DE69009635T2 - Verfahren zur Verhinderung von Rückseitenwachstum auf Substraten in einer Anlage zur Dampfphasenbeschichtung. - Google Patents
Verfahren zur Verhinderung von Rückseitenwachstum auf Substraten in einer Anlage zur Dampfphasenbeschichtung.Info
- Publication number
- DE69009635T2 DE69009635T2 DE69009635T DE69009635T DE69009635T2 DE 69009635 T2 DE69009635 T2 DE 69009635T2 DE 69009635 T DE69009635 T DE 69009635T DE 69009635 T DE69009635 T DE 69009635T DE 69009635 T2 DE69009635 T2 DE 69009635T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- hollow body
- supports
- vapor deposition
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 title 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 16
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 10
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 claims description 2
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 claims 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 3
- 229910003822 SiHCl3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
- Diese Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verhinderung von Rückseitenwachstum auf Substraten in einem Abscheidungssystem mit auftreffendem Dampf.
- Rückseitenwachstum auf Substraten in einem Abscheidungssystem mit auftreffendem chemischem Dampf führt oftmals, wenn es nicht verhindert wird, zum Brechen der Abscheidung. Ein solches Wachstum macht es auch schwierig, in einem Dampfphasenabscheidungssystem eine Nachbildung der Form und eine Oberflächenbeschaffenheit vorgeformter Strukturen zu bekommen. Das Vorhandensein von solchem Wachstum ist weiterhin nachteilig, da nach der Abscheidung eine maschinelle Bearbeitung erforderlich ist, um die Substratabscheidung von der Abscheidungsbefestigung zu trennen. Rückseitenwachstum auf Substraten ist somit besonders nachteilig bei der Schnellherstellung von leichter Optik.
- In der EP-A-41 1 910 ist ein Verfahren zur Herstellung leichter Strukturen aus hitzebeständigen Materialien durch Dampfphasenabscheidung beschrieben. Die dort beschriebenen Verfahren und leichten Strukturen enthalten einen Kern, um die Form und Größe einer jeden Struktur zu definieren. Der Kern wird mit einer geeigneten Abscheidung, wie Siliciumcarbid (SiC) oder Silicium (Si) beschichtet, um die Strukturfestigkeit und Steifheit zu ergeben, und für ihre Bindung an eine andere Oberfläche, wie beispielsweise die Oberfläche eines Substrates, welches die Sichtplatte eines herzustellenden Spiegels umfaßt.
- Bei der Herstellung von Spiegeln kann Graphit benutzt werden, um einen Dorn zur Reproduzierung auf einer SiC-Sichtplatte zu bilden. Eine Seite des Dorns wird optisch entweder als flache Form oder als eine konvexe kugelige Form hergestellt. Die andere Seite des Dorns ist feingeschliffen flach. Die feingeschliffene Seite des Dornes wird mit Hilfe von Pfeilern und Graphitzement an einer Prallplatte in einem Dampfphasenabscheidungsreaktor gebunden. Der Dorn wird dann mit mehreren Überzügen einer Suspension von Kohlenstoff in Lösungsmittel beschichtet, wonach die Oberfläche des Dornes geschliffen oder poliert wird, um sie so glänzend wie möglich zu machen, ohne ihre Gestalt wesentlich zu verändern. Eine Abscheidung von SiC auf dem Dorn wird dann bewirkt. Ohne Trennung der Sichtplatte von dem Dorn kann die freiliegende SiC-Oberfläche mit heißem Kaliumhydroxid (KOH) geätzt werden, um die Bindung von Graphit an SiC zu verbessern. Ein leichter Strukturkern wird dann aus flachen oder gekrümmten Graphitrippen hergestellt, wie in der oben erwähnten Patentanmeldung beschrieben ist. Nach dem gegenseitigen Verbinden mit Graphitzement wird der leichte Strukturkern mit Graphitzement an die geätzte SiC-Oberfläche des Dornes gebunden. SiC wird dann abgeschieden, um den leichten Strukturkern einzuschließen, wonach die Prallplatte von den Prallplattenpfeilern getrennt wird. Gesteuertes Abkanten kann durchgeführt werden, um überschüssige SiC-Abscheidung zu entfernen. Unter Verwendung eines Messers kann dann die Grenzfläche zwischen dem Graphitdorn und der SiC-Sichtplatte geöffnet werden, um die mit SiC beschichtete Spiegelsichtplatte zu gewinnen. Letztere ist dann fertig für SiC-Beschichtung.
