。したがって、図３に示されているような水洗
装置において集積型薄膜太陽電池を水洗すれば、その水
洗工程中に太陽電池が光起電力を生じることがないの
で、周縁分離溝９のいずれかの位置に部分的に水滴が付
着したとしても、セル集積領域と周縁領域との間に電位
差が生じていないのでイオンマイグレーションによる短
絡を生じることがない。
２２は、光を遮断する光遮蔽ガード２５によって包囲さ
れている。したがって、図３に示されているような水洗
装置において集積型薄膜太陽電池を水洗すれば、その水
洗工程中に太陽電池が光起電力を生じることがないの
で、周縁分離溝９のいずれかの位置に部分的に水滴が付
着したとしても、セル集積領域と周縁領域との間に電位
差が生じていないのでイオンマイグレーションによる短
絡を生じることがない。
【００３０】この実施例３に関して、基本的に実施例１
の場合と同様の製造条件で図６に示されているような集
積型太陽電池が１６枚作製された。これら１６枚の太陽
電池について図３に示されているような水洗工程を行な
った後に絶縁特性を測定したが、イオンマイグレーショ
ンの発生による絶縁不良を生じたものは１枚も存在しな
かった。
の場合と同様の製造条件で図６に示されているような集
積型太陽電池が１６枚作製された。これら１６枚の太陽
電池について図３に示されているような水洗工程を行な
った後に絶縁特性を測定したが、イオンマイグレーショ
ンの発生による絶縁不良を生じたものは１枚も存在しな
かった。
【００３１】（実施例４）図４は、実施例４による水洗
工程に用いられる水洗装置を示す模式的な断面図であ
る。図４の水洗装置２０Ｂは図３のものに類似している
が、光遮蔽ガード２５が設けられていない。その代わり
に、最初の水洗チャンバ２１の前段に付加的な噴水ノズ
ル２６が設けられている。
工程に用いられる水洗装置を示す模式的な断面図であ
る。図４の水洗装置２０Ｂは図３のものに類似している
が、光遮蔽ガード２５が設けられていない。その代わり
に、最初の水洗チャンバ２１の前段に付加的な噴水ノズ
ル２６が設けられている。
【００３２】この実施例４の図４による水洗工程におい
ては、実施例３の図３における場合と同様に、図６に示
されているような先行技術による集積型薄膜太陽電池の
水洗にも好ましく用いられ得る。
ては、実施例３の図３における場合と同様に、図６に示
されているような先行技術による集積型薄膜太陽電池の
水洗にも好ましく用いられ得る。
【００３３】図４に示されているような水洗方法におい
ては、集積型太陽電池１が最初の水洗チャンバ２１内に
搬送される前段において、その太陽電池１が噴水ノズル
２６の直下に搬送されたことを光センサ等（図示せず）
によって検知し、その瞬間に噴水ノズル２６から水を噴
射させ、周縁分離溝９の全領域が瞬間的に同時に濡らさ
れることになる。すなわち、集積型太陽電池１が光を受
けて起電力を発生している状態であっても、周縁分離溝
９の全領域が同一瞬時に濡らされるので、セル集積領域
と周縁領域１０との全体が瞬時に同電位となる。その結
果、濡れた周縁分離溝９内において電位差が存在しない
ので、イオンマイグレーションが生じることがなく、セ
ル集積領域と周縁領域とが金属の樹枝状晶によって短絡
されることがない。
ては、集積型太陽電池１が最初の水洗チャンバ２１内に
搬送される前段において、その太陽電池１が噴水ノズル
２６の直下に搬送されたことを光センサ等（図示せず）
によって検知し、その瞬間に噴水ノズル２６から水を噴
射させ、周縁分離溝９の全領域が瞬間的に同時に濡らさ
れることになる。すなわち、集積型太陽電池１が光を受
けて起電力を発生している状態であっても、周縁分離溝
９の全領域が同一瞬時に濡らされるので、セル集積領域
と周縁領域１０との全体が瞬時に同電位となる。その結
果、濡れた周縁分離溝９内において電位差が存在しない
ので、イオンマイグレーションが生じることがなく、セ
ル集積領域と周縁領域とが金属の樹枝状晶によって短絡
されることがない。
【００３４】基本的に実施例１の場合と同様の製造条件
で図６に示されているような１４枚の集積型太陽電池を
製造し、図４に示されているような水洗工程を施した
が、イオンマイグレーションの発生による絶縁不良を生
じた集積型太陽電池は１枚も見出されなかった。
で図６に示されているような１４枚の集積型太陽電池を
製造し、図４に示されているような水洗工程を施した
が、イオンマイグレーションの発生による絶縁不良を生
じた集積型太陽電池は１枚も見出されなかった。
【００３５】なお、以上の実施例においては透明絶縁基
板上に透明電極，半導体光電変換層および金属電極が順
次積層された集積型光電変換装置について説明された
が、たとえば絶縁被膜を有するステンレス基板上に金属
電極、半導体光電変換層および透明電極が順次積層され
た集積型光電変換装置にも本発明の製造方法が適用し得
ることはいうまでもない。
板上に透明電極，半導体光電変換層および金属電極が順
次積層された集積型光電変換装置について説明された
が、たとえば絶縁被膜を有するステンレス基板上に金属
電極、半導体光電変換層および透明電極が順次積層され
た集積型光電変換装置にも本発明の製造方法が適用し得
ることはいうまでもない。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、周縁分
離溝を有する集積型薄膜太陽電池の水洗工程において金
属イオンマイグレーションによる絶縁不良を防止するこ
とができ、電流リークのない集積型薄膜太陽電池を製造
し得る方法を提供することができる。
離溝を有する集積型薄膜太陽電池の水洗工程において金
属イオンマイグレーションによる絶縁不良を防止するこ
とができ、電流リークのない集積型薄膜太陽電池を製造