- Selektive Abscheidung zur Begrenzung von Si-Wachstum nur auf der Vorderseite der mit SiC beschichteten Sichtplatte bei der Herstellung der Spiegeloberfläche ist sehr schwierig. Der Grund hierfür ist, wie oben erwähnt, daß Si-Wachstum auf der Rückseite der SiC-Sichtplatte nachteilig ist, da es, wenn es nicht verhindert wird, ein Reißen der Ablagerung auf der Vorderseite oft zur Folge hat, eine Nachbildung in einem Dampfphasenabscheidungssystem schwierig macht und außerdem nach der Abscheidung eine maschinelle Bearbeitung erfordert, um die Substratabscheidung von der Abscheidungsbefestigung zu trennen.
- Die vorliegende Erfindung besteht aus einem Verfahren zur Verhinderung von Rückseitenwachstum auf einem Substrat in einem Abscheidungssystem mit auftreffendem Dampf mit einem Reaktor, in welchem Dampfphasenabscheidung stattfindet, mit den Stufen, in denen man
- a) das Substrat auf Stützen in dem Reaktor anordnet,
- b) aus flexiblem Graphit einen Hohlkörper herstellt, der mit dem Substrat kompatibel ist und an einem Ende offen, aber an dem anderen Ende verschlossen ist, wobei man als Bindemittel Graphitzement verwendet,
- c) den Hohlkörper auf den Stützen in Zusammenwirken mit dem Substrat anordnet, wobei sei offenes Ende zur Rückseite des Substrates hinblickt,
- d) das offene Ende des Hohlkörpers gegen das Substrat in enger Nähe zu dessen Umfang preßt und abdichtet und
- e) nach Beendigung des Dampfphasenabscheidungsverfahrens den Hohlkörper von dem Substrat entfernt, indem man den Hohlkörper durchschlägt und ihn in Stücke bricht.
- Somit kann ein einfaches billiges Verfahren zur Verhinderung von Rückseitenwachstum auf Substraten in einem Dampfphasenabscheidungssystem erhalten werden, welches keine maschinelle Bearbeitung zur Entfernung von überschüssigem Material erfordert.
- Das Verfahren der Erfindung kann beispielsweise zur selektiven Abscheidung von SiC und Si in einem Reaktor für chemische Dampfphasenabscheidung verwendet werden.
- Die Stützen werden vorzugsweise von einer Rückseitenprallplatte in dem Reaktor für Dampfphasenabscheidung unterstützt und mit einem geeigneten Bindemittel an dem Substrat so nahe wie möglich am Umfang des Substrates gebunden.
- Das Durchschlagen und Aufbrechen des Hohlkörpers, um ihn von dem Substrat zu entfernen, wird vorzugsweise mit mechanischen Mitteln bewirkt.
- Bei der Durchführung des Verfahrens nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird ein geeignetes Substrat, das von irgendeiner Form (sechseckig, quadratisch, dreieckig, rund usw.) und Größe sein kann, auf einer ausreichenden Anzahl von Stützen aus Graphit oder irgendeinem anderen geeigneten Material angeordnet. Die Stützen werden mit einem geeigneten Bindemittel an dem Substrat so nahe wie möglich an der Peripherie des Substrates gebunden. Ein geeigneter Hohlkörper, der an einem Ende offen, aber am anderen geschlossen ist und mit dem Substrat verträglich ist, wird aus flexiblem Graphit, vorzugsweise einem Graphittuch hergestellt, wie beispielsweise aus jenem, das unter dem Handelsnamen "GRAFOIL" hergestellt wird und bei der Union Carbide Corporation, Old Ridgebury Raod, Danbury, Connecticut 06817 im Handel erhältlich ist. Der Hohlkörper wird dann auf den Stützen befestigt, wobei das offene Ende zu der Rückseite des Substrates hinweist und wobei die Grenzfläche des geschlosenen Endes mit den Stützen versiegelt wird. Das offene Ende des Körpers wird gegen das Substrat gepreßt und mit einem Bindemittel darauf befestigt. Diese Anordnung bedeckt vollständig die Rückseite des Substrates und verhindert so eine Dampfphasenabscheidung darauf während des Dampfphasenabscheidungsverfahrens. Eine Dampfphasenabscheidung erfolgt jedoch auf der Außenoberfläche des Hohlkörpers.
- Der Hohlkörper mit einem aus der Dampfphase darauf abgeschiedenen Überzug wird leicht von dem Substrat entfernt, ohne daß eine Zerstörung des Substrates erfolgt. Da speziell GRAFOIL recht flexibel ist, wird der mit Si überzogene Hohlkörper leicht unter Verwendung eines Zertrümmerungswerkzeugs und eines Zangenpaares in kleine Stücke zerbrochen. In dem überzogenen GRAFOlL während seiner Entfernung von dem Substrat erzeugte Risse schreiten nicht zu dem Substrat hin voran. Der Grund hierfür besteht darin, daß das Substrat senkrecht zu dem GRAFOlL-Körper ist und GRAFOIL flexibel ist und sich daher verformt, wenn Spannungen infolge Materialausdehnung und Verschiebung durch Wärmeausdehnung auftreten.
- Für ein besseres Verständnis der Erfindung, ihrer betrieblichen Vorteile und mit ihrer Verwendung gelöster Aufgaben wird auf die beiliegende Zeichnung und Beschreibung, worin eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung erläutert wird, Bezug genommen.
- Mit dieser Beschreibung der Erfindung folgt eine detaillierte Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung, die Teil der Beschreibung bildet und worin
- Fig. 1 und
- Fig. 2 eine Draufsicht bzw. Seitenansicht eines Aufbaues nach der Erfindung zur Verhinderung von Wachstum auf der Rückseite eines Substrates in einem Dampfphasenabscheidungssystem sind,
- Fig. 3 eine Schnittdarstellung entlang der Linien 3-3 in Fig, 2 ist,
- Fig. 4 eine schematische Erläuterung eines Abscheidungssystems mit auftreffendem chemischem Dampf ist, welches verwendet wird, um hitzebeständiges Material auf dem Substrat von Fig. 1 abzuscheiden, und
- Fig. 5 ein SiC-Substrat erläutert, das mit einem GRAFOIL-Körper auf der Rückseite nach Beendigung der Si-Abscheidung bedeckt ist.