し得る方法を提供することができる。
【図１】本発明の第１実施例による水洗工程における集
積型薄膜太陽電池の状態を示す模式的な平面図である。
積型薄膜太陽電池の状態を示す模式的な平面図である。
【図２】本発明の第２実施例による水洗工程における集
積型薄膜太陽電池の状態を示す模式的な平面図である。
積型薄膜太陽電池の状態を示す模式的な平面図である。
【図３】本発明の第３実施例による水洗工程に用いられ
得る水洗装置の一例を示す模式的な断面図である。
得る水洗装置の一例を示す模式的な断面図である。
【図４】本発明の第４実施例による水洗工程に用いられ
得る水洗装置を示す模式的な断面図である。
得る水洗装置を示す模式的な断面図である。
【図５】集積型薄膜光電変換装置の構造を示す模式的な
断面図である。
断面図である。
【図６】先行技術による集積型薄膜太陽電池を示す模式
的な平面図である。
的な平面図である。
【図７】先行技術による集積型薄膜太陽電池の周縁分離
溝上に局所的な水滴が付着した状態を示す模式的な平面
図である。
溝上に局所的な水滴が付着した状態を示す模式的な平面
図である。
【図８】先行技術による集積型薄膜太陽電池の周縁分離
溝内に金属樹枝状晶が成長した状態を示す模式的な平面
図てある。
溝内に金属樹枝状晶が成長した状態を示す模式的な平面
図てある。
１ 集積型薄膜太陽電池 ２ 透明絶縁基板 ３ 透明電極 ４ 下部電極分離溝 ５ 半導体光電変換層 ６ 接続用開口溝 ７ 裏面金属電極 ８ 上部電極分離溝 ９，９ａ 周縁分離溝 １０ 周縁領域 １０ａ 残された微小短絡領域 １１，１２，１３ 水滴 １４，１５ 金属樹枝状晶 ２０Ａ，２０Ｂ 水洗装置 ２１ 水洗チャンバ ２２ 乾燥チャンバ ２２ａ 温風ドライヤ ２３ コンベア ２４ ゴムまたはポリマーの短冊状カーテン ２５ 光遮蔽ガード ２６ 噴水ノズル
フロントページの続き (72)発明者 山岸 英雄 京都府綴喜郡田辺町田辺狐川153−１
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に順次積層された第１電極
層，半導体光電変換層，および第２電極層を含む積層体
を備え、前記第１と第２の電極層の少なくとも一方は金
属層を含み、前記積層体は周縁分離溝によって光電変換
セル集積領域と周縁領域とに分離されており、前記セル
集積領域は複数の光電変換セルを形成するように分割さ
れかつそれらの複数のセルの少なくとも一部は電気的に
直列接続されている集積型薄膜光電変換装置の製造方法
であって、 前記光電変換装置の水洗工程においては前記直列接続さ
れた複数のセルのうちの正極と負極のセルまたはそれら
に近いセルと前記周縁領域との間は前記周縁分離溝によ
って完全には分離されずに電気的にショートさせられて
おり、 前記水洗工程の完了後に前記正極と負極のセルまたはそ
れらに近いセルと前記周縁領域との間にも完全な分離溝
を形成することによって前記電気的ショートを除去する
ことを特徴とする集積型薄膜光電変換装置の製造方法。 - 【請求項２】 絶縁性基板上に順次積層された第１電極
層，半導体光電変換層，および第２電極層を含む積層体
を備え、前記第１と第２の電極層の少なくとも一方は金
属層を含み、前記積層体は周縁分離溝によって光電変換
セル集積領域と周縁領域とに分離されており、前記セル
集積領域は複数の光電変換セルを形成するように分割さ
れかつそれらの複数のセルの少なくとも一部は電気的に
直列接続されている集積型薄膜光電変換装置の製造方法
であって、 前記光電変換装置の水洗工程においては前記直列接続さ
れた複数のセルのうちの正極と負極のセルまたはそれら
に近いセルと前記周縁領域との間は導電体によって電気
的にショートさせられており、 前記水洗工程の完了後に前記ショートさせる導電体を除
去することを特徴とする集積型薄膜光電変換装置の製造
方法。 - 【請求項３】 絶縁性基板上に順次積層された第１電極
層，半導体光電変換層，および第２電極層を含む積層体
を備え、前記第１と第２の電極層の少なくとも一方は金
属層を含み、前記積層体は周縁分離溝によって光電変換
セル集積領域と周縁領域とに分離されており、前記セル
集積領域は複数の光電変換セルを形成するように分割さ
れかつそれらの複数のセルの少なくとも一部は電気的に
直列接続されている集積型薄膜光電変換装置の製造方法
であって、 前記光電変換装置の水洗工程においては光から遮蔽され
た水洗チャンバ内で水洗が行なわれることを特徴とする
集積型薄膜光電変換装置の製造方法。 - 【請求項４】 絶縁性基板上に順次積層された第１電極
層，半導体光電変換層，および第２電極層を含む積層体
を備え、前記第１と第２の電極層の少なくとも一方は金
属層を含み、前記積層体は周縁分離溝によって光電変換
セル集積領域と周縁領域とに分離されており、前記セル
集積領域は複数の光電変換セルを形成するように分割さ
れかつそれらの複数のセルの少なくとも一部は電気的に
直列接続されている集積型薄膜光電変換装置の製造方法
であって、 前記光電変換装置の水洗工程においては前記光電変換装
置が水洗チャンバ内に導入される前に前記周縁分離溝全
体が実質的に同時に水によって濡らされることを特徴と
する集積型薄膜光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00537897A JP3762013B2 (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 集積型薄膜光電変換装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00537897A JP3762013B2 (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 集積型薄膜光電変換装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209477A true JPH10209477A (ja) | 1998-08-07 |