- Fig. 1 erläutert das Verfahren, das verwendet wird, um Wachstum auf der Rückseite eines kreisförmigen SiC-Substrates 10 in einem Abscheidungssystem mit auftreffendem chemischem Dampf, welches von herkömmlichem Typ sein kann, wie jenem, der in Fig. 4 mit 12 bezeichnet ist, zu verhindern. Das Substrat 10 kann die Sichtplatte eines herzustellenden Spiegels umfassen. Wie am besten aus den Fig. 2 und 3 ersichtlich ist, wird gemäß der Erfindung ein hohler zylindrischer Körper 14 vorgesehen, der vorzugsweis aus GRAFOIL, einem flexiblen Graphit, besteht, der mit dem Substrat 10 verträglich ist. Der Hohlkörper 14 hat im wesentlichen den gleichen Durchmesser wie das Substrat 10 und ist am einen Ende offen, aber am anderen geschlossen. Der Hohlkörper 14 ist mit dem Substrat 10 zusammenwirkend auf mehreren Stützen 16 befestigt, von denen aus Gründen der Bequemlichkeit der Erläuterung in der Zeichnung nur zwei gezeigt sind. Die Stützen 16 sind mit einem geeigneten Bindemittel mit dem Substrat 10 so nahe wie möglich an der Peripherie desselben verbunden. Das offene Ende des Hohlkörpers 14 ist so angeordnet, daß es zu der Rückseite des Substrates hin blickt, wobei sich die Stützen 16 durch sein geschlossenes Ende hindurch in Dichtbeziehung mit ihm unter Dichtung mit Graphitzement erstrecken. Die Stützen 16 ihrerseits sind auf einer Rückseitenprallplatte 18 mit einer mittig angeordneten Öffnung 20 befestigt und auf ihr abgestützt. Das offene Ende des Hohlkörpers 14 ist gegen das Substrat 10 gepreßt und mit einem geeigneten Bindemittel (nicht gezeigt) dort aufgesiegelt. In Fig. 2 zeigen die Pfeile die Richtung des Flusses des Abscheidungsdampfes während der Dampfphasenabscheidung in Bezug auf das Substrat 10 an.
- Mit dieser Anordnung ist die Rückseite des Substrates 10 vollständig bedeckt, wodurch während eines Si-Dampfphasenabscheidungsverfahrens Dampfphasenabscheidung auf der Rückseite des Substrates 10 verhindert wird. Dampfphasenabscheidung von Si erfolgt jedoch auf der Außenoberfläche des Hohlkörpers 14.
- Fig. 4 erläutert schematisch ein chemisches Damfphasenabscheidungssystem, das für die selektive Abscheidung von SiC und Si auf dem Substrat der Fig. 1 bis 3 verwendet werden kann. Wie in Fig. 4 gezeigt ist, tritt Argon in eine Blasenkammer 24 aus einer (nicht gezeigten) Quelle mit Hilfe eines Ventils 26 und einer Leitung 28 ein. Die Kammer 24 kann Methyltrichlorsilan (CH&sub3;SiCl&sub3;) oder Trichlorsilan (SiHCl&sub3;) enthalten. Methyltrichlorsilan ist bevorzugt, um eine Siliciumcarbidabscheidung (SiC) zu bekommen. Trichlorsilan ist bevorzugt, um eine Siliciumabscheidung (Si) zu bekommen. Wie jedoch für den Fachmann verständlich ist, können auch andere Kohlenwasserstoff- und Silanquellen verwendet werden, um Abscheidungen von SiC und Si zu erzeugen. Beide dieser Materialien wurden über einen weiten Abscheidungstemperatur- und Reaktordruckbereich hergestellt, wie in der oben erwähnten Patentanmeldung vollständiger beschrieben ist.
- Argonblasen, die das Reagenz CH&sub3;SiCl&sub3; oder SiHCl&sub3; mit sich tragen, treten unter der Kontrolle eines Ventils 32 in eine Leitung 30 ein. Wasserstoff tritt in die Leitung 30 aus einer (nicht gezeigten) Quelle unter der Kontrolle eines Ventils 34 ein. Die Reagenzien können in den Reaktor 22 durch einen mittigen Injektor 31 eingeführt werden. Der Reaktor 22 enthält eine herkömmliche Keramik-Abscheidungskammer 23, die in einem Reaktionszonenrohr 25 enthalten ist, wobei diese Kammer 23 mit (nicht gezeigten) geeigneten Heizelementen auf etwa 830 bis 1350 ºC erhitzt werden kann.
- Gasförmige Produkte werden aus dem Reaktor 22 über ein Filter 36 durch eine Leitung 38 zu einer Vakuumpumpe 40 entfernt. Von der Vakuumpumpe 40 werden die Gase durch eine Leitung 42 zu einem Gaswäscher 44 befördert. Die Gase werden dann in die Atmosphäre abgeblasen.
- In Fig. 5 ist eine perspektivische Darstellung des Substrates 10 und des GRAFOIL-Körpers 14 nach Beendigung der Si-Abscheidung erläutert. Da GRAFOIL recht flexibel ist, wird das mit Si überzogene GRAFOIL durch Verwendung eines Zertrümmerungswerkzeuges und eines Zangenpaares leicht in kleine Stücke zerbrochen. Während man das überzogene GRAFOIL entfernt, schreiten Brüche nicht zu dem Substrat 10 voran, da das Substrat 10 senkrecht zu dem GRAFOIL-Körper 14 ist und da GRAFOIL flexibel ist und sich daher verformt, wenn infolge Si-Ausdehnung und infolge Wärmeausdehnungsverschiebungen Spannungen auftreten. Somit wurde gemäß der Erfindung ein Verfahren entwickelt, um selektiv SiC und Si in einem System für chemische Dampfphasenabscheidung abzuscheiden. Das Verfahren ist einzigartig darin, daß es einen leichten und billigen Weg zur Verhinderung von Rückseitenwachstum in einem Dampfphasenabscheidungssystem liefert und so die Nachbildung der Form und Oberflächenbeschaffenheit vorgeformter Strukturen erleichtert. Das Verfahren ist weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß maschinelle Bearbeitung zur Entfernung von überschüssigem Material nicht erforderlich ist.
Claims (4)
1. Verfahren zur Verhinderung von Rückseitenwachstum auf einem Substrat (10) in
einem Abscheidungssystem (12) mit auftreffendem Dampf mit einem Reaktor (22), in
welchem Dampfphasenabscheidung stattfindet, mit den Stufen, in denen man
a) das Substrat (10) auf Stützen (16) in dem Reaktor (22) anordnet,
b) aus flexiblem Graphit einen Hohlkörper (14) herstellt, der mit dem Substrat
kompatibel ist und an einem Ende offen, aber an dem anderen Ende
verschlossen ist, wobei man als Bindemittel Graphitzement verwendet,
c) den Hohlkörper (14) auf den Stützen (16) in Zusammenwirken mit dem
Substrat (10) anordnet, wobei sein offenes Ende zur Rückseite des Substrates hin
blickt,
d) das offene Ende des Hohlkörpers gegen das Substrat in enger Nähe zu dessen
Umfang preßt und abdichtet und
e) nach Beendigung des Dampfphasenabscheidungsverfahrens den Hohlkörper
(14) von dem Substrat (10) entfernt, indem man den Hohlkörper durchschlägt
und ihn in Stücke zerbricht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem man in der Stufe b) den Hohlkörper (14) aus
Graphitstoff herstellt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei dem die Stützen (16) von einer
Ablenkrückseitenplatte (18) in dem Dampfphasenabscheidungsreaktor unterstützt und
mit einem geeigneten Bindemittel an das Substrat (10) nahe dessen Umfang bindet.