| JP3762013B2 JP3762013B2 (ja) | 2006-03-29 |
Family
ID=11609516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00537897A Expired - Fee Related JP3762013B2 (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 集積型薄膜光電変換装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3762013B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1054457A2 (en) * | 1999-05-20 | 2000-11-22 | Kaneka Corporation | Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device |
| EP1073095A2 (en) * | 1999-07-29 | 2001-01-31 | Kaneka Corporation | Method for cleaning photovoltaic module and cleaning apparatus |
| WO2009022414A1 (ja) | 2007-08-14 | 2009-02-19 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | 光電変換装置およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-01-16 JP JP00537897A patent/JP3762013B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1054457A2 (en) * | 1999-05-20 | 2000-11-22 | Kaneka Corporation | Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device |
| US6271149B1 (en) | 1999-05-20 | 2001-08-07 | Kaneka Corporation | Method of forming a thin film on a substrate of a semiconductor device |
| EP1054457A3 (en) * | 1999-05-20 | 2006-04-26 | Kaneka Corporation | Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device |
| EP1073095A2 (en) * | 1999-07-29 | 2001-01-31 | Kaneka Corporation | Method for cleaning photovoltaic module and cleaning apparatus |
| EP1073095A3 (en) * | 1999-07-29 | 2001-09-19 | Kaneka Corporation | Method for cleaning photovoltaic module and cleaning apparatus |
| US6506260B1 (en) | 1999-07-29 | 2003-01-14 | Kaneka Corporation | Method for cleaning photovoltaic module and cleaning apparatus |
| EP2141735A2 (en) | 1999-07-29 | 2010-01-06 | Kaneka Corporation | Method for cleaning photovoltaic module and cleaning apparatus |
| EP2141735A3 (en) * | 1999-07-29 | 2012-01-04 | Kaneka Corporation | Method for cleaning photovoltaic module and cleaning apparatus |
| WO2009022414A1 (ja) | 2007-08-14 | 2009-02-19 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | 光電変換装置およびその製造方法 |
| KR101120269B1 (ko) | 2007-08-14 | 2012-03-06 | 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤 | 광전 변환 장치 및 그 제조 방법 |
| JP5230627B2 (ja) * | 2007-08-14 | 2013-07-10 | 三菱重工業株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3762013B2 (ja) | 2006-03-29 |
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