4. Verfahren nach einem der vorausgehenden Ansprüche, bei dem das Durchstoßen und
Aufbrechen des Hohlkörpers zu seiner Entfernung von dem Substrat durch
mechanische Mittel bewirkt wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/403,957 US4963393A (en) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | Method to prevent backside growth on substrates in a vapor deposition system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE69009635D1 DE69009635D1 (de) | 1994-07-14 |
| DE69009635T2 true DE69009635T2 (de) | 1994-09-22 |
Family
ID=23597561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69009635T Expired - Fee Related DE69009635T2 (de) | 1989-09-07 | 1990-08-30 | Verfahren zur Verhinderung von Rückseitenwachstum auf Substraten in einer Anlage zur Dampfphasenbeschichtung. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4963393A (de) |
| EP (1) | EP0416813B1 (de) |
| JP (1) | JPH0670274B2 (de) |
| CA (1) | CA2023278C (de) |
| DE (1) | DE69009635T2 (de) |
| IL (1) | IL95414A (de) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2655364B1 (fr) * | 1989-12-01 | 1992-04-10 | Europ Propulsion | Procede de fabrication d'une piece en materiau composite, notamment a texture fibres de carbone ou refractaires et matrice carbone ou ceramique. |
| FR2659949B1 (fr) * | 1990-03-26 | 1992-12-04 | Europ Propulsion | Procede de conformation d'une texture fibreuse de renfort pour la fabrication d'une piece en materiau composite. |
| US5133284A (en) * | 1990-07-16 | 1992-07-28 | National Semiconductor Corp. | Gas-based backside protection during substrate processing |
| KR100243784B1 (ko) * | 1990-12-05 | 2000-02-01 | 조셉 제이. 스위니 | 웨이퍼의 전방부 모서리와후방부에서의 증착을 방지하는 cvd웨이퍼 처리용 수동 실드 |
| US5304248A (en) * | 1990-12-05 | 1994-04-19 | Applied Materials, Inc. | Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions |
| US5665430A (en) * | 1992-09-30 | 1997-09-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Chemical vapor deposition method for depositing diamond using a high temperature vacuum substrate mount |
| US5328722A (en) * | 1992-11-06 | 1994-07-12 | Applied Materials, Inc. | Metal chemical vapor deposition process using a shadow ring |
| US5292554A (en) * | 1992-11-12 | 1994-03-08 | Applied Materials, Inc. | Deposition apparatus using a perforated pumping plate |
| US5628038A (en) * | 1993-04-16 | 1997-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Camera having a sub-mirror unit |
| US5354580A (en) * | 1993-06-08 | 1994-10-11 | Cvd Incorporated | Triangular deposition chamber for a vapor deposition system |
| US5741445A (en) * | 1996-02-06 | 1998-04-21 | Cvd, Incorporated | Method of making lightweight closed-back mirror |
| US5980638A (en) * | 1997-01-30 | 1999-11-09 | Fusion Systems Corporation | Double window exhaust arrangement for wafer plasma processor |
| US6042758A (en) * | 1998-05-05 | 2000-03-28 | Cvd, Inc. | Precision replication by chemical vapor deposition |
| US6228297B1 (en) * | 1998-05-05 | 2001-05-08 | Rohm And Haas Company | Method for producing free-standing silicon carbide articles |
| US6464912B1 (en) | 1999-01-06 | 2002-10-15 | Cvd, Incorporated | Method for producing near-net shape free standing articles by chemical vapor deposition |
| EP1388592B1 (de) * | 2002-07-31 | 2010-08-25 | Hilmar Bode | Verfahren und Vorrichtung zur Isolierung eines Oberflächenbereichs eines Werkstücks |
| US20040083976A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-05-06 | Silterra Malaysia Sdn. Bhd. | Modified deposition ring to eliminate backside and wafer edge coating |
| EP1793021A3 (de) * | 2005-12-02 | 2009-01-14 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Verfahren zur Behandlung von Halbleitern unter Verwendung von einem Gegenstand aus Silizium Karbid |
| US11326255B2 (en) * | 2013-02-07 | 2022-05-10 | Uchicago Argonne, Llc | ALD reactor for coating porous substrates |
| US11111578B1 (en) | 2020-02-13 | 2021-09-07 | Uchicago Argonne, Llc | Atomic layer deposition of fluoride thin films |
| US11901169B2 (en) | 2022-02-14 | 2024-02-13 | Uchicago Argonne, Llc | Barrier coatings |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6035994B2 (ja) * | 1978-07-10 | 1985-08-17 | 日本ピラ−工業株式会社 | 複合部材の製造方法 |
| US4448797A (en) * | 1981-02-04 | 1984-05-15 | Xerox Corporation | Masking techniques in chemical vapor deposition |
| US4705659A (en) * | 1985-04-01 | 1987-11-10 | Motorola, Inc. | Carbon film oxidation for free-standing film formation |
| KR930001191Y1 (ko) * | 1986-06-13 | 1993-03-18 | 나고야 유까 가부시기가이샤 | 마스킹재 |
-
1989
- 1989-09-07 US US07/403,957 patent/US4963393A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-08-15 CA CA002023278A patent/CA2023278C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-17 IL IL9541490A patent/IL95414A/en not_active IP Right Cessation
- 1990-08-30 DE DE69009635T patent/DE69009635T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-30 EP EP90309491A patent/EP0416813B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-07 JP JP2235967A patent/JPH0670274B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2023278C (en) | 1993-08-31 |
| JPH03100177A (ja) | 1991-04-25 |
| EP0416813A2 (de) | 1991-03-13 |
| DE69009635D1 (de) | 1994-07-14 |
| EP0416813B1 (de) | 1994-06-08 |
| CA2023278A1 (en) | 1991-03-08 |
| US4963393A (en) | 1990-10-16 |
| JPH0670274B2 (ja) | 1994-09-07 |
| IL95414A0 (en) | 1991-06-30 |
| EP0416813A3 (en) | 1991-04-10 |
| IL95414A (en) | 1994-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69009635T2 (de) | Verfahren zur Verhinderung von Rückseitenwachstum auf Substraten in einer Anlage zur Dampfphasenbeschichtung. | |
| DE69006839T2 (de) | Flächenselektive chemische Dampfphasenausscheidung. | |
| DE68921501T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Waferhalteeinrichtung für Anlagen zur schnellen thermischen Behandlung. | |
| DE69008815T2 (de) | Chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren zur Nachbildung der Oberflächenbeschaffenheit und/oder der Form von Formkörpern. | |
| DE69019552T2 (de) | Verfahren zum Einsetzen eines starren Elements zur Membrantrennung, Filtration oder katalytischen Umwandlung in ein Modul. | |
| DE60006095T2 (de) | Reaktorkammer für einen epitaxiereaktor | |
| DE60002173T2 (de) | Verfaren und reaktor zur züchtung von silizium-karbid einkristallung durch chemische dampfabscheidung | |
| DE69911109T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung freistehender Siliciumcarbidgegenstände | |
| DE10204468C1 (de) | Verfahren zur Herstellung von hochreinen Verschleißeinlagen, nach dem Verfahren erhältliche Verschleißeinlage und deren Verwendung | |
| DE3315971C2 (de) | ||
| DE2117933A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Hohlkörpern aus Halbleitermaterial von beliebiger Länge | |
| DE3026030C2 (de) | Vorrichtungsteil für die Halbleitertechnik, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung | |
| DE3875680T2 (de) | Verfahren zum heissisostatischen pressen und kapsel aus titan zur verwendung bei diesem verfahren. | |
| EP1778890B1 (de) | Herstellungsverfahren für reaktor zur zersetzung von gasen | |
| DE1901752A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Einkristalles in einem nichtmonokristallinem Substrat | |
| DE60006072T2 (de) | Verfahren zur herstellung einer schale aus thermobeständigem verbundwerkstoff, insbesondere für eine einrichtung zur produktion von einkristallinem silizium | |
| DE69908883T2 (de) | Kombination Gasphaseninfitration/Gasphasenabscheidung und Wärmebehandlungs-Aufnehmerdeckel | |
| US3961003A (en) | Method and apparatus for making elongated Si and SiC structures | |
| DE3441707C2 (de) | Tiegel zum Herstellen von Kristallen und Verwendung des Tiegels | |
| DE69309968T2 (de) | VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON CVD Si3N4 | |
| DE2131407C3 (de) | Verfahren zur Gasabscheidung einer dichten Siliciumcarbidschicht | |
| DE68916665T2 (de) | Feuerfester Verbundwerkstoff. | |
| EP0145059B1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Gitters und Verwendung des hergestellten Gitters | |
| DE3034591A1 (de) | Leichtmetallzylinderkopf fuer eine ventilgesteuerte brennkraftmaschine | |
| DE3842984C1 (de) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |